技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上包括第一外延层，且部分所述第一外延层上包括第二外延层；阱保护层，分立的自所述第一外延层的表面向所述第一外延层中延伸并在宽度方向延伸至所述第二外延层的下方；阱接触层，与所述阱保护层的掺杂类型相同，并自所述阱保护层的表面向所述阱保护层中延伸且侧壁和底部被所述阱保护层围绕；金属层，位于所述阱接触层的表面以及所述第二外延层的侧壁和表面。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括与所述阱保护层的掺杂类型不同的电流扩散层，且所述电流扩散层自相邻所述阱保护层之间的第一外延层表面向所述第一外延层中延伸。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述电流扩散层的厚度为0.4μm～1.4μm，宽度为2μm～6μm，且掺杂浓度为6
×
10
15
/cm3～6
×
10
16
/cm3。4.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述阱保护层的掺杂浓度为6
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10
16
/cm3～5
×
10
17
/cm3，所述阱接触层的掺杂浓度为1
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10
18
/cm3～1
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10
20
/cm3。5.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述阱接触层的侧壁上的阱保护层的厚度不超过0.2μm，且所述阱保护层的深度为0.6μm～1.2μm，所述阱保护层与所述衬底之间的第一外延层的厚度为8μm～12μm。6.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述金属层还延伸至所述阱接触层中，且位于所述阱接触层中的金属层的厚度为0.1μm～0.3μm。7.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一外延层的厚度为8μm～12μm，所述第二外延层的厚度为0.5μm～2μm，且所述第一外延层和所述第二外延层的掺杂浓度为6
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10
15
/cm3～1.4
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10
16
/cm3。8.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上包括第一外延层；形成分立的自所述第一外延层的表面向所述第一外延层中延伸的阱保护层；形成自所述阱保护层的表面向所述阱保护层中延伸且侧壁和底部被所述阱保护层环绕的阱接触层，所述阱接触层与所述阱保护层的掺杂类型相同；在部分所述第一外延层上形成第二外延层；在所述阱接触层的表面以及所述第二外延层的侧壁和表面形成金属层。9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二外延层之前，还包括：形成自相邻所述阱保护层之间的第一外延层表面向所述第一外延层中延伸的电流扩散层，且所述电流扩散层与所述阱保护层的掺杂类型不同。10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述电流扩散层的厚度为0.4μm～1.4μm，且宽度为2μm～6μm；所述电流扩散层的形成方法为第一离子注入工艺，且所述第一离子注入工艺的注入能量为10kev～670kev，掺杂浓度为6
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10
15
/cm3～6
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10
16
/cm3。11.根据权利要求8或9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阱接触层的侧壁上的阱保护层的厚度不超过0.2μm，且所述阱保护层的深度为0.6μm～1.2μm，所述阱保护层与所述衬底之间的第一外延层的厚度为8μm～12μm。
12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述阱保护层的方法为第二离子注入工艺，且所述第二离子注入工艺的注入能量为10kev～670kev，掺杂浓度为6
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10
16
/cm3～5
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10
17
/cm3；形成所述阱接触层的方法为第三离子注入工艺，且所述第三离子注入工艺的注入能量为10kev～400kev，掺杂浓度为1
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10
18
/cm3～1
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10
20
/cm3。13.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二外延层和所述金属层的方法包括：在所述第一外延层上形成第二外延材料；刻蚀部分所述第二外延材料，停止在所述阱接触层上，形成第二外延层和沟槽；在所述沟槽中及所述第二外延层的表面和侧壁形成金属层。14.根据权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层还延伸至所述阱接触层中；刻蚀形成的沟槽还延伸至所述阱接触层中。15.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一外延层和第二外延材料；刻蚀部分所述第二外延材料，形成第二外延层和沟槽；在所述沟槽下方的所述第一外延层中形成阱保护层，且所述阱保护层自所述第一外延层的表面向所述第一外延层中延伸，同时还延伸至部分所述第二外延层的下方；形成自所述阱保护层的表面向所述阱保护层中延伸且侧壁和底部被所述阱保护层环绕的阱接触层，所述阱接触层与所述阱保护层的掺杂类型相同；在所述沟槽中及所述第二外延层的侧壁和表面形成金属层。16.根据权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层还延伸至所述阱接触层中；刻蚀形成的沟槽还延伸至所述阱接触层中。
技术总结
本申请提供一种半导体结构及其形成方法，其中所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上包括第一外延层，且部分所述第一外延层上包括第二外延层；阱保护层，分立的自所述第一外延层的表面向所述第一外延层中延伸并在宽度方向延伸至所述第二外延层的下方；阱接触层，与所述阱保护层的掺杂类型相同，并自所述阱保护层的表面向所述阱保护层中延伸且侧壁和底部被所述阱保护层围绕；金属层，位于所述阱接触层的表面以及所述第二外延层的侧壁和表面。本申请的半导体结构及其形成方法，能够降低器件的表面电场、增大正向电流，并提高器件的可靠性。并提高器件的可靠性。并提高器件的可靠性。
技术研发人员：李浩南 张永杰 周永昌 黄晓辉 董琪琪
受保护的技术使用者：创能动力科技有限公司
技术研发日：2021.12.29
技术公布日：2022/3/15