一种大束流离子注入机的硅片上料装置的制作方法

1.本实用新型涉及一种大束流离子注入机的硅片上料装置，属于硅片掺杂领域。


背景技术：

2.离子束注入机是半导体器件制造中最关键的掺杂设备之一。离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入机可以满足浅结、低温和精确控制等要求，已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。
3.目前，国内传统的离子注入机，人工将硅片放入离子注入机中，劳动强度大，效率低，不能满足日益增长的半导体掺杂工艺的要求。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种大束流离子注入机的硅片上料装置，以提高工作效率，降低工作人员劳动强度。
5.为解决上述技术问题，本实用新型提供如下技术方案：一种大束流离子注入机的硅片上料装置，用于将硅片放入大束流离子注入机，所述大束流离子注入机具有硅片进出口，所述大束流离子注入机的硅片上料装置包括支架、进出料层、若干暂置层、滑动装置和若干滑动板；进出料层、若干暂置层水平设置于支架中；进出料层与硅片进出口平齐，处于同一高度；硅片置于滑动板上；滑动板置于进出料层或若干暂置层上，进出料层或若干暂置层与滑动板之间设置有滑动装置。
6.进一步地，所述滑动装置包括若干支撑柱和若干滑柱，在进出料层或暂置层的上表面两侧边缘分布两列若干支撑柱，每列支撑柱包括若干互相间隔的支撑柱；支撑柱的侧面水平设置若干滑柱，每个滑柱的高度不同，相邻滑柱之间的高度差大于或等于滑动板两侧边缘的厚度；相同高度的滑柱为同一层；两列支撑柱设置水平滑柱的侧面相对设置，滑动板两侧边缘置于上下两层滑柱之间。
7.进一步地，所述滑动装置包括两个挡板和若干滑柱，在进出料层或暂置层的上表面两侧边缘分别设置两个挡板；挡板的侧面水平设置若干滑柱，若干滑柱呈竖直n列、水平m行分布；相邻行滑柱之间的高度差大于或等于滑动板两侧边缘的厚度；两挡板设置水平滑柱的侧面相对设置，滑动板两侧边缘置于上下两行滑柱之间。
8.进一步地，所述m≥3。
9.进一步地，所述支架底部设置有若干万向轮。
10.进一步地，所述支架上设置有第一加强柱和第二加强柱；第一加强柱竖直地设置在支架背向大束流离子注入机的侧面中部；第二加强柱竖直地设置在支架靠近大束流离子注入机的侧面中部。
11.进一步地，所述滑动板上分布若干凹孔，硅片置于凹孔中。
12.与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：将硅片置于滑动板上；滑动板置于
进出料层或若干暂置层上，进出料层或若干暂置层与滑动板之间设置有滑动装置。因此，能够通过推或拉动滑动板，使滑动板进出大束流离子注入机，避免了人工搬运，降低了劳动强度，提高了效率，具有显著的进步。
13.上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
14.图1为本实用新型一实施例所示的结构示意图；
15.图2为图1中大束流离子注入机的硅片上料装置；
16.图3为图1中大束流离子注入机的硅片上料装置的分解结构示意图；
17.图4为图3中圈a局部结构放大图。
18.图中：1、大束流离子注入机；2、大束流离子注入机的硅片上料装置；11、硅片进出口；21、第一加强柱；22、第二加强柱；23、滑动板；24、支架；25、万向轮；26、挡板；27、支撑柱；28、滑柱；231、凹孔。
具体实施方式
19.下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
20.请参见图1
‑
4所示，本实用新型一较佳实施例所示的一种大束流离子注入机的硅片上料装置2，用于将硅片放入大束流离子注入机1，所述大束流离子注入机1具有硅片进出口3，所述大束流离子注入机的硅片上料装置2包括支架24、进出料层、若干暂置层、滑动装置和若干滑动板23；进出料层、若干暂置层水平设置于支架24中；进出料层与硅片进出口3平齐，处于同一高度；硅片置于滑动板23上；滑动板23置于进出料层或若干暂置层上，进出料层或若干暂置层与滑动板23之间设置有滑动装置。
21.将硅片置于滑动板23上；滑动板23置于进出料层或若干暂置层上，进出料层或若干暂置层与滑动板23之间设置有滑动装置。因此，能够通过推或拉动滑动板23，使滑动板23进出大束流离子注入机1，避免了人工搬运，降低了劳动强度，提高了效率，具有显著的进步。
22.进一步地，所述滑动装置包括若干支撑柱27和若干滑柱28，在进出料层或暂置层的上表面两侧边缘分布两列若干支撑柱27，每列支撑柱27包括若干互相间隔的支撑柱27；支撑柱27的侧面水平设置若干滑柱28，每个滑柱28的高度不同，相邻滑柱28之间的高度差大于或等于滑动板23两侧边缘的厚度；相同高度的滑柱28为同一层；两列支撑柱27设置水平滑柱28的侧面相对设置，滑动板23两侧边缘置于上下两层滑柱28之间。
23.本实用新型还提供了另一种实施方式，所述滑动装置包括两个挡板26和若干滑柱28，在进出料层或暂置层的上表面两侧边缘分别设置两个挡板26；挡板26的侧面水平设置若干滑柱28，若干滑柱28呈竖直n列、水平m行分布；相邻行滑柱28之间的高度差大于或等于
滑动板23两侧边缘的厚度；两挡板26设置水平滑柱28的侧面相对设置，滑动板23两侧边缘置于上下两行滑柱28之间。
24.进一步地，所述m≥3。滑动板23的数量为3层以上，使用效果最佳。
25.进一步地，所述支架24底部设置有若干万向轮25。当需要运输硅片时，可以推动大束流离子注入机的硅片上料装置2，通过万向轮25运输到另一个地方。
26.进一步地，所述支架24上设置有第一加强柱21和第二加强柱22；第一加强柱21竖直地设置在支架24背向大束流离子注入机的侧面中部；第二加强柱22竖直地设置在支架24靠近大束流离子注入机的侧面中部。第一加强柱21、第二加强柱22是支架24的结构更加牢固。
27.进一步地，所述滑动板23上分布若干凹孔231，硅片置于凹孔231中。
28.本实用新型的使用方法为：将硅片置于凹孔231中，进出料层与硅片进出口3对齐，推动进出料层上的滑动板23，使滑动板23在滑柱28上滑动，进入硅片进出口3，然后进行离子注入操作。当离子注入结束后，从硅片进出口3向外拉出滑动板23，滑动板23在滑柱28上滑动，直至滑动板23完全进入进出料层停止。由于滑柱28分为多层，若干滑动板23可平行地在进出料层滑动，提高了效率。当进出料层堆积满后，人工将进出料层上的滑动板23取出，放入暂置层中，暂置层与硅片进出口3互相错开，处于不同水平面，充分利用了支架24的空间。有利于硅片的运输。
29.以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。