本申请涉及半导体相关，尤其涉及一种微发光二极管及其制备方法、发光装置。
背景技术：
1、微发光二极管具有低功耗、高度亮、超高分辨率与色彩饱和度、响应速度快、寿命长等优点，是目前热门研究的下一代显示技术。
2、微发光二极管的传统制备方法为：首先，在外延结构上同时制作出第一台面和环绕于第一台面外围的第二台面，第一台面高出第二台面；然后，在第一台面和第二台面上形成桥接结构。随着微发光二极管的尺寸越来越小，在曝光机台的精度限制下，制作第一台面和第二台面时容易出现对位偏差，即易出现第一台面相对两侧的第二台面不对称的情况，使得后续形成桥接结构时，桥接结构不对称。由于上述所存在的对位偏差，微发光二极管中的应力分布不均匀，易导致桥接结构出现断裂等问题，严重的话，也会出现外延结构自桥接结构上脱落的现象。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种微发光二极管，其使桥接结构在预设方向上对称地布设在第一台面或者第二台面上，并保证微发光二极管的应力在该预设方向上均匀分布，避免桥接结构因应力分布不均匀所出现的断裂问题，提高桥接结构的稳定性。
2、另一目的还在于提供一种微发光二极管的制备方法、以及一种发光装置。
3、第一方面，本申请实施例提供了一种微发光二极管，其包括：
4、外延结构，配置有第一台面和第二台面，第一台面和第二台面均位于外延结构的同侧，且存在高度差；第一台面和第二台面在预设方向上的宽度相同，且第一台面、第二台面在上述预设方向上的中心点均位于同一条沿垂直于上述预设方向的方向延伸的轴线上；
5、桥接结构，至少包括第一桥接层，第一桥接层形成在第一台面和第二台面上，且在上述预设方向上第一桥接层对称地布设在第一台面和/或第二台面上。
6、在一种可能的实施方案中，第一台面、第二台面在上述预设方向上的宽度均等于外延结构在上述预设方向上的宽度。
7、在一种可能的实施方案中，第一桥接层在上述预设方向上超出外延结构。
8、在一种可能的实施方案中，在上述预设方向上，第一桥接层与第一台面、第二台面接触的表面被配置为平面。
9、在一种可能的实施方案中，外延结构包括顺序排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一台面被配置为第一半导体层的表面，第二台面露出第二半导体层，第一台面的高度大于第二台面的高度。
10、在一种可能的实施方案中，该微发光二极管还包括：
11、第一电极，在上述预设方向上对称地布设在第一台面上；
12、第二电极，在上述预设方向上对称地布设在第二台面上。
13、在一种可能的实施方案中，在上述预设方向上，第一桥接层关于第一电极和/或第二电极对称。
14、在一种可能的实施方案中，该微发光二极管还包括：
15、第一焊盘，形成在第一桥接层远离外延结构的一侧并与第一电极电连接；
16、第二焊盘，形成在第一桥接层远离外延结构的一侧并与第二电极电连接。
17、在一种可能的实施方案中，该微发光二极管还包括：
18、牺牲层，形成于第一桥接层远离外延结构的一侧，并覆盖第一桥接层的下表面、以及第一焊盘、第二焊盘的下表面和侧壁；在上述预设方向上，牺牲层中与外延结构在垂直方向上不对应的那部分设置有开口，开口露出第一桥接层；
19、键合层，形成于牺牲层远离第一桥接层的一侧；键合层填充开口并与第一桥接层接触；
20、基板，位于键合层远离第一桥接层的一侧。
21、在一种可能的实施方案中，在上述预设方向上，牺牲层与第一桥接层接触的表面被配置为平面。
22、在一种可能的实施方案中，桥接结构还包括第二桥接层，第二桥接层覆盖外延结构远离第一台面的表面，以及外延结构的侧壁。
23、在一种可能的实施方案中，微发光二极管包括一个外延结构；或者，微发光二极管包括多个间隔布置的外延结构。
24、在一种可能的实施方案中，微发光二极管的发光波长为400nm～950nm。
25、在一种可能的实施方案中，第一台面和第二台面位于外延结构的相对两侧，且分别与外延结构的相对两侧边缘对齐。
26、第二方面，本申请实施例提供了一种微发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：
27、形成外延结构；外延结构具有长度方向和宽度方向；
28、蚀刻外延结构，并形成延伸至外延结构内部的沟槽，沟槽的宽度与外延结构的宽度相同，沟槽的底面为第二台面，外延结构中与第二台面朝向相同的表面为第一台面；
29、在第一台面、第二台面上形成第一桥接层；
30、自外延结构远离第一桥接层的一侧蚀刻外延结构，并使第一台面和第二台面的宽度相同，第一台面、第二台面在宽度方向上的中心点均位于沿长度方向延伸的同一条轴线上；在宽度方向上第一桥接层对称地布设在第一台面和/或第二台面上。
31、在一种可能的实施方案中，第一台面、第二台面的宽度均等于外延结构的宽度。
32、在一种可能的实施方案中，第一桥接层在宽度方向上超出外延结构。
33、在一种可能的实施方案中，在自外延结构远离第一桥接层的一侧蚀刻外延结构之前，在第一台面、第二台面上形成第一桥接层之后，还包括：
34、于第一桥接层上蒸镀牺牲层；
35、将牺牲层通过键合层键合至基板上。
36、第三方面，本申请实施例提供了一种应用上述实施例中的微发光二极管的发光装置。
37、与现有技术相比，本申请至少具有如下有益效果：
38、外延结构配置有位于同侧的第一台面和第二台面，第一台面和第二台面在预设方向上的宽度相同，且第一台面、第二台面在上述预设方向上的中心点均位于同一条沿垂直于预设方向的方向延伸的轴线上。桥接结构在预设方向上对称地布设在第一台面或者第二台面上，可保证微发光二极管的应力在该预设方向上均匀分布，避免桥接结构因应力分布不均匀所出现的断裂问题，提高桥接结构的稳定性，进而提高微发光二极管的可靠性。
1.一种微发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一台面、第二台面在所述预设方向上的宽度均等于所述外延结构在所述预设方向上的宽度。
3.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一桥接层在所述预设方向上超出所述外延结构。
4.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，在所述预设方向上，所述第一桥接层与所述第一台面、第二台面接触的表面被配置为平面。
5.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述外延结构包括顺序排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述第一台面被配置为所述第一半导体层的表面，所述第二台面露出所述第二半导体层，所述第一台面的高度大于所述第二台面的高度。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的微发光二极管，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的微发光二极管，其特征在于，在所述预设方向上，所述第一桥接层关于所述第一电极和/或第二电极对称。
8.根据权利要求6所述的微发光二极管，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求8所述的微发光二极管，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求9所述的微发光二极管，其特征在于，在所述预设方向上，所述牺牲层与所述第一桥接层接触的表面被配置为平面。
11.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述桥接结构还包括第二桥接层，所述第二桥接层覆盖所述外延结构远离第一台面的表面，以及所述外延结构的侧壁。
12.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述微发光二极管包括一个所述外延结构；或者，所述微发光二极管包括多个间隔布置的所述外延结构。
13.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述微发光二极管的发光波长为400nm～950nm。
14.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一台面和第二台面位于所述外延结构的相对两侧，且分别与所述外延结构的相对两侧边缘对齐。
15.一种微发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
16.根据权利要求15所述的微发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一台面、第二台面的宽度均等于所述外延结构的宽度。
17.根据权利要求15所述的微发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一桥接层在所述宽度方向上超出所述外延结构。
18.根据权利要求15所述的微发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述自外延结构远离第一桥接层的一侧蚀刻外延结构之前，所述在第一台面、第二台面上形成第一桥接层之后，还包括：
19.一种应用如权利要求1～14中任一项所述的微发光二极管的发光装置。