一种拼接屏的制作方法

1.本实用新型涉及显示屏技术领域，尤其涉及一种拼接屏。


背景技术：

2.拼接屏是指将多个显示子屏按照一定的数量和布局组合成一个显示整体，以便满足大尺寸显示的需求。常见的拼接屏中有液晶拼接屏、等离子拼接屏、透明屏等。
3.在lcd显示面板、oled显示面板和led显示面板的拼接屏幕中，为了保证两块拼接屏的显示画面的协调性，需要将显示子屏的显示驱动部分连接，实现屏幕亮度和图像的自动分配。通常都是在显示区域的下方设置焊接引线，该焊接引线用于与外部的驱动芯片连接，焊接引线所在的区域无法用于显示，焊线会使拼接屏的显示效果变差，显示子屏的拼接缝比较明显，也影响拼接屏的显示观感。


技术实现要素：

4.为此，需要提供一种拼接屏，解决拼接屏的显示效果较差，拼接屏的拼接缝较明显的问题。
5.为实现上述目的，本实施例还提供一种拼接屏，包括导电银浆、驱动芯片和显示子屏；
6.所述显示子屏包括薄膜晶体管、第一电极、平坦层、第二电极、第三电极、像素定义层和发光层；
7.所述薄膜晶体管和所述第一电极均设置在基板的一面上，所述第一电极位于所述薄膜晶体管的一侧；
8.所述平坦层设置在所述薄膜晶体管和所述第一电极上；
9.所述第二电极和所述第三电极均设置在所述平坦层上，所述第二电极通过平坦层上的第一孔连接薄膜晶体管的源极或者漏极，所述第三电极通过平坦层上的第二孔连接第一电极；
10.所述像素定义层设置在所述平坦层、所述第二电极和所述第三电极上；
11.所述发光层设置在像素定义层的第三孔中，所述发光层连接所述第二电极；
12.两个的显示子屏的连接侧壁通过所述导电银浆相拼接在一起，所述导电银浆还通过像素定义层上的第四孔连接每个显示子屏中的第三电极，其中每个显示子屏中第三电极均位于所述发光层和所述连接侧壁之间；
13.所述驱动芯片设置在基板的另一面上，所述驱动芯片连接所述导电银浆。
14.进一步地，所述发光层为mini led的发光层，mini led的发光层的灯珠引脚通过锡膏和所述第二电极相连接。
15.进一步地，所述拼接屏还包括有机封装层，所述有机封装层不仅覆盖每个显示子屏中的像素定义层，还覆盖第四孔中的导电银浆。
16.进一步地，所述显示子屏还包括遮光层，所述遮光层位于薄膜晶体管和平坦层之
间，所述遮光层用于阻挡光线照射薄膜晶体管中的有源层。
17.进一步地，所述薄膜晶体管为底栅结构，所述第一电极和源极同层设置。
18.区别于现有技术，上述技术方案通过导电银浆来实现两屏幕的无缝拼接，导电银浆具备优异的印刷性、耐水性、硬度、附着力、挠曲性及耐候性、导电性能，使得拼接屏上拼接缝较细，不易给人一种突兀的感觉。同时上述技术方案还避免拼接屏上拼接缝的若干条暗区，提高拼接屏的显示质量，提高产品的竞争力。
附图说明
19.图1为本实施例在基板上制作栅极、栅极绝缘层、有源层和蚀刻阻挡层的剖面结构示意图；
20.图2为本实施例在基板上制作源极、漏极、第一电极、缓冲层和遮光层的剖面结构示意图；
21.图3为本实施例在基板上制作第二电极和第三电极的剖面结构示意图；
22.图4为本实施例在基板上制作像素定义层和发光层的剖面结构示意图；
23.图5为本实施例将两个显示子屏通过导电银浆相拼接的剖面结构示意图。
24.附图标记说明：
25.1、基板；
26.2、薄膜晶体管；
27.21、栅极；22、栅极绝缘层；23、有源层；24、蚀刻阻挡层；25、源极；26、漏极；
28.3、第一电极；
29.4、缓冲层；
30.5、遮光层；
31.6、平坦层；
32.7、第二电极；
33.8、第三电极；
34.9、像素定义层；
35.10、发光层；
36.101、灯珠引脚；
37.11、导电银浆；
38.12、有机封装层；
39.13、驱动芯片；
40.14、连接侧壁。
具体实施方式
41.为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
42.请参阅图1至图5，本实施例提供一种拼接屏制作方法，该制作方法可以在玻璃的基板1或者塑料的基板1上进行制作，基板1用于承载各个膜层。拼接屏制作方法包括如下步骤：在基板1的一面上制作薄膜晶体管2和第一电极3。所述第一电极3位于所述薄膜晶体管2
的一侧。薄膜晶体管2作为开关来驱动的显示面板可以达到高速度、高亮度、高对比度的特点。薄膜晶体管2可以是顶栅结构或者底栅结构，在此以制作底栅结构的薄膜晶体管2为例。
43.首先在基板上制作栅极21，结构如图1所示。具体的，在基板上涂布光阻，其次对光阻进行曝光和显影，使得要制作栅极21的部位开口，接着镀上栅极金属到基板上，从而在基板上形成栅极21。需要说明的是，栅极金属的沉积可以通过物理气相沉积法的方式。在栅极21制作完毕后，清除光阻。
44.需要说明的是，栅极金属可以为铝、钼、铜、金中的一种或者多种的组合，但不局限于此。例如，栅极金属为铝(al)/钼(mo)的组合，al/mo的组合中铝膜层厚度为0.3um(微米)～0.4um(微米)。优选的，al/mo的组合中铝的膜层厚度为0.33um。al/mo的组合中钼的膜层厚度为0.02(微米)～0.08(微米)。优选的，al/mo的组合中钼的膜层厚度为0.06um。
45.栅极制作完毕后，为了实现栅极与有源层之间的隔离，在栅极上制作栅极绝缘层22，结构如图1所示。具体的，可以在栅极21上采用等离子体增强化学气相淀积法镀上绝缘材料，而后通过蚀刻得到适宜的栅极绝缘层22。其中，绝缘材料如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅等)等，但不局限于此。为了起到有效的隔离作用，栅极绝缘层22是覆盖栅极的，还可以覆盖基板的一整面。
46.需要说明的是，栅极绝缘层的厚度为0.2um～0.4um。优选的，栅极绝缘层的厚度为0.3um。
47.栅极绝缘层制作完毕后，在栅极绝缘层上制作有源层23，结构如图1所示。采用溅射的方式沉积有源层材料到栅极绝缘层上，这些附着在栅极绝缘层上的有源层材料在经过曝光、显影、蚀刻和脱膜后形成有源层23。其中，有源层材料可以为氧化物半导体，例如铟镓锌氧化物(indiumgallium zinc oxide,igzo)、铟锌锡氧化物(indium zinc tin oxide,izto)、铟镓锌钛氧化物(indium gallium zinc tioxide,igzto)等，但不局限于此。
48.需要说明的是，有源层的厚度为0.03um～0.06um。优选的，有源层的厚度为0.04um。
49.有源层制作完毕后，在有源层上制作蚀刻阻挡层24，蚀刻阻挡层24具有保护有源层不被蚀刻液和剥离液的腐蚀影响，结构如图1所示。具体的，可以在栅极上采用等离子体增强化学气相淀积法镀上绝缘材料，而后通过蚀刻得到适宜的蚀刻阻挡层24。其中，绝缘材料如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅等)等，但不局限于此。为了起到有效的保护作用，蚀刻阻挡层24不仅覆盖有源层23，还可以覆盖栅极绝缘层22。在某些实施例中，蚀刻阻挡层可以无需制作。
50.需要说明的是，蚀刻阻挡层的厚度为0.15um～0.3um。优选的，蚀刻阻挡层的厚度为0.02um。
51.蚀刻阻挡层制作完毕后，在蚀刻阻挡层上制作源极25、漏极26和第一电极3，结构如图2所示。可以通过溅射的方式镀上源漏极金属，源漏极金属经过曝光、显影、蚀刻和脱膜后形成源极25、漏极26和第一电极3。所述源极25和所述漏极26均通过蚀刻阻挡层上的孔连接有源层23，源极25和漏极26均与下层的有源层23形成欧姆接触。源极25、漏极26、有源层23和栅极作为一个薄膜晶体管2的组成部分，而第一电极3作为另一个部分，所述第一电极3可以和源极25同时制作，也可以和栅极等金属的膜层同时制作。
52.需要说明的是，源漏极金属可以为铝、钼、铜、金、钛中的一种或者多种的组合，但
不局限于此。例如，源漏极金属为铝(al)/钼(mo)的组合，al/mo的组合中铝膜层厚度为0.3um(微米)～0.4um(微米)。优选的，al/mo的组合中铝的膜层厚度为0.33um。al/mo的组合中钼的膜层厚度为0.02(微米)～0.08(微米)。优选的，al/mo的组合中钼的膜层厚度为0.06um。
53.需要说明的是，在制作源极和漏极前，先在蚀刻阻挡层上制作孔，该孔作为有源层和源极之间、有源层和漏极之间的连接点。
54.为了保护薄膜晶体管，使薄膜晶体管不被外部的电路所破坏，在薄膜晶体管上制作缓冲层4，结构如图2所示。具体的，可以在薄膜晶体管2上采用等离子体增强化学气相淀积法镀上绝缘材料，而后通过蚀刻得到适宜的缓冲层4。其中，绝缘材料如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅等)等，但不局限于此。缓冲层4覆盖薄膜晶体管2和第一电极3，当外部的结构会被缓冲层4所阻挡，并不会接触到位于缓冲层下方的薄膜晶体管2和第一电极3。
55.薄膜晶体管中的有源层容易受到光照的影响，进而影响到薄膜晶体管的稳定性，为了避免有源层被光线照射，在缓冲层上制作遮光层5，结构如图2所示。遮光层5可以为不透光的材料制成，例如金属、黑色树脂、遮光胶带等。其中，金属可以为钼、铜、铝等。当光线要照射到有源层上时，会被遮光层5所遮挡，有源层便不会被光线所照射，进而保证了薄膜晶体管的性能。
56.需要说明的是，遮光层的厚度为0.1um～0.2um。优选的，遮光层的厚度为0.15um.
57.需要说明的是，遮光层位于薄膜晶体管和平坦层之间即可，遮光层还可以设置在所述平坦层上。
58.基板上因为多个制程形成凹凸不平的平面，为了使基板平整，以方便后续膜层的制作，在缓冲层上制作平坦层6，结构如图3所示。具体的，可以在缓冲层上采用等离子体增强化学气相淀积法镀上绝缘材料，而后通过蚀刻得到适宜的平坦层6。其中，绝缘材料如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅等)、聚酰亚胺等，但不局限于此。所述平坦层6位于所述薄膜晶体管和所述第一电极3上，所述平坦层6具有一定的厚度，平坦层6的上表面为平面，且平行于基板的一面。
59.在平坦层6上制作第一孔和第二孔，所述第一孔的孔底为薄膜晶体管的源极25或者漏极26，所述第一孔作为发光层10和薄膜晶体管的连接点。所述第二孔的孔底为第一电极，所述第二孔作为第一电极和第三电极8的连接点。
60.平坦层制作完毕后，在平坦层上制作第二电极7和第三电极8，结构如图3所示。可以通过溅射、蒸镀的方式镀上电极层金属，电极层金属经过曝光、显影、蚀刻和脱膜后形成第二电极7和第三电极8。其中，电极层金属可以为金属、金属氧化物，例如金属氧化物可以为氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)等。所述第二电极7通过所述第一孔连接薄膜晶体管的源极25或者漏极26，所述第二电极7作为显示面板的阳极。所述第三电极8通过所述第二孔连接第一电极3，第三电极8和第一电极3导通形成开关电容，其作用是控制显示发光层的开和关。
61.需要说明的是，在第一电极的下方还设置一个金属栅极，该金属栅极和第一电极3连接，该金属栅极可以和薄膜晶体管的栅极同层设置。
62.需要说明的是，电极层金属的厚度为0.06um～0.08um。优选的，电极层金属的厚度为0.075um。
63.第二电极制作完毕后，进行像素定义层9的制作，结构如图4所示。像素定义层9是定义显示面板的每一个独立子像素单元。像素定义层9覆盖第二电极7、第三电极8和平坦层6。并在像素定义层9上制作第三孔，所述第三孔的孔底为第二电极7。第三孔作为第二电极7和发光层10之间的连接点。
64.在第三孔中制作发光层10。所述发光层10连接所述第二电极7，至此得到显示子屏。一个所述发光层10可以形成r(红色，red)、g(绿色，green)、b(蓝色，blue)或者w(白色，white)的子像素，以实现面板的显示功能。
65.发光层10可以是oled(organiclight
‑
emitting diode)的发光层、mini led的发光层。oled的发光层使得显示面板为oled显示面板，oled(organiclight
‑
emitting diode)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。mini led的发光层使得显示面板为mini led显示面板。mini led显示面板在保持着出色的显示效果和柔性的同时，拥有更快的响应速度、更高的高温可靠性和使用寿命。在此以制作mini led的发光层为例，采用锡膏将mini led的发光层的灯珠引脚101和所述第二电极7相连接，结构如图4所示。此时绑定好的mini led的发光层的基板(即显示子屏)是一块正常显示的屏幕。使得薄膜晶体管通过第二电极来控制发光层的发光情况。
66.需要说明的是，通过上述步骤得到的显示子屏包括薄膜晶体管、第一电极、平坦层、第二电极、第三电极、像素定义层和发光层。每个显示子屏中第三电极均位于所述发光层和所述连接侧壁14之间，即第三电极和第一电极靠近连接侧壁。
67.在像素定义层上制作第四孔，第四孔位于第三电极的上方，所述第四孔为像素定义层上的通孔，所述第四孔的孔底为显示子屏上的第三电极，所述第四孔的孔底还有部分的平坦层。第四孔可以在两个显示子屏相拼接之前制作好，也可以在两个显示子屏相对准后同时制作一个大的第四孔。
68.这里以在两个显示子屏相对准后同时制作一个大的第四孔为例，将两个显示子屏的连接侧壁14拼接在一起，两个显示子屏的连接侧壁14相互正对，结构如图5所示。在图5中，左边的显示子屏的连接侧壁是该显示子屏的右侧侧壁，右边的显示子屏的连接侧壁是该显示子屏的左侧侧壁。而后同时在两个显示子屏上开孔，形成第四孔，第四孔的左部分位于左边的显示子屏上，第四孔的右部分位于右边的显示子屏上。如果是在两个显示子屏拼接前制作第四孔，那么依次在显示子屏的像素定义层上打孔并形成第四孔，两个显示子屏上的第四孔最好是连通的，便于导电银浆的填充。当然两个显示子屏上的第四孔也可以不连通在一起。
69.在第四孔处涂布导电银浆11，所述导电银浆11连接两个显示子屏上的第三电极8，所述导电银浆11还填充于两个显示子屏的连接侧壁14之间(即拼接屏上的拼接缝处)。导电银浆11固化之后，在基板的另一面上制作驱动芯片13，所述驱动芯片13连接两个连接侧壁14之间的导电银浆11，结构如图5所示。
70.上述技术方案以拼接缝为模型形成导线，导线绑定外部驱动芯片，导电银浆具备优异的印刷性、耐水性、硬度、附着力、挠曲性及耐候性、导电性能，还不会使拼接屏上的拼接缝变大。导电银浆的主要成分是导电银粉和有机树脂。其中导电银粉具有导电的作用，有机树脂具有封装和粘接固定屏幕的作用，采用导电银浆进行封装和粘连两屏幕可以缩小两屏幕之间的缝隙，避免传统拼接屏采用焊线焊接屏幕造成的大缝隙。其中焊接区域没有驱
动模块，也无显示器件，因此无法发光而呈现暗区，而本技术上拼接屏上拼接缝不存在暗区，提高拼接屏的显示质量。
71.需要说明的是，导电银浆一般是由导电银粉、有机聚合物、有机溶剂以及其他添加剂经高速分散机机械搅拌分散，再经三辊研磨机混匀轧细制得的膏状悬浮体系。
72.在拼接屏的表面涂布有机封装层12，有机封装层12可以整面覆盖像素定义层，结构如图5所示。有机封装层12的厚度为1um～3um，优选的，有机封装层12的厚度为2m。有机封装层12将填充所有的像素定义层的开孔，有效地对mini led的发光层的灯珠和导电银浆进行密封，保护mini led的发光层的灯珠引脚和导电银浆不被水汽和氧气所侵蚀。
73.上述技术方案通过导电银浆来实现两屏幕的无缝拼接，即拼接屏上拼接缝较细，不易给人一种突兀的感觉。同时上述技术方案还避免拼接屏上拼接缝的若干条暗区，提高拼接屏的显示质量，提高产品的竞争力。
74.请参阅图5，本实施例还提供一种拼接屏，包括导电银浆11、驱动芯片和显示子屏。所述显示子屏作为单独、完整的显示屏，具有正常显示的功能。多个的所述显示子屏通过拼接形成拼接式的显示面板。所述显示子屏包括薄膜晶体管2、第一电极3、平坦层6、第二电极7、第三电极8、像素定义层9和发光层10。
75.所述薄膜晶体管2和所述第一电极3均设置在基板的一面上，所述第一电极3位于所述薄膜晶体管2的一侧。薄膜晶体管2作为开关来驱动的显示面板可以达到高速度、高亮度、高对比度的特点。薄膜晶体管2可以是顶栅结构或者底栅结构。所述平坦层6设置在所述薄膜晶体管2和所述第一电极3上，平坦层6为绝缘的材料，可以对薄膜晶体管2和第一电极3起到保护的作用。平坦层6还具有一定的厚度，来平整基板上凹凸不平的地方。所述第二电极7和所述第三电极8均设置在所述平坦层6上。所述第二电极7通过平坦层6上的第一孔连接薄膜晶体管的源极25或者漏极26，所述第二电极7作为显示面板的阳极。如果第二电极7需要和源极25连接，那么第二电极7与源极25连接即可；如果第二电极7需要和漏极26连接，那么第二电极7与漏极26连接即可。所述第三电极8通过平坦层6上的第二孔连接第一电极3。所述像素定义层9设置在所述平坦层6、所述第二电极7和所述第三电极8上，像素定义层9是定义显示面板的每一个独立子像素单元。所述发光层10设置在像素定义层9的第三孔中，所述发光层10连接所述第二电极7。两个的显示子屏的连接侧壁14通过所述导电银浆11相拼接在一起。所述导电银浆11还通过像素定义层9上的第四孔连接每个显示子屏中的第三电极8，其中每个显示子屏中第三电极8均位于所述发光层10和所述连接侧壁14之间。所述驱动芯片13设置在基板的另一面上，所述驱动芯片13连接所述导电银浆11。所述驱动芯片13用于驱动显示面板上的薄膜晶体管、发光层等。
76.上述技术方案通过导电银浆来实现两屏幕的无缝拼接，导电银浆具备优异的印刷性、耐水性、硬度、附着力、挠曲性及耐候性、导电性能，使得拼接屏上拼接缝较细，不易给人一种突兀的感觉。同时上述技术方案还避免拼接屏上拼接缝的若干条暗区，提高拼接屏的显示质量，提高产品的竞争力。
77.需要说明的是，两块显示子屏在拼接时，两个显示子屏上的同一膜层位于同一水平面上，例如左边的显示子屏的基板和右边的显示子屏的基板相平，左边的显示子屏的栅极绝缘层22和右边的显示子屏的栅极绝缘层22相平。
78.在本实施例中，发光层可以是oled(organiclight
‑
emitting diode)的发光层、
mini led的发光层。oled的发光层使得显示面板为oled显示面板，oled(organiclight
‑
emitting diode)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。mini led的发光层使得显示面板为mini led显示面板。mini led显示面板在保持着出色的显示效果和柔性的同时，拥有更快的响应速度、更高的高温可靠性和使用寿命。在此以制作mini led的发光层为例，采用锡膏将mini led的发光层的灯珠引脚和所述第二电极7相连接，此时绑定好的mini led的发光层的基板(即显示子屏)是一块正常显示的屏幕。使得薄膜晶体管通过第二电极来控制发光层的发光情况。
79.在本实施例中，为了保护mini led的发光层的灯珠引脚和导电银浆不被水汽和氧气所侵蚀，所述显示面板还包括有机封装层12。所述有机封装层12不仅覆盖每个显示子屏中的像素定义层9，还覆盖第四孔中的导电银浆，有效地对mini led的发光层的灯珠和导电银浆进行密封。
80.需要说明的是，有机封装层的厚度为1um～3um，优选的，有机封装层的厚度为2m。
81.在本实施例中，薄膜晶体管中的有源层容易受到光照的影响，进而影响到薄膜晶体管的稳定性，为了避免有源层被光线照射，所述显示子屏还包括遮光层5，所述遮光层5位于薄膜晶体管和平坦层6之间，所述遮光层5用于阻挡光线照射薄膜晶体管中的有源层23。遮光层5可以为不透光的材料制成，例如金属、黑色树脂、遮光胶带等。其中，金属可以为钼、铜、铝等。当光线要照射到有源层23上时，会被遮光层5所遮挡，有源层23便不会被光线所照射，进而保证了薄膜晶体管的性能。
82.在本实施例中，所述薄膜晶体管2为底栅结构。栅极21设置在基板的一面上。栅极绝缘层22设置在栅极上。有源层23设置在栅极绝缘层22上，有源层23位于栅极的正上方。蚀刻阻挡层24设置在栅极绝缘层和有源层23上。源极25和漏极26设置在蚀刻阻挡层24上。源极25和漏极26分别连接有源层23。所述第一电极3和源极25同层设置，以缩减制程的数量。为了对薄膜晶体管进行保护，在源极25、漏极26、蚀刻阻挡层24上覆盖一层缓冲层4，缓冲层4还可以覆盖第一电极3，当外部的结构会被缓冲层4所阻挡，并不会接触到位于缓冲层4下方的薄膜晶体管和第一电极3。
83.需要说明的是，第一电极也可以设置在其他的绝缘层上。
84.需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本实用新型的专利保护范围。因此，基于本实用新型的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本实用新型的专利保护范围之内。