一种基于氮化物MicroLED阵列的显示结构的制作方法

一种基于氮化物micro led阵列的显示结构
技术领域
1.本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种基于氮化物micro led阵列的显示结构。


背景技术：

2.现有技术通过横竖方向的光刻，把p型层分割成多个不同像素单元，但整个显示结构共用一个n型。在显示驱动中，常常用到静态扫描方式实现驱动，这样使得每个p型接触端就需要一个通道，导致需要大量的通道或者大量的驱动芯片，增加电路复杂程度；同时也会导致线路数量大，产品设计难度高，无法适用于一些小间距甚至micro led的产品。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种基于氮化物micro led阵列的显示结构，以解决上述技术问题。
4.为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：
5.本实用新型申请提供一种基于氮化物micro led阵列的显示结构，包括：
6.基板；
7.氮化物中间层，设置于所述基板的一面上；
8.第一n型层，设置于所述氮化物中间层上；
9.若干个n型接触端，设置于所述第一n型层上；
10.若干个micro led单元，阵列排布设置于若干个所述n型接触端上，每列所述micro led单元连接共用一个所述n型接触端；
11.若干个隔离栅，设置于若干个所述micro led单元之间，所述隔离栅纵向深度最低至所述第一n型层底部；
12.集成电路，设置于所述基板另一面上。
13.可选地，所述micro led单元还包括：
14.第二n型层；
15.发射层，设置在所述第二n型层上；
16.p型层，设置在所述发射层上；
17.p型接触端，设置在所述p型层上。
18.可选地，所述集成电路是共阴极电路，每列所述micro led单元共用一个所述n型接触端。
19.可选地，所述n型接触端的数量等于所述micro led单元阵列的列数。
20.可选地，所述隔离栅纵向光刻至所述第一n型层与所述氮化物中间层之间，所述隔离栅横向光刻厚度与纵向光刻厚度范围为0.2～0.8μm。
21.可选地，所述隔离栅通过光刻和/腐蚀后注入离子形成。
22.可选地，所述隔离栅横向厚度小于所述隔离栅纵向厚度。
23.可选地，所述基于氮化物micro led单元阵列的显示结构还包括：
24.散热层，所述散热层设置于所述基板和所述氮化物中间层之间。
25.可选地，所述散热层包括石墨烯颗粒、石墨烯薄膜和/或带有圆孔的石墨烯层。
26.可选地，所述带有圆孔的石墨烯层中的圆孔直径范围在100～200μm。
27.由上可知，本实用新型申请通过设计横竖光刻的不同深度，使得本实用新型申请的显示结构每列共用一个n型接触端，而不是整个显示结构共用一个n型接触端。每列共用一个n型接触端，可进行列扫描，减少驱动芯片的使用量；还可以减少线路的使用，降低设计难度，适用于更小间距的产品甚至适用于micro led阵列的显示结构；每列共用一个n型接触端的显示结构相比于整个显示结构共用一个n型接触端，能够驱动更多的micro led单元，提高整个显示结构的工作效率，容错率更高，提高图像的显示质量。
附图说明
28.图1为本实用新型一实施例的一种基于氮化物micro led阵列的显示结构示意图；
29.图2为本实用新型又一实施例的一种基于氮化物micro led阵列的显示结构示意图；
30.图3为本实用新型一实施例的散热层结构示意图；
31.图4为本实用新型一实施例的集成电路示意图。
具体实施方式
32.为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在限制本实用新型。
33.请参阅图1，图1为本实用新型一实施例的一种基于氮化物micro led阵列的显示结构示意图；一种基于氮化物micro led阵列的显示结构，包括：
34.基板1；
35.氮化物中间层2，设置于基板的一面上；
36.第一n型层3，设置于氮化物中间层上；
37.若干个n型接触端6，设置于第一n型层3上；
38.若干个micro led单元12，阵列排布设置于若干个n型接触端4上，每列micro led单元12连接共用一个n型接触端4；
39.若干个隔离栅4、5，设置于若干个micro led单元12之间，隔离栅4、5纵向深度最低至第一n型层3底部；
40.集成电路70(参阅图3)，设置于基板1另一面上。
41.请参阅图1，图2和图4，其中图2为本实用新型申请又一实施例的一种基于氮化物micro led阵列的显示结构，图4为本实用新型一实施例的集成电路示意图，其中每列的micro led单元12共用一个n型接触端。
42.micro led单元12还包括：
43.第二n型层7；
44.发射层8，设置在第二n型层7上；
45.p型层9，设置在发射层8上；
46.p型接触端10，设置在p型层9上。
47.在一些可选的实施例中，集成电路70是共阴极电路，每列micro led单元12共用一个n型接触端6。通过每列micro led单元共用一个n型接触端，使得可进行列扫描驱动整个显示结构，减少驱动芯片的使用。
48.在另一些可选的实施例中，单颗驱动芯片例如如16个脚，如果静态，只能驱动16颗micro led，如果做列扫描方式，比如32扫，就可以驱动16
×
32颗micro led单元。
49.在另一些可选的实施例中，n型接触端6的数量等于所述micro led单元12阵列的列数，隔离栅4、5可以但不局限于通过光刻和/或腐蚀工艺形成，具体而言，可以注入包括但不局限于以下离子：h
+
、he
+
、zn
+
、cr
+
等。
50.请参阅图1和图2，在另一些可选的实施例中，隔离纵向4光刻至所述第一n型层3与氮化物2中间层之间，隔离栅横向5光刻厚度与纵向4光刻厚度均为0.2～0.8μm。具体而言，隔离栅横向5厚度小于隔离栅纵向4厚度；例如可设置隔离栅横向5厚度为0.5μm，设置隔离栅纵向4厚度为0.8μm。通过设置隔离栅横向厚度小于隔离栅纵向厚度，能够使每个micro led单元排列更加紧凑，提高图像的显示质量。
51.请参阅图2，图2为本实用新型又一实施例的一种基于氮化物micro led阵列的显示结构示意图，其中还包括：
52.散热层11，散热层11设置于所述基板1和氮化物中间层2之间。
53.请参阅图3，图3为本实用新型一实施例的散热层结构示意图。在一些可选的实施例中，散热层11包括石墨烯颗粒层110、石墨烯薄膜112和/或带有圆孔13的石墨烯层。具体而言，石墨烯颗粒层110、石墨烯薄膜112和/或带有圆孔13的石墨烯层可以任意组合，例如在石墨烯薄膜112上设置带有圆孔13的石墨烯层111，再在带有圆孔13的石墨烯层111上设置石墨烯颗粒层110。对于带有圆孔13的石墨烯层，其中的圆孔13直径范围在100～200μm，通过设置圆孔直径范围在100～200μm之间，能够使micro led单元工作时产生的热量更加容易散出，延长显示结构工作寿命。其中，micro led单元大小一般在50-100μm之间。
54.本实用新型申请通过对基板上的n型层进行光刻加工，使得该显示结构每列的micro led单元共用一个n型接触端，而不是整个显示结构共用一个n型接触端，可以对整个显示结构逐列进行扫描，减少驱动芯片的使用量，减少线路，降低设计难度，使其适用于小间距产品，特别适用于基于氮化物micro led阵列的显示结构；通过设置隔离栅横向厚度小于所述隔离栅纵向厚度，能够使每个micro led单元排列更加紧凑，提高图像的显示质量；通过在基板与氮化物中间层间加入散热层，能够延长显示结构的工作寿命。
55.本实用新型未尽事宜为公知技术。
56.对于本领域技术人员而言，显然本实用新型实施例不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型实施例的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型实施例。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型实施例的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将
落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化涵括在本实用新型实施例内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，显然“包括”一词不排除其他单元或步骤，单数不排除复数。系统、装置或终端权利要求中陈述的多个单元、模块或装置也可以由同一个单元、模块或装置通过软件或者硬件来实现。第一，第二等词语用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。
57.以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。