一种电动汽车用压接式可控硅芯片的制作方法

文档序号:27056588发布日期:2021-10-24 08:24阅读:165来源:国知局
一种电动汽车用压接式可控硅芯片的制作方法

1.本实用新型涉及可控硅芯片技术领域,具体为一种电动汽车用压接式可控硅芯片。


背景技术:

2.可控硅简称scr,是一种大功率电器元件,也称晶闸管,它具有体积小、效率高、寿命长等优点,在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。
3.在生产可控硅的过程中,由于可控硅芯片薄、脆、易碎易变形,因此通常采用烧结工艺将可控硅芯片的阳极面与钼片通过铝箔烧结到一起,并将可控硅芯片的阴极面粘接垫片,但这样的烧结方式会降低成品合格率。


技术实现要素:

4.本实用新型的目的在于提供一种电动汽车用压接式可控硅芯片,以解决上述背景技术中提出的问题。
5.为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种电动汽车用压接式可控硅芯片,包括芯片外壳、可控硅芯片、和保护机构,所述可控硅芯片设置于芯片外壳的内部,所述保护机构固定安装于芯片外壳的顶部。
6.所述芯片外壳由壳体、压接槽、压接块和固定磁块组成,所述壳体固定安装于可控硅芯片的外侧,所述压接槽开设于壳体的上表面,所述压接块固定安装于壳体的底部,所述固定磁块固定安装于壳体的顶部左侧。
7.优选的,所述保护机构的顶部固定安装有硅橡胶,所述硅橡胶的正面顶部开设有通孔,所述壳体的底部固定安装有电极引脚,硅橡胶的正面开设有通孔,在插接芯片时,可以将多个芯片插接在一起,通过通孔进行连接,方便转运。
8.优选的,所述可控硅芯片由n2型硅、p2型硅、n1型硅、p1型硅、阴极、阳极和控制极组成,所述n2型硅固定安装于可控硅芯片的上部,所述p2型硅固定安装于n2型硅的底部,所述n1型硅固定安装于p2型硅的底部,所述p1型硅固定安装于n1型硅底部,所述阴极电性连接于n2型硅的顶部,所述阳极电性连接于p1型硅的底部,所述控制极电性连接于p2型硅的右侧。
9.优选的,所述保护机构由凸台、安装螺栓、轴承座、轴承、转轴和第一磁块组成,所述凸台固定安装于芯片外壳的顶部,所述安装螺栓螺纹连接于凸台的上表面,所述轴承座固定安装于凸台的顶部左右两侧,所述轴承固定安装于轴承座的内部,所述转轴转动连接于轴承座的内部,所述第一磁块设置于转轴的正面。
10.优选的,所述壳体的材质为铝合金,所述压接槽的数量为四个,四个所述压接槽等间距开设于壳体的上表面,所述压接块的数量为四个,四个所述压接块等间距固定安装于壳体的底部,铝合金的材质可以防止漏电,在压接芯片时,将压接块压接于另一块芯片的压
接槽内部,即可使两块芯片连接在一起。
11.优选的,所述n型硅、p型硅、n型硅和p型硅的直径和宽度均相等,所述阴极、阳极和控制极远离可控硅芯片的一端与电极引脚电性连接,芯片通过阴极、阳极和控制极接收和发射信号。
12.优选的,所述安装螺栓的数量为四个,四个所述安装螺栓对称分布于凸台的上表面,所述安装螺栓的底部延伸至硅橡胶的内部,所述转轴的外表面套接有石墨烯层,所述第一磁块与固定磁块靠近的一侧相互吸引,石墨烯既可以增强导电导热性能,还可以防止可控硅芯片受到干扰而误导通。
13.与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
14.1.该电动汽车用压接式可控硅芯片,通过安装有压接块,在压接芯片时,将压接块压接于另一块芯片的压接槽内部,即可使两块芯片连接在一起,且多个压接块和压接槽可以使芯片固定的紧凑,在转运或进行工作的过程中不会移动,通过通孔将多个芯片连接,方便进行转运。
15.2.该电动汽车用压接式可控硅芯片,通过安装有保护机构,在芯片放置不使用时,可以拉动第一磁块,将石墨烯层拉出,使转轴在轴承内部转动,使第一磁块和固定磁块磁性连接,使石墨烯层覆盖在可控硅芯片的顶部,既可以增强导电导热性能,还可以防止可控硅芯片受到干扰而误导通。
附图说明
16.图1为本实用新型的整体结构示意图;
17.图2为本实用新型的芯片外壳结构示意图;
18.图3为本实用新型的可控硅芯片结构示意图;
19.图4为本实用新型的保护机构结构示意图。
20.图中:1、芯片外壳;101、壳体;102、压接槽;103、压接块;104、固定磁块;2、可控硅芯片;201、n2型硅;202、p2型硅;203、n1型硅;204、p1型硅;205、阴极;206、阳极;207、控制极;3、保护机构;301、凸台;302、安装螺栓;303、轴承座;304、轴承;305、转轴;306、第一磁块;4、硅橡胶;5、通孔;6、电极引脚。
具体实施方式
21.下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
22.请参阅图1

4,本实用新型提供一种技术方案:一种电动汽车用压接式可控硅芯片,包括芯片外壳1、可控硅芯片2、和保护机构3,可控硅芯片2设置于芯片外壳1的内部,保护机构3固定安装于芯片外壳1的顶部,保护机构3的顶部固定安装有硅橡胶4,硅橡胶4的正面顶部开设有通孔5,壳体101的底部固定安装有电极引脚6。
23.芯片外壳1由壳体101、压接槽102、压接块103和固定磁块104组成,壳体101固定安装于可控硅芯片2的外侧,压接槽102开设于壳体101的上表面,压接块103固定安装于壳体
101的底部,固定磁块104固定安装于壳体101的顶部左侧,壳体101的材质为铝合金,压接槽102的数量为四个,四个压接槽102等间距开设于壳体101的上表面,压接块103的数量为四个,四个压接块103等间距固定安装于壳体101的底部,在压接可控硅芯片2时,将压接块103压接于另一块可控硅芯片2的压接槽102内部,即可使两块可控硅芯片2连接在一起,且多个压接块103和压接槽102可以使芯片固定的紧凑,在转运或进行工作的过程中不会移动,通过通孔5将多个可控硅芯片2连接,方便进行转运。
24.可控硅芯片2由n2型硅201、p2型硅202、n1型硅203、p1型硅204、阴极205、阳极206和控制极207组成,n2型硅201固定安装于可控硅芯片2的上部,p2型硅202固定安装于n2型硅201的底部,n1型硅203固定安装于p2型硅202的底部,p1型硅204固定安装于n1型硅203底部,阴极205电性连接于n2型硅201的顶部,阳极206电性连接于p1型硅204的底部,控制极207电性连接于p2型硅202的右侧,n2型硅201、p2型硅202、n1型硅203和p1型硅204的直径和宽度均相等,阴极205、阳极206和控制极207远离可控硅芯片2的一端与电极引脚6电性连接。
25.保护机构3由凸台301、安装螺栓302、轴承座303、轴承304、转轴305和第一磁块306组成,凸台301固定安装于芯片外壳1的顶部,安装螺栓302螺纹连接于凸台301的上表面,轴承座303固定安装于凸台301的顶部左右两侧,轴承304固定安装于轴承座303的内部,转轴305转动连接于轴承座303的内部,第一磁块306设置于转轴305的正面,安装螺栓302的数量为四个,四个安装螺栓302对称分布于凸台301的上表面,安装螺栓302的底部延伸至硅橡胶4的内部,转轴305的外表面套接有石墨烯层,第一磁块306与固定磁块104靠近的一侧相互吸引,通过安装有保护机构3,在可控硅芯片2放置不使用时,可以拉动第一磁块306,将石墨烯层拉出,使转轴305在轴承304内部转动,使第一磁块306和固定磁块104磁性连接,使石墨烯层覆盖在可控硅芯片2的顶部,既可以增强导电导热性能,还可以防止可控硅芯片2受到干扰而误导通。
26.在压接可控硅芯片2时,将压接块103压接于另一块可控硅芯片2的压接槽102内部,即可使两块可控硅芯片2连接在一起,且多个压接块103和压接槽102可以使芯片固定的紧凑,在转运或进行工作的过程中不会移动,通过通孔5将多个可控硅芯片2连接,在可控硅芯片2放置不使用时,可以拉动第一磁块306,将石墨烯层拉出,使转轴305在轴承304内部转动,使第一磁块306和固定磁块104磁性连接,使石墨烯层覆盖在可控硅芯片2的顶部,既可以增强导电导热性能,还可以防止可控硅芯片2受到干扰而误导通。
27.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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