半导体二极管的制作方法

本发明属于半导体功率器件，特别是涉及一种半导体二极管。

背景技术：

1、传统的半导体二极管的芯片面积较大、电流密度偏低，目前通常在半导体二极管中增加超结结构来增加芯片电流密度、降低芯片面积，但是常规超结结构的半导体二极管的单位面积内存储的少子过多，并且由于二维耗尽效应造成电压突变，同时反向恢复软度过低，导致反向恢复过程中的过冲电压太大。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明的目的是提供一种半导体二极管，以降低超结结构的半导体二极管由于二维耗尽效应造成电压突变。

2、为达到本发明的上述目的，本发明提供了一种半导体二极管，包括：

3、n型半导体层；

4、位于所述n型半导体层之上的阳极金属层；

5、位于所述n型半导体层内的若干个交替间隔设置的n型柱和p型柱；

6、位于所述p型柱顶部的p型体区；

7、低载流子区，所述低载流子区内的所述p型体区与所述阳极金属层形成p型肖特基二极管；

8、高载流子区，所述高载流子区内的所述p型体区内设有p型接触区，所述p型接触区与所述阳极金属层形成欧姆接触。

9、可选的，所述高载流子区内的所述n型柱与所述阳极金属层形成n型肖特基二极管。

10、可选的，所述低载流子区位于半导体二极管的有源区的边缘区域，所述高载流子区位于半导体二极管的有源区的中间区域。

11、可选的，所述p型体区的宽度大于所述p型柱的宽度。

12、本发明的半导体二极管形成有低载流子区和高载流子区，在反向恢复过程中，会先抽取完低载流子区的载流子，再抽取完高载流子区的载流子，这可以使反向耐压逐步上升，避免了由于二维耗尽造成的电压突变；进一步的，在高载流子区内形成n型肖特基二极管，向半导体二极管内部注入多子，可以降低欧姆接触区域下方pn结少子存储数量，减小反向恢复峰值电流。

技术特征：

1.半导体二极管，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体二极管，其特征在于，所述高载流子区内的所述n型柱与所述阳极金属层形成n型肖特基二极管。

3.如权利要求1所述的半导体二极管，其特征在于，所述低载流子区位于半导体二极管的有源区的边缘区域，所述高载流子区位于半导体二极管的有源区的中间区域。

4.如权利要求1所述的半导体二极管，其特征在于，所述p型体区的宽度大于所述p型柱的宽度。

技术总结
本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体二极管，包括n型半导体层；位于所述n型半导体层之上的阳极金属层；位于所述n型半导体层内的若干个交替间隔设置的n型柱和p型柱；位于所述p型柱顶部的p型体区；低载流子区，所述低载流子区内的所述p型体区与所述阳极金属层形成p型肖特基二极管；高载流子区，所述高载流子区内的所述p型体区内设有p型接触区，所述p型接触区与所述阳极金属层形成欧姆接触。

技术研发人员：刘磊,刘伟,袁愿林,王睿
受保护的技术使用者：苏州东微半导体股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13