一种具有多光源区的激光芯片的制作方法

文档序号:27595784发布日期:2021-11-25 13:29阅读:116来源:国知局
一种具有多光源区的激光芯片的制作方法

1.本实用新型涉及激光器领域,尤其涉及一种具有多光源区的激光芯片。


背景技术:

2.激光器是一种能发射激光的装置,其常见的半导体激光器由于具有体积小、重量轻、效率高、寿命长等优势在工业加工、军事、医疗、安防等领域中得到广泛地应用。
3.目前激光器的激光芯片都只有一个光源区,随着市场对高功率光纤耦合半导体激光器的需求日益增加,通过单光源区的激光芯片很难实现激光器的功率大幅增加,激光器的功率越高,激光芯片的发光区中心温度也会急剧增加,这就会影响激光器功率的提升,甚至因为高温会烧坏激光芯片。


技术实现要素:

4.本实用新型的目的是提供一种具有多光源区的激光芯片,能够有效减少每个光源区工作时的中心温度,有利于实现激光器的功率增大。
5.本实用新型所提供的技术方案为:一种具有多光源区的激光芯片,所述激光芯片包括至少两光源区,所述光源区设于所述激光芯片的同侧或两相对侧上,任意两所述光源区之间均设有用于隔热的开口区。
6.进一步地,所述激光芯片的同侧设有两光源区,两所述光源区之间设有第一开口区。
7.进一步地,所述激光芯片的相对侧上分别设于设有一所述光源区,两所述光源区之间设有第二开口区。
8.进一步地,所述激光芯片的上侧设有第一光源区和第二光源区,所述第一光源区和所述第二光源区之间设有缺口设置的第三开口区,所述第三开口区的缺口端位于上侧的边线上,所述激光芯片的下侧设有第三光源区和第四光源区,所述第三光源区和所述第四光源区之间设有缺口设置的第四开口区,所述第四开口区的缺口端位于下侧的边线上,所述第一光源区与所述第三光源区位置相对应,所述第二光源区与所述第四光源区位置相对应,所述激光芯片中部设有用于对四所述光源区进行隔热的第五开口区。
9.进一步地,所述第五开口区为全封闭式设置。
10.进一步地,所述第五开口区为缺口设置,所述缺口端位于所述激光芯片的左侧边线上或右侧边线上。
11.进一步地,所述五开口区包括第一缺口和第二缺口,所述第一缺口设于所述第一光源区与所述第三光源区之间,所述第一缺口的缺口端位于所述激光芯片的左侧边线上,所述第二缺口设于所述第二光源区与所述第四光源区之间,所述第二缺口的缺口端位于所述激光芯片的右侧边线上。
12.进一步地,所述开口区内设有隔热材料层。
13.进一步地,所述隔热材料层的热导率小于1.0w/mk。
14.本实用新型的有益效果在于:通过在激光器同侧或相对侧上设置至少两光源区,且任意两光源区之间均通过开口区进行隔热,本实用新型所提供的技术方案相比单光源区的激光芯片,每个光源区工作时的中心温度得到有效降低,这样有利于实现激光器的功率增大,减少每个光源区的发热量,延长了激光芯片的使用寿命。
附图说明
15.图1是本实用新型实施例一的结构示意图。
16.图2是本实用新型实施例二的结构示意图。
17.图3是本实用新型实施例三的结构示意图。
18.图4是本实用新型实施例四的结构示意图。
19.图5是本实用新型实施例五的结构示意图。
20.图6是本实用新型实施例六的结构示意图。
21.图7是本实用新型实施例七的结构示意图。
22.图中,
23.100、光源区;110、第一光源区;120、第二光源区;130、第三光源区;140、第四光源区;
24.200、第一开口区;
25.300、第二开口区;
26.400、第三开口区;
27.500、第四开口区;
28.600、第五开口区;610、第一缺口;620、第二缺口。
具体实施方式
29.为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型一种直冷式块冰机自动推冰装置进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
30.在本实用新型的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上;术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
31.实施例一
32.该激光芯片的安装在激光器外壳的上侧或下侧,请参见图1,该激光芯片只有一侧发射激光,该发射激光的一侧设有两个光源区100,两个光源区100之间设置了的第一开口区200,该第一开口区200缺口设置,缺口端位于两个光源区100的同侧。
33.该光源区100发射激光的原理是对激光芯片通电,原子中的电子吸收能量后从低能级跃迁到高能级,再从高能级回落到低能级的时候,所释放的能量以光子的形式放出形
成激光。
34.在本实施例中第一开口区200的形状在此不做限制,例如矩形、“u”形、圆弧形等。
35.缺口端也可以位于和两个光源区100相对的另一侧上,隔热效果差于缺口端位于两个光源区100的同侧的装配方式。
36.设在同侧的光源区100不局限于两个,也可以设置更多个数,只是说随着光源区100数量的增加,激光芯片的加工工艺难度也会提升,综合成本和产品良率考虑,同侧设置两个光源区100最佳。
37.实施例二
38.该激光芯片的安装在激光器外壳中部,请参见图2,该激光芯片的上下两侧上都可以发射激光,在激光器的上侧设置有一光源区100,在激光器的下侧设置也设置有一光源区100,两光源区100位置相对应,在两光源区100之间设有全封闭式的第二开口区300,该第二开口区300水平设置。
39.实施例三
40.请参见图3,与实施例二的的区别在于第二开口区300是缺口设置,该第二开口区300的缺口端位于激光芯片的左侧边线上或右侧边线上,图3是缺口端位于激光芯片的左侧边线上的情况。
41.实施例四
42.该激光芯片的安装在激光器外壳中部,请参见图4,该激光芯片的上下两侧上都可以发射激光,在激光器的上侧设置有一光源区100,在激光器的下侧设置也设置有一光源区100,两光源区100位置不对应,在两光源区100之间设有全封闭式的第二开口区300,该第二开口区300有一定倾斜角度设置。
43.实施例五
44.该激光芯片的安装在激光器外壳中部,请参见图5,该激光芯片的上下两侧上都可以发射激光,在激光芯片的上侧设有第一光源区110和第二光源区120,第一光源区110和第二光源区120之间设有缺口设置第三开口区400,该第三开口400区的缺口端位于上侧的边线上,下侧设有第三光源区130和第四光源区140,第三光源区130和第四光源区140之间设有缺口设置的第四开口区500,该第四开口区500的缺口端位于下侧的边线上,第一光源区110与第三光源区130位置相对应,第二光源区120与第四光源区140位置相对应,激光芯片中部设有用于对本实例中的四个光源区进行隔热的第五开口区600,该第五开口区600为全封闭式的开口且水平设置,通过在一块激光芯片设置四个光源区不仅可以减少每个光源区的发热量,有利于实现激光器的功率增大,而且可以增加光束密集度。
45.实施例六
46.与实施例五的区别在于第五开口区600为缺口设置,请参见图6,该第五开口区600的缺口端位于激光芯片的左侧边线上或右侧边线上,图6是缺口端位于激光芯片的左侧边线上的情况。
47.实施例七
48.请参见图7,与实施例六的区别在于第五开口区600包括第一缺口610和第二缺口620,第一缺口610设于第一光源区110与第三光源区130之间,第一缺口610的缺口端位于激光芯片的左侧边线上,第二缺口620设于第二光源区120与第四光源区140之间,第二缺口
620的缺口端位于激光芯片的右侧边线上,这种装配方式不仅可以减少每个光源区的发热量,有利于实现激光器的功率增大,而且可以增加光束密集度,节省芯片物料使用。
49.为了进一步增强隔热效果,可以在实施例一至实施例七中用于隔热的开口区内填充隔热材料层,优选该隔热材料层热导率小于1.0w/mk。
50.以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本实用新型,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本实用新型技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本实用新型技术方案内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
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