可配置的法拉第屏蔽体及其操作方法、等离子体处理装置与流程

可配置的法拉第屏蔽体及其操作方法、等离子体处理装置
1.相关申请的交叉引用
2.本本技术要求于2020年12月28日提交的名称为“可配置的法拉第屏蔽体(configurable faraday shield)”的美国临时申请序列号63/130,990的优先权，其全部内容通过引用并入本文。本技术要求于2021年6月8日提交的名称为“可配置的法拉第屏蔽体(configurable faraday shield)”的美国临时申请序列号63/208,050的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开总体上涉及等离子体处理装置，更具体地，涉及用于等离子体处理装置的可配置的法拉第屏蔽体。


背景技术：

4.等离子体处理广泛用于半导体工业中，用于半导体晶片和其他基材的沉积、刻蚀、抗蚀剂去除和相关处理。等离子体源(例如微波、ecr、感应耦合等)通常用于等离子体处理，以产生用于处理基材的高密度等离子体和反应性物质。在等离子体干式剥离工艺中，自远程等离子体室中生成的等离子体的中性物质(例如自由基)穿过隔栅进入处理室以处理工件，诸如半导体晶片。在等离子体刻蚀工艺中，直接暴露于工件的等离子体中生成的自由基、离子和其他物质可用于刻蚀和/或去除工件上的材料。


技术实现要素：

5.本公开的实施例的方面和优点将在以下描述中部分阐述，或者可以从描述中获悉，或者可以通过实施例的实践获悉。
6.一方面，提供了一种可配置的法拉第屏蔽体。该可配置的法拉第屏蔽体包括多个肋状体。每个肋状体可以沿圆周方向彼此间隔开。可配置的法拉第屏蔽体可以包括多个导电带。可配置的法拉第屏蔽体可以包括锁定构件，该锁定构件至少在第一位置和第二位置之间可移动，以经由多个导电带的对应导电带将多个肋状体中的每个肋状体选择性地耦合到射频接地平面。
7.另一方面，提供了一种操作等离子体处理装置的可配置的法拉第屏蔽体的方法。该方法包括将可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分移动到第一位置，以将可配置的法拉第屏蔽体与射频接地平面去耦合，使得可配置的法拉第屏蔽体在用于工件的等离子体处理工艺的第一部分期间电浮动，该工件被设置在等离子体处理装置的处理室内。该方法包括在可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分处于第一位置时向可配置的法拉第屏蔽体施加射频功率。该方法包括将可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分从第一位置移动到第二位置，以将可配置的法拉第屏蔽体耦合到射频接地平面，使得可配置的法拉第屏蔽体在等离子体处理工艺的第二部分期间电接地。
8.又一方面，提供了一种等离子体处理装置。等离子体处理装置包括等离子体室。等
离子体处理装置进一步包括定位在等离子体室外侧的感应线圈。等离子体处理装置甚至进一步包括定位在等离子体室外侧的可配置的法拉第屏蔽体，使得可配置的法拉第屏蔽体定位在感应线圈和等离子体室的外表面之间。可配置的法拉第屏蔽体包括多个彼此间隔开的肋状体。此外，可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分至少在第一位置和第二位置之间可移动，以将可配置的法拉第屏蔽体选择性地耦合到射频接地平面。
9.参考以下描述和随附权利要求，将更好地理解各种实施例的这些和其他特征、方面和优点。并入本说明书中并构成其一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与说明书一起用于解释相关的原理。
附图说明
10.在参考附图的说明书中阐述了针对本领域一般技术人员的实施例的详细讨论，其中：
11.图1描绘了根据本公开的示例性实施例的示例性等离子体处理装置。
12.图2描绘了根据本公开的示例性实施例的在第一位置具有可移动构件的可配置的法拉第屏蔽体。
13.图3描绘了根据本公开的示例性实施例的不带锁定构件的图2的可配置的法拉第屏蔽体。
14.图4描绘了根据本公开的示例性实施例的图2的侧视图。
15.图5描绘了根据本公开的示例性实施例的在第二位置具有可移动构件的可配置的法拉第屏蔽体。
16.图6描绘了根据本公开的示例性实施例的图5的侧视图。
17.图7描绘了根据本公开的示例性实施例的在第三位置具有可移动构件的可配置的法拉第屏蔽体。
18.图8描绘了根据本公开的示例性实施例的图7的侧视图。
19.图9描绘了根据本公开的示例性实施例的处于第一位置的可配置的法拉第屏蔽体的锁定构件，使得法拉第屏蔽体电浮动。
20.图10描绘了根据本公开的示例性实施例的处于第二位置的可配置的法拉第屏蔽体的锁定构件，使得法拉第屏蔽体电接地。
21.图11描绘了根据本公开的示例性实施例的电浮动的等离子体处理装置的可配置的法拉第屏蔽体。
22.图12描绘了据本公开的示例性实施例的图11的截面图。
23.图13描绘了根据本公开的示例性实施例的电接地的等离子体处理装置的可配置的法拉第屏蔽体。
24.图14描绘了根据本公开的示例性实施例的控制操作可配置的法拉第屏蔽体的方法的流程图。
具体实施方式
25.现在将详细参考本发明的实施例，附图中示出了实施例的一个或多个示例。每个示例被提供用于解释实施例，并非是对本发明的限制。事实上，对于本领域技术人员来说显
而易见的是，在不脱离本公开的范围或精神的情况下可以对实施例进行各种修改和变化。例如，作为一个实施例的一部分示出或描述的特征可以与另一个实施例一起使用以产生又一实施例。因此，本发明旨在涵盖随附权利要求书及其等效物范围内的此类修改和变化。
26.本公开的示例性方面涉及等离子体处理装置。等离子体处理装置可以包括电接地的法拉第屏蔽体。替选地，等离子体处理装置可包括非电接地(例如浮动)的法拉第屏蔽体。然而，期望地是等离子体处理装置包括可以选择性地耦合到电接地(例如射频接地平面)的法拉第屏蔽体，从而该法拉第屏蔽体可以选择性地接地或选择性地浮动。
27.本公开的示例性方面涉及可配置的法拉第屏蔽体。可配置的法拉第屏蔽体可以包括多个肋状体。多个肋状体中的每个都可以彼此间隔开。例如，在一些实施方式中，多个肋状体可以彼此周向间隔开。可配置的法拉第屏蔽体可以包括多个导电带。在一些实施方式中，多个导电带中的每个可以耦合到多个肋状体中的对应肋状体。
28.在一些实施方式中，可配置的法拉第屏蔽体可以包括锁定构件。锁定构件可以至少在第一位置和第二位置之间可移动，以经由多个导电带中的对应导电带将多个肋状体选择性地耦合至射频接地平面。例如，在一些实施方式中，锁定构件可以限定多个槽口。当锁定构件处于第一位置时，多个导电带中的每个可被定位于多个槽口中的对应槽口，使得多个导电带不接触(例如触碰)射频接地平面。以这种方式，多个肋状体可以与射频接地平面去耦合，使得法拉第屏蔽体是电浮动的(例如非电接地)。
29.在一些实施方式中，锁定构件可以围绕轴线旋转并且沿着轴线移动(例如平移)，以从第一位置移动到第二位置。当锁定构件处于第二位置时，锁定构件将多个导电带中的每个的一部分压靠在射频接地平面上。以这种方式，多个肋状体中的每个可以经由多个导电带中的对应导电带电耦合到射频接地平面，使得法拉第屏蔽体电接地。
30.根据本公开的示例性实施例的可配置的法拉第屏蔽体可以提供许多益处和技术效果。例如，锁定构件可以在第一位置和第二位置之间移动以将法拉第屏蔽体的肋状体选择性地耦合到射频接地平面。以这种方式，具有根据本公开的示例性实施例的可配置的法拉第屏蔽体的等离子体处理装置的工艺窗口能够被扩大，因为法拉第屏蔽体可经由锁定构件的移动而接地或浮动。例如，在等离子体处理工艺(例如剥离、刻蚀)的等离子体撞击窗口期间，锁定构件可以移动到第一位置以电浮动法拉第屏蔽体，从而减少等离子体撞击工艺期间所消耗的射频功率的量。相反，在等离子体处理工艺的等离子体维持窗口期间，锁定构件可以移动到第二位置以电接地法拉第屏蔽体。
31.出于说明和讨论的目的，参考“工件”“晶片”或半导体晶片讨论本公开的方面。本领域一般技术人员，使用本文提供的公开内容，将理解本公开内容的示例性方面可以与任何半导体工件或其他合适的工件相关联地使用。此外，术语“约”与数值结合使用将旨在指所述数值的百分之十(10％)以内。“基座”是指可用于支撑工件的任何结构。“远程等离子体”是指远离工件生成的等离子体，诸如在通过隔栅与工件分离的等离子体室中生成的等离子体。“直接等离子体”是指直接暴露于工件的等离子体，诸如在具有可操作以支撑工件的基座的处理室中生成的等离子体。
32.现在参考附图，图1描绘了根据本公开的示例性实施例的示例性等离子体处理装置100，其可用于在工件(例如半导体晶片)上实施等离子体处理工艺(例如刻蚀、剥离)。等离子体处理装置100可以包括处理室110和与处理室110分开的等离子体室120。例如，等离
子体处理装置100可以包括被配置为将处理室110与等离子体室120分开的隔栅组件130。
33.在一些实施方式中，隔栅组件130可以至少包括第一栅板132和第二栅板134。第一栅板132和第二栅板134可以相对于彼此布置，使得第一栅板132和第二栅板134基本上相互平行。第一栅板132可以具有带有多个孔的第一栅图案(first grid pattern)。第二栅板134可以具有带有多个孔的第二栅图案。在一些实施方式中，第一栅图案可以与第二栅图案相同。在替选的实施方式中，第一栅图案可以不同于第二栅图案。
34.带电粒子(例如离子)可以在它们通过隔栅组件130中的每个栅板132、134的孔的路径中的壁上重组。中性物质(例如自由基)可以相对自由地通过第一栅板132和第二栅板134中的孔流动。
35.如图所示，等离子体处理装置100可以包括被设置在处理室110内的工件支撑件112(例如基座)。工件支撑件112可以支撑待处理的工件114，诸如半导体晶片。在该示例性说明中，通过感应耦合的等离子体源140在等离子体室120(即，等离子体生成区)中生成远程等离子体102，并且期望的物质被经过通道输送通过隔栅组件130并到工件114上。
36.等离子体室120可以包括介电侧壁122和顶部124。介电侧壁122、顶部124和隔栅组件130可以限定等离子体室内部125。介电侧壁122可以由介电材料形成，诸如由石英和/或氧化铝形成。在替代实施方式中，介电侧壁122可以由陶瓷材料形成。感应耦合的等离子体源140可以包括感应线圈142，其被设置在等离子体室120周围的介电侧壁122附近。感应线圈142可以通过合适的匹配网络146电耦合到rf功率发生器144。
37.处理气体可以从气体供应部150和气体分配通道151或其他合适的气体引入机构被提供到等离子体室内部125。当感应线圈142通过来自rf功率发生器144的rf功率激励时，可以在等离子体室120中生成远程等离子体102。在具体实施例中，等离子体处理装置100可以包括接地的法拉第屏蔽体128，其定位成减少感应线圈142与远程等离子体102的电容耦合。例如，接地法拉第屏蔽体128可被定位于感应线圈和等离子体室120的介电侧壁122的外表面之间。虽然示出一个感应线圈142，但本公开不限于此。实际上，此处可以利用任何数量的感应线圈或感应线圈组件，以便在等离子体室120中生成远程等离子体102。
38.等离子体处理装置100可操作以在等离子体室120中生成远程等离子体102(例如远程等离子体)。此外，等离子体处理装置100可操作以在处理室110中生成直接等离子体104。远程等离子体102可以通过感应耦合的等离子体源生成。直接等离子体104可以通过例如电容耦合的等离子体源(例如与接地屏蔽体结合的偏置)生成。
39.更具体地，等离子体处理装置100包括具有在工件支撑件112中的偏置电极160的偏置源。偏置电极160可以经由合适的匹配网络164耦合到rf功率发生器162。当偏置电极160通过rf能量激励时，直接等离子体104可以在处理室110中由经过滤混合物或处理气体生成，用于直接暴露至工件114。处理室110可以包括用于从处理室110中排出气体的排气口166。
40.在一些实施例中，工件支撑件112被配置为使得可以向工件114施加dc偏置。在一些实施例中，dc电源被施加至位于工件支撑件112中的偏置电极160。可以施加dc偏置以生成电场，使得某些物质可以被工件114吸引和/或加速朝向工件114。通过将dc偏置施加至工件114，可以控制某些离子物质的通量。这可以促进工件114的结构上的聚合物膜生长或自由基刻蚀。在一些实施例中，被施加或提供至偏置电极的dc偏置是从大约50w到大约150w。
dc偏置可被施加到工件114以加速来自第一等离子体502和/或第二等离子体504的某些物质朝向工件114。
41.如图1所示，根据本公开的示例性方面，等离子体处理装置100可以包括气体输送系统，其被配置为例如经由气体分配通道151或其他分配系统(例如喷头)将工艺气体输送至等离子体室120。气体输送系统可以包括多个进料气体管线159。可以使用阀158和/或气体流量控制器来控制进料气体管线159，以将期望量的气体作为工艺气体输送到等离子体室120中。气体输送系统可用于输送任何合适的工艺气体。示例性工艺气体包括含氧气体(例如o2、o3、n2o、h2o)、含氢气体(例如h2、d2)、含氮气体(例如n2、nh3、n2o)、含氟气体(例如cf4、c2f4、chf3、ch2f2、ch3f、sf6、nf3)、含烃气体(例如ch4)或其组合。可以根据需要添加含有其他气体的其他进料气管线。在一些实施方式中，工艺气体可与可被称为“载体”气体(诸如he、ar、ne、xe或n2)的惰性气体混合。控制阀158可用于控制每条进料气体管线的流速，以将工艺气体流入等离子体室120中。在实施例中，气体输送系统可用气体流量控制器控制。
42.现在参考图2至图4，根据本公开的示例性实施例，提供了可配置的法拉第屏蔽体200。应当理解，可配置的法拉第屏蔽体200可以用来代替上面参考图1讨论的接地法拉第屏蔽体128。可配置的法拉第屏蔽体200限定轴向a、圆周方向c和径向r。可配置的法拉第屏蔽体200可以包括多个肋状体210。如图所示，每个肋状体210可以沿着圆周方向c彼此间隔开。以这种方式，气隙212可被限定在相邻的肋状体210之间。
43.在一些实施方式中，多个肋状体210可以沿轴向a被耦合在可配置的法拉第屏蔽体200的第一rf接地平面220和可配置的法拉第屏蔽体200的第二rf接地平面222之间。此外，在一些实施方式中，可配置的法拉第屏蔽体200可以包括第一介电间隔件230和沿着轴向a与第一介电间隔件230间隔开的第二介电间隔件232。应当理解，第一介电间隔件230和第二介电间隔件232可以由任何合适的介电材料形成。在一些实施方式中，第一介电间隔件230可以沿着轴向a被耦合在第一rf接地平面220和多个肋状体210之间。此外，第二介电间隔件232可以沿轴向a被耦合在第二rf接地平面222和多个肋状体210之间。
44.可配置的法拉第屏蔽体200可以包括多个导电带240。在一些实施方式中，每个导电带240可被耦合到多个肋状体210的对应肋状体210。如图所示，多个导电带240中的每个可以具有第一部分242、第二部分244和第三部分246。在一些实施方式中，每个导电带240的第一部分242可以耦合到多个肋状体210的对应肋状体(图3)。第二部分244可以相对于第一部分242弯曲。例如，在一些实施方式中，第二部分244可以大于90度的角度弯曲。第三部分246可以相对于第二部分244弯曲，使得第三部分246基本上平行于第一部分242。在一些实施方式中，多个导电带240中的至少一个可以包括铍铜(becu)。应当理解，多个导电带240可以包括任何合适的导电材料。替选地或另外地，多个导电带240中的每个导电带的厚度可以在大约2毫米到大约15毫米的范围内。
45.可配置的法拉第屏蔽体200可以包括锁定构件250。在一些实施方式中，锁定构件250可以限定多个槽口252。如图所示，锁定构件250处于第一位置，其中多个导电带240中的每个导电带定位于多个槽口252中的对应槽口，使得多个导电带240不接触(例如触碰)第一rf接地平面220。以这种方式，多个肋状体210可以与第一rf接地平面220去耦合，使得可配置的法拉第屏蔽体200是电浮动的(例如非电接地)。如下文将讨论的，锁定构件250可以移动到第二位置(图7和图8)，以经由多个导电带240的对应导体将多个肋状体210中的每个肋
状体耦合至rf接地平面(例如第一rf接地平面220)，使得可配置的法拉第屏蔽体200电接地。
46.现在参考图5和图6，根据本公开的示例性实施例，描绘了锁定构件250处于中间的第三位置的可配置的法拉第屏蔽体200。在一些实施方式中，锁定构件250可以围绕轴向a旋转，以从第一位置(图2和图4)移动到中间的第三位置。当锁定构件250处于中间的第三位置时，多个导电带240不再定位于被锁定构件250限定的多个槽口252的对应槽口内。相反，锁定构件250压靠在多个导电带240中的每个导电带的第二部分244上。在一些实施方式中，锁定构件250可将多个导电带240中的每个导电带的第二部分244压靠在第一介电间隔件230上。
47.现在参考图7和图8，根据本公开的示例性实施例，描绘了锁定构件250处于第二位置的可配置的法拉第屏蔽体200。在一些实施方式中，锁定构件250可以沿轴向a在第一方向(例如向下)移动，以从中间第三位置移动到第二位置。当锁定构件250处于第二位置时，锁定构件250将多个导电带240中的每个导电带的第三部分246压靠在第一rf接地平面220上。以这种方式，多个肋状体210中的每个肋状体可以经由多个导电带240中的对应导电带电耦合到第一rf接地平面220。应当理解，锁定构件250可以沿轴向a在与第一方向相反的第二方向(例如向上)移动，以从第二位置移动到中间的第三位置(图5和6)。
48.在一些实施方式中，可配置的法拉第屏蔽体件200可以包括第二锁定构件(未示出)，其在第一位置(图2和图4)和第二位置之间可移动，以将多个肋状体210选择性地耦合到第二rf接地平面222。当第二锁定构件处于第一位置时，多个肋状体210可以与第二rf接地平面去耦合，使得可配置的法拉第屏蔽体200是电浮动的(例如非电接地)。相反，当第二锁定构件处于第二位置时，多个肋状体210可以经由多个导电带240中的对应导电带电耦合到第二rf接地平面222。应当理解，当两个锁定构件都处于第二位置时，可配置的法拉第屏蔽体200可以完全电接地，使得多个肋状体210中的每个肋状体经由多个导电带240中的对应导电带，都电耦合到第一rf接地平面220和第二rf接地平面222。
49.在一些实施方式中，锁定构件250在第一位置和第二位置之间的移动可通过用户手动控制。例如，用户可以与一个或多个输入设备(例如致动器)交互，以提供与将锁定构件250从第一位置移动到第二位置相关联的用户输入，反之亦然。在替代实施方式中，锁定构件250的移动可以是自动化的。例如，一个或多个控制装置(例如处理器)可以被配置为至少部分地基于与等离子体处理过程(例如剥离、刻蚀)相关联的数据(例如压力、温度等)来控制锁定构件250的移动，其中在定位于等离子体处理装置的处理室内的工件上执行这些数据。
50.现在参考图9和图10，根据本公开的示例性实施例，提供了具有在至少第一位置(图9)和第二位置(图10)之间可移动的锁定构件310的可配置的法拉第屏蔽体300。在一些实施方式中，锁定构件310可以经由多个导电带330被耦合到主体320(例如顶板)。例如，多个导电带330中的每个导电带的第一端可被耦合到锁定构件310，而多个导电带330中的每个导电带的第二端可被耦合到主体320的顶面322。在一些实施方式中，多个导电带330可以与锁定部件310一体形成。在此类实施方式中，锁定构件310和多个导电带330可以包括任何合适的金属。
51.当锁定构件310处于第一位置(图9)时，锁定构件310定位于被主体320(例如顶板)
限定的腔体324的外侧，使得锁定构件310不接触(例如触碰)被设置在腔体324内的可配置的法拉第屏蔽体300的多个肋状体340。以这种方式，多个肋状体340可以与主体320去耦合，使得可配置的法拉第屏蔽体300是电浮动的(例如非接地)。
52.如图所示，锁定构件310可以下降到腔体324中，以从第一位置(图9)移动到第二位置(图10)。例如，锁定构件310可以下降到腔体332中直到锁定构件310接触(例如触碰)多个肋状体340。当锁定构件310接触多个肋状体340时，多个肋状体340中的每个肋状体都可以经由锁定构件310和多个导电带330被电耦合至主体320(例如顶板)。以这种方式，当锁定构件310处于第二位置时，可配置的法拉第屏蔽体300可以电接地。
53.现在参考图11至图13，根据本公开的示例性实施例，提供了等离子体处理装置400。等离子处理装置400可以限定轴向a、径向r和圆周方向。等离子体处理装置400包括具有内表面412和外表面414的处理室410。在一些实施方式中，处理室410可以是等离子体室。
54.在一些实施方式中，等离子体处理装置400可以包括盖子420。如图所示，盖子420可被定位成使得顶板420限定处理室410的顶部。在一些实施方式中，气体进口(例如喷头)可以经由被盖子420限定的开口延伸到处理室410中。以这种方式，气体可以经由气体进口流入处理室410。
55.在一些实施方式中，等离子体处理装置400可以包括上面参考图1讨论的感应线圈142。如图所示，感应线圈142可以环绕处理室410的外表面414的一部分。应当理解，感应线圈142可以经由合适的匹配网络被电耦合到rf发生器。
56.等离子体处理装置400可以包括定位于感应线圈142和处理室410的外表面414之间的可配置的法拉第屏蔽体430。可配置的法拉第屏蔽体430可以包括基部432。可配置的法拉第屏蔽体430可以进一步包括多个肋状体434。如图所示，多个肋状体434中的每个肋状体都可以从基部432延伸，使得多个肋状体434中的每个肋状体都基本上垂直(例如，与90度相差小于15度、小于10度、小于5度、小于1度等)于基部432。此外，多个肋状体434可沿圆周方向彼此间隔开。
57.可配置的法拉第屏蔽体430可以沿轴向a在至少第一位置(图11和图12)和第二位置(图13)之间移动，以将可配置的法拉第屏蔽体430选择性地耦合到rf接地平面。例如，在一些实施方式中，rf接地平面可以包括等离子体处理装置400的顶板440。当可配置的法拉第屏蔽体430处于第一位置时，可配置的法拉第屏蔽体430可以沿着轴向a与顶板440间隔开，使得可配置的法拉第屏蔽体430是电浮动的(例如非电接地)。相反，当可配置的法拉第屏蔽体430处于第二位置时，可配置的法拉第屏蔽体430的基部432可以接触(例如触碰)顶板440，使得可配置的法拉第屏蔽体430电接地。
58.在一些实施方式中，可以手动完成可配置的法拉第屏蔽体430沿轴向a在第一位置(图11和图12)与第二位置(图13)之间的移动。例如，用户(例如技术人员)可以打开rf笼，以获得接近可配置的法拉第屏蔽体430。在此类实施方式中，用户可以将可配置的法拉第屏蔽体430沿轴向a从第二位置移动到第一个位置。此外，一旦可配置的法拉第屏蔽体430处于第一位置，用户则可以在顶板440和可配置的法拉第屏蔽体430的基部432之间插入间隔件450，以将可配置的法拉第屏蔽体430保持在第一位置。
59.应当理解，间隔件450可以包括任何合适的绝缘材料。例如，在一些实施方式中，间隔件450可以包括陶瓷材料。在替选的实施方式中，间隔件450可以包括塑料材料(例如特氟
隆、聚醚酰亚胺、聚醚醚酮)。
60.在替选的实施方式中，可以自动完成可配置的法拉第屏蔽体430沿轴向a在第一位置(图11和图12)和第二位置(图13)之间的移动。例如，在一些实施方式中，等离子体处理装置可以包括被配置成驱动可配置的法拉第屏蔽体430沿着轴向a在第一位置和第二位置之间移动的电动机。在此类实施方式中，不需要间隔件450。相反，当可配置的法拉第屏蔽体430处于第一位置(图11和12)时，气隙将被限定在顶板440和可配置的法拉第屏蔽体430的基部432之间，使得可配置的法拉第屏蔽体430是电浮动的(例如非电接地)。
61.现在参考图14，根据本公开的示例性实施例，提供了用于控制操作用于等离子体处理装置的多头泵的压力控制系统的方法500的流程图。应当理解，方法500可以使用上面分别参考图2至图8以及图11至图13讨论的可配置的法拉第屏蔽体200、400来实施。图14描绘了为了说明和讨论的目的以特定顺序执行的步骤。本领域一般技术人员使用本说明书提供的公开内容将理解，在不偏离本公开内容的范围的情况下，方法500的各个步骤可被调整、修改、重新布置、同时执行或以各种方式修改。
62.在(502)处，方法500可以包括将可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分移动到第一位置，以将可配置的法拉第屏蔽体与射频接地平面去耦合，使得可配置的法拉第屏蔽体在用于工件的等离子体处理工艺(例如剥离、刻蚀)的第一部分(例如等离子体撞击窗口)期间电浮动，该工件被设置在等离子体处理装置的处理室内。
63.在一些实施方式中，移动可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分可以包括将可配置的法拉第屏蔽体的锁定构件移动到第一位置，以将可配置的法拉第屏蔽体的多个肋状体与射频接地平面去耦合，使得可配置的法拉第屏蔽体在用于工件的等离子体处理工艺(例如剥离、刻蚀)的第一部分(例如等离子体撞击窗口)期间电浮动，该工件被设置在等离子体处理装置的处理室内。例如，在一些实施方式中，将锁定构件移动到第一位置可以包括围绕轴线旋转锁定构件。替选地或附加地，将锁定构件移动到第一位置可包括沿轴线移动(例如平移)锁定构件。
64.在替选的实施方式中，将可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分移动到第一位置可以包括将整个可配置的法拉第屏蔽体沿轴线(例如轴向)移动到第一位置。例如，在一些实施方式中，用户可以手动将可配置的法拉第屏蔽体移动到第一位置。在替选的实施方式中，可配置的法拉第屏蔽体可以可操作地耦合到电动机，使得可以操作电动机以将可配置的法拉第屏蔽体移动到第一位置。
65.在(504)处，方法500可以包括在锁定构件处于第一位置时向法拉第屏蔽体施加rf功率。例如，在一些实施方式中，法拉第屏蔽体经由合适的匹配网络可被电耦合至rf电源。以这种方式，rf功率可被施加到法拉第屏蔽体，例如，以将法拉第屏蔽体电容耦合到感应线圈。然而，应当理解，可以施加rf功率以将法拉第屏蔽体电容耦合到任何合适的设备。应当理解，在法拉第屏蔽体电浮动的同时向法拉第屏蔽体施加rf功率，可以扩大与通过等离子体处理装置处理的工件相关联的工艺窗口。
66.在(506)处，方法500可以包括将可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分从第一位置移动到第二位置，以将可配置的法拉第屏蔽体耦合到射频接地平面，使得在等离子体处理工艺(例如剥离、刻蚀)的第二部分(例如等离子体维持窗口)期间，可配置的法拉第屏蔽体为电接地。
67.在一些实施方式中，将可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分从第一位置移动到第二位置可以包括将可配置的法拉第屏蔽体的锁定构件从第一位置移动到第二位置。例如，在一些实施方式中，将锁定构件从第一位置移动到第二位置可以包括沿轴线移动(例如平移)锁定构件并且围绕轴线旋转锁定构件。在一些实施方式中，围绕轴线旋转锁定构件可以与沿轴线移动锁定构件同时发生。
68.在替选的实施方式中，将可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分从第一位置移动到第二位置可以包括将整个可配置的法拉第屏蔽体沿轴线(例如轴向)从第一位置移动到第二位置。例如，在一些实施方式中，用户可以手动将可配置的法拉第屏蔽体从第一位置移动到第二位置。在替选的实施方式中，可配置的法拉第屏蔽体可以可操作地耦合到电动机，使得可以操作电动机以将可配置的法拉第屏蔽体移动到第一位置。
69.虽然已经关于本主题的具体示例性实施例详细描述了本主题，但是应当理解，本领域技术人员在获得对前述内容的理解后可以容易地产生此类实施例的更改、变化和等效物。因此，本公开的范围是作为示例而不是作为限制，并且本主题公开不排除包括对本主题的此类修改、变化和/或添加，这对于本领域的一般技术人员是显而易见的。