一种显示基板及其制备方法、显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。


背景技术：

2.微尺寸无机发光二极管显示是近年来发展迅速的一种新型显示技术，微尺寸无机发光二极管芯片尺寸小、发光波长可控、发光效率高、使用寿命长、发光材料对环境无污染等众多优点使得发光二极管在显示器方面的应用得以发展。但是，目前微尺寸无机发光二极管显示由于器件焊盘、器件尺寸以及固晶技术精度的限制，很难做到高像素密度(ppi)。并且为了避免子像素之间发生窜扰，微尺寸无机发光二极管芯片中相邻发光区之间间距较大，芯片面积利用率低，影响显示产品的分辨率。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，用以在避免窜扰的同时，提高光取出效率以及分辨率。
4.本技术实施例提供的一种显示基板，显示基板包括：多个阵列排布的发光器件，位于发光器件出光侧的光子晶体层，以及位于光子晶体层背离发光器件一侧的多个光致发光层；
5.光子晶体层包括：与发光器件一一对应的微腔组；微腔组包括多个点缺陷微腔；发光器件在光子晶体层的正投影覆盖微腔组。
6.在一些实施例中，每一微腔组包括：一个第一点缺陷微腔，以及包围第一点缺陷微腔的多个第二点缺陷微腔；
7.第一点缺陷微腔与发光器件的中心重合；
8.多个第二点缺陷微腔与第一点缺陷微腔之间的距离均相等。
9.在一些实施例中，每一微腔组包括：4个第二点缺陷微腔；
10.4个第二点缺陷微腔依次连接形成矩形，且4个第二点缺陷微腔分别位于矩形的顶点，矩形的中心与第一点缺陷微腔重合。
11.在一些实施例中，光子晶体层还包括：第一半导体层，以及多个阵列排布且贯穿第一半导体层厚度的第一孔洞；
12.点缺陷微腔为贯穿第一半导体层厚度的第二孔洞；
13.在平行于光子晶体层所在平面的方向上，第一孔洞的最大宽度大于第二孔洞的最大宽度。
14.在一些实施例中，在平行于光子晶体层所在平面的方向上，第二孔洞的最大宽度与第一孔洞的最大宽度之比大于等于0.4且小于等于0.6。
15.在一些实施例中，在第一方向上，第二点缺陷微腔与第一点缺陷微腔之间的距离h1与第一孔洞的周期n满足如下条件：h1＝2n；
16.在第二方向上，第二点缺陷微腔与第一点缺陷微腔之间的距离h2与第一孔洞的周
期n满足如下条件：h2＝n；
17.第一方向与矩形的一对边平行，第二方向与矩形的另一对边平行。
18.在一些实施例中，显示基板还包括位于光子晶体层和光致发光层之间的衬底；
19.衬底与光子晶体层晶格匹配。
20.在一些实施例中，显示基板还包括：位于衬底背离光子晶体层一侧的遮光层；
21.遮光层具有与发光器件一一对应的第一开口区；光致发光层位于第一开口区。
22.在一些实施例中，发光器件包括：在光子晶体层背离衬底一侧依次叠层设置的n型掺杂半导体层、多重量子阱半导体层、p型掺杂半导体层；
23.光子晶体层、n型掺杂半导体层、多重量子阱半导体层以及p型掺杂半导体层包括同种半导体材料。
24.在一些实施例中，衬底为蓝宝石衬底；
25.光子晶体层、n型掺杂半导体层、多重量子阱半导体层以及p型掺杂半导体层包括氮化镓。
26.在一些实施例中，阵列排布的多个发光器件出射蓝光；
27.多个光致发光层包括：吸收蓝光出射红光的红光光致发光层，以及吸收蓝光出射绿光的绿光光致发光层。
28.在一些实施例中，多个发光器件包括的n型掺杂半导体层一体连接。
29.在一些实施例中，显示基板还包括：位于红光光致发光层背离衬底一侧的红色色阻，位于绿光光致发光层背离衬底一侧的绿色色阻，以及在未设置光致发光层的第一开口区位于遮光层背离衬底一侧的蓝色色阻。
30.本技术实施例提供的一种显示基板的制备方法，包括：
31.形成阵列排布的多个发光器件以及在发光器件的出光侧形成光子晶体层；其中，光子晶体层包括与发光器件一一对应的微腔组，发光器件在光子晶体层的正投影覆盖微腔组，微腔组包括多个点缺陷微腔；
32.在光子晶体层背离发光器件一侧形成多个光致发光层。
33.在一些实施例中，形成阵列排布的多个发光器件以及在发光器件的出光侧形成光子晶体层，具体包括：
34.在衬底的一侧沉积第一半导体层，对第一半导体层进行图形化工艺形成贯穿其厚度且阵列排布的多个第一孔洞，以及对第一半导体层进行图形化工艺形成贯穿其厚度的多个第二孔洞；
35.在第一半导体层背离衬底一侧依次生长n型掺杂层、多重量子阱半导体层、p型掺杂半导体层，并对多重量子阱半导体层以及p型掺杂半导体层进行图形化工艺。
36.在一些实施例中，在光子晶体层背离发光器件一侧形成多个光致发光层之前，方法还包括：
37.在衬底背离光子晶体层一侧形成遮光层，采用图形化工艺形成多个第一开口区；
38.在光子晶体层背离发光器件一侧形成多个光致发光层，具体包括：
39.在第一开口区形成光致发光层；
40.在衬底背离光子晶体层一侧形成光致发光层之后，方法还包括：
41.在光致发光层背离衬底一侧形成彩色色阻。
42.本技术实施例提供的一种显示装置，包括本技术实施例提供的显示基板。
43.本技术实施例提供的显示基板及其制备方法、显示装置，发光器件出射的光经过具有点缺陷微腔的光子晶体层后，由于束流准直效应，光线的发散角减小，从而可以减小显示基板与发光器件对应的发光区之间的窜扰距离，即可以在避免发光区之间的出现窜扰的情况下提高显示基板的开口率、光取出效率以及分辨率。
附图说明
44.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
45.图1为本技术实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
46.图2为本技术实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
47.图3为本技术实施例提供的又一种显示基板的结构示意图；
48.图4为本技术实施例提供的光线发散角以及光提取率示意图；
49.图5为本技术实施例提供的又一种显示基板的结构示意图；
50.图6为本技术实施例提供的一种显示基板的制备方法流程示意图。
具体实施方式
51.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
52.除非另外定义，本技术使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
53.需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本技术内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
54.本技术实施例提供了一种显示基板，如图1所示，显示基板包括：多个阵列排布的发光器件1，位于发光器件1出光侧的光子晶体层2，以及位于光子晶体层2背离发光器件1一侧的多个光致发光层3；
55.光子晶体层2包括：与发光器件1一一对应的微腔组4；微腔组4包括多个点缺陷微腔5；发光器件1在光子晶体层2的正投影覆盖所述微腔组4。
56.需要说明的是，本技术实施例提供的显示基板包括光子晶体层，通过选择合适的
光子晶体参数，例如周期、占空比、厚度等，可以将光子带隙中心波长设置在发光器件发射光的波长，由于光子带隙的作用，从发光器件发射出的光在平行与显示基板所在平面方向上不能传播，而在垂直与显示基板所在平面方向上光子晶体不能限制光的传播，从而提高了光的垂直提取率。同时，光子晶体结构也是一种光栅结构，将光栅的周期设置成与光波长相当，当传导光和光栅结构发生作用时，光波矢平面内的分量会受到调制，从而使传导光落在出射光锥内，被耦合为出射光。并且，在光子晶体结构中引入点缺陷微腔，则光子晶体带隙中将出现较高的态密度，与点缺陷微腔谐振频率相吻合的光子会被局域在狭小的微腔空间内，并使自发辐射的能量大部分耦合入缺陷模中，而光子禁带内其他模式则被抑制。由于多个点缺陷微腔出射光之间的相干耦合作用，则会产生束流准直效应，从而在提高光提取效率的同时，出射光的空间指向性也将获得改善。即出射光的最大发散角度从未设置光子晶体层的正负60
°
收窄为正负30
°
左右，从而通过光子晶体层出射的光线发散角大大减小。
57.本技术实施例提供的显示基板，发光器件出射的光经过具有点缺陷微腔的光子晶体层后，由于束流准直效应，光线的发散角减小，从而可以减小显示基板与发光器件对应的发光区之间的窜扰距离，即可以在避免发光区之间的出现窜扰的情况下提高显示基板的开口率、光取出效率以及分辨率。
58.在一些实施例中，如图2所示，每一微腔组4包括：一个第一点缺陷微腔6，以及包围第一点缺陷微腔的多个第二点缺陷微腔7；
59.第一点缺陷微腔6与发光器件1的中心重合；
60.多个第二点缺陷微腔7与第一点缺陷微腔6之间的距离均相等。
61.需要说明的是图2中附图标记1对应的虚线区域为发光器件在光子晶体层的正投影区域，即对应于发光器件的发光区。
62.本技术实施例提供的显示基板，微腔组中的第一点缺陷微腔与发光器件的发光区中心重合，从而可以使得经过光子晶体层束流准直效应出射的光线，在发光器件发光区中心亮度最高，使得光子晶体层出射的光线的最高亮度位于正视角，避免出现视角偏差。
63.在一些实施例中，如图2所示，每一微腔组4包括：4个第二点缺陷微腔7；
64.4个第二点缺陷微腔7依次连接形成矩形19，且4个第二点缺陷微腔7分别位于矩形19的顶点，矩形19的中心与第一点缺陷微腔6重合。
65.在一些实施例中，如图1、图2所示，光子晶体层2还包括：第一半导体层9，以及多个阵列排布且贯穿第一半导体层9厚度的第一孔洞8。
66.即本技术实施例提供的显示面板中，光子晶体层包括二维光子晶体。需要说明的是，二维光子晶体即为在两个不同方向上具有周期性结构的光子晶体。且不同方向上周期性结构的周期相同。在具体实施时，需要根据所需光子晶体的晶格常数设置二维光子晶体的周期，光子晶体的周期等于其晶格常数。
67.在具体实施时，二维光子晶体阵列可以是六角晶格或四方晶格。
68.在一些实施例中，如图1、图2所示，点缺陷微腔5为贯穿第一半导体层9厚度的第二孔洞10；
69.在平行于光子晶体层2所在平面的方向上，第一孔洞8的最大宽度大于第二孔洞10的最大宽度。
70.即第二孔洞相对于第一孔洞为光子晶体的点缺陷微腔。
71.在一些实施例中，在平行于光子晶体层所在平面的方向上，第二孔洞的最大宽度与第一孔洞的最大宽度之比大于等于0.4且小于等于0.6。
72.在一些实施例中，如图2所示，第一孔洞、第二孔洞在衬底的正投影为圆形，第二孔洞的直径与第一孔洞的直径之比大于等于0.4且小于等于0.6。
73.以光子晶体为六角晶格为例进行举例说明，二维光子晶体的晶格常数设置为600纳米(nm)，即第一孔洞阵列的周期为600nm，第一孔洞的直径为300nm，则第二孔洞的直径大于等于120nm且小于等于180nm。
74.在一些实施例中，如图1、图2所示，多个第一孔洞的直径相等，多个第二孔洞的直径相等。
75.在一些实施例中，如图2所示，在第一方向x上，第二点缺陷微腔7与第一点缺陷微腔6之间的距离h1与第一孔洞的周期n满足如下条件：h1＝2n；
76.在第二方向y上，第二点缺陷微腔7与第一点缺陷微腔6之间的距离h2与第一孔洞的周期n满足如下条件：h2＝n；
77.第一方向x与矩形19的一对边平行，第二方向y与矩形19的另一对边平行。
78.在一些实施例中，发光器件为微尺寸无机发光二极管。微尺寸无机发光二极管例如可以是迷你发光二极管(mini light emitting diode，mini-led)或微型发光二极管(micro light emitting diode，micro-led)。
79.需要说明的是，mini-led以及micro-led的尺寸小且亮度高，可以大量应用于显示装置或其背光模组中。例如，micro-led的典型尺寸(例如长度)小于100微米；mini-led的典型尺寸(例如长度)为80微米～350微米。
80.在一些实施例中，如图1所示，显示基板还包括位于光子晶体层2和光致发光层3之间的衬底14；
81.衬底14与光子晶体层2晶格匹配。
82.在一些实施例中，如图1所示，发光器件1包括：在光子晶体层2背离衬底15一侧依次叠层设置的n型掺杂半导体层11、多重量子阱半导体层12、p型掺杂半导体层13。
83.在具体实施时，n型掺杂半导体层作为发光器件的阴极，p型掺杂半导体层作为发光器件的阳极，多重量子阱半导体层作为发光器件的发光层。
84.在一些实施例中，光子晶体层、n型掺杂半导体层、多重量子阱半导体层以及p型掺杂半导体层包括同种半导体材料。
85.光子晶体层的材料与衬底晶格匹配，且第一半导体层、n型掺杂半导体层、多重量子阱半导体层以及p型掺杂半导体层包括相同材料，即衬底、光子晶体、发光器件的材料之间晶格匹配，可以避免在晶格不匹配的情况下生长发光器件各膜层影响发光器件光效。
86.在一些实施例中，衬底为蓝宝石衬底；
87.光子晶体层包括的第一半导体层、n型掺杂半导体层、多重量子阱半导体层以及p型掺杂半导体层包括氮化镓。
88.在一些实施例中，阵列排布的多个发光器件出射蓝光；
89.如图1所示，多个光致发光层3包括：吸收蓝光出射红光的红光光致发光层r，以及吸收蓝光出射绿光的绿光光致发光层g。
90.在一些实施例中，光致发光层包括量子点。
91.在一些实施例中，如图1所示，显示基板还包括：位于衬底14背离光子晶体层2一侧的遮光层15；
92.遮光层15具有与发光器件1一一对应的第一开口区18；光致发光层3位于第一开口区18。
93.在具体实施时，如图1所示，第一开口区18露出发光器件1的发光区。在一些实施例中，可以是第一开口区在衬底的正投影与发光器件发光区在衬底的正投影重合。
94.当阵列排布的多个发光器件出射蓝光，在一些实施例中，如图1所示，遮光层15包括的多个第一开口区18包括红色子像素开口区r’、蓝色子像素开口区b’以及绿色子像素开口区g’。红光光致发光层r位于红色子像素开口区r’，绿光光致发光层g位于绿色子像素开口区g’，蓝色子像素开口区b’未设置光致发光层。
95.需要说明的是，显示基板包括多个像素，每一像素包括多个子像素。子像素包括至少一个发光器件。在一些实施例中，每一子像素包括一个发光器件。在具体实施时，一个像素例如包括红色子像素、蓝色子像素以及绿色子像素。对于微尺寸无机发光二极管显示基板，由于发光器件均发蓝光，在具体实施时，如图3所示，可以对一个蓝光微尺寸无机发光二极管芯片进行子像素划分，红色子像素对应的区域r利用吸收蓝光出射红光的红光光致发光层实现出射红光，绿色子像素对应的区域g利用吸收蓝光出射绿光的绿光光致发光层实现出射绿光，蓝色子像素区域b发光器件出射蓝光从而无需设置光致发光层，即可以实现一个像素对应一个微尺寸无机发光二极管芯片，从而可以实现绑定蓝光微尺寸无机发光二极管芯片实现全彩显示。
96.需要说明的是，光线的发散角以及发光器件的光取出率如图4所示，其中，图4中虚线代表未经过光子晶体层的光线发散角及发光器件的光取出率，实线代表经过光子晶体层的发散角及发光器件的光取出率。根据图4可知，光线在光子晶体层的多个点缺陷微腔的相干耦合作用下，由于束流准直效应可以使得光线发散角的最大角度由正负60
°
减至正负35
°
，并且发光器件的光取出率大大提升。相应的，本技术发光器件对应的子像素之间的窜扰距离可以缩小至原窜扰距离的三分之一左右，即可以大大减小子像素之间的距离以减小蓝光微尺寸无机发光二极管芯片的整体尺寸，相应的，对于一块蓝光微尺寸无机发光二极管芯片，相比于未设置光子晶体层的情况，可以使得蓝光微尺寸无机发光二极管芯片的利用率提高2倍左右。原窜扰距离是指未设置本技术光子晶体层情况下发光器件对应的发光区之间的窜扰距离。
97.在一些实施例中，如图1所示，多个发光器件1包括的n型掺杂半导体层11一体连接。
98.在一些实施例中，如图5所示，显示基板还包括：位于光致发光层以及遮光层背离衬底一侧的彩色色阻20。
99.在一些实施例中，如图5所示，彩色色阻20包括：位于红光光致发光层r背离衬底14一侧的红色色阻r’，位于绿光光致发光层g背离衬底14一侧的绿色色阻g’，以及在未设置光致发光层3的第一开口区18位于遮光层15背离衬底14一侧的蓝色色阻b’。
100.在一些实施例中，如图5所示，显示基板还包括：位于光子晶体层2与发光器件1之间的缓冲层22，位于彩色色阻20背离衬底14一侧的封装层21，以及位于发光器件1背离衬底14一侧的平坦层16，位于平坦层16背离衬底一侧且通过贯穿平坦层16的过孔与发光器件1
电连接的绑定焊盘17。
101.在具体实施时，缓冲层与第一半导体层包括相同的材料。例如缓冲层的材料包括氮化镓。
102.在一些实施例中，第一半导体层的厚度为300nm，衬底的厚度为60微米，缓冲层的厚度以及n型掺杂半导体层的厚度均为2微米，多重量子阱半导体层的厚度以及p型掺杂半导体层的厚度均为0.3微米，光致发光层以及遮光层的厚度为10微米。
103.在具体实施时，如图5所示，绑定焊盘包括：与p型掺杂半导体层13电连接的第一绑定焊盘23，以及与n型掺杂半导体层电连接的第二绑定焊盘(未示出)。在具体实施时，第二绑定焊盘例如可以设置于图3中d区域。
104.在一些实施例中，显示基板还包括：位于绑定焊盘背离衬底一侧的驱动背板。即微尺寸无机发光二极管芯片与驱动背板绑定。驱动背板用于向发光器件提供信号，驱动背板例如包括晶体管、信号线以及第三绑定焊盘，第三绑定焊盘与第一绑定焊盘、第二绑定焊盘绑定。
105.在具体实施时，可以将多个蓝光微尺寸无机发光二极管与驱动背板绑定获得显示基板。
106.需要说明的是图1～图5以发光器件为微尺寸无机发光二极管为例进行距离说明。当然，在一些实施例中，发光器件也可以为有机发光二极管。在具体实施时，当发光器件为有机发光二极管时，显示基板还包括：位于发光器件背离光子晶体层一侧的衬底基板，以及位于衬底基板和发光器件之间的驱动电路层。驱动电路层例如包括阵列排布且与发光器件电连接的像素驱动电路。像素驱动电路例如包括晶体管以及电容。
107.基于同一发明构思，本技术实施例还提供了一种显示基板的制备方法，如图6所示，包括：
108.s101、形成阵列排布的多个发光器件以及在发光器件的出光侧形成光子晶体层；其中，光子晶体层包括与发光器件一一对应的微腔组，微腔组在衬底的正投影落入微尺寸无机发光二极管器件的正投影内，微腔组包括多个点缺陷微腔；
109.s102、在光子晶体层背离发光器件一侧形成多个光致发光层。
110.接下来以发光器件为微型无机发光二极管为例对本技术实施例提供的下是基板的制备方法进行介绍。
111.在一些实施例中，步骤s101形成阵列排布的多个发光器件以及在发光器件的出光侧形成光子晶体层，具体包括：
112.在衬底的一侧沉积第一半导体层，对第一半导体层进行图形化工艺形成贯穿其厚度且阵列排布的多个第一孔洞，以及对第一半导体层进行图形化工艺形成贯穿其厚度的多个第二孔洞；
113.在第一半导体层背离衬底一侧依次生长n型掺杂层、多重量子阱半导体层、p型掺杂半导体层，并对多重量子阱半导体层以及p型掺杂半导体层进行图形化工艺。
114.本技术实施例提供的显示基板的制备方法，通过在第一半导体层形成贯穿其厚度的第一孔洞以形成二维光子晶体，并形成贯穿第一半导体层厚度的第二孔洞形成点缺陷微腔，二维光子晶体以及点缺陷微腔均可以通过简单的图形化工艺便可以形成，且二维光子晶体以及点缺陷微腔形成后不易发生形变，稳定性高，可以避免影响光子晶体层准直性能。
并且，在衬底先形成光子晶体层，之后在光子晶体层一侧生张发光器件各膜层，相当于光子晶体层设置在发光器件芯片内部，无需额外工艺制作光子晶体层并将光子晶体层与发光器件芯片贴合，可以简化显示基板制作流程，节省成本。
115.在一些实施例中，在衬底的一侧沉积第一半导体层，对第一半导体层进行图形化工艺形成贯穿其厚度且阵列排布的多个第一孔洞，以及对第一半导体层进行图形化工艺形成贯穿其厚度的多个第二孔洞，具体包括：
116.在蓝宝石衬底的一侧沉积氮化镓层，对氮化镓层进行图形化工艺形成贯穿其厚度且阵列排布的多个第一孔洞，以及氮化镓层进行图形化工艺形成贯穿其厚度的多个第二孔洞。
117.在具体实施时，图形化工艺例如可以包括：涂胶、曝光、显影、刻蚀等步骤。
118.在一些实施例中，在第一半导体层背离衬底一侧依次生长n型掺杂层、多重量子阱半导体层、p型掺杂半导体层，并对多重量子阱半导体层以及p型掺杂半导体层进行图形化工艺，具体包括：
119.在氮化镓层背离衬底一侧生长氮化镓层作为缓冲层；
120.在缓冲层背离蓝宝石衬底一侧依次生长n型掺杂氮化镓层、多重量子阱氮化镓层、p型掺杂氮化镓层；
121.对多重量子阱氮化镓层以及p型掺杂氮化镓层进行图形化工艺。
122.在一些实施例中，在光子晶体层背离发光器件一侧形成多个光致发光层之前，还包括：
123.在衬底背离光子晶体层一侧形成遮光层，采用图形化工艺形成多个第一开口区。
124.在具体实施时，例如可以采用打印或纳米压印工艺在蓝宝石衬底背离光子晶体层一侧形成遮光层。
125.在一些实施例中，在光子晶体层背离发光器件一侧形成多个光致发光层，具体包括：
126.在第一开口区形成光致发光层。
127.在具体实施时，在红色子像素开口区形成红光光致发光层，以及在绿色子像素开口区形成绿光光致发光层。
128.在一些实施例中，在衬底背离光子晶体层一侧形成光致发光层之后，方法还包括：
129.在光致发光层背离衬底一侧形成彩色色阻。
130.在具体实施时，在位于红光光致发光层背离衬底一侧形成红色色阻，在位于绿光光致发光层背离衬底一侧形成绿色色阻，以及在未设置光致发光层的第一开口区形成位于遮光层背离衬底一侧的蓝色色阻。
131.在一些实施例中，当发光器件为有机发光二极管，步骤s101形成阵列排布的多个发光器件以及在发光器件的出光侧形成光子晶体层，具体包括：
132.在衬底基板的一侧依次形成驱动电路层、有机发光二极管。
133.本技术实施例提供的一种显示装置，包括本技术实施例提供的显示基板。
134.在具体实施时，显示基板可以作为显示装置的显示面板。或者，显示基板也可以作为显示装置的背光模组，当显示基板作为背光模组时，显示装置还包括位于显示基板出光侧的显示面板。
135.本技术实施例提供的显示装置为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本技术的限制。该显示装置的实施可以参见上述显示基板的实施例，重复之处不再赘述。
136.综上所述，本技术实施例提供的显示基板及其制备方法、显示装置，发光器件出射的光经过具有点缺陷微腔的光子晶体层后，由于束流准直效应，光线的发散角减小，从而可以减小显示基板与发光器件对应的发光区之间的窜扰距离，即可以在避免发光区之间的出现窜扰的情况下提高显示基板的开口率、光取出效率以及分辨率。
137.显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。