显示基板及其制备方法、显示装置与流程

1.本公开涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light emitting diode，简称oled)和量子点发光二极管(quantum-dot light emitting diodes，简称qled)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以oled或qled为发光器件、由薄膜晶体管(thin film transistor，简称tft)进行信号控制的柔性显示装置(flexible display)已成为目前显示领域的主流产品。
3.随着显示技术的发展，消费者对显示产品显示效果的要求越来越高。经本技术发明人研究发现，现有显示装置存在电磁干扰显示的问题，影响了显示品质。


技术实现要素：

4.以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
5.本公开所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以克服现有显示装置存在电磁干扰显示的问题。
6.一方面，本公开提供了一种显示基板，包括显示区域和位于所述显示区域第一方向一侧的绑定区域，所述绑定区域包括沿着所述第一方向依次设置的引线区、弯折区和绑定引脚区，所述弯折区被配置为通过弯折使所述绑定引脚区翻转到所述显示区域的背面；所述弯折区设置有屏蔽电极，所述绑定引脚区设置有屏蔽引脚，所述屏蔽电极通过屏蔽连接线与所述屏蔽引脚连接。
7.在示例性实施方式中，所述屏蔽电极包括沿着所述第一方向依次设置的第一屏蔽区、第二屏蔽区和第三屏蔽区，所述第一屏蔽区位于所述引线区，所述第二屏蔽区位于所述弯折区，所述第三屏蔽区位于所述绑定引脚区。
8.在示例性实施方式中，所述屏蔽电极的第三屏蔽区通过屏蔽连接线与所述屏蔽引脚连接。
9.在示例性实施方式中，所述引线区包括第一隔离坝和第二隔离坝，所述第二隔离坝位于所述第一隔离坝远离所述显示区域的一侧，所述第一屏蔽区位于所述第二隔离坝远离所述显示区域的一侧。
10.在示例性实施方式中，所述屏蔽电极为整面结构。
11.在示例性实施方式中，所述屏蔽电极为网格结构；所述屏蔽电极包括至少两个第一电极条和多个第二电极条，所述第一电极条为沿着所述第一方向延伸的条形状，至少两个第一电极条分别设置在所述弯折区所述第二方向的两侧，所述第二电极条为沿着所述第二方向延伸的条形状，多个第二电极条沿着所述第一方向依次设置，至少两个第一电极条和多个第二电极条相互交叉且连接。
12.在示例性实施方式中，所述屏蔽电极为网格结构；所述屏蔽电极包括多个第一电极条和至少两个第二电极条，所述第一电极条为沿着所述第一方向延伸的条形状，多个第一电极条沿着所述第二方向依次设置，所述第二电极条为沿着所述第二方向延伸的条形状，至少两个第二电极条分别设置在所述弯折区所述第一方向的两侧，多个第一电极条和至少两个第二电极条相互交叉且连接。
13.在示例性实施方式中，所述屏蔽电极为网格结构；所述屏蔽电极包括至少两个第一电极条、至少两个第二电极条和多个第三电极条，所述第一电极条为沿着所述第一方向延伸的条形状，至少两个第一电极条分别设置在所述弯折区所述第二方向的两侧，所述第二电极条为沿着所述第二方向延伸的条形状，至少两个第二电极条分别设置在所述弯折区所述第一方向的两侧，至少两个第一电极条和至少两个第二电极条相互交叉且连接，形成框结构；所述第三电极条为沿着第一斜向方向延伸的条形状，多个第三电极条沿着第二斜向方向依次设置，多个第三电极条与所述框结构相互交叉且连接，所述第一斜向方向与所述第一方向具有大于0
°
且小于90
°
的夹角，所述第二斜向方向与所述第一斜向方向交叉。
14.在示例性实施方式中，在垂直于所述显示基板的平面内，所述显示区域包括：基底，设置在所述基底上的驱动结构层，设置在所述驱动结构层远离所述基底一侧的发光结构层，设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的封装结构层，以及设置在所述封装结构层远离所述基底一侧的触控结构层；所述驱动结构层包括沿着远离所述基底方向依次设置第一源漏金属层和第二源漏金属层，所述发光结构层包括阳极导电层，所述触控结构层包括第一触控金属层和第二触控金属层；所述弯折区还包括弯折连接线，所述绑定引脚区还包括屏蔽连接线、电源连接线和电源引脚，所述屏蔽连接线与屏蔽引脚连接，所述电源连接线与电源引脚连接。
15.在示例性实施方式中，所述屏蔽引脚和电源引脚位于所述第一源漏金属层，所述弯折连接线、屏蔽连接线和电源连接线位于所述第二源漏金属层，所述屏蔽电极位于所述阳极导电层，所述屏蔽电极通过过孔与所述屏蔽连接线连接，所述屏蔽连接线通过过孔与所述屏蔽引脚连接，所述电源连接线通过过孔与所述电源引脚连接。
16.在示例性实施方式中，所述屏蔽引脚和电源引脚位于所述第一源漏金属层，所述弯折连接线、屏蔽连接线和电源连接线位于所述第二源漏金属层，所述屏蔽电极位于所述第一触控金属层和/或所述第二触控金属层，所述屏蔽电极通过过孔与所述屏蔽连接线连接，所述屏蔽连接线通过过孔与所述屏蔽引脚连接，所述电源连接线通过过孔与所述电源引脚连接。
17.在示例性实施方式中，所述屏蔽引脚、电源引脚、弯折连接线和电源连接线位于所述第一源漏金属层，所述屏蔽电极和屏蔽连接线位于所述第二源漏金属层，所述屏蔽电极与所述屏蔽连接线直接连接，所述屏蔽连接线通过过孔与所述屏蔽引脚连接，所述弯折连接线与所述电源连接线直接连接，所述电源连接线与所述电源引脚直接连接。
18.在示例性实施方式中，所述屏蔽引脚、电源引脚、弯折连接线和电源连接线位于所述第一源漏金属层，所述屏蔽连接线位于所述第二源漏金属层，所述屏蔽电极位于所述阳极导电层，所述屏蔽电极通过过孔与所述屏蔽连接线连接，所述屏蔽连接线通过过孔与所述屏蔽引脚连接，所述弯折连接线与所述电源连接线直接连接，所述电源连接线与所述电源引脚直接连接。
19.在示例性实施方式中，所述屏蔽引脚、电源引脚、弯折连接线和电源连接线位于所述第一源漏金属层，所述屏蔽连接线位于所述第二源漏金属层，所述屏蔽电极位于所述第一触控金属层和/或所述第二触控金属层，所述屏蔽电极通过过孔与所述屏蔽连接线连接，所述屏蔽连接线通过过孔与所述屏蔽引脚连接，所述弯折连接线与所述电源连接线直接连接，所述电源连接线与所述电源引脚直接连接。
20.另一方面，本公开还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。
21.又一方面，本公开还提供了一种显示基本的制备方法，所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域第一方向一侧的绑定区域，所述绑定区域包括沿着所述第一方向依次设置的引线区、弯折区和绑定引脚区，所述弯折区被配置为通过弯折使所述绑定引脚区翻转到所述显示区域的背面；所述制备方法包括：
22.在所述弯折区和绑定引脚区分别形成屏蔽电极和屏蔽引脚，所述屏蔽电极与所述屏蔽引脚连接。
23.本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，通过在弯折区设置屏蔽电极，在绑定引脚区设置屏蔽引脚，屏蔽电极与屏蔽引脚连接，由屏蔽引脚向屏蔽电极提供接地信号，实现了弯折区的电磁屏蔽，避免了弯折区的信号线受环境/整机电磁干扰或者弯折区的信号线对环境/整机产生电磁干扰，提高了显示品质。
24.在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
25.附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
26.图1为一种显示装置的结构示意图；
27.图2为一种显示基板的平面结构示意图；
28.图3为图2中显示基板的侧视图；
29.图4为一种显示区域的平面结构示意图；
30.图5为一种显示区域的剖面结构示意图；
31.图6为一种像素驱动电路的等效电路示意图；
32.图7为一种像素驱动电路的工作时序图；
33.图8为本公开示例性实施例一种绑定区域的平面结构示意图；
34.图9为本公开示例性实施例一种显示基板的剖面结构示意图；
35.图10为本公开实施例形成弯折区图案后的示意图；
36.图11a和图11b为本公开实施例形成第三导电层图案后的示意图；
37.图12a和图12b为本公开实施例形成第一平坦层图案后的示意图；
38.图13a和图13b为本公开实施例形成第四导电层图案后的示意图；
39.图14a和图14b为本公开实施例形成第二平坦层图案后的示意图；
40.图15a和图15b为本公开实施例形成第五导电层图案后的示意图；
41.图16a和图16b为本公开实施例形成像素定义层图案后的示意图；
42.图17a和图17b为本公开实施例形成有机发光层和阴极图案后的示意图；
43.图18a和图18b为本公开实施例形成封装结构层图案后的示意图；
44.图19a和图19b为本公开实施例形成触控结构层图案后的示意图；
45.图20a至图20d为本公开实施例几种屏蔽电极的平面结构示意图；
46.图21a和图21b为本公开实施例另一种显示基板的剖面结构示意图；
47.图22a和图22b为本公开实施例又一种显示基板的剖面结构示意图；
48.图23a和图23b为本公开实施例又一种显示基板的剖面结构示意图；
49.图24a和图24b为本公开实施例又一种显示基板的剖面结构示意图。
50.附图标记说明:
51.1—玻璃载板；
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10—基底；
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11—第一绝缘层；
52.12—第二绝缘层；
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13—第三绝缘层；
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14—第四绝缘层；
53.15—第一平坦层；
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16—第二平坦层；
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17—阳极连接电极；
54.18—隔断槽；
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21—阳极；
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22—像素定义层；
55.23—有机发光层；
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24—阴极；
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31—第一封装层；
56.32—第二封装层；
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33—第三封装层；
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41—第一触控绝缘层；
57.42—第一触控金属层；
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43—第二触控绝缘层；
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44—第二触控金属层；
58.45—触控保护层；
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51—电源连接电极；
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60—电源线；
59.61—屏蔽连接线；
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62—电源连接线；
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63—触控连接线；
60.64—弯折区连接线；
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70—下层引脚；
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71—屏蔽引脚；
61.72—电源引脚；
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73—触控引脚；
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80—阴极连接电极；
62.90—屏蔽电极；
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91—第一电极条；
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92—第二电极条；
63.93—第三电极条；
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100—显示区域；
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101—驱动结构层；
64.102—发光结构层；
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103—封装结构层；
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104—触控结构层；
65.200—绑定区域；
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210—引线区；
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211—第一隔离坝；
66.212—第二隔离坝；
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213—弯折保护层；
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220—弯折区；
67.230—绑定引脚区；
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300—边框区域；
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410—第一凹槽；
68.420—第二凹槽；
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430—第二弯折槽；
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440—第三弯折槽。
具体实施方式
69.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
70.本公开中的附图比例可以作为实际工艺中的参考，但不限于此。例如：沟道的宽长比、各个膜层的厚度和间距、各个信号线的宽度和间距，可以根据实际需要进行调整。显示基板中像素的个数和每个像素中子像素的个数也不是限定为图中所示的数量，本公开中所
描述的附图仅是结构示意图，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
71.本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
72.在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
73.在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
74.在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
75.在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
76.在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
77.在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10
°
以上且10
°
以下的状态，因此，也包括该角度为-5
°
以上且5
°
以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80
°
以上且100
°
以下的状态，因此，也包括85
°
以上且95
°
以下的角度的状态。
78.在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
79.本说明书中三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等并非严格意义上的，可以是近似三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等，可以存在公差导致的一些小变形，可以存在导角、弧边以及变形等。
80.本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
81.图1为一种显示装置的结构示意图。如图1所示，显示装置可以包括时序控制器、数据驱动器、扫描驱动器、发光驱动器和像素阵列，时序控制器分别与数据驱动器、扫描驱动器和发光驱动器连接，数据驱动器分别与多个数据信号线(d1到dn)连接，扫描驱动器分别与多个扫描信号线(s1到sm)连接，发光驱动器分别与多个发光信号线(e1到eo)连接。像素阵列可以包括多个子像素pxij，i和j可以是自然数，至少一个子像素pxij可以包括电路单
元和与电路单元连接的发光器件，电路单元可以包括至少一个扫描信号线、至少一个数据信号线、至少一个发光信号线和像素驱动电路。在示例性实施方式中，时序控制器可以将适合于数据驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据驱动器，可以将适合于扫描驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描驱动器，可以将适合于发光驱动器的规格的时钟信号、发射停止信号等提供到发光驱动器。数据驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线d1、d2、d3、
……
和dn的数据电压。例如，数据驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线d1至dn，n可以是自然数。扫描驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线s1、s2、s3、
……
和sm的扫描信号。例如，扫描驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线s1至sm。例如，扫描驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。发光驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、发射停止信号等来产生将提供到发光信号线e1、e2、e3、
……
和eo的发射信号。例如，发光驱动器可以将具有截止电平脉冲的发射信号顺序地提供到发光信号线e1至eo。例如，发光驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以截止电平脉冲形式提供的发射停止信号传输到下一级电路的方式产生发射信号，o可以是自然数。
82.图2为一种显示基板的平面结构示意图，示意了绑定区域弯折前的展开状态，图3为图2中显示基板的侧视图，示意了绑定区域弯折后的弯折状态。如图2和图3所示所示，在平行于显示基板的平面上，显示基板可以包括显示区域100和位于显示区域100周边的边缘区域，边缘区域可以包括位于显示区域100一侧的绑定区域200和位于显示区域100其它侧的边框区域300，例如，绑定区域200可以位于显示区域100第一方向d1的一侧，边框区域300可以位于显示区域100第二方向d2的两侧以及位于显示区域100第一方向d1的反方向的一侧，第一方向d1和第二方向d2交叉。
83.在示例性实施方式中，显示区域100可以包括组成像素阵列的多个子像素pxij，多个子像素pxij被配置为进行图像显示，显示区域100可以是可变形的，例如卷曲、弯曲、折叠或卷起。绑定区域200可以至少包括隔离坝和绑定电路，绑定电路被配置为将显示区域100的信号线连接至外部驱动装置。边框区域300可以至少包括隔离坝、栅极驱动电路和向多个子像素传输电压信号的电源线，绑定区域200和边框区域300的隔离坝可以为一体结构，且通过相同的图案化工艺同步制备，形成环绕显示区域100的环形结构。
84.在示例性实施方式中，绑定区域200可以通过弯折方式弯曲贴合到显示区域100的背面，绑定区域200可以在垂直于显示区域平面的方向上与显示区域100重叠。
85.在示例性实施方式中，绑定区域200可以包括沿着第一方向d1(远离显示区域的方向)依次设置的引线区210、弯折区220和绑定引脚区230。
86.在示例性实施方式中，引线区210可以设置多条引出线。弯折区220可以包括设置有凹槽的复合绝缘层，弯折区220可以在第三方向d3上以一曲率弯曲，可以将绑定引脚区230的表面反转，即绑定引脚区230朝向上方的表面可以通过弯折区220的弯曲翻转成面朝向下方，第三方向d3与第一方向d1交叉。在示例性实施方式中，当弯折区220被弯曲时，绑定引脚区230可以在第三方向d3(厚度方向)上与显示区域100重叠。
87.在示例性实施方式中，绑定引脚区230可以至少包括驱动芯片区和绑定引脚区，驱动芯片区可以绑定连接集成电路(integrate circuit，简称ic)240，集成电路240可以与多条信号引线连接，绑定引脚区可以包括多个绑定引脚(bonding pin)，外部的柔性线路板(flexible printed circuit，简称fpc)250可以绑定连接在多个绑定引脚上。在示例性实施方式中，集成电路240可以产生用于驱动子像素所需的驱动信号，并且可以将驱动信号提供给在显示区域100中的子像素。例如，驱动信号可以是驱动子像素发光亮度的数据信号。在示例性实施方式中，集成电路240可以通过各向异性导电膜或者其它方式绑定连接在驱动芯片区，集成电路240在第二方向d2上的宽度可以小于绑定引脚区230在第二方向d2上的宽度。
88.图4为一种显示区域的平面结构示意图。如图4所示，显示区域可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元p，多个像素单元p的至少一个包括出射第一颜色光线的第一子像素p1、出射第二颜色光线的第二子像素p2和出射第三颜色光线的第三子像素p3，第一子像素p1、第二子像素p2和第三子像素p3可以均包括像素驱动电路和发光器件。子像素中的像素驱动电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向所述发光器件输出相应的电流。子像素中的发光器件分别与所在子像素的像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应所在子像素的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。
89.在示例性实施方式中，第一子像素p1可以是红色(r)子像素，第二子像素p2可以是绿色(g)子像素，第三子像素p3可以是蓝色(b)子像素。在示例性实施方式中，像素单元中子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形，三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列。在一些可能的示例性实施方式中，像素单元可以包括四个子像素，四个子像素可以采用水平并列、竖直并列、正方形(square)或钻石形(diamond)等方式排列，本公开在此不做限定。
90.图5为一种显示区域的剖面结构示意图，示意了三个子像素的结构。如图5所示，在垂直于显示基板的平面上，显示基板了可以包括设置在基底10上的驱动结构层101、设置在驱动结构层101远离基底10一侧的发光结构层102、设置在发光结构层102远离基底10一侧的封装结构层103以及设置在封装结构层103。远离基底10一侧的触控结构层104。
91.在示例性实施方式中，基底可以是柔性基底。柔性基底可以包括叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层，第一柔性材料层和第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(pi)、聚对苯二甲酸乙二酯(pet)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一无机材料层和第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)等，用于提高基底的抗水氧能力，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。
92.在示例性实施方式中，每个子像素的驱动结构层101可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图4中以每个子像素中包括一个晶体管和一个存储电容为例进行示意。在示例性实施方式中，每个子像素的驱动结构层101可以包括：设置在基底上的第一绝缘层；设置在第一绝缘层上的有源层；覆盖有源层的第二绝缘层；设置在第二绝缘层上的栅电极和第一电容极板；覆盖栅电极和第一电容极板的第三绝缘层；设置在第三绝缘层上的第二电容极板；覆盖第二电容极板的第四绝缘层，第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层上开设有有源过孔，有源过孔暴露出有源层；设置在第四绝缘层上的源电极和漏电极，源
电极和漏电极分别通过有源过孔与有源层连接；覆盖前述结构的平坦层，平坦层上开设有连接过孔，连接过孔暴露出漏电极。有源层、栅电极、源电极和漏电极组成晶体管101a，第一电容极板和第二电容极板组成存储电容101b。
93.在示例性实施方式中，每个子像素的发光结构层102可以包括阳极21、像素定义层22、有机发光层23和阴极24。阳极21可以设置在平坦层上，通过平坦层上开设的连接过孔与晶体管101a的漏电极连接；像素定义层22设置在阳极21上，像素定义层22上设置有像素开口，像素开口暴露出阳极21；有机发光层23至少部分设置在像素开口内，有机发光层23与阳极21连接；阴极24设置在有机发光层23上，阴极24与有机发光层23连接；有机发光层23在阳极21和阴极24驱动下出射相应颜色的光线。
94.在示例性实施方式中，每个子像素的封装结构层103可以包括叠设的第一封装层31、第二封装层32和第三封装层33，第一封装层31和第三封装层33可采用无机材料，第二封装层32可采用有机材料，第二封装层32设置在第一封装层31和第三封装层33，形成无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构，可以保证外界水汽无法进入发光结构层102。
95.在示例性实施方式中，每个子像素的触控结构层104可以包括设置在封装结构层103上的第一触控绝缘层41、设置在第一触控绝缘层41上的第一触控金属层42、覆盖第一触控金属层42的第二触控绝缘层43、设置在第二触控绝缘层43上的第二触控金属层44和覆盖第二触控金属层44的触控保护层45，第一触控金属层42可以包括多个桥接电极，第二触控金属层44可以包括多个第一触控电极和第二触控电极，第一触控电极或第二触控电极可以通过过孔与桥接电极连接。
96.图6为一种像素驱动电路的等效电路示意图。在示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3t1c、4t1c、5t1c、5t2c、6t1c或7t1c结构。如图6所示，像素驱动电路可以包括7个晶体管(第一晶体管t1到第七晶体管t7)和1个存储电容c，像素驱动电路可以与7个信号线(数据信号线d、第一扫描信号线s1、第二扫描信号线s2、发光信号线e、初始信号线init、第一电源线vdd和第二电源线vss)连接。
97.在示例性实施方式中，像素驱动电路可以包括第一节点n1、第二节点n2和第三节点n3。其中，第一节点n1分别与第三晶体管t3的第一极、第四晶体管t4的第二极和第五晶体管t5的第二极连接，第二节点n2分别与第一晶体管的第二极、第二晶体管t2的第一极、第三晶体管t3的控制极和存储电容c的第二端连接，第三节点n3分别与第二晶体管t2的第二极、第三晶体管t3的第二极和第六晶体管t6的第一极连接。
98.在示例性实施方式中，存储电容c的第一端与第一电源线vdd连接，存储电容c的第二端与第二节点n2连接，即存储电容c的第二端与第三晶体管t3的控制极连接。
99.第一晶体管t1的控制极与第二扫描信号线s2连接，第一晶体管t1的第一极与初始信号线init连接，第一晶体管的第二极与第二节点n2连接。当导通电平扫描信号施加到第二扫描信号线s2时，第一晶体管t1将初始化电压传输到第三晶体管t3的控制极，以使第三晶体管t3的控制极的电荷量初始化。
100.第二晶体管t2的控制极与第一扫描信号线s1连接，第二晶体管t2的第一极与第二节点n2连接，第二晶体管t2的第二极与第三节点n3连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线s1时，第二晶体管t2使第三晶体管t3的控制极与第二极连接。
101.第三晶体管t3的控制极与第二节点n2连接，即第三晶体管t3的控制极与存储电容
c的第二端连接，第三晶体管t3的第一极与第一节点n1连接，第三晶体管t3的第二极与第三节点n3连接。第三晶体管t3可以称为驱动晶体管，第三晶体管t3根据其控制极与第一极之间的电位差来确定在第一电源线vdd与第二电源线vss之间流动的驱动电流的量。
102.第四晶体管t4的控制极与第一扫描信号线s1连接，第四晶体管t4的第一极与数据信号线d连接，第四晶体管t4的第二极与第一节点n1连接。第四晶体管t4可以称为开关晶体管、扫描晶体管等，当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线s1时，第四晶体管t4使数据信号线d的数据电压输入到像素驱动电路。
103.第五晶体管t5的控制极与发光信号线e连接，第五晶体管t5的第一极与第一电源线vdd连接，第五晶体管t5的第二极与第一节点n1连接。第六晶体管t6的控制极与发光信号线e连接，第六晶体管t6的第一极与第三节点n3连接，第六晶体管t6的第二极与发光器件的第一极连接。第五晶体管t5和第六晶体管t6可以称为发光晶体管。当导通电平发光信号施加到发光信号线e时，第五晶体管t5和第六晶体管t6通过在第一电源线vdd与第二电源线vss之间形成驱动电流路径而使发光器件发光。
104.第七晶体管t7的控制极与第一扫描信号线s1连接，第七晶体管t7的第一极与初始信号线init连接，第七晶体管t7的第二极与发光器件的第一极连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线s1时，第七晶体管t7将初始化电压传输到发光器件的第一极，以使发光器件的第一极中累积的电荷量初始化或释放发光器件的第一极中累积的电荷量。
105.在示例性实施方式中，发光器件的第二极与第二电源线vss连接，第二电源线vss的信号为低电平信号，第一电源线vdd的信号为持续提供高电平信号。第一扫描信号线s1为本显示行像素驱动电路中的扫描信号线，第二扫描信号线s2为上一显示行像素驱动电路中的扫描信号线，即对于第n显示行，第一扫描信号线s1为s(n)，第二扫描信号线s2为s(n-1)，本显示行的第二扫描信号线s2与上一显示行像素驱动电路中的第一扫描信号线s1为同一信号线，可以减少显示面板的信号线，实现显示面板的窄边框。
106.在示例性实施方式中，第一晶体管t1到第七晶体管t7可以是p型晶体管，或者可以是n型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示面板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，第一晶体管t1到第七晶体管t7可以包括p型晶体管和n型晶体管。
107.在示例性实施方式中，第一扫描信号线s1、第二扫描信号线s2、发光信号线e和初始信号线init沿水平方向延伸，第二电源线vss、第一电源线vdd和数据信号线d沿竖直方向延伸。
108.在示例性实施方式中，发光器件可以是有机电致发光二极管(oled)，包括叠设的第一极(阳极)、有机发光层和第二极(阴极)。
109.图7为一种像素驱动电路的工作时序图。下面通过图6示例的像素驱动电路的工作过程说明本公开示例性实施例，图6中的像素驱动电路包括7个晶体管(第一晶体管t1到第六晶体管t7)和1个存储电容c，7个晶体管均为p型晶体管。
110.在示例性实施方式中，像素驱动电路的工作过程可以包括：
111.第一阶段a1，称为复位阶段，第二扫描信号线s2的信号为低电平信号，第一扫描信号线s1和发光信号线e的信号为高电平信号。第二扫描信号线s2的信号为低电平信号，使第一晶体管t1导通，初始信号线init的信号提供至第二节点n2，对存储电容c进行初始化，清
除存储电容中原有数据电压。第一扫描信号线s1和发光信号线e的信号为高电平信号，使第二晶体管t2、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7断开，此阶段oled不发光。
112.第二阶段a2、称为数据写入阶段或者阈值补偿阶段，第一扫描信号线s1的信号为低电平信号，第二扫描信号线s2和发光信号线e的信号为高电平信号，数据信号线d输出数据电压。此阶段由于存储电容c的第二端为低电平，因此第三晶体管t3导通。第一扫描信号线s1的信号为低电平信号使第二晶体管t2、第四晶体管t4和第七晶体管t7导通。第二晶体管t2和第四晶体管t4导通使得数据信号线d输出的数据电压经过第一节点n1、导通的第三晶体管t3、第三节点n3、导通的第二晶体管t2提供至第二节点n2，并将数据信号线d输出的数据电压与第三晶体管t3的阈值电压之差充入存储电容c，存储电容c的第二端(第二节点n2)的电压为vd-|vth|，vd为数据信号线d输出的数据电压，vth为第三晶体管t3的阈值电压。第七晶体管t7导通使得初始信号线init的初始电压提供至oled的第一极，对oled的第一极进行初始化(复位)，清空其内部的预存电压，完成初始化，确保oled不发光。第二扫描信号线s2的信号为高电平信号，使第一晶体管t1断开。发光信号线e的信号为高电平信号，使第五晶体管t5和第六晶体管t6断开。
113.第三阶段a3、称为发光阶段，发光信号线e的信号为低电平信号，第一扫描信号线s1和第二扫描信号线s2的信号为高电平信号。发光信号线e的信号为低电平信号，使第五晶体管t5和第六晶体管t6导通，第一电源线vdd输出的电源电压通过导通的第五晶体管t5、第三晶体管t3和第六晶体管t6向oled的第一极提供驱动电压，驱动oled发光。
114.在像素驱动电路驱动过程中，流过第三晶体管t3(驱动晶体管)的驱动电流由其栅电极和第一极之间的电压差决定。由于第二节点n2的电压为vdata-|vth|，因而第三晶体管t3的驱动电流为：
115.i＝k*(vgs-vth)2＝k*[(vdd-vd+|vth|)-vth]2＝k*[(vdd-vd]2[0116]
其中，i为流过第三晶体管t3的驱动电流，也就是驱动oled的驱动电流，k为常数，vgs为第三晶体管t3的栅电极和第一极之间的电压差，vth为第三晶体管t3的阈值电压，vd为数据信号线d输出的数据电压，vdd为第一电源线vdd输出的电源电压。
[0117]
目前，柔性显示装置通常采用绑定区域弯折(pad bending)等结构以实现窄边框化，从而提升显示区屏占比。经本技术发明人研究发现，在绑定区域弯折后，现有结构弯折区存在信号引线对整机端信号电磁干扰的问题，造成显示品质下降。虽然采用弯折工艺后贴附电磁屏蔽保护膜等方式可以消除弯折区的电磁干扰，但该方式不仅需要引入新的膜层贴合工艺，且在弯曲表面贴附膜层的工艺难度较大，生产成本增加，而且由于弯折区较为脆弱，贴附工艺会造成弯折区出现裂纹损伤，存在降低弯折区可靠性的风险。
[0118]
图8为本公开示例性实施例一种绑定区域的平面结构示意图。如图8所示，在平行于显示基板的平面内，显示基板可以包括显示区域100、位于显示区域100第一方向d1一侧的绑定区域200和位于显示区域100其它侧的边框区域300。
[0119]
在示例性实施方式中，绑定区域200可以包括沿着第一方向d1(远离显示区域100的方向)依次设置的引线区210、弯折区220和绑定引脚区230，引线区210可以连接到显示区域100，弯折区220可以连接到引线区210，绑定引脚区230可以连接到弯折区220。
[0120]
在示例性实施方式中，引线区210可以设置多条信号引线、第一电源线和第二电源
线，多条信号引线中的数据引线被配置为以扇出(fanout)走线方式连接显示区域100的数据线(data line)，多条信号引线中的触控引线被配置为连接显示区域100的触控电极，第一电源线被配置为连接显示区域100的高电压电源线(vdd)，第二电源线被配置为连接边框区域300的低电压电源线(vss)。
[0121]
在示例性实施方式中，引线区210可以设置第一隔离坝211和第二隔离坝212，第一隔离坝211和第二隔离坝212可以沿着平行于显示区域边缘的方向延伸，第一隔离坝211与显示区域的距离小于第二隔离坝212与显示区域的距离，第一隔离坝211和第二隔离坝212被配置为对封装层中的有机层进行阻挡，以防止有机层流向弯折区。
[0122]
在示例性实施方式中，弯折区220可以包括设置有凹槽的复合绝缘层，利用弯折区220的凹槽可以将绑定引脚区230弯曲贴合到显示区域100的背面。
[0123]
在示例性实施方式中，弯折区220还可以包括屏蔽电极90，屏蔽电极90被配置为对弯折区进行屏蔽，消除弯折区的电磁干扰。
[0124]
在示例性实施方式中，屏蔽电极90可以包括沿着第一方向d1依次设置且依次连接的第一屏蔽区90-1、第二屏蔽区90-2和第三屏蔽区90-3。在示例性实施方式中，第一屏蔽区90-1可以位于引线区210，第二屏蔽区90-2可以位于弯折区220，第三屏蔽区90-3可以位于绑定引脚区230，即屏蔽电极90靠近显示区域100一侧的边缘可以位于引线区210，屏蔽电极90远离显示区域100一侧的边缘可以位于绑定引脚区230，以实现较好的电磁屏蔽效果。
[0125]
在示例性实施方式中，第一屏蔽区90-1可以位于引线区210中第二隔离坝212远离显示区域100的一侧，第一屏蔽区90-1靠近显示区域100一侧的边缘与第二隔离坝212之间可以间隔一段距离，以不影响第一隔离坝211和第二隔离坝212的结构。
[0126]
在示例性实施方式中，屏蔽电极90可以为整面结构，或者可以为网格结构。
[0127]
在示例性实施方式中，屏蔽电极90可以为整面结构，即屏蔽电极90为一个完整的导电层，可以提供较好的屏蔽效果。
[0128]
在示例性实施方式中，屏蔽电极90可以为网格结构，即屏蔽电极90为一个具有图案化镂空结构的导电层，可以在保证屏蔽效果的前提下，具有较好的柔韧性，有利于弯折区的弯折。
[0129]
在一种示例性实施方式中，网格结构可以包括至少两个第一电极条和多个第二电极条。第一电极条为沿着第一方向d1延伸的条形状，至少两个第一电极条分别设置在弯折区220第二方向d2的两侧，第二电极条为沿着第二方向d2延伸的条形状，多个第二电极条沿着第一方向d1间隔设置，至少两个第一电极条和多个第二电极条相互交叉且连接，形成网格结构的屏蔽电极90。
[0130]
在另一种示例性实施方式中，网格结构可以包括多个第一电极条和至少两个第二电极条。第一电极条为沿着第一方向d1延伸的条形状，多个第一电极条沿着第二方向d2间隔设置，第二电极条为沿着第二方向d2延伸的条形状，至少两个第二电极条分别设置在弯折区220第一方向d1的两侧，多个第一电极条和至少两个第二电极条相互交叉且连接，形成网格结构的屏蔽电极90。
[0131]
在又一种示例性实施方式中，网格结构可以包括至少两个第一电极条、至少两个第二电极条和多个第三电极条。第一电极条为沿着第一方向d1延伸的条形状，至少两个第一电极条分别设置在弯折区220第二方向d2的两侧，第二电极条为沿着第二方向d2延伸的
条形状，至少两个第二电极条分别设置在弯折区220第一方向d1的两侧，至少两个第一电极条和至少两个第二电极条相互交叉且连接，形成框结构，框结构的形状可以是矩形；第三电极条为沿着第一斜向方向延伸的条形状，多个第三电极条沿着第二斜向方向依次设置，多个第三电极条与框结构相互交叉且连接，形成网格结构的屏蔽电极90。其中，第一斜向方向与第一方向d1具有大于0
°
且小于90
°
的夹角，或者，第一斜向方向与第二方向d2具有大于0
°
且小于90
°
的夹角；第二斜向方向与第一斜向方向交叉。
[0132]
在示例性实施方式中，绑定引脚区230可以至少包括多个绑定引脚和多个信号连接线，多个绑定引脚被配置为与外部的柔性线路板fpc绑定连接，多个信号连接线被配置为与多个绑定引脚对应连接。
[0133]
在示例性实施方式中，多个绑定引脚可以包括至少一个屏蔽引脚71、至少一个电源引脚72和多个触控引脚73，至少一个屏蔽引脚71可以设置在绑定引脚区230第二方向d2的最外侧，至少一个电源引脚72可以设置在屏蔽引脚71的内侧，多个触控引脚73可以设置在电源引脚72的内侧。
[0134]
在示例性实施方式中，多个信号连接线可以包括至少一条屏蔽连接线61、至少一条电源连接线62和多条触控连接线63，屏蔽连接线61远离显示区域100一侧的端部与屏蔽引脚71连接，电源连接线62远离显示区域100一侧的端部与电源引脚72连接，触控连接线63远离显示区域100一侧的端部与触控引脚73连接。
[0135]
在示例性实施方式中，屏蔽连接线61靠近显示区域100一侧的端部延伸到绑定引脚区230与第三屏蔽区90-3相重叠的区域，且在该区域通过过孔与第三屏蔽区90-3连接，使得屏蔽引脚71通过屏蔽连接线61向屏蔽电极90提供接地(gnd)信号。
[0136]
在示例性实施方式中，第一方向d1可以是显示区域中数据信号线的延伸方向(列方向)，第二方向d2可以是显示区域中扫描信号线的延伸方向(行方向)，第三方向d3可以是垂直于显示基板平面的方向(厚度方向)，第一方向d1和第二方向d2可以相互垂直，第一方向d1和第三方向d3可以相互垂直。
[0137]
图9为本公开示例性实施例一种显示基板的剖面结构示意图，为图8中a-a向的剖视图，示意了显示区域100和绑定区域200的剖面结构。在平行于显示基板的平面内，绑定区域200可以包括沿着远离显示区域100的方向依次设置的引线区210、弯折区220和绑定引脚区230。
[0138]
在示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面内，显示区域100可以包括：基底10，设置在基底10上的驱动结构层101，设置在驱动结构层101远离基底一侧的发光结构层102，设置在发光结构层102远离基底一侧的封装结构层103，以及设置在封装结构层103远离基底一侧的触控结构层104。
[0139]
在示例性实施方式中，显示区域100的驱动结构层101可以包括：设置在基底10上的第一绝缘层11，设置在第一绝缘层11远离基底一侧的半导体层，设置在半导体层远离基底一侧的第二绝缘层12，设置在第二绝缘层12远离基底一侧的第一栅金属层，设置在第一栅金属层远离基底一侧的第三绝缘层13，设置在第三绝缘层13远离基底一侧的第二栅金属层，设置在第二栅金属层远离基底一侧的第四绝缘层14，设置在第四绝缘层14远离基底一侧的第一源漏金属层，设置在第一源漏金属层远离基底一侧的第一平坦层15，设置在第一平坦层15远离基底一侧的第二源漏金属层，设置在第二源漏金属层远离基底一侧的第二平
坦层16。在示例性实施方式中，半导体层可以至少包括多个晶体管的有源层，第一栅金属层可以至少包括多个晶体管的栅电极和存储电容的第一极板，第二栅金属层可以至少包括存储电容的第二极板，第一源漏金属层可以至少包括多个晶体管的第一极和第二极，第二源漏金属层可以至少包括阳极连接电极，半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层和第二源漏金属层可以构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图9中仅以一个晶体管101a和存储电容101b为例进行示意。
[0140]
在示例性实施方式中，显示区域100的发光结构层102可以包括：设置在第二平坦层16远离基底一侧的阳极导电层，设置在阳极导电层远离基底一侧的像素定义层，以及有机发光层和阴极，阳极导电层可以包括阳极，阳极通过过孔与晶体管101a的第二极连接，像素定义层上设置有暴露出阳极的像素开口，有机发光层通过像素开口与阳极连接，阴极与有机发光层连接，有机发光层在阳极和阴极驱动下出射相应颜色的光线。
[0141]
在示例性实施方式中，显示区域100的封装结构层103可以包括：设置在阴极24远离基底一侧的第一封装层，设置在第一封装层远离基底一侧的第二封装层，以及设置在第二封装层远离基底一侧的第三封装层，第一封装层和第三封装层可以采用无机材料，第二封装层可以采用有机材料，形成无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构，可以保证外界水汽无法进入发光结构层102。
[0142]
在示例性实施方式中，显示区域100的触控结构层104可以包括：设置在第三封装层远离基底一侧的第一触控绝缘层，设置在第一触控绝缘层远离基底一侧的第一触控金属层，设置在第一触控金属层远离基底一侧的第二触控绝缘层，设置在第二触控绝缘层远离基底一侧的第二触控金属层，设置在第二触控金属层远离基底一侧的触控保护层，第一触控金属层可以包括多个桥接电极，第二触控金属层可以包括多个触控电极，触控电极可以包括第一触控电极和第二触控电极，第一触控电极或第二触控电极可以通过过孔与桥接电极连接。
[0143]
在示例性实施方式中，绑定区域200的引线区210可以包括：基底10，设置在基底10上的复合绝缘层，设置在复合绝缘层远离基底一侧的第一源漏金属层，设置在第一源漏金属层远离基底一侧的第一平坦层15，设置在第一平坦层15远离基底一侧的第二源漏金属层，设置在第二源漏金属层远离基底一侧的第二平坦层16，设置在第二平坦层16远离基底一侧的阳极导电层，设置在阳极导电层远离基底一侧的第一隔离坝211和第二隔离坝212，设置在第一隔离坝211和第二隔离坝212远离基底一侧的无机封装层。在示例性实施方式中，复合绝缘层可以包括叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13和第四绝缘层14，上述绝缘层均为无机绝缘层。第一源漏金属层可以包括电源连接电极51，第二源漏金属层可以包括电源线60，阳极导电层可以包括阴极连接电极80，电源线60通过过孔与电源连接电极51连接，阴极连接电极80通过隔断槽与电源线60连接。
[0144]
在示例性实施方式中，绑定区域200的弯折区220可以包括：基底10，设置在基底10上的复合绝缘层，复合绝缘层上设置有弯折槽，设置在弯折槽远离基底一侧的第一平坦层15，设置在第一平坦层15远离基底一侧的第二源漏金属层，设置在第二源漏金属层远离基底一侧的第二平坦层16，设置在第二平坦层16远离基底一侧的阳极导电层，设置在阳极导电层远离基底一侧的弯折保护层213。在示例性实施方式中，第二源漏金属层可以包括弯折区连接线64，阳极导电层可以包括屏蔽电极90。
[0145]
在示例性实施方式中，绑定区域200的绑定引脚区230可以包括：基底10，设置在基底10上的复合绝缘层，设置在复合绝缘层远离基底一侧的第一源漏金属层，设置在第一源漏金属层远离基底一侧的第一平坦层15，设置在第一平坦层15远离基底一侧的第二源漏金属层，设置在第二源漏金属层远离基底一侧的第二平坦层16。在示例性实施方式中，第一源漏金属层可以包括屏蔽引脚71，第二源漏金属层可以包括屏蔽连接线61，屏蔽连接线61靠近显示区域的一端通过过孔与屏蔽电极90连接，屏蔽连接线61远离显示区域的一端通过过孔与屏蔽引脚71连接。
[0146]
在示例性实施方式中，屏蔽引脚71设置绑定引脚区230的第一源漏金属层中，屏蔽连接线61设置在绑定引脚区230的第二源漏金属层中，屏蔽电极90设置在弯折区220的阳极导电层中，屏蔽电极90通过过孔与屏蔽连接线61连接，屏蔽连接线61通过过孔与屏蔽引脚71连接，因而实现了屏蔽引脚71通过屏蔽连接线61向屏蔽电极90提供接地(gnd)信号。
[0147]
在示例性实施方式中，绑定引脚区230可以包括位于第二栅金属层的下层引脚70，屏蔽引脚71可以通过过孔分别与下层引脚70连接。
[0148]
下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“a和b同层设置”是指，a和b通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“b的正投影位于a的正投影的范围之内”或者“a的正投影包含b的正投影”是指，b的正投影的边界落入a的正投影的边界范围内，或者a的正投影的边界与b的正投影的边界重叠。
[0149]
在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面方向，显示基板可以包括显示区域100和位于显示区域100一侧的绑定区域200，绑定区域200可以包括沿着远离显示区域方向依次设置的引线区210、弯折区220和绑定引脚区230。以显示区域100和绑定区域200为例，本公开示例性实施例显示基板的制备可以包括如下步骤。
[0150]
(1)形成弯折区图案，如图10所示。在示例性实施方式中，形成弯折区图案可以包括：
[0151]
a、先在玻璃载板上制备基底10，然后在基底上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成覆盖整个基底10的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层11上的半导体层图案，半导体层图案至少包括位于显示区域100的第一有源层。本次图案化工艺后，绑定区域200可以包括设置在基底10上的第一绝缘层11。
[0152]
在示例性实施方式中，基底可以包括在玻璃载板上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(pi)、聚对苯二甲酸乙二酯(pet)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第
一、第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)等，用于提高基底的抗水氧能力，第一、第二无机材料层可以可以称为阻挡(barrier)层，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。以叠层结构pi1/barrier1/a-si/pi2/barrier2为例，其制备过程可以包括：先在玻璃载板1上涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第一柔性(pi1)层；随后在第一柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第一柔性层的第一阻挡(barrier1)层；然后在第一阻挡层上沉积一层非晶硅薄膜，形成覆盖第一阻挡层的非晶硅(a-si)层；然后在非晶硅层上再涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第二柔性(pi2)层；然后在第二柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第二柔性层的第二阻挡(barrier2)层，完成基底的制备。
[0153]
b、随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一导电薄膜，通过图案化工艺对第一导电薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层12，以及设置在第二绝缘层12上的第一导电层图案，第一导电层图案至少包括位于显示区域100的第一栅电极和第一极板。本次图案化工艺后，绑定区域200可以包括在基底10叠设的第一绝缘层11和第二绝缘层12。在示例性实施方式中，第一导电层可以称为第一栅金属(gate1)层。
[0154]
c、随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二导电薄膜，通过图案化工艺对第二导电薄膜进行图案化，形成覆盖第一导电层的第三绝缘层13，以及设置在第三绝缘层13上的第二导电层图案，第二导电层图案至少包括位于显示区域100的第二极板和位于绑定区域200中绑定引脚区230的下层引脚70，第二极板在基底上的正投影与第一极板在基底上的正投影至少部分交叠。本次图案化工艺后，绑定区域200的引线区210和弯折区220可以包括在基底10叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12和第三绝缘层13。在示例性实施方式中，第二导电层可以称为第二栅金属(gate2)层。
[0155]
d、随后，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺进行图案化，形成覆盖第二导电层的第四绝缘层14图案，并形成第一弯折槽和多个过孔，第一弯折槽设置在绑定区域200中的弯折区220，多个过孔至少包括：位于显示区域100的两个有源过孔和位于绑定区域200中绑定引脚区230的两个绑定过孔，两个有源过孔内的第四绝缘层14、第三绝缘层13和第二绝缘层12被刻蚀掉，暴露出第一有源层的表面，两个绑定过孔内的第四绝缘层14被刻蚀掉，暴露出下层引脚70的表面，如图10所示，图10为图8中a-a向的剖视图，图8中b-b向的剖视图与图10基本上相同。
[0156]
在示例性实施方式中，形成第一弯折槽可以包括：先采用第一掩膜版(etch bending a mask，简称eba mask)的图案化工艺去除弯折区220的第四绝缘层14、第三绝缘层13和第二绝缘层12，在弯折区220形成第二凹槽420，第二凹槽420内的第四绝缘层14、第三绝缘层13和第二绝缘层12被刻蚀掉，暴露出第一绝缘层11的表面。然后采用第二次掩膜版(etch bending b mask，简称ebb mask)的图案化工艺去除第二凹槽420内的第一绝缘层11，在第二凹槽420内形成第一凹槽410，第一凹槽410内的第一绝缘层11被刻蚀掉，暴露出基底10的表面。
[0157]
在示例性实施方式中，弯折区220所形成的第一凹槽410和第二凹槽420构成台阶状的凹槽结构，第二凹槽420暴露出第一凹槽410，第一凹槽410暴露出基底10，第一凹槽410和第二凹槽420一起组成第一弯折槽。
[0158]
在示例性实施方式中，eba mask和ebb mask工艺是对显示基板的弯折区进行挖槽的图案化工艺，可以减少弯折区的厚度。在示例性实施方式中，ebb mask工艺中，可以刻蚀
掉基底的部分厚度，例如刻蚀掉基底的第二阻挡层，本公开在此不做限定。
[0159]
本次图案化工艺后，显示区域100可以包括设置在玻璃衬底1上的基底10、以及在基底10叠设的第一绝缘层11、半导体层、第二绝缘层12、第一导电层、第三绝缘层13、第二导电层和第四绝缘层14，绑定区域200的引线区210和弯折区220可以包括在基底10叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13和第四绝缘层14，弯折区220设置有第一弯折槽，绑定区域200的绑定引脚区230可以包括基底10、以及在基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13、第二导电层和第四绝缘层14。
[0160]
(2)形成第三导电层图案。在示例性实施方式中，形成第三导电层图案可以包括：在形成前述图案的基底上沉积第三导电薄膜，通过图案化工艺对第三导电薄膜进行图案化，在第四绝缘层14上形成第三导电层图案，第三导电层至少包括位于显示区域100的第一源电极和第一漏电极、位于绑定区域200中引线区210的电源连接电极51、以及位于绑定区域200中绑定引脚区230的屏蔽引脚71和电源引脚72，第一源电极和第一漏电极分别通过有源过孔与第一有源层连接，屏蔽引脚71和电源引脚72在基底上的正投影与下层引脚70在基底上的正投影至少部分交叠，屏蔽引脚71通过绑定过孔与对应的下层引脚70连接，电源引脚72通过绑定过孔与对应的下层引脚70连接，如图11a和图11b所示，图11a为图8中a-a向的剖视图，图11b为图8中b-b向的剖视图。在示例性实施方式中，第三导电层可以称为第一源漏金属(sd1)层。
[0161]
至此，在显示区域100形成晶体管结构层图案，晶体管结构层可以包括构成像素驱动电路的第一晶体管101a和存储电容101b，第一晶体管101a可以包括第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极，存储电容101b可以包括第一极板和第二极板。在示例性实施方式中，第一晶体管101a可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管(thin film transistor，简称tft)。
[0162]
(3)形成第一平坦层图案。在示例性实施方式中，形成第一平坦层图案可以包括：在形成前述图案的基底上涂覆第一平坦薄膜，通过图案化工艺对第一平坦薄膜进行图案化，形成覆盖第三导电层图案的第一平坦层15，如图12a和图12b所示，图12a为图8中a-a向的剖视图，图12b为图8中b-b向的剖视图。
[0163]
在示例性实施方式中，显示区域100的第一平坦层15上形成有第一连接过孔k1，第一连接过孔k1内的第一平坦薄膜被去掉，暴露出第一晶体管101a的第一漏电极的表面，第一连接过孔k1被配置为使后续形成的阳极连接电极通过该过孔与第一晶体管101a的第一漏电极连接。
[0164]
在示例性实施方式中，绑定区域200中引线区210的第一平坦层15上形成有第二连接过孔k1，第二连接过孔k1内的第一平坦薄膜被去掉，暴露出电源连接电极51的表面，第二连接过孔k1被配置为使后续形成的电源线通过该过孔与电源连接电极51连接。
[0165]
在示例性实施方式中，绑定区域200中弯折区220的第一平坦层15覆盖弯折区220的第一弯折槽，并形成有第二弯折槽430，第二弯折槽430中部分厚度的第一平坦薄膜被去掉。在一种可能的示例性实施方式中，覆盖弯折区220的第一平坦层15可以不形成第二弯折槽，即弯折区220的第一平坦层20远离基底10一侧为平坦的表面，可以保证后续形成的跨过弯折区220的连接线的平坦性，提高连接可靠性，本公开在此不做限定。
[0166]
在示例性实施方式中，绑定区域200中绑定引脚区230的第一平坦层15可以覆盖屏
蔽引脚71和电源引脚72中靠近显示区域一侧的部分区域，暴露出屏蔽引脚71和电源引脚72中远离显示区域一侧的区域，且分别形成有第三屏蔽过孔k3a和第三电源过孔k3b，第三屏蔽过孔k3a和第三电源过孔k3b内的第一平坦薄膜被去掉，分别暴露出屏蔽引脚71和电源引脚72的表面，第三屏蔽过孔k3a被配置为使后续形成的屏蔽连接线通过该过孔与屏蔽引脚71连接，第三电源过孔k3b被配置为使后续形成的电源线通过该过孔与电源引脚72连接。
[0167]
在示例性实施方式中，本次工艺可以是先形成无机材料的第五绝缘层图案，然后在第五绝缘层上形成有机材料的第一平坦层图案，本公开在此不做限定。
[0168]
(4)形成第四导电层图案。在示例性实施方式中，形成第四导电层图案可以包括：在形成前述图案的基底上沉积第四导电薄膜，通过图案化工艺对第四导电薄膜进行图案化，在第一平坦层15上形成第四导电层图案，如图13a和图13b所示，图13a为图8中a-a向的剖视图，图13b为图8中b-b向的剖视图。在示例性实施方式中，第四导电层可以称为第二源漏金属(sd2)层。
[0169]
在示例性实施方式中，显示区域100的第四导电层可以包括阳极连接电极17，阳极连接电极17通过第一连接过孔k1与第一晶体管101a的第一漏电极连接，阳极连接电极17被配置为与后续形成的阳极连接。
[0170]
在示例性实施方式中，绑定区域200中引线区210的第四导电层可以包括电源线60，电源线60可以是低电压电源线(vss)，电源线60通过第二连接过孔k2与电源连接电极51连接。在示例性实施方式中，第四导电层还可以包括作为高电压电源线(vdd)的电源结构，本公开在此不做限定。
[0171]
在示例性实施方式中，绑定区域200中弯折区220的第四导电层可以包括弯折区连接线64，弯折区连接线64设置在第二弯折槽430的槽底和槽壁上。在一种可能的示例性实施方式中，弯折区连接线64与引线区210的电源线60为相互连接的一体结构，形成直接跨过弯折区220的整体结构。在另一种可能的示例性实施方式中，弯折区连接线64与引线区210的电源线60为分体结构，两者可以通过跨接层和过孔在弯折区220两侧实现连接，形成间接跨过弯折区220的跨接结构，本公开在此不做限定。
[0172]
在示例性实施方式中，绑定区域200中绑定引脚区230的第四导电层可以包括至少一条屏蔽连接线61，屏蔽连接线61的第一端位于绑定引脚区230靠近显示区域的一侧，屏蔽连接线61的第二端向着远离显示区域的方向延伸，并在远离显示区域的端部通过第三屏蔽过孔k3a与屏蔽引脚71连接，屏蔽连接线61与弯折区220的弯折区连接线64间隔设置，如图13a所示。
[0173]
在示例性实施方式中，绑定区域200中绑定引脚区230的第四导电层还可以包括至少一条电源连接线62和多条信号连接线(未示出)。电源连接线62的第一端位于绑定引脚区230靠近显示区域的一侧，并与跨过弯折区220的弯折区连接线64连接，电源连接线62的第二端向着远离显示区域的方向延伸，并在远离显示区域的端部通过第三电源过孔k3b与电源引脚72连接，如图13b所示。
[0174]
在示例性实施方式中，引线区210的电源线60、弯折区220的弯折区连接线64和绑定引脚区230的电源连接线62可以为相互连接的一体结构。绑定引脚区230的第四导电层还可以包括多条触控引线，多条触控引线向着远离显示区域的方向延伸，并在远离显示区域的端部通过过孔多个触控引脚对应连接。在示例性实施方式中，电源引脚和触控引脚为现
有显示基板通常包含的常规引脚，与屏蔽连接线连接的屏蔽引脚为本公开示例性实施例显示基板的新增引脚。
[0175]
(5)形成第二平坦层图案。在示例性实施方式中，形成第二平坦层图案可以包括：在形成前述图案的基底上涂覆第二平坦薄膜，通过图案化工艺对第二平坦薄膜进行图案化，形成覆盖第四导电层图案的第二平坦层16，如图14a和图14b所示，图14a为图8中a-a向的剖视图，图14b为图8中b-b向的剖视图。
[0176]
在示例性实施方式中，显示区域100的第二平坦层16上形成有第四过孔k4，第四过孔k4内的第二平坦薄膜被去掉，暴露出阳极连接电极17的表面，第四过孔k4被配置为使后续形成的阳极通过该过孔与阳极连接电极17连接。
[0177]
在示例性实施方式中，绑定区域200中引线区210的第二平坦层16上形成有隔断槽18，隔断槽18内的第二平坦薄膜被去掉，暴露出电源线60的表面，隔断槽18被配置为容置后续形成的第一隔离坝，且可以释放平坦工艺中的气体，提高平坦工艺的质量。
[0178]
在示例性实施方式中，绑定区域200中弯折区220的第二平坦层16覆盖弯折区220的第二弯折槽430，并形成有第三弯折槽440，第三弯折槽440中部分厚度的第二平坦薄膜被去掉。在一种可能的示例性实施方式中，覆盖弯折区220的第二平坦层16可以不形成第三弯折槽，即弯折区220的第二平坦层16远离基底10一侧为平坦的表面，可以保证后续形成的跨过弯折区220的连接线的平坦性，提高连接可靠性，本公开在此不做限定。
[0179]
在示例性实施方式中，绑定区域200中绑定引脚区230的第二平坦层16可以覆盖屏蔽连接线61靠近显示区域一侧的部分区域，暴露出屏蔽连接线61远离显示区域一侧的区域，且覆盖屏蔽连接线61的第二平坦层16形成有第五连接过孔k5，第五连接过孔k5内的第二平坦薄膜被去掉，暴露出屏蔽连接线61的表面，第五连接过孔k5被配置为使后续形成的屏蔽电极通过该过孔与屏蔽连接线61连接，如图14a所示。
[0180]
在示例性实施方式中，绑定区域200中绑定引脚区230的第二平坦层16可以覆盖电源连接线62靠近显示区域一侧的部分区域，暴露出电源连接线62远离显示区域一侧的区域，如图14b所示。
[0181]
至此，在显示区域100形成了驱动结构层101图案。
[0182]
在示例性实施方式中，显示区域100的驱动结构层101可以包括在基底10叠设的第一绝缘层11、半导体层、第二绝缘层12、第一导电层、第三绝缘层13、第二导电层、第四绝缘层14、第三导电层、第一平坦层15、第四导电层和第二平坦层16。
[0183]
在示例性实施方式中，绑定区域200中引线区210的膜层可以包括：设置在基底10上的复合绝缘层，设置在复合绝缘层远离基底一侧的电源连接电极51，设置在电源连接电极51远离基底一侧的第一平坦层15，设置在第一平坦层15远离基底一侧的电源线60，设置在电源线60远离基底一侧的第二平坦层16，第二平坦层16上设置有暴露出电源线60的隔断槽18。在示例性实施方式中，复合绝缘层可以包括叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13和第四绝缘层14。
[0184]
在示例性实施方式中，绑定区域200中弯折区220的膜层可以包括：设置在基底10上的复合绝缘层，复合绝缘层上设置有包括第一凹槽410和第二凹槽420的第一弯折槽，设置在第一弯折槽远离基底一侧的弯折区连接线64，设置在弯折区连接线64远离基底一侧的第二平坦层16。
[0185]
在示例性实施方式中，绑定区域200中绑定引脚区230的膜层可以包括：在基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12和第三绝缘层13，设置在第三绝缘层13远离基底一侧的下层引脚70，设置在下层引脚70远离基底一侧的第四绝缘层14，设置在第四绝缘层14远离基底一侧的屏蔽引脚71和电源引脚72，设置在屏蔽引脚71和电源引脚72远离基底一侧的第一平坦层15，设置在第一平坦层15远离基底一侧的屏蔽连接线61和电源连接线62。屏蔽引脚71和电源引脚72分别通过过孔与相应的下层引脚70连接，屏蔽连接线61通过过孔与屏蔽引脚71连接，电源连接线62通过过孔与电源引脚72连接。
[0186]
在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)和氮氧化硅(sion)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层可以称为缓冲层，第二绝缘层和第三绝缘层可以称为(gi)层，第四绝缘层可以称为层间绝缘(ild)层。第一导电层、第二导电层、第三导电层和第四导电层可以采用金属材料，如银(ag)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)和钼(mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(alnd)或钼铌合金(monb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如ti/al/ti等。第一平坦层和第二平坦层可以采用有机材料，如树脂等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-igzo)、氮氧化锌(znon)、氧化铟锌锡(izto)、非晶硅(a-si)、多晶硅(p-si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。
[0187]
(6)形成第五导电层图案。在示例性实施方式中，形成第五导电层图案可以包括：在形成前述图案的基底上沉积第五导电薄膜，通过图案化工艺对第五导电薄膜进行图案化，在第二平坦层16上形成第五导电层图案，如图15a和图15b所示，图15a为图8中a-a向的剖视图，图15b为图8中b-b向的剖视图。在示例性实施方式中，第五导电层可以称为阳极导电(and)层。
[0188]
在示例性实施方式中，显示区域100的第五导电层可以包括阳极21，阳极21通过第四连接过孔k4与阳极连接电极17连接。由于阳极连接电极17通过过孔与第一晶体管101a的第一漏电极连接，因而实现了阳极21通过阳极连接电极17与第一晶体管101a的第一漏电极连接。
[0189]
在示例性实施方式中，绑定区域200中引线区210的第五导电层可以包括阴极连接电极80，阴极连接电极80通过隔断槽18与电源线60连接。在示例性实施方式中，阴极连接电极80可以覆盖隔断槽18的槽底和槽壁，并覆盖隔断槽18以外的部分第二平坦层16。
[0190]
在示例性实施方式中，绑定区域200中弯折区220的第五导电层可以包括屏蔽电极90，屏蔽电极90可以覆盖第三弯折槽440的槽底和槽壁，屏蔽电极90靠近显示区域的一侧的边缘(第一屏蔽区)可以延伸到引线区210，屏蔽电极90远离显示区域的一侧的边缘(第三屏蔽区)可以延伸到绑定引脚区230，并在绑定引脚区230通过第五连接过孔k5与屏蔽连接线61连接。由于屏蔽连接线61通过过孔与屏蔽引脚71连接，因而实现了屏蔽电极90通过屏蔽连接线61与屏蔽引脚71连接，可以由屏蔽引脚71向屏蔽电极90提供接地(gnd)信号。
[0191]
在示例性实施方式中，第五导电层可以采用金属材料或者透明导电材料，金属材料可以包括银(ag)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)和钼(mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，透明导电材料可以包括氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)。在示例性实施方式中，导电薄膜可以是单层结构，或者是多层复合结构，如ito/al/ito等。
[0192]
(7)形成像素定义层图案。在示例性实施方式中，形成像素定义层可以包括：在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，在显示区域100形成像素定义层22，在绑定区域200的引线区210形成第一隔离坝211和第二隔离坝212，在绑定区域200的弯折区220形成弯折保护层213，如图16a和图16b所示，图16a为图8中a-a向的剖视图，图16b为图8中b-b向的剖视图。
[0193]
在示例性实施方式中，显示区域100的像素定义层22上开设有像素开口，像素开口内的像素定义薄膜被去掉，暴露出阳极21的表面。
[0194]
在示例性实施方式中，引线区210的第一隔离坝211设置在隔断槽18内的阴极连接电极80上，第二隔离坝212设置在第一隔离坝211远离显示区域的一侧，且第二隔离坝212覆盖阴极连接电极80远离显示区域一侧的边缘。
[0195]
在示例性实施方式中，弯折区220通过图案化工艺形成的弯折保护层213可以覆盖屏蔽电极90。
[0196]
在示例性实施方式中，可以采用半色调或灰色调掩膜板同时形成隔垫柱图案，显示区域100的隔垫柱可以位于像素开口的外侧，引线区210的隔垫柱可以分别位于第一隔离坝211和第二隔离坝212上，本公开在此不做限定。
[0197]
(8)形成有机发光层和阴极图案。在示例性实施方式中，形成有机发光层和阴极图案可以包括：在形成前述图案的基底上，通过蒸镀工艺或喷墨打印工艺在显示区域形成有机发光层23，有机发光层23通过像素开口与阳极21连接。随后，通过蒸镀工艺或采用开放式掩膜板的沉积工艺形成阴极24，整体结构的阴极24可以形成在显示区域100和绑定区域200的引线区210，显示区域100的阴极24与有机发光层23连接，引线区210的阴极24与阴极连接电极80连接，如图17a和图17b所示，图17a为图8中a-a向的剖视图，图17b为图8中b-b向的剖视图。
[0198]
在示例性实施方式中，由于显示区域100的有机发光层23设置在阳极21与阴极24之间，且分别与阳极21和阴极24连接，阳极23通过阳极连接电极17与第一晶体管101a的第一漏电极连接，因而实现了有机发光层23的发光控制。
[0199]
在示例性实施方式中，引线区210的阴极24可以搭接在阴极连接电极80上，实现阴极24与阴极连接电极80的大面积搭接，保证连接可靠性。由于电源线60通过弯折区连接线64和电源连接线62与电源引脚72连接，因而外部驱动装置可以通过电源引脚72向电源线60输入低电压信号。由于阴极24与阴极连接电极80连接，阴极连接电极80与电源线60连接，因而实现了阴极24通过阴极连接电极80与电源线60的连接，由电源线60向阴极24提供低电压信号。
[0200]
在示例性实施方式中，有机发光层23可以包括发光层(简称eml)，以及如下任意一层或多层：空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子阻挡层(ebl)、空穴阻挡层(hbl)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)。在示例性实施方式中，所有子像素的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层可以是连接在一起的共通层，相邻子像素的发光层可以有少量的交叠，或者可以是隔离的，相邻子像素的电子阻挡层可以有少量的交叠，或者可以是隔离的。
[0201]
在示例性实施方式中，阴极可以采用镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铜(cu)和锂(li)中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。
[0202]
在一些可能的示例性实施方式中，可以在形成阴极图案后形成光学耦合层图案，光学耦合层设置在阴极上，光学耦合层的折射率可以大于阴极的折射率，有利于光取出并增加出光效率，光学耦合层的材料可以采用有机材料，或者采用无机材料，或者采用有机材料和无机材料，可以是单层、多层或复合层，本公开在此不做限定。
[0203]
至此，制备完成发光结构层102图案。发光结构层102可以位于显示区域100，发光结构层102可以包括阳极导电层、像素定义层22、有机发光层23和阴极24，阳极导电层可以包括位于每个子像素中的阳极21，有机发光层23设置在阳极21和阴极24之间。
[0204]
(9)形成封装结构层图案。在示例性实施方式中，形成封装结构层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，先采用沉积方式沉积第一封装薄膜，在显示区域100和绑定区域200的引线区210形成第一封装层31图案。显示区域100的第一封装层31设置在阴极25上，保护发光材料，防止水汽入侵，引线区210中靠近显示区域一侧的第一封装层31覆盖阴极24，远离显示区域一侧的第一封装层31包裹第一隔断坝410和第二隔断坝420，且覆盖屏蔽电极90和弯折保护层213靠近显示区域一侧的边缘。随后，采用喷墨打印工艺(ijp)打印第二封装材料，在显示区域100和部分引线区210形成第二封装层32图案，第二封装层32设置在第一封装层31上。随后，采用沉积方式沉积第三封装薄膜，在显示区域100和绑定区域200的引线区210形成形成第三封装层33图案，显示区域100的第三封装层33设置在第二封装层32上，引线区210的第三封装层33设置在第一封装层31上，如图18a和图18b所示，图18a为图8中a-a向的剖视图，图18b为图8中b-b向的剖视图。
[0205]
在示例性实施例中，第一封装层和第三封装层可以采用硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)和氮氧化硅(sion)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层，可以采用开放式掩膜板(open mask)的化学气相沉积(cvd)或原子层沉积(ald)等方式沉积，可以保证外界水氧无法进入发光结构层。第二封装层可以采用有机材料，如树脂等，起到包覆显示区各个膜层的作用，以提高结构稳定性和平坦性。在示例性实施方式中，包裹第一隔断坝410和第二隔断坝420是指，第一封装层31覆盖第一隔断坝410和第二隔断坝420的全部表面，可以截断水氧的传输通道，有效阻断了水氧入侵，保证了封装有效性和可靠性。
[0206]
至此，形成封装结构层103图案，保证了封装完整性，有效隔绝外界水氧。在显示区域100，封装结构层103可以包括叠设的第一封装层31、第二封装层32和第三封装层33，形成无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构。引线区210中位于第一隔断坝410靠近显示区域一侧区域的封装结构层可以包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层，位于引线区210其它区域的封装结构层可以包括叠设的第一封装层31和第三封装层33，形成无机材料/无机材料的叠层结构。
[0207]
(10)形成触控结构层104图案。在示例性实施方式中，形成触控结构层104图案可以包括：在形成前述图案的基底上依次沉积第一触控绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过图案化工艺对第一金属薄膜进行图案化，形成第一触控绝缘层41以及设置在第一触控绝缘层41上的第一触控金属层(tma)图案，第一触控金属层可以包括多个桥接电极42。随后，在形成前述图案的基底上沉积或涂覆第二触控绝缘薄膜，通过图案化工艺对第二触控绝缘薄膜进行图案化，在显示区域形成覆盖第一触控金属层42的第二触控绝缘层43图案，第二触控绝缘层43上设置有多个触控过孔。随后，在形成前述图案的基底上沉积第二金属薄膜，通过图案化工艺对第二金属薄膜进行图案化，在二触控绝缘层43上形成第二触控金属层(tmb)图
案，第二触控金属层可以包括位于显示区域100的触控电极层，触控电极层可以包括多个触控电极44。随后，在形成前述图案的基底上沉积或涂覆触控保护薄膜，形成覆盖触控电极层和触控引线层的触控保护层45图案，如图19a和图19b所示，图19a为图8中a-a向的剖视图，图19b为图8中b-b向的剖视图。
[0208]
在示例性实施方式中，形成第一触控金属层和/或第二触控金属层图案中，可以在绑定区域200的引出线210形成触控引线层，触控引线层可以包括多条触控引线(未示出)。
[0209]
在示例性实施方式中，后续工艺可以包括：将显示基板从玻璃载板上剥离的剥离工艺，在显示基板背面贴附背膜的附膜工艺，以及切割工艺等，本公开在此不做限定。
[0210]
图20a至图20d为本公开示例性实施例几种屏蔽电极的平面结构示意图。在示例性实施方式中，屏蔽电极90可以包括沿着第一方向d1依次设置且依次连接的第一屏蔽区90-1、第二屏蔽区90-2和第三屏蔽区90-3。在示例性实施方式中，第一屏蔽区90-1可以位于引线区210，第二屏蔽区90-2可以位于弯折区220，第三屏蔽区90-3可以位于绑定引脚区230，即屏蔽电极90不仅完全覆盖弯折区220，而且覆盖部分引线区210和部分绑定引脚区230，在第一方向d1上，引线区210远离显示区域一侧的区域被屏蔽电极90覆盖，绑定引脚区230靠近显示区域一侧的区域被屏蔽电极90覆盖。
[0211]
在示例性实施方式中，第一屏蔽区90-1覆盖引线区210的区域可以是第二隔离坝212远离显示区域一侧的部分区域，以不影响第一隔离坝211和第二隔离坝212的结构。第五过孔k5可以位于覆盖绑定引脚区230的第三屏蔽区90-3所在区域，第三屏蔽区90-3通过第五过孔k5与屏蔽连接线61连接，由于屏蔽连接线61与屏蔽引脚71连接，因而可以由屏蔽引脚71通过屏蔽连接线61向屏蔽电极90提供接地(gnd)信号。
[0212]
在示例性实施方式中，屏蔽电极90可以是整面结构，即屏蔽电极90为一个完整的导电层，整面结构的屏蔽电极90可以提供较好的屏蔽效果，如图20a所示。
[0213]
在示例性实施方式中，屏蔽电极90可以是网格结构，即屏蔽电极90为一个具有图案化镂空结构的导电层，网格结构的屏蔽电极90可以在保证屏蔽效果的前提下，具有较好的柔韧性，有利于弯折区的弯折，如图20b至图20d所示。
[0214]
在示例性实施方式中，网格结构的屏蔽电极90可以包括至少两个第一电极条91和多个第二电极条92。每个第一电极条91可以为沿着第一方向d1延伸的条形状，且至少两个第一电极条91可以分别设置在弯折区220第二方向d2的两侧。每个第二电极条92可以为沿着第二方向d1延伸的条形状，且多个第二电极条92可以沿着第一方向d1依次设置，两个第一电极条91和多个第二电极条92相互交叉且连接，至少两个第一电极条91可以使多个第二电极条92相互连接起来，形成网格结构的屏蔽电极90，如图20b所示。
[0215]
在示例性实施方式中，网格结构的屏蔽电极90可以包括多个第一电极条91和至少两个第二电极条92。每个第一电极条91可以为沿着第一方向d1延伸的条形状，多个第一电极条91可以沿着第二方向d2依次设置。每个第二电极条92可以为沿着第二方向d2延伸的条形状，且至少两个第二电极条92可以分别设置在弯折区220第一方向d1的两侧。多个第一电极条91和两个第二电极条92相互交叉且连接，至少两个第二电极条92可以使多个第一电极条91相互连接起来，形成网格结构的屏蔽电极90，如图20c所示。
[0216]
在示例性实施方式中，网格结构的屏蔽电极90可以包括至少两个第一电极条91、至少两个第二电极条92和多个第三电极条93。每个第一电极条91可以为沿着第一方向d1延
伸的条形状，且至少两个第一电极条91可以分别设置在弯折区220第二方向d2的两侧，每个第二电极条92可以为沿着第二方向d1延伸的条形状，且至少两个第二电极条92可以分别设置在弯折区220第一方向d1的两侧，至少两个第一电极条91和至少两个第二电极条92相互交叉且连接，形成框结构。在示例性实施方式中，框结构的形状可以是矩形。每个第三电极条93可以为沿着第一斜向方向延伸的条形状，多个第三电极条93可以沿着第二斜向方向依次设置，多个第三电极条93与框结构相互交叉且连接，框结构可以使多个第三电极条93相互连接起来，形成网格结构的屏蔽电极90，如图20d所示。其中，第一斜向方向与第一方向d1具有大于0
°
且小于90
°
的夹角，或者，第一斜向方向与第二方向d2具有大于0
°
且小于90
°
的夹角。第二斜向方向可以与第一斜向方向交叉。例如，第二斜向方向可以是垂直于第一斜向方向的方向。
[0217]
在示例性实施方式中，第一电极条91、第二电极条92和第三电极条93的数量可以根据实际需要设置，本公开在此不做限定。
[0218]
通过本公开示例性实施例显示基板的结构以及制备过程可以看出，本公开通过在弯折区设置屏蔽电极，屏蔽电极与绑定引脚区的屏蔽引脚连接，由屏蔽引脚向屏蔽电极提供接地信号，实现了弯折区的电磁屏蔽，避免了弯折区的信号线受环境/整机电磁干扰或者弯折区的信号线对环境/整机产生电磁干扰，提高了显示品质。与弯折工艺后贴附电磁屏蔽保护膜方式相比，本公开方案既不需要引入新的膜层贴合工艺，又降低了工艺难度，降低了生产成本，而且避免了造成弯折区裂纹损伤，最大限度地降低了弯折区信赖性风险。本公开将屏蔽电极设置在阳极导电层，由于阳极导电层位于显示基板多个膜层的中部，在弯折时受力较小，因而弯折区设置屏蔽电极对弯折性能影响较小，在实现弯折区电磁屏蔽的同时，保证了弯折质量。本公开通过在绑定引脚区增加屏蔽连接线和屏蔽引脚，且屏蔽连接线和屏蔽引脚分别设置在绑定引脚区两侧，不仅实现了向屏蔽电极提供接地信号，而且可以对位于绑定引脚区中部的其它信号引线和信号引脚提供屏蔽功能，可以提高了绑定区域的抗电磁干扰性能。本公开的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，可以很好地与现有制备工艺兼容，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。
[0219]
图21a和图21b为本公开示例性实施例另一种显示基板的剖面结构示意图，图21a为图8中a-a向的剖视图，图21b为图8中b-b向的剖视图，示意了显示区域100和绑定区域200的剖面结构。在示例性实施方式中，显示区域100可以包括在基底10上依次设置的驱动结构层101、发光结构层102、封装结构层103和触控结构层104，绑定区域200的引线区210可以包括在基底10上依次设置的复合绝缘层、第一源漏金属层、第一平坦层15、第二源漏金属层、第二平坦层16、阳极导电层、隔离坝结构和无机封装层，绑定区域200的绑定引脚区230可以包括在基底10上依次设置的复合绝缘层、第一源漏金属层、第一平坦层15、第二源漏金属层、第二平坦层16，上述结构与前述实施例基本上相同，这里不再赘述。与前述实施例不同的是，本示例性实施例弯折区220的屏蔽电极90由第一触控金属层形成。
[0220]
在示例性实施方式中，绑定区域200的弯折区220可以包括：基底10，设置在基底10上的复合绝缘层，复合绝缘层上设置有弯折槽，设置在弯折槽远离基底一侧的第一平坦层15，设置在第一平坦层15远离基底一侧的第二源漏金属层，设置在第二源漏金属层远离基底一侧的第二平坦层16，设置在第二平坦层16远离基底一侧的第一触控金属层。在示例性
实施方式中，第二源漏金属层可以包括弯折区连接线64，第一触控金属层可以包括屏蔽电极90，屏蔽电极90通过过孔与屏蔽连接线61连接。
[0221]
在示例性实施方式中，屏蔽引脚71和电源引脚72可以设置绑定引脚区230的第一源漏金属层中，屏蔽连接线61可以设置在绑定引脚区230的第二源漏金属层中，屏蔽电极90可以设置在弯折区220的第一触控金属层中，屏蔽电极90通过过孔与屏蔽连接线61连接，屏蔽连接线61通过过孔与屏蔽引脚71连接，因而实现了屏蔽引脚71通过屏蔽连接线61向屏蔽电极90提供接地(gnd)信号。
[0222]
在示例性实施方式中，弯折区的第二平坦层16与第一触控金属层之间可以设置其它有机材料膜层，如与像素定义层同层设置的弯折保护层等。为了保障弯折区的弯折性能和可靠性，在形成触控结构层中的第一触控绝缘层和第二触控绝缘层时，弯折区的第一触控绝缘层和第二触控绝缘层被去除。
[0223]
在示例性实施方式中，绑定引脚区230可以包括位于第二栅金属层的下层引脚70，屏蔽引脚71和电源引脚72可以通过过孔分别与对应的下层引脚70连接。
[0224]
本示例性实施例显示基板的制备过程与前述实施例基本上相同，所不同的是，在形成第五导电层图案中，第五导电层仅包括显示区域100的阳极21和引线区210的阴极连接电极80，弯折区220没有形成屏蔽电极。在形成触控结构层104中的第一触控金属层(tma)图案中，第一触控金属层不仅包括位于显示区域100的多个桥接电极42，而且包括位于弯折区220的屏蔽电极90，且屏蔽电极90通过过孔与屏蔽连接线61连接。在形成第二触控绝缘层43中，第二触控绝缘层43远离显示区域100一侧覆盖屏蔽电极90靠近显示区域一侧的边缘。
[0225]
在示例性实施方式中，弯折区220的屏蔽电极90可以由第二触控金属层形成，或者由叠设的第一触控金属层和第二触控金属层形成，本公开在此不做限定。
[0226]
本公开示例性实施例同样可以实现弯折区的电磁屏蔽，避免了弯折区的信号线受环境/整机电磁干扰或者弯折区的信号线对环境/整机产生电磁干扰，提高了显示品质。本公开示例性实施例将屏蔽电极设置在第一触控金属层和/或第二触控金属层，由于屏蔽电极位于弯折区域的最外侧，因而可以提供较好的屏蔽效果。
[0227]
图22a和图22b为本公开示例性实施例又一种显示基板的剖面结构示意图，图22a为图8中a-a向的剖视图，图22b为图8中b-b向的剖视图，示意了显示区域100和绑定区域200的剖面结构。在示例性实施方式中，显示区域100可以包括在基底10上依次设置的驱动结构层101、发光结构层102、封装结构层103和触控结构层104，绑定区域200的引线区210可以包括在基底10上依次设置的复合绝缘层、第一源漏金属层、第一平坦层15、第二源漏金属层、第二平坦层16、阳极导电层、隔离坝结构和无机封装层，上述结构与前述实施例基本上相同，这里不再赘述。与前述实施例不同的是，本示例性实施例弯折区220的屏蔽电极90由第二源漏金属层形成。
[0228]
在示例性实施方式中，绑定区域200的弯折区220可以包括：基底10，设置在基底10上的复合绝缘层，复合绝缘层上设置有弯折槽，设置在弯折槽远离基底一侧的第一源漏金属层，设置在第一源漏金属层远离基底一侧的第一平坦层15，设置在第一平坦层15远离基底一侧的第二源漏金属层，设置在第二源漏金属层远离基底一侧的第二平坦层16。在示例性实施方式中，第一源漏金属层可以包括弯折区连接线64，第二源漏金属层可以包括屏蔽电极90，屏蔽电极90与屏蔽连接线61直接连接。
[0229]
在示例性实施方式中，绑定区域200的绑定引脚区230可以包括在基底10上依次设置的复合绝缘层、第一源漏金属层、第一平坦层15、第二源漏金属层和第二平坦层16。在示例性实施方式中，第一源漏金属层可以包括电源连接线62、屏蔽引脚71和电源引脚72，电源连接线62和电源引脚72可以为相互连接的一体结构。在示例性实施方式中，第二源漏金属层可以包括屏蔽连接线61，屏蔽连接线61通过过孔与屏蔽引脚71连接，屏蔽连接线61和屏蔽电极90可以为相互连接的一体结构。
[0230]
在示例性实施方式中，引线区210的第一源漏金属层可以包括电源线60，引线区210的第二源漏金属层可以包括电源连接电极，电源连接电极通过过孔与电源线60连接，阴极连接电极80通过过孔与电源连接电极51连接。
[0231]
在示例性实施方式中，引线区210的电源线60、弯折区220的弯折区连接线64、绑定引脚区230的电源连接线62和电源引脚72可以为相互连接的一体结构。
[0232]
在示例性实施方式中，屏蔽引脚71和电源引脚72可以设置绑定引脚区230的第一源漏金属层中，屏蔽连接线61可以设置在绑定引脚区230的第二源漏金属层中，屏蔽电极90可以设置在弯折区220的第二源漏金属层中，屏蔽电极90与屏蔽连接线61直接连接，屏蔽连接线61通过过孔与屏蔽引脚71连接，因而实现了屏蔽引脚71通过屏蔽连接线61向屏蔽电极90提供接地(gnd)信号。
[0233]
在示例性实施方式中，弯折区的第二平坦层16远离基底的一侧可以设置其它有机材料膜层，本公开在此不做限定。
[0234]
在示例性实施方式中，绑定引脚区230可以包括位于第二栅金属层的下层引脚70，屏蔽引脚71和电源引脚72可以通过过孔分别与对应的下层引脚70连接。
[0235]
本示例性实施例显示基板的制备过程与前述实施例基本上相同，所不同的是，在形成第三导电层图案中，第三导电层至少包括位于显示区域100的第一源电极和第一漏电极、位于引线区210的电源线60、位于弯折区220的弯折区连接线64以及位于绑定引脚区230的电源连接线62、屏蔽引脚71和电源引脚72。在形成第四导电层图案中，第四导电层至少包括位于显示区域100的阳极连接电极17、位于引线区210的电源连接电极、位于弯折区220的屏蔽电极90以及位于绑定引脚区230的屏蔽连接线61，屏蔽电极90和屏蔽连接线61可以为相互连接的一体结构。
[0236]
本公开示例性实施例同样可以实现弯折区的电磁屏蔽，避免了弯折区的信号线受环境/整机电磁干扰或者弯折区的信号线对环境/整机产生电磁干扰，提高了显示品质。
[0237]
图23a和图23b为本公开示例性实施例又一种显示基板的剖面结构示意图，图23a为图8中a-a向的剖视图，图23b为图8中b-b向的剖视图，示意了显示区域100和绑定区域200的剖面结构。在示例性实施方式中，本示例性实施例显示基板的结构与图22a和图22b所示结构基本上相近，所不同的是，弯折区的的屏蔽电极90由阳极导电层形成。
[0238]
在示例性实施方式中，绑定区域200的弯折区220可以包括：基底10，设置在基底10上的复合绝缘层，复合绝缘层上设置有弯折槽，设置在弯折槽远离基底一侧的第一源漏金属层，设置在第一源漏金属层远离基底一侧的第一平坦层15，设置在第一平坦层15远离基底一侧的第二平坦层16，设置在第二平坦层16远离基底一侧的阳极导电层，设置在阳极导电层远离基底一侧的弯折保护层213。在示例性实施方式中，第一源漏金属层可以包括弯折区连接线64，阳极导电层可以包括屏蔽电极90，屏蔽电极90通过过孔与屏蔽连接线61连接。
[0239]
在示例性实施方式中，绑定区域200的绑定引脚区230可以包括在基底10上依次设置的复合绝缘层、第一源漏金属层、第一平坦层15、第二源漏金属层和第二平坦层16。在示例性实施方式中，第一源漏金属层可以包括电源连接线62、屏蔽引脚71和电源引脚72，电源连接线62和电源引脚72可以为相互连接的一体结构。在示例性实施方式中，第二源漏金属层可以包括屏蔽连接线61，屏蔽连接线61通过过孔与屏蔽引脚71连接。
[0240]
在示例性实施方式中，引线区210的第一源漏金属层可以包括电源线60，引线区210的第二源漏金属层可以包括电源连接电极，电源连接电极通过过孔与电源线60连接，阴极连接电极80通过过孔与电源连接电极51连接。
[0241]
在示例性实施方式中，引线区210的电源线60、弯折区220的弯折区连接线64、绑定引脚区230的电源连接线62和电源引脚72可以为相互连接的一体结构。
[0242]
在示例性实施方式中，屏蔽引脚71和电源引脚72可以设置绑定引脚区230的第一源漏金属层中，屏蔽连接线61可以设置在绑定引脚区230的第二源漏金属层中，屏蔽电极90可以设置在弯折区220的阳极导电层中，屏蔽电极90通过过孔与屏蔽连接线61连接，屏蔽连接线61通过过孔与屏蔽引脚71连接，因而实现了屏蔽引脚71通过屏蔽连接线61向屏蔽电极90提供接地(gnd)信号。
[0243]
在示例性实施方式中，绑定引脚区230可以包括位于第二栅金属层的下层引脚70，屏蔽引脚71和电源引脚72可以通过过孔分别与对应的下层引脚70连接。
[0244]
本示例性实施例显示基板的制备过程与前述实施例基本上相同，所不同的是，在形成第三导电层图案中，第三导电层至少包括位于显示区域100的第一源电极和第一漏电极、位于引线区210的电源线60、位于弯折区220的弯折区连接线64以及位于绑定引脚区230的电源连接线62、屏蔽引脚71和电源引脚72。在形成第四导电层图案中，第四导电层至少包括位于显示区域100的阳极连接电极17、位于引线区210的电源连接电极以及位于绑定引脚区230的屏蔽连接线61。在形成阳极导电层图案中，阳极导电层可以包括位于显示区域的阳极21、位于引线区210的阴极连接电极80以及位于弯折区220的屏蔽电极90，屏蔽电极90通过过孔与屏蔽连接线61连接。
[0245]
本公开示例性实施例同样可以实现弯折区的电磁屏蔽，避免了弯折区的信号线受环境/整机电磁干扰或者弯折区的信号线对环境/整机产生电磁干扰，提高了显示品质。
[0246]
图24a和图24b为本公开示例性实施例又一种显示基板的剖面结构示意图，图24a为图8中a-a向的剖视图，图24b为图8中b-b向的剖视图，示意了显示区域100和绑定区域200的剖面结构。在示例性实施方式中，本示例性实施例显示基板的结构与图22a和图22b所示结构基本上相近，所不同的是，弯折区的的屏蔽电极90由第一触控金属层和/或第二触控金属层形成。
[0247]
在示例性实施方式中，绑定区域200的弯折区220可以包括：基底10，设置在基底10上的复合绝缘层，复合绝缘层上设置有弯折槽，设置在弯折槽远离基底一侧的第一源漏金属层，设置在第一源漏金属层远离基底一侧的第一平坦层15，设置在第一平坦层15远离基底一侧的第二平坦层16，设置在第二平坦层16远离基底一侧的第一触控金属层和/或第二触控金属层。在示例性实施方式中，第一源漏金属层可以包括弯折区连接线64，第一触控金属层和/或第二触控金属层可以包括屏蔽电极90，屏蔽电极90通过过孔与屏蔽连接线61连接。
[0248]
在示例性实施方式中，绑定区域200的绑定引脚区230可以包括在基底10上依次设置的复合绝缘层、第一源漏金属层、第一平坦层15、第二源漏金属层和第二平坦层16。在示例性实施方式中，第一源漏金属层可以包括电源连接线62、屏蔽引脚71和电源引脚72，电源连接线62和电源引脚72可以为相互连接的一体结构。在示例性实施方式中，第二源漏金属层可以包括屏蔽连接线61，屏蔽连接线61通过过孔与屏蔽引脚71连接。
[0249]
在示例性实施方式中，引线区210的第一源漏金属层可以包括电源线60，引线区210的第二源漏金属层可以包括电源连接电极，电源连接电极通过过孔与电源线60连接，阴极连接电极80通过过孔与电源连接电极51连接。
[0250]
在示例性实施方式中，引线区210的电源线60、弯折区220的弯折区连接线64、绑定引脚区230的电源连接线62和电源引脚72可以为相互连接的一体结构。
[0251]
在示例性实施方式中，屏蔽引脚71和电源引脚72可以设置绑定引脚区230的第一源漏金属层中，屏蔽连接线61可以设置在绑定引脚区230的第二源漏金属层中，屏蔽电极90可以设置在弯折区220的第一触控金属层和/或第二触控金属层中，屏蔽电极90通过过孔与屏蔽连接线61连接，屏蔽连接线61通过过孔与屏蔽引脚71连接，因而实现了屏蔽引脚71通过屏蔽连接线61向屏蔽电极90提供接地(gnd)信号。
[0252]
在示例性实施方式中，绑定引脚区230可以包括位于第二栅金属层的下层引脚70，屏蔽引脚71和电源引脚72可以通过过孔分别与对应的下层引脚70连接。
[0253]
本示例性实施例显示基板的制备过程与前述实施例基本上相同，所不同的是，在形成第三导电层图案中，第三导电层至少包括位于显示区域100的第一源电极和第一漏电极、位于引线区210的电源线60、位于弯折区220的弯折区连接线64以及位于绑定引脚区230的电源连接线62、屏蔽引脚71和电源引脚72。在形成第四导电层图案中，第四导电层至少包括位于显示区域100的阳极连接电极17、位于引线区210的电源连接电极以及位于绑定引脚区230的屏蔽连接线61。在形成触控结构层104中的第一触控金属层和/或第二触控金属层图案中，在弯折区220形成屏蔽电极90，屏蔽电极90通过过孔与屏蔽连接线61连接。
[0254]
本公开示例性实施例同样可以实现弯折区的电磁屏蔽，避免了弯折区的信号线受环境/整机电磁干扰或者弯折区的信号线对环境/整机产生电磁干扰，提高了显示品质。
[0255]
本公开示例性实施例显示基板的结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。在示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少图案化工艺，本公开在此不做限定。
[0256]
在示例性实施方式中，本公开显示基板可以应用于具有像素驱动电路的显示装置中，如oled、量子点显示(qled)、发光二极管显示(micro led或mini led)或量子点发光二极管显示(qdled)等，本公开在此不做限定。
[0257]
本公开还提供了一种显示基板的制备方法，以制备前述的显示基板。在示例性实施方式中，所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域第一方向一侧的绑定区域，所述绑定区域包括沿着所述第一方向依次设置的引线区、弯折区和绑定引脚区，所述弯折区被配置为通过弯折使所述绑定引脚区翻转到所述显示区域的背面；所述制备方法可以包括：
[0258]
在所述弯折区和绑定引脚区分别形成屏蔽电极和屏蔽引脚，所述屏蔽电极通过屏蔽连接线与所述屏蔽引脚连接。
[0259]
本公开还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0260]
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。