晶圆键合设备的制作方法

1.本实用新型总体上涉及半导体技术领域，以及更具体地，涉及一种用于提高晶圆键合强度的晶圆键合设备。


背景技术：

2.晶圆键合是将半导体晶圆在不使用粘结剂的情况下结合在一起的技术。晶圆和晶圆之间的直接键合，是利用两晶圆表面的原子键合力，经过处理使两晶圆表面原子反应产生共价键合，以实现期望的连接强度。利用晶圆键合技术，可以将两个或多个功能相同或不同的芯片单独制作并且之后键合到一起，这提供了更多的设计自由度，提高集成度，并且减小芯片之间的互连，从而减少功耗和延迟。
3.晶圆的键合通过键合设备来进行，如果键合强度不够，将导致键合的晶圆脱落。因此，提供能够提高晶圆键合强度的键合设备是业内亟待解决的技术问题。


技术实现要素：

4.本实用新型提供了一种能够提高晶圆键合强度的晶圆键合设备。利用该设备，在等离子体腔中生成等离子体的同时，引入等离子体腔中的水汽被电离，从而在待键合的晶圆表面形成大量的硅羟基键，进而使得晶圆的键合强度能够大大提高。另外，由于无需在对待键合的晶圆表面进行激活处理之后再进行亲水处理，所以根据本实用新型的晶圆键合设备的键合时间也显著减少。
5.根据本实用新型的实施例，提供了一种晶圆键合设备，包括用于对待键合晶圆的表面进行激活处理的等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括：等离子体腔；等离子体生成气体管道，与所述等离子体腔连接；水汽管道，与所述等离子体腔连接；位于所述等离子体腔内的电极，所述电极用于使等离子体生成气体生成等离子体以对待键合的晶圆的表面进行激活处理；设置在所述水汽管道上的第一阀门；所述第一阀门被配置为在所述电极通电之前开启以在所述生成等离子体之前通过所述水汽管道向所述等离子体腔中引入水汽；或者；所述第一阀门被配置为在所述电极通电过程中开启以在所述生成等离子体的同时通过所述水汽管道向所述等离子体腔中引入水汽。
6.在一些实施例中，所述水汽管道包括分离设置的载体气体管道、载体气体加湿管道；所述载体气体管道的一端用于与储水罐连接，所述载体气体加湿管道的一端用于与所述储水罐连接、另一端与所述等离子体腔连接。
7.在一些实施例中，所述第一阀门设置在所述载体气体管道或载体气体加湿管道上。
8.在一些实施例中，所述载体气体管道与载体气体加湿管道构造相同。
9.在一些实施例中，所述晶圆键合设备还包括：储水罐，所述载体气体管道的一端与所述储水罐连接，所述载体气体加湿管道的一端与所述储水罐连接。
10.在一些实施例中，所述晶圆键合设备还包括处理器，所述处理器被配置为：在所述
等离子体处理装置进行所述激活处理之前输出通电信号以使所述电极通电，以及在输出所述通电信号之前或输出所述通电信号的过程中输出第一开启信号；所述第一阀门接收到所述第一开启信号后开启以向所述等离子体腔中引入水汽。
11.在一些实施例中，所述晶圆键合设备还包括设置在所述等离子体生成气体管道上的第二阀门；所述处理器被配置为：在输出所述通电信号之前输出第二开启信号；所述第二阀门接收到所述第二开启信号后开启以向所述等离子体腔中引入等离子体生成气体。
12.在一些实施例中，所述处理器被配置为：在输出所述第二开启信号后、输出所述通电信号前，输出所述第一开启信号。
13.在一些实施例中，所述等离子体生成气体管道包括氮气管道、氧气管道。
14.在一些实施例中，所述晶圆键合设备还包括：第一传输装置，包括第一传输腔和位于所述第一传输腔内的第一机械手臂，所述第一机械手臂用于传输待键合晶圆，所述第一传输腔与等离子体腔连接；第一开合门，设置在所述第一传输腔的腔壁上，并被配置为在打开时将所述第一传输腔的腔室和所述等离子体腔的腔室连通、在闭合时将所述第一传输腔的腔室和所述等离子体腔的腔室隔绝。
15.在一些实施例中，所述晶圆键合设备还包括：压力转换装置，包括压力转换腔和位于所述压力转换腔内的压力控制部件，所述压力控制部件用于调节所述压力转换腔内的气压，所述压力转换腔与所述第一传输腔连接；第二开合门，设置在所述压力转换腔的腔壁上，并被配置为在打开时将所述第一传输腔的腔室和所述压力转换腔的腔室连通、在闭合时将所述第一传输腔的腔室和所述压力转换腔的腔室隔绝。
16.在一些实施例中，所述晶圆键合设备还包括：第二传输装置，包括第二传输腔和位于所述第二传输腔内的第二机械手臂，所述第二传输腔设置有供待键合晶圆进出的开口，所述第二机械手臂用于传输待键合晶圆，所述第二传输腔与所述压力转换腔连接；第三开合门，设置在所述第二传输腔的腔壁上，并被配置为在打开时将所述第二传输腔的腔室和所述压力转换腔的腔室连通、在闭合时将所述第二传输腔的腔室和所述压力转换腔的腔室隔绝。
17.在一些实施例中，所述晶圆键合设备还包括：清洗装置，包括清洗腔和位于所述清洗腔内的清洗部件，所述清洗腔与所述第二传输腔连接；第四开合门，设置在所述清洗腔的腔壁上，并被配置为在打开时将所述第二传输腔的腔室和所述清洗腔的腔室连通、在闭合时将所述第二传输腔的腔室和所述清洗腔的腔室隔绝。
18.在一些实施例中，所述晶圆键合设备还包括：键合装置，包括键合腔和位于所述键合腔内的键合部件，所述键合腔与所述第二传输腔连接；第五开合门，设置在所述键合腔的腔壁上，并被配置为在打开时将所述第二传输腔的腔室和所述键合腔的腔室连通、在闭合时将所述第二传输腔的腔室和所述键合腔的腔室隔绝。
19.根据本实用新型的实施例，提供了一种晶圆键合设备，包括用于对待键合晶圆的表面进行激活处理的等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括：等离子体腔；等离子体生成气体管道，与所述等离子体腔连接；水汽管道，与所述等离子体腔连接；位于所述等离子体腔内的电极，所述电极被配置为：在通过所述水汽管道向所述等离子体腔引入水汽后通电以生成对待键合晶圆的表面进行激活处理的等离子体，或者在通过所述水汽管道向所述等离子体腔引入水汽之前通电以生成对待键合晶圆的表面进行激活处理的等离子体。
20.在一些实施例中，所述水汽管道包括分离设置的载体气体管道、载体气体加湿管道；所述载体气体管道的一端用于与储水罐连接，所述载体气体加湿管道的一端用于与所述储水罐连接、另一端与所述等离子体腔连接。
21.在一些实施例中，所述晶圆键合设备还包括：储水罐，所述载体气体管道的一端与所述储水罐连接，所述载体气体加湿管道的一端与所述储水罐连接。
22.在一些实施例中，所述晶圆键合设备还包括处理器，所述处理器被配置为：在所述等离子体处理装置进行所述激活处理之前输出通电信号以使所述电极通电，以及在输出所述通电信号之前或输出所述通电信号的过程中控制所述水汽管道与所述等离子体腔连通以引入水汽。
23.在一些实施例中，所述等离子体生成气体管道包括氮气管道、氧气管道。
24.在一些实施例中，所述晶圆键合设备还包括：第一传输装置，包括第一传输腔和位于所述第一传输腔内的第一机械手臂，所述第一机械手臂用于传输待键合晶圆，所述第一传输腔与所述等离子体腔连接；第一开合门，设置在所述第一传输腔的腔壁上，并被配置为在打开时将所述第一传输腔的腔室和所述等离子体腔的腔室连通、在闭合时将所述第一传输腔的腔室和所述等离子体腔的腔室隔绝。
25.在一些实施例中，所述晶圆键合设备还包括：压力转换装置，包括压力转换腔和位于所述压力转换腔内的压力控制部件，所述压力控制部件用于调节所述压力转换腔内的气压，所述压力转换腔与所述第一传输腔连接；第二开合门，设置在所述压力转换腔的腔壁上，并被配置为在打开时将所述第一传输腔的腔室和所述压力转换腔的腔室连通、在闭合时将所述第一传输腔的腔室和所述压力转换腔的腔室隔绝。
26.在一些实施例中，所述晶圆键合设备还包括：第二传输装置，包括第二传输腔和位于所述第二传输腔内的第二机械手臂，所述第二传输腔设置有供待键合晶圆进出的开口，所述第二机械手臂用于传输待键合晶圆，所述第二传输腔与所述压力转换腔连接；第三开合门，设置在所述第二传输腔的腔壁上，并被配置为在打开时将所述第二传输腔的腔室和所述压力转换腔的腔室连通、在闭合时将所述第二传输腔的腔室和所述压力转换腔的腔室隔绝。
27.在一些实施例中，所述晶圆键合设备还包括：清洗装置，包括清洗腔和位于所述清洗腔内的清洗部件，所述清洗腔与所述第二传输腔连接；第四开合门，设置在所述清洗腔的腔壁上，并被配置为在打开时将所述第二传输腔的腔室和所述清洗腔的腔室连通、在闭合时将所述第二传输腔的腔室和所述清洗腔的腔室隔绝。
28.在一些实施例中，所述晶圆键合设备还包括：键合装置，包括键合腔和位于所述键合腔内的键合部件，所述键合腔与所述第二传输腔连接；第五开合门，设置在所述键合腔的腔壁上，并被配置为在打开时将所述第二传输腔的腔室和所述键合腔的腔室连通、在闭合时将所述第二传输腔的腔室和所述键合腔的腔室隔绝。
附图说明
29.附图被并入本文并形成说明书的一部分，例示了本实用新型的实施例并与说明书一起进一步用以解释本实用新型的原理，并使相关领域的技术人员能够做出和使用本实用新型。
30.图1示出了根据本实用新型实施例的晶圆键合设备的示意图；以及
31.图2示出了根据本实用新型实施例向等离子体处理装置引入水汽的示意图。
32.将参考附图描述各实施例。
具体实施方式
33.现在将参考示例实施方式讨论本文描述的主题。应该理解，讨论这些实施方式只是为了使得本领域技术人员能够更好地理解从而实现本文描述的主题，并非是对权利要求书中所阐述的保护范围、适用性或者示例的限制。可以在不脱离本说明书内容的保护范围的情况下，对所讨论的元素的功能和排列进行改变。各个示例可以根据需要，省略、替代或者添加各种过程或组件。另外，相对一些示例所描述的特征在其它例子中也可以进行组合。
34.要指出的是，在说明书中提到“一个实施例”、“实施例”、“一些实施例”等表示所述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但未必每个实施例都包括该特定特征、结构或特性。此外，这样的措辞用语未必是指相同的实施例。另外，在结合实施例描述特定的特征、结构或特性时，结合明确或未明确描述的其它实施例实现此类特征、结构或特性应在相关领域技术人员的知识范围之内。
35.现在将结合附图来描述根据本实用新型实施例的晶圆键合设备。
36.图1示出了根据本实用新型实施例的晶圆键合设备100的示意图。如图1中所示，晶圆键合设备100包括等离子体处理装置110、第一传输装置120、压力转换装置130、第二传输装置140、清洗装置150和键合装置160。
37.根据本实用新型实施例的晶圆键合设备100可以键合一对si晶圆。例如，根据本实用新型实施例的晶圆键合设备100可以用于3d nand存储器的制造中。在这种情况下，所述一对晶圆分别为包括存储单元阵列和外围电路阵列中的一个的第一晶圆以及包括存储单元阵列和外围电路阵列中的另一个的第二晶圆。对本领域技术人员显而易见的是，本实用新型不以此为限，例如，根据本实用新型实施例的晶圆键合设备100也可以用于微机电系统(mems)封装和多功能芯片集成等领域。另外，对于本领域技术人员显而易见的是，在利用根据本实用新型实施例的晶圆键合设备100对两晶圆进行键合之后还可以将结合的两晶圆与其他晶圆继续进行键合。
38.等离子体处理装置110用于对待键合晶圆进行激活处理。图2示出了根据本实用新型实施例向等离子体处理装置110引入水汽的示意图。如图2中所示，根据本实用新型的晶圆键合设备100的等离子体处理装置110包括：等离子体腔210、等离子体生成气体管道220、水汽管道230、电极240和阀门250、260。与现有晶圆键合设备不同的是，根据本实用新型的晶圆键合设备100在等离子体腔210中生成等离子体的同时，向等离子体腔210中引入水汽，从而能够在待键合的晶圆表面形成大量的硅羟基键。
39.通过等离子体生成气体管道220向等离子体腔210通入等离子体生成气体。用于向等离子体腔210通入等离子体生成气体的等离子体生成气体管道220可以为一个或多个，以向等离子体腔210通入一种或多种不同的等离子体生成气体。如图2中所示，用于向等离子体腔210通入等离子体生成气体的等离子体生成气体管道220可以为三个，以分别向等离子体腔210通入n2、o2以及其他气体。对本领域技术人员显而易见的是，本实用新型不以此为限。
40.水汽管道230与等离子体腔210连接，用于向等离子体腔210引入水汽。如图2中所示，水汽管道230可以包括分离设置的载体气体管道2301和载体气体加湿管道2302。载体气体管道2301的一端与储水罐连接。载体气体加湿管道2302的一端与储水罐连接，另一端与等离子体腔210连接。如图2中所示，将载体气体通入水溶液的载体气体管道2301进入到储水罐的水溶液中，但是将载体气体通入水溶液的载体气体管道2301也可以未进入储水罐的水溶液中。另外，如图2中所示，载体气体管道2301和载体气体加湿管道2302的构造完全相同，但是对于本领域技术人员显而易见的是，载体气体管道2301和载体气体加湿管道2302的构造可以不同。
41.在一个实施例中，通入水汽管道230中的载体气体可以为惰性气体。在另一实施例中，通入水汽管道230中的载体气体可以为能够生成等离子体的气体，例如载体气体可以为氮气、氧气和氩气中的一种或多种，例如可以为氮气。对本领域技术人员显而易见的是，本实用新型不以此为限。
42.在图2所示的等离子体处理装置110中，通过加湿载体气体将水汽引入等离子体腔210中。对于本领域技术人员来说，可以通过其他各种方式向等离子体腔210中引入水汽，例如可以直接向等离子体腔210中引入水蒸气。
43.电极240位于等离子体腔210中，在通过等离子体生成气体管道220向等离子体腔210中通入等离子体生成气体之后，一旦电极240通电，通入等离子体腔210中的等离子体生成气体生成等离子体，从而对待键合的晶圆表面进行激活处理。电极240可以在通过水汽管道230向等离子体腔210引入水汽后通电以生成对待键合晶圆的表面进行激活处理的等离子体，例如假设水汽管道230在t时刻引入水汽，则电极240的通电时间晚于t时刻；或者电极240可以在通过水汽管道230向等离子体腔210引入水汽之前通电以生成对待键合晶圆的表面进行激活处理的等离子体。
44.阀门250设置在水汽管道230上，例如可以设置在载体气体管道2301或者载体气体加湿管道2302上。可以通过控制阀门250的开启和关闭时间、载体气体的流速来控制引入至等离子体腔210中的水汽的量。阀门250可以被配置为在电极240通电之前开启以在生成等离子体之前通过水汽管道230向等离子体腔210中引入水汽，例如假设电极240在t时刻通电，则阀门250的开启时间早于t时刻；或者阀门250可以在电极240通电过程中开启以在生成等离子体的同时通过水汽管道230向等离子体腔210中引入水汽。
45.在一个实施例中，水汽可以是水汽管道230在生成等离子体之前引入等离子体腔210中的。例如，在等离子体生成气体管道220向等离子体腔210通入用于形成等离子体的气体之后并且在将等离子体腔210内的电极240通电之前引入的。在这种情况下，水汽管道230引入水汽可以周期性进行，例如每隔2小时提供一次水汽，每次持续10分钟，以使得等离子体腔210中总是存在大量的水汽。对本领域技术人员显而易见的是，本实用新型不以此为限，例如可以通过监控等离子体腔210内的湿度来调整提供水汽的时间。
46.在另一实施例中，水汽可以是在电极240通电过程中引入等离子体腔中的。例如，在电极240通电的时间段t(1)-t(6)中，水汽可以是水汽管道230在时间段t(1)-t(2)，或t(3)-t(4)，或t(4)-t(6)，或t(1)-t(6)(t(i+1)的时刻迟于t(i)，i＝1，2，3，4，5)引入的。对本领域技术人员显而易见的是，本实用新型不以此为限，例如，可以在电极240通电之前以及在电极240通电过程中都引入水汽。
47.阀门250的开启和关闭可以通过处理器(未示出)来控制。例如处理器可以被配置为：在等离子体处理装置110进行激活处理之前输出通电信号以使电极240通电，以及在输出所述通电信号之前或输出所述通电信号的过程中输出第一开启信号。阀门250接收到所述第一开启信号后开启以向等离子体腔210中引入水汽。
48.阀门260设置在等离子体生成气体管道220上。与阀门250一样，阀门260的开启和关闭可以通过处理器来控制。例如处理器可以在输出使电极240通电的通电信号之前输出第二开启信号，阀门260接收到所述第二开启信号后开启以通过等离子体生成气体管道220向等离子体腔210引入等离子体生成气体。
49.等离子体处理装置110可以利用等离子体腔210中生成的等离子体对送入等离子体腔210中的si晶圆表面进行激活处理以形成si-悬挂键。在一个实施例中，si晶圆表面的待结合表面形成有氧化硅层，进行所述激活处理时，等离子体对氧化硅层进行轰击，打断氧化硅层中的si-o键，从而形成si-悬挂键。
50.根据本实用新型实施例的晶圆键合设备100在生成等离子体之前或者在生成等离子体的同时将气态的水汽引入等离子腔210中。如此一来，在将等离子体腔210内的电极240通电以在等离子体腔210中生成等离子体的同时，引入的水汽会被电离，形成大量的羟基并且能与待键合的晶圆表面的si-悬挂键更好地结合，进而经等离子体激活处理的晶圆表面的si-悬挂键与水汽被电离后形成的羟基在待键合的晶圆表面结合形成更多的硅羟基键，提升了晶圆键合强度，化学反应式可以表示为：
51.si+h2o
→
si-oh+h252.第一传输装置120包括第一传输腔和位于所述第一传输腔内的第一机械手臂1201。第一机械手臂1201用于传输待键合晶圆，第一传输腔与等离子体腔210连接。第一传输腔的腔壁上设置有开合门1202，开合门1202可以被设置为在打开时将第一传输腔的腔室和等离子体腔210的腔室连通、在闭合时将第一传输腔的腔室和等离子体腔210的腔室隔绝。
53.压力转换装置130包括压力转换腔和位于所述压力转换腔内的压力控制部件，压力控制部件用于调节所述压力转换腔内的气压，所述压力转换腔与第一传输装置120的第一传输腔连接。压力转换腔的腔壁上设置有开合门1301，其被配置为在打开时将第一传输装置120的第一传输腔的腔室和压力转换腔的腔室连通、在闭合时将第一传输装置120的第一传输腔的腔室和压力转换腔的腔室隔绝。
54.第二传输装置140包括第二传输腔和位于所述第二传输腔内的第二机械手臂1401，第二传输腔设置有供待键合晶圆进出的开口1402，第二机械手臂1401用于传输待键合晶圆，第二传输腔与压力转换装置的压力转换腔连接。第二传输腔的腔壁上设置有开合门1403，其被配置为在打开时将第二传输腔的腔室和压力转换腔的腔室连通、在闭合时将第二传输腔的腔室和压力转换腔的腔室隔绝。
55.清洗装置150包括清洗腔和位于所述清洗腔内的清洗部件，所述清洗腔与第二传输装置140的第二传输腔连接。所述清洗腔的腔壁上设置有开合门1501，其被配置为在打开时将第二传输腔的腔室和清洗腔的腔室连通、在闭合时将第二传输腔的腔室和清洗腔的腔室隔绝。清洗装置150可以被配置为在对待键合的晶圆的表面进行激活处理之前对待键合的晶圆表面进行清洗处理，以提高晶圆待键合表面的平整度和清洁度，从而有利于提高键
合强度并且减少键合缺陷。清洗装置150还可以被配置为在激活处理之后、将待键合的晶圆结合之前对待键合的晶圆的表面进行清洗处理，以去除待键合晶圆表面的微尘。在一个实施例中，清洗装置150可以利用去离子水对待键合的晶圆表面进行清洗处理。对本领域技术人员显而易见的是，本实用新型不以此为限，例如也可以通过干法(高速气体)对待键合的晶圆表面进行清洗处理。
56.键合装置160包括键合腔和位于键合腔内的键合部件，键合腔与第二传输装置140的第二传输腔连接。键合腔的腔壁上设置有开合门1601，其被配置为在打开时将第二传输腔的腔室和键合腔的腔室连通、在闭合时将第二传输腔的腔室和键合腔的腔室隔绝。
57.键合装置160可以被配置为将激活处理后的晶圆的表面结合。通过施加一定压力，使经激活处理后的两晶圆紧密接触，依靠化学键的作用，使得硅羟基键之间进行脱水处理，形成si-o-si键，进而实现原子尺度的结合，化学反应式可以表示为：
58.si-oh+ho-si
→
sio2+h2o
59.利用键合装置160，可以将激活处理后的晶圆进行键合，在这之后，可以将键合的晶圆传输至退火设备(未示出)进行退火处理，经过退火处理后的键合晶圆能够进一步提高键合强度。
60.在一个实施例中，退火处理的温度可以为100-400℃，时间为1-5小时，在大气或氮气氛围常压下进行。对本领域技术人员显而易见的是，本实用新型不以此为限。
61.在一个实施例中，开合门1202、1301、1403、1501、1601以及第一机械手臂1201、第二机械手臂1401的运作可以通过同一处理器来控制，例如通过与控制阀门250、260开启和关闭的处理器来控制。对于本领域技术人员显而易见的是，控制开合门1202、1301、1403、1501、1601以及第一机械手臂1201、第二机械手臂1401的运作的处理器与控制阀门250、260开启和关闭的处理器可以是不同的处理器。
62.根据本实用新型的晶圆键合设备100对晶圆进行键合过程如下：待键合晶圆通过第二传输装置140的机械手臂1401送入清洗装置150中进行清洗；调节压力转换装置130腔内的气压使其等于大气压，打开压力转换装置130左侧的开合门1403，通过第二传输装置140的机械手臂1401将待键合晶圆送入压力转换装置130，然后关闭压力转换装置130左侧的开合门1403；调节压力转换装置130腔内的压力使其等于第一传输装置120的腔压力(接近真空状态)；打开压力转换装置130右侧的开合门1301，第一传输装置120的机械手臂1201将待键合晶圆送入等离子体处理装置110进行激活处理；激活处理后，将待键合晶圆依次经由第一传输腔、压力转换腔、第二传输腔送入清洗装置150进行清洗；清洗后，通过第二传输装置140的机械手臂1401将待键合晶圆送入键合装置160中进行键合；键合后，晶圆被送入退火设备(图1中未示出)中进行退火处理。
63.根据本实用新型实施例的晶圆键合设备100包括第一传输装置120和压力转换装置130，利用压力转换装置130，可以先将压力转换腔的压力调节为接近真空状态，再将待键合晶圆传输至第一传输装置120和等离子体腔210。因此，无需在等离子体处理装置110对待键合晶圆进行激活处理之前反复调节等离子体腔210内的气压，提高晶圆键合效率。另外，晶圆上的杂质将停留在第一传输腔内，不会进入等离子体腔210内，从而使得等离子体腔210更洁净。
64.根据本实用新型实施例的晶圆键合设备100通过水汽管道230在生成等离子体之
前或者在生成等离子体的同时将气态的水汽引入等离子体腔210中，在将等离子体腔210内的电极240通电以在等离子体腔210中生成等离子体的同时，引入的水汽会被电离，形成大量的羟基并且能与晶圆表面的si-悬挂键更好的结合，进而经等离子体激活处理的晶圆表面的si-悬挂键与水汽被电离后形成的羟基在待键合的晶圆表面结合形成更多的硅羟基键，提升了晶圆键合强度。另外，由于无需在对待键合的晶圆表面进行激活处理之后再利用亲水剂进行亲水处理，所以根据本实用新型的晶圆键合设备100的键合时间也显著减少。
65.本实用新型的上述描述被提供来使得本领域任何普通技术人员能够实现或者使用本公开内容。对于本领域普通技术人员来说，对本实用新型进行的各种修改是显而易见的，并且，也可以在不脱离本实用新型的保护范围的情况下，可以将本实用新型所定义的一般性原理应用于其它变型。因此，本实用新型并不限于本文所描述的示例和设计，而是与符合本文公开的原理和新颖性特征的最广范围相一致。