本公开涉及半导体封装,具体涉及半导体封装装置及其制造方法。
背景技术:
1、在三维堆叠结构中,通常在上基板上设置通孔供模流通过,以便完成模塑。然而,在上基板上元件密度较高的情况下,通孔的尺寸会受到限制,造成模流无法顺利通过,导致模塑效果受到影响(例如产生空隙)。
2、因此,有必要提出一种新的技术方案以解决上述至少一个技术问题。
技术实现思路
1、本公开提供了一种半导体封装装置及其制造方法。
2、第一方面,本公开提供一种半导体封装装置,包括:
3、第一基板;
4、第二基板,设置在所述第一基板上并且具有开孔;
5、模塑材,设置在所述第二基板上以及所述第二基板和所述第一基板之间;
6、第一芯片,设置在模塑材上;
7、第一连接线,被所述模塑材包覆并且穿过所述第二基板的所述开孔,所述第一连接线的第一端与所述第一芯片电连接。
8、在一些可选的实施方式中,所述第一连接线的第一端延伸至所述模塑材的表面并从所述模塑材中露出。
9、在一些可选的实施方式中,所述模塑材的表面设置有导电垫,所述导电垫分别与所述第一连接线的第一端和所述第一芯片电连接。
10、在一些可选的实施方式中,所述第一连接线的第二端与所述第一基板电连接。
11、在一些可选的实施方式中,所述第一基板上设置有第二芯片,所述第一连接线的第二端与所述第二芯片电连接。
12、在一些可选的实施方式中,所述第二芯片的电连接区域的纵向截面的宽度小于所述开孔的纵向截面的宽度。
13、在一些可选的实施方式中,所述第二芯片贴附于所述第一基板的表面。
14、在一些可选的实施方式中,所述半导体封装装置还包括:
15、第二连接线,被所述模塑材包覆并且穿过所述第二基板的所述开孔,所述第二连接线的两端分别与所述第二基板和所述第一基板电连接。
16、在一些可选的实施方式中,所述半导体封装装置还包括:
17、第三连接线,被所述模塑材包覆并且两端分别与所述第一芯片和所述第二基板电连接。
18、在一些可选的实施方式中,所述第二基板通过焊料设置在所述第一基板上。
19、在一些可选的实施方式中,所述第一连接线的数目为至少两个。
20、在一些可选的实施方式中,所述第一芯片和所述模塑材之间设置有底部填充材。
21、第二方面,本公开还提供了一种半导体封装装置的制造方法,包括:
22、将第二基板设置在第一基板上,其中,所述第二基板具有开孔;
23、设置穿过所述开孔的第一连接线;
24、在所述第二基板上方进行模塑以形成模塑材,其中,所述模塑材位于所述第二基板上以及所述第二基板和所述第一基板之间并且包覆所述第一连接线;
25、通过薄化制程减小所述模塑材的厚度,以暴露所述第一连接线的第一端;
26、在所述模塑材上设置第一芯片,以得到半导体封装装置,其中,所述第一芯片与所述第一连接线的第一端电连接。
27、在一些可选的实施方式中,在所述模塑材上设置第一芯片,以得到半导体封装装置,包括:
28、在所述模塑材的表面形成导电垫,其中,所述导电垫与所述第一连接线的第一端电连接;
29、将第一芯片设置在所述导电垫处,以使所述第一芯片通过所述导电垫与所述第一连接线的第一端电连接。
30、在本公开提供的半导体封装装置及其制造方法中,通过在第一连接线实现第一芯片与其他电子元件之间的电连接,能够减小封装结构中的电连接部位对第二基板的占用面积,使得第二基板上的开孔具有足够大的尺寸以保证模流顺利通过,有利于保证模塑效果,提高产品良率。此外,本公开中将第一芯片设置在模塑材上,能够保证具有足够的面积来放置第一芯片,避免因增大开孔尺寸导致第一芯片的放置面积不足。
1.一种半导体封装装置,包括:
2.根据权利要求1所述的半导体封装装置,其中,所述第一连接线的第一端延伸至所述模塑材的表面并从所述模塑材中露出。
3.根据权利要求2所述的半导体封装装置,其中,所述模塑材的表面设置有导电垫,所述导电垫分别与所述第一连接线的第一端和所述第一芯片电连接。
4.根据权利要求1所述的半导体封装装置,其中,所述第一连接线的第二端与所述第一基板电连接。
5.根据权利要求1所述的半导体封装装置,其中,所述第一基板上设置有第二芯片,所述第一连接线的第二端与所述第二芯片电连接。
6.根据权利要求5所述的半导体封装装置,其中,所述第二芯片贴附于所述第一基板的表面。
7.根据权利要求1所述的半导体封装装置,其中,所述半导体封装装置还包括:
8.根据权利要求1所述的半导体封装装置,其中,所述半导体封装装置还包括:
9.根据权利要求1所述的半导体封装装置,其中,所述第二基板通过电连接材料设置在所述第一基板上。
10.根据权利要求1所述的半导体封装装置,其中,所述第一连接线的数目为至少两个。