显示面板和显示装置的制作方法

1.本技术属于显示技术领域，具体涉及一种显示面板和显示装置。


背景技术：

2.有机发光器件具有高亮度以及低功耗等优势，被广泛应用于显示和照明领域。有机发光器件可以分为单层结构和叠层结构，叠层结构相比单层结构而言，具有更高的亮度和寿命，因此其在电视、车载显示等领域具有较高的应用潜力。
3.一般而言，叠层结构中的电荷分离层迁移率较高，电荷分离层容易产生较为明显的横向电流，从而造成显示面板混色。


技术实现要素：

4.本技术提供一种显示面板和显示装置，以降低具有叠层结构的显示面板混色情况。
5.为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种显示面板，包括：层叠设置的多个发光层，且相邻所述发光层之间设置有电荷分离层；其中，每个所述发光层包括同层设置的多个发光单元，相邻所述发光单元之间设置有间隔区域；且相邻所述发光层中发光单元的位置一一对应；在层叠方向上，与所述间隔区域对应的所述电荷分离层的至少一侧表面设置有扩散层，所述扩散层能够与相邻的所述电荷分离层发生反应。
6.其中，所述扩散层包括第一子扩散层和第二子扩散层，且所述第一子扩散层具有还原性，所述第二子扩散层具有氧化性；其中，在所述层叠方向上，与所述间隔区域对应的所述电荷分离层相背设置的表面分别设置有所述第一子扩散层和所述第二子扩散层。
7.其中，在所述层叠方向上，所述电荷分离层包括层叠设置的p型电荷分离层和n型电荷分离层；所述p型电荷分离层具有氧化性，与所述间隔区域对应的所述p型电荷分离层背离所述n型电荷分离层一侧设置有所述第一子扩散层；所述n型电荷分离层具有还原性，与所述间隔区域对应的所述n型电荷分离层背离所述p型电荷分离层一侧设置有所述第二子扩散层。
8.其中，所述第一子扩散层的还原性大于所述n型电荷分离层的还原性；和/或，所述第二子扩散层的氧化性大于所述p型电荷分离层的氧化性。
9.其中，所述第一子扩散层以及所述第二子扩散层的厚度分别在5a至10a之间。
10.其中，所述第一子扩散层与所述p型电荷分离层接触的表面具有第一凹凸结构，所述p型电荷分离层与所述第一子扩散层接触的表面具有与所述第一凹凸结构相匹配的第二凹凸结构；和/或，所述第二子扩散层与所述n型电荷分离层接触的表面具有第三凹凸结构，所述n型电荷分离层与所述第二子扩散层接触的表面具有与所述第三凹凸结构相匹配的第四凹凸结构。
11.其中，与所述间隔区域对应的所述p型电荷分离层与所述n型电荷分离层接触的表面具有第五凹凸结构，与所述间隔区域对应的所述n型电荷分离层与所述p型电荷分离层接
触的表面具有与所述第五凹凸结构相匹配的第六凹凸结构。
12.其中，与所述间隔区域对应的所述电荷分离层的厚度小于其他区域的所述电荷分离层的厚度。
13.其中，相邻所述发光层中具有相同颜色的发光单元的位置一一对应。
14.为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是：提供一种显示装置，包括上述任一实施例中所述的显示面板。
15.区别于现有技术情况，本技术的有益效果是：本技术所提供的显示面板中对应相邻发光单元之间的间隔区域位置处的电荷分离层的至少一侧表面设置有扩散层；且该扩散层能够与相邻的电荷分离层发生反应，以降低间隔区域位置处电荷分离层的载流子迁移率，从而降低横向电流产生的概率，降低出现混色异常问题以及关不断异常问题的概率。
附图说明
16.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
17.图1是本技术显示面板一实施方式的结构示意图；
18.图2是图1中发光层以及扩散层一实施方式的俯视示意图；
19.图3是本技术显示装置一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
20.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
21.请参阅图1，图1为本技术显示面板一实施方式的结构示意图，该显示面板10可以为oled显示面板、micro
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oled显示面板等，其主要包括层叠设置的多个发光层100，且相邻发光层100之间设置有电荷分离层102。其中，图1中仅示意画出层叠设置的两个发光层100，在其他实施例中，显示面板10也可包括更多个层叠设置的发光层100，本技术对此不作限定。
22.请继续参阅图1，每个发光层100均包括同层设置的多个发光单元1000，该发光单元1000可以为红色发光单元r、或绿色发光单元(图1中未示意)、或蓝色发光单元b等；具体发光层100中发光单元1000的排布方式可参见图2；例如，三个相邻的红色发光单元r、绿色发光单元g和蓝色发光单元b共同组成一个像素，且蓝色发光单元b的面积大于绿色发光单元g和红色发光单元r。当然，在其他实施例中，也可为其他排布方式，本技术对此不作限定。且相邻发光单元1000之间设置有间隔区域1002，该间隔区域1002内可以填充有透明有机物，例如，俗称的像素定义块等。为了保证显示效果，在层叠方向上(如图1中箭头所示方向)，相邻发光层100中发光单元1000的位置一一对应。可选地，相邻发光层100中发光单元1000在同一平面上的正投影相互重合。而当显示面板10为全彩显示面板时，相邻发光层100
中具有相同颜色的发光单元1000的位置一一对应。
23.进一步，在层叠方向上，与间隔区域1002对应的电荷分离层102的至少一侧表面设置有扩散层104，扩散层104能够与相邻的电荷分离层102发生反应，以降低间隔区域1002位置处电荷分离层102的载流子迁移率，从而降低横向电流产生的概率，降低出现混色异常问题以及关不断异常问题的概率。
24.在一个实施方式中，如图1中所示，扩散层104包括第一子扩散层1040和第二子扩散层1042，且第一子扩散层1040具有还原性，第二子扩散层1042具有氧化性；例如，第一子扩散层1040的材质包括ca、li、mg等中至少一种；第二子扩散层1042的材质包括hatcn、等中至少一种。其中，在层叠方向上，与间隔区域1002对应的电荷分离层102相背设置的表面分别设置有第一子扩散层1040和第二子扩散层1042。
25.一般而言，电荷分离层102内包含具有氧化性的掺杂剂以及具有还原性的掺杂剂，上述第一子扩散层1040所包含的还原性物质以及第二子扩散层1042中所包含的氧化性物质可以与电荷分离层102中的掺杂剂可以相互扩散，并发生氧化还原反应，从而降低电荷分离层102中掺杂剂的浓度，以达到降低对应位置处电荷分离层102的载流子迁移率的目的，从而降低横向电流产生的概率，降低出现混色异常问题以及关不断异常问题的概率。
26.例如，在层叠方向上，电荷分离层102一般包括层叠设置的p型电荷分离层1020和n型电荷分离层1022；具体哪个是p型电荷分离层1020，哪个是n型电荷分离层1022，可以依据显示面板10中阳极106和阴极108的位置决定。例如，在同一电荷分离层102中，p型电荷分离层1020相对n型电荷分离层1022靠近阴极108，n型电荷分离层1022相对p型电荷分离层1020靠近阳极106。
27.其中，p型电荷分离层1020具有氧化性，其一般由主体材料和具有氧化性的掺杂剂形成；例如，p型电荷分离层1020的主体材料可以如下分子式所示：p型电荷分离层1020的掺杂剂可以如下分子式所示：
28.n型电荷分离层1022具有还原性，其一般由主体材料和具有还原性的掺杂剂形成，例如，n型电荷分离层1022的主体材料可以如下分子式所示：n型电荷分离层1022的掺杂剂可以是一些活泼金属，例如，yb或li等。
29.可选地，在本实施例中，扩散层104仅包括第一子扩散层1040，与间隔区域1002对应的p型电荷分离层1020背离n型电荷分离层1022一侧设置有第一子扩散层1040，第一子扩散层1040具有还原性。上述第一子扩散层1040所包含的还原性物质以及p型电荷分离层1020中具有氧化性的掺杂剂可以相互扩散，并发生氧化还原反应，从而降低p型电荷分离层1020中掺杂剂的浓度，以达到降低对应位置处p型电荷分离层1020的载流子迁移率的目的，从而降低横向电流产生的概率，降低出现混色异常问题以及关不断异常问题的概率。
30.另一可选地，在本实施例中，扩散层104仅包括第二子扩散层1042，与间隔区域1002对应的n型电荷分离层1022背离p型电荷分离层1020一侧设置有第二子扩散层1042，第二子扩散层1042具有氧化性。上述第二子扩散层1042所包含的氧化性物质以及n型电荷分离层1022中具有还原性的掺杂剂可以相互扩散，并发生氧化还原反应，从而降低n型电荷分离层1022中掺杂剂的浓度，以达到降低对应位置处n型电荷分离层1022的载流子迁移率的目的，从而降低横向电流产生的概率，降低出现混色异常问题以及关不断异常问题的概率。
31.另一可选地，与间隔区域1002对应的p型电荷分离层1020背离n型电荷分离层1022一侧设置有第一子扩散层1040，第一子扩散层1040具有还原性；且与间隔区域1002对应的n型电荷分离层1022背离p型电荷分离层1020一侧设置有第二子扩散层1042，第二子扩散层1042具有氧化性。具体材质可参见上方描述，在此不再赘述。
32.较佳地，第一子扩散层1040的还原性大于n型电荷分离层1022的还原性，例如，第一子扩散层1040的还原性大于n型电荷分离层1022中掺杂剂的还原性。该设计方式可以使得第一子扩散层1040使对应位置处的p型电荷分离层1020中掺杂剂浓度降低更为明显。
33.同样地，第二子扩散层1042的氧化性大于p型电荷分离层1020的氧化性，例如，第二子扩散层1042的氧化性大于p型电荷分离层1020中掺杂剂的氧化性。该设计方式可以使得第二子扩散层1042使对应位置处的p型电荷分离层1020中掺杂剂浓度降低更为明显。
34.进一步，对于上述实施例中所提及的第一子扩散层1040和第二子扩散层1042)，其厚度不能太厚，这是因为若第一子扩散层1040和第二子扩散层1042的厚度太厚，则有可能会导致第一子扩散层1040或第二子扩散层1042内部出现新的横向电流，进而影响显示效果。当然，其厚度也不能太薄，这是因为若第一子扩散层1040和第二子扩散层1042的厚度太薄，则可能会使得第一子扩散层1040/第二子扩散层1042引入的效果不是很明显。综上考虑，扩散层104的其厚度分别在5a至10a之间，例如，6a、7a、8a、9a等。
35.为了提高第一子扩散层1040与相邻的p型电荷分离层1020之间物质扩散程度，上述第一子扩散层1040与p型电荷分离层1020接触的表面具有第一凹凸结构(图未示)，p型电荷分离层1020与第一子扩散层1040接触的表面具有与第一凹凸结构相匹配的第二凹凸结构。其中，第一凹凸结构和第二凹凸结构相互匹配的意思是指：第一凹凸结构中的凹部与对应位置处的第二凹凸结构的凸部相互嵌合，第一凹凸结构中的凸部与对应位置处的第二凹凸结构的凹部相互嵌合。上述第一凹凸结构和第二凹凸结构的设置方式可以增大第一子扩散层1040与相邻的p型电荷分离层1020之间的接触面积，以增强物质扩散程度，进而达到更大程度的降低间隔区域1002位置处的p型电荷分离层1020的载流子迁移率的目的。另外，对于上述第一凹凸结构或第二凹凸结构的形成方式可以为等离子等方式。
36.类似地，为了提高第二子扩散层1042与相邻的n型电荷分离层1022之间物质扩散程度，第二子扩散层1042与n型电荷分离层1022接触的表面具有第三凹凸结构，n型电荷分离层1022与第二子扩散层1042接触的表面具有与第三凹凸结构相匹配的第四凹凸结构。其中，第三凹凸结构和第四凹凸结构相互匹配的意思是指：第三凹凸结构中的凹部与对应位置处的第四凹凸结构的凸部相互嵌合，第三凹凸结构中的凸部与对应位置处的第四凹凸结构的凹部相互嵌合。上述第三凹凸结构和第四凹凸结构的设置方式可以增大第二子扩散层1042与相邻的n型电荷分离层1022之间的接触面积，以增强物质扩散程度，进而达到更大程度的降低间隔区域1002位置处的n型电荷分离层1022的载流子迁移率的目的。另外，对于上述第三凹凸结构或第四凹凸结构的形成方式可以为等离子等方式。
37.类似地，对于p型电荷分离层1020与n型电荷分离层1022之间，其界面处物质也会相互扩散，进而发生氧化还原反应。为了提高间隔区域1002位置处p型电荷分离层1020与n型电荷分离层1022之间物质扩散程度，与间隔区域1002对应的p型电荷分离层1020与n型电荷分离层1022接触的表面具有第五凹凸结构，与间隔区域1002对应的n型电荷分离层1022与p型电荷分离层1020接触的表面具有与第五凹凸结构相匹配的第六凹凸结构。其中，第五凹凸结构和第六凹凸结构相互匹配的意思是指：第五凹凸结构中的凹部与对应位置处的第六凹凸结构的凸部相互嵌合，第五凹凸结构中的凸部与对应位置处的第六凹凸结构的凹部相互嵌合。上述第五凹凸结构和第六凹凸结构的设置方式可以增大间隔区域1002位置处的p型电荷分离层1020与相邻的n型电荷分离层1022之间的接触面积，以增强物质扩散程度，进而达到更大程度的降低间隔区域1002位置处的p型电荷分离层1020和n型电荷分离层1022的载流子迁移率。另外，对于上述第五凹凸结构或第六凹凸结构的形成方式可以为等离子等方式。
38.另外，还可采用其他方式进一步降低间隔区域1002位置处的p型电荷分离层1020和n型电荷分离层1022内掺杂剂的浓度；例如，与间隔区域1002对应的电荷分离层102的厚度小于其他区域的电荷分离层102的厚度。具体地，与间隔区域1002对应的p型电荷分离层1020的厚度小于其他区域的p型电荷分离层1020的厚度，和/或，与间隔区域1002对应的n型电荷分离层1022的厚度小于其他区域的n型电荷分离层1022的厚度。通过降低间隔区域1002位置处的电荷分离层102的厚度，可以降低间隔区域1002位置处的电荷分离层102中总的掺杂剂的含量，在同等扩散层104设置条件下，上述设计方式可以进一步降低间隔区域1002位置处的电荷分离层102的中掺杂剂的含量，进一步降低其载流子迁移率。
39.当然，在其他实施例中，在层叠方向上，电荷分离层102可以为单层结构，其包括p型半导体掺杂剂(即上述提及的具有氧化性的掺杂剂)和n型半导体掺杂剂(即上述提及的具有还原性的掺杂剂)，且p型半导体掺杂剂和n型半导体掺杂剂均匀混合。此时，与间隔区域1002对应的电荷分离层102一侧设置有第一子扩散层1040，或者，与间隔区域1002对应的电荷分离层102一侧设置有第二子扩散层1042，又或者，与间隔区域1002对应的电荷分离层102相背设置的两侧分别设置有第一子扩散层1040和第二子扩散层1042。具体哪侧设置哪种子扩散层，本技术对此不作限定。
40.请参阅图3，图3为本技术显示装置一实施方式的结构示意图，该显示装置20可以为电视、车载显示器等。该显示装置20可以包括上述任一实施例中所提及的显示面板等。
41.以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。