技术特征：
1.一种硅基晶圆的表面处理装置，其特征在于，包括密闭腔体和连通密闭腔体内部的第一管路以及第二管路，所述密闭腔体还连接有第三管路，所述密闭腔体内设有用于放置硅基晶圆的反应台，所述密闭腔体上设有对应所述反应台的高透光玻璃窗，所述密闭腔体的外部具有能量光源，所述能量光源、高透光玻璃窗和反应台的位置位于同一直线上，且所述能量光源透过所述高透光玻璃窗直射在所述反应台上的硅基晶圆上；所述第一管路连通氮气，所述第二管路连通惰性气体，所述第三管路外接真空泵，所述第一管路上设有第一控制阀，所述第二管路上设有第二控制阀，所述第三管路上设有第三控制阀；所述密闭腔体还外接有用于监测所述密闭腔体内部气压的压力计。2.根据权利要求1所述的表面处理装置，其特征在于，所述密闭腔体内设有屏蔽装置，所述屏蔽装置设置于所述密闭腔体的顶面，所述屏蔽装置不遮挡所述高透光玻璃窗，所述屏蔽装置由陶瓷材料熔射处理而成，所述屏蔽装置具有朝向所述密闭腔体内部的高粗糙度表面层。3.根据权利要求1所述的表面处理装置，其特征在于，所述惰性气体为sf6气体。4.根据权利要求1所述的表面处理装置，其特征在于，所述密闭腔体内包括温度控制机构，所述温度控制机构设置在所述反应台上，所述温度控制机构包括分布在所述反应台下方的水管，所述水管内的温度范围为15～65℃。5.根据权利要求1所述的表面处理装置，其特征在于，所述能量光源为波长范围是600nm～1030nm的激光器。6.根据权利要求1所述的表面处理装置，其特征在于，所述第二管路上设有压力控制器并位于所述第二控制阀的上游处，所述第二管路上还设有第四控制阀，所述第四控制阀位于所述压力控制器的上游处。7.根据权利要求1所述的表面处理装置，其特征在于，所述第一管路、第二管路和第三管路与所述密闭腔体的连接处均设有密封圈。
技术总结
本实用新型公开了一种硅基晶圆的表面处理装置，包括密闭腔体和连通密闭腔体内部的第一管路以及第二管路，所述密闭腔体还连接有第三管路，所述密闭腔体内设有用于放置硅基晶圆的反应台，所述密闭腔体上设有对应所述反应台的高透光玻璃窗，所述密闭腔体的外部具有能量光源；所述第一管路连通氮气，所述第二管路连通惰性气体，所述第三管路外接真空泵，所述第一管路上设有第一控制阀，所述第二管路上设有第二控制阀，所述第三管路上设有第三控制阀；所述密闭腔体还外接有用于监测所述密闭腔体内部气压的压力计。本实用新型通过设置密闭腔体并在密闭腔体内充入反应气体，为硅基晶圆表面处理提供反应环境，保证硅基晶圆的表面处理的稳定性，提高硅基晶圆表面处理工艺效果。提高硅基晶圆表面处理工艺效果。提高硅基晶圆表面处理工艺效果。
技术研发人员：黄鹤 杨霞
受保护的技术使用者：昆山赛米瑟泊电子科技有限公司
技术研发日：2021.03.03
技术公布日：2021/9/24