一种可有效清洗晶圆表面的方法与流程

1.本发明涉及到半导体技术领域，尤其涉及到一种可有效清洗晶圆表面的方法。


背景技术：

2.在半导体制造的工艺中，通常需要对晶圆的表面以及边缘进行清洗，以去除晶圆表面上的膜层以及杂质，保证后续工艺正常进行。
3.现有技术清洗晶圆清洗的方法为，向晶圆边缘及表面提供清洗溶液，但是晶圆边缘及表面膜层清洗不完全；且在清洗后容易形成残留物，造成半导体产品具有缺陷。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种可有效清洗晶圆表面的方法，用于解决上述技术问题。
5.本发明采用的技术方案如下：
6.一种可有效清洗晶圆表面的方法，包括：
7.s1、将晶圆夹持在晶圆承载平台上，并驱动所述晶圆承载平台按照第一转速进行旋转；
8.s2、通过喷嘴正对所述晶圆的中心部分，并使得所述喷嘴的轴线与所述晶圆表面垂直，通过所述喷嘴喷射第一清洗液；
9.s3、旋转所述喷嘴，使得所述喷嘴的轴线与所述晶圆表面呈30～45
°
夹角，并持续向晶圆表面喷射第二清洗液；
10.s4、喷射所述第二清洗液时，保持所述喷嘴倾斜角度不变，并驱动所述喷嘴沿所述晶圆的半径方向往复移动。
11.作为优选，所述第一转速呈线性增加至指定转速直至完成所述第二清洗液的清洗过程。
12.作为优选，所述第一清洗液清洗过程中，由所述晶圆的中心部分向所述晶圆表面通入热气流。
13.作为优选，所述晶圆承载平台上正对所述晶圆的中心部分设有氮气喷头。
14.作为优选，所述第一清洗液的喷射时间为13～17s。
15.作为优选，所述第二清洗液的喷射时间为32～35s。
16.上述技术方案具有如下优点或有益效果：
17.本发明中，向晶圆的表面喷射第一清洗液和第二清洗液，且喷射第二清洗液时，喷嘴旋转至倾斜状态并进行往复式的摆动，能够将第二清洗液有效扩散至晶圆的边缘区域，能够有效去除晶圆表面的杂质并快速的移除第一清洗液残留物，且第一转速为线性增加，使得第一清洗液以及第二清洗液可以形成瑞流，便于更多的清洗液堆积在晶圆的边缘，实现对晶圆的边缘位置的有效清洗。
附图说明
18.图1是本发明中可有效清洗晶圆表面的方法的流程图；
19.图2是本发明中的晶圆承载平台的结构示意图。
20.图中：1、晶圆承载平台；2、侧壁；3、腔体；4、晶圆；5、加热模块；6、氮气喷嘴；7、喷流孔。
具体实施方式
21.下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
22.在本发明的描述中，需要说明的是，如出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等，其所指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，如出现术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
23.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，如出现术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
24.图1是本发明中可有效清洗晶圆表面的方法的流程图；图2是本发明中的晶圆承载平台的结构示意图，请参见图1至图2所示，示出了一种较佳的实施例，示出的一种可有效清洗晶圆表面的方法，包括：
25.s1、将晶圆4夹持在晶圆承载平台1上，并驱动晶圆承载平台1按照第一转速进行旋转。
26.s2、通过喷嘴正对晶圆4的中心部分，并使得喷嘴的轴线与晶圆4表面垂直，通过喷嘴喷射第一清洗液。
27.s3、旋转喷嘴，使得喷嘴的轴线与晶圆4表面呈30～45
°
夹角，并持续向晶圆4表面喷射第二清洗液。
28.s4、喷射第二清洗液时，保持喷嘴倾斜角度不变，并驱动喷嘴沿晶圆4的半径方向往复移动。本实施例中，在晶圆承载平台1的外侧设有外壳，外壳与晶圆承载平台1之间形成腔体3，晶圆4通过非接触的方式被夹持在晶圆承载平台1上，可以避免晶圆4搬运过程中出现污染现象。而喷嘴的角度可以调整，喷嘴的轴线与晶圆4表面垂直时，喷射第一清洗液，第一清洗液由晶圆4的中心向外缘扩散，由晶圆4的中心部分向外缘开始清洗，且第一转速呈线性增加，可以使得第一清洗液和第二清洗液的流速由晶圆4中间向外缘方向逐渐增加，使得第一清洗液以及第二清洗液可以形成瑞流并堆积在晶圆4的边缘位置。便于清洗液与晶圆4的边缘充分反应，可以提高清洗效果。且通过第二清洗液清洗时，喷嘴呈倾斜状态，由晶圆4的中间向外缘摆动，并配合晶圆4本身的旋转，能够直接将晶圆4表面的第一清洗液直接移除。且通过第二清洗液清洗时，喷嘴的轴线与晶圆4表面的夹角可优先选用45
°
。
29.进一步，作为一种较佳的实施方式，第一转速呈线性增加至指定转速直至完成第二清洗液的清洗过程。本实施例中，用第一清洗液清洗时为晶圆4的第一清洗过程，用第二清洗液清洗时为晶圆4的第二清洗过程。其中，第一清洗过程中以及第二清洗过程中第一转速均是呈线性增加。且第二清洗过程中的晶圆4的转动速度大于第一清洗过程中的晶圆4的转动速度。
30.进一步，作为一种较佳的实施方式，第一清洗液清洗过程中，由晶圆4的中心部分向晶圆4表面通入热气流。本实施例中，由晶圆4的中心部分通入热气流，可以使得热气流均匀向晶圆4的外缘扩散，最后集中堆积在晶圆4的边缘区域，通入的热气流便于第一化学液以及第二化学液的反应，可以提高反应速率，提高清洗效果。
31.进一步，作为一种较佳的实施方式，晶圆承载平台1上正对晶圆4的中心部分设有氮气喷头。本实施例中，在晶圆承载平台1的上表面位于氮气喷头的外缘还设有一圈喷流孔7，且喷流孔7倾斜设置，喷流孔7由下至上向远离氮气喷头的方向倾斜设置，设置的喷流孔7用于通入热气流，由于喷流孔7的倾斜，使得热气流可以由晶圆4的底部中间部分向外均匀扩散并堆积在晶圆4的下表面的边缘位置，提高清洗液的反应速率。在晶圆承载平台1上设有至少两圈加热模块5，且加热模块5对应晶圆4的边缘区域位置，便于对扩散的热气流进行加热，保持晶圆4边缘位置的温度。
32.进一步，作为一种较佳的实施方式，第一清洗液的喷射时间为13～17s。
33.进一步，作为一种较佳的实施方式，第二清洗液的喷射时间为32～35s。
34.以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。