显示装置以及制造显示装置的方法与流程

文档序号:30387093发布日期:2022-06-11 11:14阅读:80来源:国知局
显示装置以及制造显示装置的方法与流程
显示装置以及制造显示装置的方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年12月4日提交的第10-2020-0168715号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请出于所有目的通过引用并入本文,如同在本文中完整阐述一样。
技术领域
3.本发明的实施例总体上涉及显示装置以及制造显示装置的方法,并且更具体地,涉及具有用于防止或减少外部光的反射的层的显示装置以及制造显示装置的方法。


背景技术:

4.作为显示图像的显示装置,与液晶显示装置不同,有机发光二极管显示装置具有自发射特性。因此,由于有机发光二极管显示装置不需要单独的光源,因此可以减小有机发光二极管显示装置的厚度和重量。此外,有机发光二极管显示装置可以具有诸如低功耗、高亮度和高反应速度的高质量特性。
5.在背景技术部分中公开的上述信息仅用于理解本发明构思的背景,并且因此,它可能包含不构成现有技术的信息。


技术实现要素:

6.申请人认识到有机发光二极管显示装置应具有良好的对比度和亮度,但是当外部光亮时,对比度可能不佳。为了防止这种情况,可以形成具有特定颜色(例如,黑色等)的像素限定层。然而,存在由于在形成具有特定颜色的像素限定层的工艺中产生的残留物而发生暗点的问题。
7.根据本发明原理构造的显示装置能够解决包括上述问题的各种问题。例如,显示装置能够防止或减少由于外部光引起的特性下降以及由于暗点的发生引起的缺陷。
8.另外,根据本发明原理的制造显示装置的方法可以防止或减少由于外部光引起的特性下降以及由于暗点的发生引起的缺陷。
9.本发明构思的附加特征将在下面的描述中阐述,并且部分地将根据描述显而易见,或者本发明构思的附加特征可以通过本发明构思的实践获知。
10.根据一个或多个实施例,一种显示装置包括:基板;第一电极,设置在基板上;第一像素限定层,设置在第一电极上,第一像素限定层具有暴露第一电极的至少一部分的第一开口并且包括颜料;以及第二像素限定层,设置在第一像素限定层上并且包括染料。
11.第一像素限定层可以具有约1或更大的光学密度。
12.第一像素限定层的光学密度可以基本上等于或大于第二像素限定层的光学密度。
13.第一像素限定层可以包括多个颗粒,并且多个颗粒的平均大小可以是约200nm或更小。
14.第二像素限定层可以具有暴露第一电极的至少一部分的第二开口。
15.第一开口的宽度可以大于第二开口的宽度。
16.第二像素限定层可以覆盖第一像素限定层的上表面和侧表面。
17.第二像素限定层可以与第一电极直接接触。
18.第一像素限定层可以包括负性光敏材料,并且第二像素限定层可以包括正性光敏材料。
19.第一像素限定层和第二像素限定层中的每一个可以包括负性光敏材料。
20.第一像素限定层和第二像素限定层中的每一个可以包括正性光敏材料。
21.第一像素限定层可以包括正性光敏材料,并且第二像素限定层可以包括负性光敏材料。
22.显示装置可以进一步包括设置在第二像素限定层上的间隔件,其中间隔件可以包括与第二像素限定层的材料相同的材料。
23.第一像素限定层和间隔件可以由不同的材料形成。
24.显示装置可以进一步包括包含填充第二开口的发射层的中间层以及设置在中间层上的第二电极。
25.显示装置可以进一步包括设置在第二电极上并且包括至少一个无机层和至少一个有机层的薄膜封装层。
26.显示装置可以进一步包括设置在薄膜封装层上的光学功能层,光学功能层包括与第一开口至少部分地重叠的滤色器以及围绕滤色器的黑矩阵。
27.黑矩阵可以与第一像素限定层至少部分地重叠。
28.黑矩阵可以与第二像素限定层至少部分地重叠。
29.根据一个或多个实施例,一种制造显示装置的方法包括以下步骤:在第一电极上形成包括颜料的第一着色材料层;将第一着色材料层的一部分暴露于光;对第一着色材料层的暴露于光的该部分进行显影,以形成具有暴露第一电极的至少一部分的第一开口的第一像素限定层;在第一电极和第一像素限定层上形成第二着色材料层,第二着色材料层包括染料;将第二着色材料层的一部分暴露于光;以及对第二着色材料层的暴露于光的该部分进行显影,以形成具有暴露第一电极的至少一部分的第二开口的第二像素限定层。
30.在对第二着色材料层的暴露于光的该部分进行显影以形成第二像素限定层的步骤中,间隔件可以形成在第二像素限定层上,间隔件与第二像素限定层一体地形成。
31.第一像素限定层可以包括负性光敏材料,并且第二像素限定层可以包括正性光敏材料。
32.第一像素限定层的光学密度可以基本上等于或大于第二像素限定层的光学密度。
33.第一开口和第二开口可以至少部分地彼此重叠。
34.第一开口的宽度可以大于第二开口的宽度。
35.第二像素限定层可以覆盖第一像素限定层的上表面和侧表面。
36.第二像素限定层可以直接接触第一电极。
37.第一像素限定层和第二像素限定层中的每一个可以包括负性光敏材料。
38.第一像素限定层和第二像素限定层中的每一个可以包括正性光敏材料。
39.第一像素限定层可以包括正性光敏材料,并且第二像素限定层可以包括负性光敏材料。
40.根据一个或多个实施例,一种显示装置包括:多个像素,每个像素包括像素电极;
以及像素限定层,设置在多个像素之间以限定多个像素,其中像素限定层包括:第一像素限定层,设置成至少部分地覆盖像素电极并且包括不溶于液体的第一着色材料;以及第二像素限定层,设置在第一像素限定层上以至少部分地覆盖像素电极并且包括能溶于液体的第二着色材料。
41.第一像素限定层的透光率可以基本上等于或小于第二像素限定层的透光率。
42.应当理解,前面的一般描述和下面的详细描述两者是示例性和解释性的,并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
43.被包括以提供对本发明的进一步理解并且被结合在本说明书中并构成本说明书的一部分的附图示出了本发明的示例性实施例,并且与描述一起用于解释本发明构思。
44.图1是根据实施例构造的显示装置的实施例的透视图。
45.图2是图1的显示装置的平面图。
46.图3和图4是在图1的显示装置中包括的像素的实施例的等效电路图。
47.图5是沿着图1的线i-i’截取的、示出图1的显示装置的像素的实施例的截面图。
48.图6是沿着图1的线i-i’截取的、示出图1的显示装置的像素的另一实施例的示意性截面图。
49.图7和图8是沿着图1的线i-i’截取的、示出图1的显示装置的像素的其它实施例的示意性截面图。
50.图9、图10、图11、图12、图13、图14和图15是用于示出依据制造图1的显示装置的方法的工艺的截面图。
51.图16和图17是用于示出依据根据实施例的制造显示装置的方法的其它工艺的截面图。
具体实施方式
52.在下面的描述中,为了解释的目的,阐述了许多具体细节,以便提供对本发明的各种示例性实施例或实施方式的透彻理解。如本文中所使用的,“实施例”和“实施方式”是可互换的词语,其是采用本文中公开的一个或多个发明构思中的装置或方法的非限制性示例。然而,显而易见的是,各种示例性实施例可以在没有这些具体细节或者具有一个或多个等同布置的情况下实践。在其它实例中,以框图形式示出了公知的结构和装置,以避免不必要地混淆各种示例性实施例。进一步,各种示例性实施例可以是不同的,但不必是排他的。例如,在不脱离本发明构思的情况下,示例性实施例的特定形状、配置和特征可以在另一示例性实施例中使用或实施。
53.除非另外指明,否则所示出的示例性实施例应被理解为提供了可以在实践中实施本发明构思的一些方式的变化细节的示例性特征。因此,除非另外指明,否则在不脱离本发明构思的情况下,各种实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或共同地被称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。
54.附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以阐明相邻元件之间的边界。因此,除非指明,否则无论是存在还是不存在交叉影线或阴影都不传达或指示对特定材料、材料
性质、尺寸、比例、所示出的元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。进一步,在附图中,为了清楚和/或描述性目的,元件的大小和相对大小可以被夸大。当示例性实施例可以不同地实施时,特定的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地被执行。例如,两个连续描述的工艺可以基本上同时被执行或者以与所描述的顺序相反的顺序被执行。此外,相同的附图标记表示相同的元件。
55.当诸如层的元件被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件时,该元件可以直接在该另一元件上、连接到或耦接到该另一元件,或者可以存在居间元件。然而,当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件时,则不存在居间元件。为此,术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理、电气和/或流体连接。进一步,x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴。例如,x轴、y轴和z轴可以彼此垂直,或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的,“x、y和z中的至少一个”和“选自由x、y和z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅x、仅y、仅z或者x、y和z中的两个或更多个的任何组合,诸如例如,xyz、xyy、yz和zz。如本文中所使用的,术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多个的任何和所有组合。
56.尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以用于描述各种类型的元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此,下面讨论的第一元件可以被称为第二元件,而不脱离本公开的教导。
57.诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”、“之上”、“较高”和“侧”(例如,如在“侧壁”中)等的空间相对术语在本文中可以用于描述性目的,并且从而以描述如附图中所示出的一个元件与另一(些)元件的关系。空间相对术语旨在涵盖除附图中描绘的定向之外设备在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如,如果附图中的设备被翻转,则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向在其它元件或特征“上方”。因此,示例性术语“下方”可以涵盖上方和下方两种定向。此外,设备可以以其它方式(例如,旋转90度或以其它定向)而被定向,并且因此,在本文中使用的空间相对描述语应被相应地解释。
58.在本文中使用的术语是为了描述特定实施例的目的,并且不旨在是限制性的。如本文中所使用的,单数形式“一”和“该(所述)”也旨在包括复数形式,除非上下文另外明确指示。此外,当在本说明书中使用时,术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”指定所述特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在,但是不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。还应注意,如本文中所使用的,术语“基本上”、“约”以及其它类似术语被用作近似术语而不是程度术语,并且因此,被用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。
59.在本文中参考是理想化示例性实施例和/或中间结构的示意性图示的截面图示和/或分解图示来描述各种示例性实施例。因此,由于例如制造技术和/或公差导致的图示形状的变化是可以预期的。因此,在本文中公开的示例性实施例不应一定被解释为限于特定图示的区域的形状,而是包括例如由制造导致的形状的偏差。以这种方式,附图中示出的区域本质上可以是示意性的,并且这些区域的形状可能不反映装置的区域的实际形状,并且因此,不一定旨在是限制性的。
60.除非另外限定,否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与
本公开是其部分的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。诸如在常用词典中限定的那些术语的术语应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义,并且除非在本文中明确地如此限定,否则这些术语不应以理想化或过于正式的意义进行解释。
61.在下文中,将参考附图详细地描述本公开的实施例,并且当参考附图进行描述时,相同的附图标记用于相同或对应的元件,并且省略其重复描述。
62.图1是根据实施例的显示装置1的示意性透视图。
63.参考图1,显示装置1可以包括显示区da和布置在显示区da周围的外围区pa。外围区pa可以至少部分地围绕显示区da。显示装置1可以通过使用从布置在显示区da中的像素p发射的光来显示图像,并且外围区pa可以是不显示图像的非显示区。
64.在下文中,尽管有机发光二极管显示装置被描述为显示装置1的示例,但是实施例不限于此。例如,显示装置1可以是诸如无机发光二极管显示装置或量子点发光二极管显示装置的显示装置。例如,在显示装置1中包括的显示元件的发射层可以由有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点两者或者无机材料和量子点两者形成。
65.尽管图1示出了具有平坦的显示表面的显示装置1,但是实施例不限于此。在实施例中,显示装置1可以包括三维显示表面或弯曲的显示表面。
66.当显示装置1包括三维显示表面时,显示装置1可以包括面向不同方向的多个显示区并且可以包括例如多边形柱状显示表面。在实施例中,当显示装置1包括弯曲的显示表面时,显示装置1可以以诸如柔性的、可折叠的和可卷曲的显示装置的各种形式实施。
67.图1示出了应用于移动电话终端的显示装置1。例如,移动电话终端可以通过将安装在主板上的电子模块、相机模块和电源模块等与显示装置1一起布置在支架/外壳等中来构造。例如,显示装置1可以应用于诸如电视或监视器的大型电子设备以及诸如平板电脑、汽车导航仪、游戏机或智能手表的中小型电子设备。
68.尽管图1示出了其中显示装置1的显示区da是四边形的情况,但是实施例不限于此。例如,显示区da的形状也可以是圆形、椭圆形或者诸如三角形或五边形的多边形。
69.显示装置1可以包括布置在显示区da中的像素p。像素p中的每一个可以包括诸如有机发光二极管的显示元件或发光元件。像素p中的每一个可以通过有机发光二极管发射例如红光、绿光、蓝光或白光。如上所述,在本文中使用的像素p将被理解为发射红光、绿光、蓝光和白光之一的像素。
70.图2是根据实施例的显示装置1的示意性平面图。
71.参考图2,显示装置1可以包括布置在显示区da中的像素p。像素p中的每一个可以电连接到布置在外围区pa中的外部电路。第一扫描驱动电路10、第一发射驱动电路15、第二扫描驱动电路20、端子40、第一电源线60和第二电源线70可以布置在外围区pa中。
72.第一扫描驱动电路10可以通过扫描线sl将扫描信号供应到每个像素p。第一发射驱动电路15可以通过发射控制线el将发射控制信号供应到每个像素p。第二扫描驱动电路20可以与第一扫描驱动电路10平行布置。例如,显示区da可以位于第一扫描驱动电路10和第二扫描驱动电路20之间。在实施例中,布置在显示区da中的像素p中的一些可以电连接到第一扫描驱动电路10,并且像素p中的其它像素可以电连接到第二扫描驱动电路20。可替代地,可以省略第二扫描驱动电路20。
73.第一发射驱动电路15可以在x轴方向上与第一扫描驱动电路10间隔开,并且可以布置在外围区pa中。可替代地,第一发射驱动电路15和第一扫描驱动电路10可以在y轴方向上交替地布置。
74.端子40可以布置在基板100的一侧。端子40可以不被绝缘层覆盖,并且可以被暴露。因此,端子40可以电连接到印刷电路板pcb。印刷电路板pcb的端子pcb-p可以电连接到显示装置1的端子40。印刷电路板pcb可以被配置为将控制器的信号或电力供应到显示装置1。由控制器产生的控制信号可以通过印刷电路板pcb被供应到第一扫描驱动电路10、第一发射驱动电路15和第二扫描驱动电路20中的每一个。控制器可以分别通过第一连接线61和第二连接线71将第一电源电压elvdd(见图3和图4)和第二电源电压elvss(见图3和图4)供应到第一电源线60和第二电源线70。第一电源电压elvdd可以通过连接到第一电源线60的驱动电压线pl被供应到每个像素p,并且第二电源电压elvss可以被供应到连接到第二电源线70的每个像素p的第二电极。
75.数据驱动电路50可以电连接到数据线dl。数据驱动电路50的数据信号可以通过连接到端子40的连接线51以及连接到连接线51的数据线dl被供应到每个像素p。
76.图2示出了数据驱动电路50布置在印刷电路板pcb上。然而,在实施例中,数据驱动电路50可以布置在基板100上。例如,数据驱动电路50可以布置在端子40和第一电源线60之间。
77.第一电源线60可以包括在x轴方向上彼此平行延伸的第一子线62和第二子线63,其中显示区da位于第一子线62和第二子线63之间。第二电源线70可以具有带有一个开放侧的环形形状,并且可以部分地围绕显示区da。
78.图3和图4是在根据实施例的显示装置1中包括的像素p的等效电路图。例如,像素p可以包括像素电路pc和有机发光二极管oled。
79.参考图3,像素电路pc可以连接到有机发光二极管oled,并且可以控制有机发光二极管oled以从像素p发射光。像素电路pc可以包括驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2和存储电容器cst。开关薄膜晶体管t2可以连接到扫描线sl和数据线dl。例如,开关薄膜晶体管t2可以根据通过扫描线s1供应的扫描信号sn来将通过数据线dl供应的数据信号dm传输到驱动薄膜晶体管t1。
80.存储电容器cst可以连接到开关薄膜晶体管t2和驱动电压线pl,并且可以存储从开关薄膜晶体管t2接收的电压和供应到驱动电压线pl的第一电源电压elvdd之间的电压差。
81.驱动薄膜晶体管t1可以连接到驱动电压线pl和存储电容器cst,并且可以响应于在存储电容器cst中存储的电压差来控制从驱动电压线pl流过有机发光二极管oled的驱动电流。有机发光二极管oled可以根据驱动电流发射具有特定亮度的光。
82.图3示出了其中像素电路pc包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况。然而,实施例不限于此。
83.参考图4,像素电路pc可以包括驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2、补偿薄膜晶体管t3、第一初始化薄膜晶体管t4、操作控制薄膜晶体管t5、发射控制薄膜晶体管t6、第二初始化薄膜晶体管t7和存储电容器cst。
84.尽管图4示出了其中为每个像素电路pc提供信号线sl、sl-1、sl+1、el和dl、初始化
电压线vl以及驱动电压线pl,但是实施例不限于此。例如,信号线sl、sl-1、sl+1、el和dl中的至少一者和/或初始化电压线vl可以与相邻像素电路共享。
85.驱动薄膜晶体管t1的漏电极可以通过发射控制薄膜晶体管t6电连接到有机发光二极管oled。驱动薄膜晶体管t1可以根据开关薄膜晶体管t2的开关操作来接收数据信号dm,并且可以将驱动电流供应到有机发光二极管oled。
86.开关薄膜晶体管t2的栅电极可以连接到扫描线sl,并且开关薄膜晶体管t2的源电极可以连接到数据线dl。开关薄膜晶体管t2的漏电极可以连接到驱动薄膜晶体管t1的源电极,并且可以通过操作控制薄膜晶体管t5连接到驱动电压线pl。
87.开关薄膜晶体管t2可以根据通过扫描线sl接收的扫描信号sn而被导通,并且执行用于将传输到数据线dl的数据信号dm传输到驱动薄膜晶体管t1的源电极的开关操作。
88.补偿薄膜晶体管t3的栅电极可以连接到扫描线sl。补偿薄膜晶体管t3的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管t1的漏电极并且可以通过发射控制薄膜晶体管t6连接到有机发光二极管oled的第一电极。补偿薄膜晶体管t3的漏电极可以连接到存储电容器cst的一个电极、第一初始化薄膜晶体管t4的源电极以及驱动薄膜晶体管t1的栅电极。补偿薄膜晶体管t3可以根据通过扫描线sl接收的扫描信号sn而被导通,以将驱动薄膜晶体管t1的栅电极和漏电极彼此连接。因此,驱动薄膜晶体管t1可以通过被导通的补偿薄膜晶体管t3二极管连接。
89.第一初始化薄膜晶体管t4的栅电极可以连接到前一扫描线sl-1。第一初始化薄膜晶体管t4的漏电极可以连接到初始化电压线vl。第一初始化薄膜晶体管t4的源电极可以连接到存储电容器cst的一个电极、补偿薄膜晶体管t3的漏电极以及驱动薄膜晶体管t1的栅电极。第一初始化薄膜晶体管t4可以根据通过前一扫描线sl-1接收的前一扫描信号sn-1而被导通,并且将初始化电压vint传输到驱动薄膜晶体管t1的栅电极以执行用于初始化驱动薄膜晶体管t1的栅电极的电压的初始化操作。
90.操作控制薄膜晶体管t5的栅电极可以连接到发射控制线el。操作控制薄膜晶体管t5的源电极可以连接到驱动电压线pl。操作控制薄膜晶体管t5的漏电极可以连接到驱动薄膜晶体管t1的源电极以及开关薄膜晶体管t2的漏电极。
91.发射控制薄膜晶体管t6的栅电极可以连接到发射控制线el。发射控制薄膜晶体管t6的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管t1的漏电极以及补偿薄膜晶体管t3的源电极。发射控制薄膜晶体管t6的漏电极可以电连接到有机发光二极管oled的第一电极。操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6可以根据通过发射控制线el传输的发射控制信号en而同时被导通。因此,第一电源电压elvdd可以被传输到有机发光二极管oled,并且驱动电流可以流过有机发光二极管oled。
92.第二初始化薄膜晶体管t7的栅电极可以连接到下一扫描线sl+1。第二初始化薄膜晶体管t7的源电极可以连接到有机发光二极管oled的第一电极。第二初始化薄膜晶体管t7的漏电极可以连接到初始化电压线vl。第二初始化薄膜晶体管t7可以根据通过下一扫描线sl+1接收的下一扫描信号sn+1而被导通以初始化有机发光二极管oled的第一电极。
93.在图4中,第一初始化薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7可以分别连接到前一扫描线sl-1和下一扫描线sl+1。然而,实施例不限于此。在实施例中,第一初始化薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7两者可以连接到前一扫描线sl-1并且可以根据前一
扫描信号sn-1而被导通。
94.存储电容器cst的另一电极可以连接到驱动电压线pl。存储电容器cst的一个电极可以连接到驱动薄膜晶体管t1的栅电极、补偿薄膜晶体管t3的漏电极以及第一初始化薄膜晶体管t4的源电极。
95.有机发光二极管oled的第二电极(例如,阴极)可以被供应有第二电源电压elvss。有机发光二极管oled可以通过从驱动薄膜晶体管t1接收驱动电流来发射光。
96.像素电路pc不限于参考图4描述的电路设计以及薄膜晶体管和存储电容器的数量,并且薄膜晶体管和存储电容器的数量以及电路设计可以变化。
97.图5是沿着图1的线i-i’截取的、示出图1的显示装置1的像素p的示意性截面图。
98.参考图5,像素p可以包括薄膜晶体管tft、存储电容器cst、有机发光二极管oled形式的发光元件以及像素限定层。薄膜晶体管tft、存储电容器cst和有机发光二极管oled可以布置在基板100上。例如,像素限定层可以通过围绕像素p的有机发光二极管oled来限定像素p。例如,像素限定层可以包括第一像素限定层180和第二像素限定层190。
99.基板100可以包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料或者柔性的或可弯曲的材料。在实施例中,基板100可以包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素的聚合物树脂。
100.缓冲层110可以形成为防止杂质渗透到薄膜晶体管tft的半导体层中。栅绝缘层130可以将半导体层与薄膜晶体管tft的栅电极绝缘。层间绝缘层150可以将薄膜晶体管tft的源电极、漏电极和栅电极绝缘。平坦化绝缘层170可以覆盖薄膜晶体管tft并且具有基本上平坦的上表面。例如,缓冲层110、栅绝缘层130、层间绝缘层150和平坦化绝缘层170可以在z轴方向上堆叠在基板100上。
101.有机发光二极管oled可以布置在平坦化绝缘层170上。例如,有机发光二极管oled可以包括第一电极210、中间层220和第二电极230。第一电极210可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或者它们的化合物的反射层。第一电极210可以进一步包括布置在反射层上方或/和下方的透明导电层。透明导电层可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)等。在实施例中,第一电极210可以具有其中ito层、ag层和ito层顺序地堆叠的多层结构。第一电极210可以通过在平坦化绝缘层170中形成的接触孔cnt电连接到薄膜晶体管tft。例如,第一电极210可以是像素电极,中间层220可以是发光层,并且第二电极230可以是公共电极。
102.第一像素限定层180可以布置在第一电极210上。第一像素限定层180可以具有暴露第一电极210的至少一部分的第一开口1801。第一电极210的边缘部分可以用第一像素限定层180覆盖。第一电极210的边缘部分可以与第一像素限定层180重叠的同时直接接触第一像素限定层180。第一电极210的中心部分可以与第一像素限定层180的第一开口1801重叠并且可以通过第一开口1801暴露。在实施例中,第一开口1801的大小(例如,宽度)可以小于第一电极210的大小(例如,宽度)。
103.在实施例中,第一像素限定层180可以包括着色材料。第一像素限定层180可以包括着色颜料,例如,具有诸如白色或黑色的特定颜色的颜料。在实施例中,第一像素限定层180可以是黑色。在实施例中,第一像素限定层180可以包括聚酰亚胺(pi)类粘合剂以及其
中混合了红色、绿色和蓝色的颜料。可替代地,第一像素限定层180可以包括卡多(cardo)类粘合剂树脂以及内酰胺黑色颜料和蓝色颜料的混合物。可替代地,第一像素限定层180可以包括炭黑。例如,颜料可以不溶于液体。
104.在实施例中,第一像素限定层180可以包括多个颗粒。在第一像素限定层180中包括的多个颗粒的平均大小可以是约200nm或更小。例如,在第一像素限定层180中包括的多个颗粒的平均大小可以是约10nm至约200nm。
105.在实施例中,包括颜料的第一像素限定层180可以具有约1或更大的光学密度。由于包括颜料的第一像素限定层180具有约1或更大的光学密度,因此第一像素限定层180的透光率可以降低,并且同时,可以提高显示装置1的对比度。可替代地,在实施例中,第一像素限定层180可以具有约1.5或更大的光学密度,或者可以具有约2或更大的光学密度,并且可以进行各种修改。
106.因为第一像素限定层180包括颜料,所以可以防止或减少外部光的反射。例如,包括颜料的第一像素限定层180可以防止或减少从外部入射到显示装置1的外部光的反射,并且可以提高显示装置1的对比度。
107.在实施例中,第二像素限定层190可以布置在第一像素限定层180上。第二像素限定层190可以具有暴露第一电极210的至少一部分的第二开口1901。在第二像素限定层190中形成的第二开口1901可以与在第一像素限定层180中形成的第一开口1801至少部分地重叠。
108.在实施例中,第二像素限定层190可以包括染料。例如,第二像素限定层190可以包括溶解于溶剂中的黑色染料。
109.因为第二像素限定层190包括染料,所以可以防止或减少外部光的反射。例如,包括染料的第二像素限定层190可以防止或减少从外部入射到显示装置1的外部光的反射,并且可以提高显示装置1的对比度。例如,染料可以溶于液体。
110.在实施例中,包括染料的第二像素限定层190的光学密度可以基本上等于包括颜料的第一像素限定层180的光学密度。可替代地,在实施例中,包括染料的第二像素限定层190的光学密度可以基本上等于或小于包括颜料的第一像素限定层180的光学密度。相应地,因为包括染料的第二像素限定层190的光学密度基本上等于或小于包括颜料的第一像素限定层180的光学密度,所以包括染料的第二像素限定层190可以具有基本上等于或高于包括颜料的第一像素限定层180的透光率的透光率。
111.在实施例中,第二像素限定层190可以覆盖第一像素限定层180的上表面和侧表面。因为第二像素限定层190覆盖第一像素限定层180的上表面和侧表面,所以第二像素限定层190可以直接接触第一电极210。例如,第二像素限定层190的至少一部分可以不与第一像素限定层180重叠。例如,第一像素限定层180和第二像素限定层190可以在第一电极210上具有共面表面(例如,底表面)。相应地,在第一像素限定层180中形成的第一开口1801的第一宽度w1可以大于在第二像素限定层190中形成的第二开口1901的第二宽度w2。
112.在实施例中,第一像素限定层180可以包括颜料和负性光敏材料,并且第二像素限定层190可以包括染料和正性光敏材料。在这种情况下,由于第一像素限定层180包括颜料和负性光敏材料,因此第一像素限定层180可以具有高光学密度,并且由于第二像素限定层190包括染料和正性光敏材料,因此可以防止或减少残渣的发生。
113.另外,在实施例中,包括颜料的第一像素限定层180和包括染料的第二像素限定层190可以彼此重叠。因此,可以降低其中布置有第一像素限定层180和第二像素限定层190的区(例如,非发射区)的透光率。结果,可以提高显示装置1的对比度。
114.在比较示例中,尽管第一像素限定层180的位于与第一电极210的中心部分相对应的区域中的部分被去除以形成暴露第一电极210的至少一部分的第一开口1801,但是未被去除的残留物可能留在第一电极210上,并且残留物可能导致暗点。具体地,由于留在第一开口1801的边缘部分处的残留物,第一电极210和第二电极230之间可能发生短路。因此,由于短路可能导致暗点,并且可能产生残渣。
115.此外,当光敏聚酰亚胺(pspi)布置在第一像素限定层180上以防止暗点和残渣的发生时,第一电极210的外部光反射率可能由于第一像素限定层180的面积减小而增加。因此,显示装置的对比度可能降低。此外,当第一像素限定层180的光学密度增加时,暗点仍可能发生在第一开口1801的边缘部分处。
116.此外,当回流第一像素限定层180的至少一部分来覆盖第一像素限定层180的侧表面以防止暗点和残渣的发生时,被第一像素限定层180至少部分地暴露的第一电极210的面积分布可以增加。此外,由于第一电极210的面积分布增加,因此有机发光二极管oled的寿命分布可以增加。
117.在实施例中,包括染料的第二像素限定层190可以布置在包括颜料的第一像素限定层180上,并且第二像素限定层190可以覆盖第一像素限定层180的侧表面,并且相应地,可以防止或减少暗点的发生并且可以减少第一电极210的外部光反射率,并且因此,可以提高显示装置1的对比度。例如,第二像素限定层190可以覆盖留在第一开口1801的边缘部分处的残留物以防止或减少第一电极210和第二电极230之间短路的发生,从而防止或减少暗点的发生并且防止或减少在有机发光二极管oled的边缘部分处在视觉上识别到的残渣。
118.此外,由于第二像素限定层190覆盖留在第一开口1801的边缘部分处的残留物,因此没有必要执行回流工艺。因此,可以减小第一电极210的面积分布并且可以减小有机发光二极管oled的寿命分布。
119.在实施例中,第一像素限定层180和第二像素限定层190可以各自包括负性光敏材料。例如,第一像素限定层180可以包括颜料和负性光敏材料,并且第二像素限定层190可以包括染料和负性光敏材料。
120.在实施例中,第一像素限定层180和第二像素限定层190可以各自包括正性光敏材料。例如,第一像素限定层180可以包括颜料和正性光敏材料,并且第二像素限定层190可以包括染料和正性光敏材料。
121.在实施例中,第一像素限定层180可以包括正性光敏材料,并且第二像素限定层190可以包括负性光敏材料。例如,第一像素限定层180可以包括颜料和正性光敏材料,并且第二像素限定层190可以包括染料和负性光敏材料。
122.在实施例中,中间层220可以布置在第一电极210上。中间层220可以包括第一功能层221、发射层222和第二功能层223。在实施例中,发射层222可以布置于在第二像素限定层190中形成的第二开口1901中。例如,发射层222可填充在第二像素限定层190中形成的第二开口1901,第一功能层221可以布置在发射层222之下,并且第二功能层223可以布置在发射层222上。
123.发射层222可以包括有机材料。发射层222可以包括发射特定颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。发射层222可以通过使用掩模的沉积工艺形成。
124.第一功能层221可以包括单层或多层。例如,当第一功能层221由聚合物材料形成时,第一功能层221可以是具有单层结构的空穴传输层(htl),并且可以由聚-(3,4)-乙烯-二羟基噻吩(pedot)或聚苯胺(pani)形成。当第一功能层221由低分子量有机材料形成时,第一功能层221可以包括空穴注入层(hil)和空穴传输层(htl)。第一功能层221可以通过例如热蒸发方法形成。
125.第二功能层223可以是可选的。例如,可以省略第二功能层223。例如,当第一功能层221和发射层222由聚合物材料形成时,可能希望形成第二功能层223。第二功能层223可以包括单层或多层。第二功能层223可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。第二功能层223可以通过例如热蒸发方法形成。
126.第二电极230可以布置在中间层220上。第二电极230可以由具有相对低功函数的导电材料形成。例如,第二电极230可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、镍(ni)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或者它们的合金的透明层(或半透明层)。可替代地,第二电极230可以进一步包括在包含上述材料的透明层(或半透明层)上的包含ito、izo、zno或in2o3的层。在实施例中,第二电极230可以包括ag和mg。
127.其中第一电极210、中间层220和第二电极230顺序地堆叠的堆叠结构可以形成诸如有机发光二极管oled的发光二极管。
128.图6是根据实施例的显示装置1的示意性截面图。图6的实施例与图5的实施例的不同之处在于,间隔件195进一步布置在第二像素限定层190上。在图6中,与图5中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,并且为了描述方便,将省略其重复描述。
129.参考图6,间隔件195可以进一步布置在第二像素限定层190上。间隔件195可以布置成不与在第一像素限定层180中形成的第一开口1801和/或在第二像素限定层190中形成的第二开口1901重叠。例如,间隔件195可以与第一像素限定层180和/或第二像素限定层190至少部分地重叠。
130.在实施例中,间隔件195可以通过与形成第二像素限定层190的工艺相同的工艺形成。例如,第二像素限定层190和间隔件195可以通过使用半色调掩模的工艺同时形成。相应地,间隔件195可以包括与第二像素限定层190的材料相同的材料。例如,间隔件195可以包括染料并且可以包括负性光敏材料。
131.由于间隔件195布置在第一像素限定层180和/或第二像素限定层190上,因此可以防止或减少由于掩模压印导致的有机发光二极管oled的损坏。
132.图7和图8是根据实施例的显示装置1的示意性截面图。图7和图8的实施例与图5和图6的实施例的不同之处在于,薄膜封装层300和光学功能层400进一步布置在有机发光二极管oled上。在图7和图8中,与图5和图6中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,并且为了描述方便,将省略其重复描述。
133.参考图7和图8,薄膜封装层300可以布置在有机发光二极管oled上。薄膜封装层300可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。在实施例中,薄膜封装层300可以包括顺序地堆叠的第一无机层310、有机层320和第二无机层330。
134.第一无机层310和第二无机层330中的每一个可以包括一种或多种无机绝缘材料。
无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌(zno
x
,其可以是zno和/或zno2)、二氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第一无机层310和第二无机层330可以通过化学气相沉积方法形成。
135.有机层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。例如,有机层320可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸等的丙烯酸树脂。有机层320可以通过固化单体或通过施加聚合物形成。
136.光学功能层400可以布置在薄膜封装层300上。光学功能层400可以包括滤色器410和黑矩阵420作为用于防止外部光的反射的部件。与包括偏振板的显示装置相比,包括包含滤色器410和黑矩阵420的光学功能层400的显示装置1可以具有显著减小的厚度。
137.在实施例中,滤色器410可以布置成与在第一像素限定层180中形成的第一开口1801和/或在第二像素限定层190中形成的第二开口1901重叠。在实施例中,滤色器410可以布置成与第一开口1801至少部分地重叠。例如,从有机发光二极管oled发射的光可以穿过薄膜封装层300和滤色器410。在实施例中,滤色器410可以包括包含染料或颜料的有机材料图案。
138.在实施例中,黑矩阵420可以布置成与第一像素限定层180和/或第二像素限定层190至少部分地重叠。在实施例中,黑矩阵420可以布置成围绕滤色器410。在实施例中,黑矩阵420可以包括铬(cr)、氧化铬(cro
x
)或者与黑色颜料混合的有机材料等。当黑矩阵420由cr或cro
x
形成时,黑矩阵420可以是包括cr或cro
x
的单层或多层。在实施例中,黑矩阵420可以包括与第一像素限定层180或第二像素限定层190的材料相同的材料。
139.图9、图10、图11、图12、图13、图14和图15是根据实施例的示出依据制造显示装置1的方法的工艺的截面图。
140.参考图9,第一电极210可以形成在基板100上。在实施例中,图9示出了第一电极210形成在平坦化绝缘层170上。在形成第一电极210之前,薄膜晶体管tft和存储电容器cst可以形成在基板100上。
141.基板100可以由诸如玻璃材料、金属材料或塑料材料(诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)或聚酰亚胺)的各种材料形成。缓冲层110可以形成为防止杂质渗透到薄膜晶体管tft的半导体层中。栅绝缘层130可以将半导体层与薄膜晶体管tft的栅电极绝缘。层间绝缘层150可以将薄膜晶体管tft的源电极、漏电极和栅电极绝缘。平坦化绝缘层170可以覆盖薄膜晶体管tft并且具有基本上平坦的上表面。例如,缓冲层110、栅绝缘层130、层间绝缘层150和平坦化绝缘层170可以形成在基板100上。
142.第一电极210可以包括包含ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr或者它们的化合物的反射层。第一电极210可以包括包含上述材料的反射层以及布置在反射层上方或/和下方的透明导电层。透明导电层可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)等。在实施例中,第一电极210可以具有其中ito层、ag层和ito层顺序地堆叠的多层结构。
143.此后,如图10中所示,第一着色材料层180m可以形成在第一电极210上。第一着色材料层180m可以完全涂覆在基板100上。在实施例中,第一着色材料层180m可以包括颜料。在实施例中,第一着色材料层180m可以包括负性光敏材料。可替代地,在实施例中,第一着色材料层180m可以包括正性光敏材料。
144.此后,如图11中所示,第一着色材料层180m可以使用掩模1400进行图案化(或暴露于光)。掩模1400可以包括透光部分1401和遮光部分1402。
145.在实施例中,当第一着色材料层180m包括负性光敏材料时,掩模1400的透光部分1401可以不与第一电极210重叠或者可以与第一电极210的边缘部分重叠,并且掩模1400的遮光部分1402可以与第一电极210的中心部分重叠。相应地,第一着色材料层180m的与第一电极210的中心部分重叠的部分可以不暴露于光,并且第一着色材料层180m的剩余部分可以暴露于光。
146.在实施例中,当第一着色材料层180m包括正性光敏材料时,掩模1400的透光部分1401可以与第一电极210的中心部分重叠,并且掩模1400的遮光部分1402可以不与第一电极210重叠或者可以与第一电极210的边缘部分重叠。在这种情况下,第一着色材料层180m的与第一电极210的中心部分重叠的部分可以暴露于光,并且第一着色材料层180m的剩余部分可以不暴露于光。
147.此后,可以对具有被曝光部分的第一着色材料层180m进行显影。通过显影,如图12中所示,包括第一开口1801的第一像素限定层180可以形成在基板100上。在实施例中,在第一像素限定层180中形成的第一开口1801可以具有第一宽度w1。
148.在实施例中,第一像素限定层180可以包括着色材料。第一像素限定层180可以包括着色颜料,例如,具有诸如白色或黑色的特定颜色的颜料。在实施例中,第一像素限定层180可以是黑色的。在实施例中,第一像素限定层180可以包括聚酰亚胺(pi)类粘合剂以及其中混合了红色、绿色和蓝色的颜料。可替代地,第一像素限定层180可以包括卡多类粘合剂树脂以及内酰胺黑色颜料和蓝色颜料的混合物。可替代地,第一像素限定层180可以包括炭黑。
149.因为第一像素限定层180从第一着色材料层180m形成,所以第一像素限定层180可以包括负性光敏材料或正性光敏材料,并且因为第一像素限定层180包括颜料,所以第一像素限定层180可以防止外部光的反射。包括颜料的第一像素限定层180可以防止从外部入射到显示装置1的外部光的反射,并且可以提高显示装置1的对比度。
150.此后,如图13中所示,第二着色材料层190m可以形成在第一电极210和第一像素限定层180上。第二着色材料层190m可以完全涂覆在基板100上以覆盖第一电极210和第一像素限定层180。在实施例中,第二着色材料层190m可以包括染料。例如,第二着色材料层190m可以包括溶解于溶剂中的黑色染料。在实施例中,第二着色材料层190m可以包括正性光敏材料。可替代地,在实施例中,第二着色材料层190m可以包括负性光敏材料。
151.此后,如图14中所示,第二着色材料层190m可以使用掩模1500进行图案化(或暴露于光)。掩模1500可以包括透光部分1501和遮光部分1502。
152.在实施例中,当第二着色材料层190m包括正性光敏材料时,掩模1500的透光部分1501可以与第一电极210的中心部分和/或在第一像素限定层180中形成的第一开口1801重叠,并且掩模1500的遮光部分1502可以与第一电极210的边缘部分和/或第一像素限定层180至少部分地重叠。相应地,第二着色材料层190m的与第一电极210的中心部分和/或在第一像素限定层180中形成的第一开口1801重叠的部分可以暴露于光,并且第二着色材料层190m的剩余部分可以不暴露于光。
153.在实施例中,当第二着色材料层190m包括负性光敏材料时,掩模1500的透光部分
1501可以与第一电极210的边缘部分和/或第一像素限定层180至少部分地重叠,并且掩模1500的遮光部分1502可以与第一电极210的中心部分和/或在第一像素限定层180中形成的第一开口1801重叠。在这种情况下,第二着色材料层190m的与第一电极210的边缘部分和/或第一像素限定层180至少部分地重叠的部分可以暴露于光,并且第二着色材料层190m的剩余部分可以不暴露于光。
154.此后,可以对具有被曝光部分的第二着色材料层190m进行显影。通过显影,如图15中所示,包括第二开口1901的第二像素限定层190可以形成在基板100上。在实施例中,在第一像素限定层180中形成的第一开口1801和在第二像素限定层190中形成的第二开口1901可以至少部分地彼此重叠。
155.在实施例中,在第一像素限定层180中形成的第一开口1801可以具有第一宽度w1,并且在第二像素限定层190中形成的第二开口1901可以具有小于第一宽度w1的第二宽度w2。在实施例中,第二像素限定层190可以覆盖第一像素限定层180的上表面和侧表面。相应地,第二像素限定层190的至少一部分可以直接接触第一电极210。例如,第二像素限定层190的至少一部分可以不与第一像素限定层180重叠。例如,第一像素限定层180和第二像素限定层190可以在第一电极210上具有共面表面(例如,底表面)。
156.在实施例中,第二像素限定层190可以包括着色材料。例如,第二像素限定层190可以包括着色染料。在实施例中,第二像素限定层190可以是黑色的。
157.因为第二像素限定层190从第二着色材料层190m形成,所以第二像素限定层190可以包括正性光敏材料或负性光敏材料,并且因为第二像素限定层190包括染料,所以第二像素限定层190可以防止外部光的反射。包括染料的第二像素限定层190可以防止从外部入射到显示装置1的外部光的反射,并且可以提高显示装置1的对比度。
158.在实施例中,包括染料的第二像素限定层190可以具有基本上等于或小于包括颜料的第一像素限定层180的光学密度的光学密度。因为包括染料的第二像素限定层190具有基本上等于或小于包括颜料的第一像素限定层180的光学密度的光学密度,所以包括染料的第二像素限定层190可以具有比第一像素限定层180的透光率更高的透光率。
159.图16和图17是示出依据根据实施例的制造显示装置1的方法的工艺的截面图。图16和图17的实施例与图14和图15的实施例的不同之处在于,间隔件195形成在第二像素限定层190上。在图16和图17中,与图14和图15中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,并且为了描述方便,将省略其重复描述。
160.参考图16,在第二着色材料层190m形成在第一电极210和第一像素限定层180上之后,第二着色材料层190m可以使用掩模1600进行图案化(或暴露于光)。掩模1600可以包括透光部分1601、遮光部分1602和半透光部分1603。例如,掩模1600可以是半色调掩模。
161.在实施例中,当第二着色材料层190m包括正性光敏材料时,掩模1600的透光部分1601可以与第一电极210的中心部分和/或在第一像素限定层180中形成的第一开口1801重叠,掩模1600的遮光部分1602可以与第一像素限定层180至少部分地重叠,并且掩模1600的半透光部分1603可以与第一电极210的边缘部分和/或第一像素限定层180至少部分地重叠。相应地,第二着色材料层190m的与第一电极210的中心部分和/或在第一像素限定层180中形成的第一开口1801重叠的部分可以暴露于光,第二着色材料层190m的与第一像素限定层180的至少一部分重叠的部分可以不暴露于光,并且第二着色材料层190m的剩余部分可
以暴露于光至第二着色材料层190m的厚度的约一半。
162.例如,第二着色材料层190m的与掩模1600的透光部分1601重叠的部分可以暴露于光,第二着色材料层190m的与掩模1600的遮光部分1602重叠的部分可以不暴露于光,并且第二着色材料层190m的与掩模1600的半透光部分1603重叠的部分可以暴露于光至第二着色材料层190m的与掩模1600的遮光部分1602重叠并且因此不暴露于光的部分的厚度的约一半。换句话说,第二着色材料层190m的与掩模1600的半透光部分1603重叠的部分可以暴露于光至第二着色材料层190m的该部分的厚度的约一半。
163.在实施例中,当第二着色材料层190m包括负性光敏材料时,掩模1600的遮光部分1602可以与第一电极210的中心部分和/或在第一像素限定层180中形成的第一开口1801重叠,掩模1600的透光部分1601可以与第一像素限定层180至少部分地重叠,并且掩模1600的半透光部分1603可以与第一电极210的边缘部分和/或第一像素限定层180至少部分地重叠。相应地,第二着色材料层190m的与第一电极210的中心部分和/或在第一像素限定层180中形成的第一开口1801重叠的部分可以不暴露于光,第二着色材料层190m的与第一像素限定层180的至少一部分重叠的部分可以暴露于光,并且第二着色材料层190m的剩余部分可以暴露于光至第二着色材料层190的剩余部分的厚度的约一半。
164.例如,第二着色材料层190m的与掩模1600的透光部分1601重叠的部分可以暴露于光,第二着色材料层190m的与掩模1600的遮光部分1602重叠的部分可以不暴露于光,并且第二着色材料层190m的与掩模1600的半透光部分1603重叠的部分可以暴露于光至第二着色材料层190m的与掩模1600的遮光部分1602重叠并且因此不暴露于光的部分的厚度的约一半。换句话说,第二着色材料层190m的与掩模1600的半透光部分1603重叠的部分可以暴露于光至第二着色材料层190m的该部分的厚度的约一半。
165.此后,可以对具有被曝光部分的第二着色材料层190m进行显影。通过显影,如图17中所示,包括第二开口1901的第二像素限定层190以及在第二像素限定层190上的间隔件195可以形成在基板100上。例如,与掩模1600的透光部分1601重叠的区可以对应于第二开口1901,与掩模1600的遮光部分1602重叠的区可以对应于间隔件195,并且与掩模1600的半透光部分1603重叠的区可以对应于第二像素限定层190。
166.在实施例中,由于第二像素限定层190和间隔件195通过同一工艺形成,因此第二像素限定层190和间隔件195可以被一体地提供。此外,第二像素限定层190和间隔件195可以包括相同的材料。
167.在图15的工艺和/或图17的工艺之后,例如,中间层220(见图5)和第二电极230(见图5)可以形成在通过在第二像素限定层190中形成的第二开口1901至少部分地暴露的第一电极210上。
168.在实施例中,中间层220可以包括布置在第二开口1901中的发射层222,并且可以进一步包括形成在发射层222之下的第一功能层221以及形成在发射层222上的第二功能层223。
169.顺序地堆叠的第一电极210、中间层220和第二电极230可以形成有机发光二极管oled。
170.此后,例如,包括至少一个无机层和至少一个有机层的薄膜封装层300(见图7)可以形成在有机发光二极管oled上,并且光学功能层400(见图7)可以形成在薄膜封装层300
上。
171.光学功能层400可以包括滤色器410(见图7)和黑矩阵420(见图7)。
172.根据如上述进行的一个或多个实施例,可以提供其中防止暗点的发生并且防止对比度劣化的显示装置。显然,本公开的范围不受这些效果的限制。
173.尽管在本文中已经描述了某些示例性实施例和实施方式,但是其它实施例和修改将根据其描述显而易见。相应地,本发明构思不限于这样的实施例,而是限于所附权利要求以及对本领域普通技术人员来说将是显而易见的各种明显的修改和等同布置的更宽范围。
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