micro
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led封装结构、micro
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led显示器件以及电子设备
技术领域
1.本实用新型涉及micro
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led显示技术领域，更具体地，涉及一种micro
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led封装结构、micro
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led显示器件以及电子设备。
背景技术：2.micro
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led(micro light emitting diode，即微型发光二极管)通常是指在传统led倒装芯片结构基础上，将led芯片尺寸规格缩小到100微米甚至50微米以内的尺寸，实现led微小化、阵列化。micro
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led和目前的lcd和oled显示器件相比，具有反应快、高色域、高ppi，低能耗等优势，其功耗约为lcd的10％、oled的50％。
3.现有的micro
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led封装结构一般是在micro
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led芯片周围灌胶或点胶，再经过高温烘烤固化然后冷却，使胶体完全包裹芯片从而达到密封封装效果。其在进行固化过程中，胶体热胀冷缩，且因为micro
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led芯片底部焊盘小，只有几十微米，甚至几微米，所以很容易因为胶体的热胀冷缩从而使micro
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led芯片底部焊点松脱或者虚焊。
技术实现要素：4.本实用新型的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种micro
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led封装结构、micro
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led显示器件以及电子设备，避免micro
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led芯片底部焊点松脱或者虚焊，提高器件可靠性。
5.为实现上述目的，本实用新型的技术方案如下：
6.一种micro
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led封装结构，包括内部具有容纳腔的封装体和密封所述容纳腔的盖板，所述容纳腔用于容纳micro
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led结构，所述封装体的顶部设有uv胶层，所述盖板覆盖于所述封装体的顶部，且所述盖板通过所述uv胶层与所述封装体固定连接。
7.本实用新型还提供了一种micro
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led显示器件，包括上述的micro
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led封装结构和封装于所述micro
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led封装结构内的micro
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led结构。
8.本实用新型还提供了一种电子设备，包括上述的micro
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led显示器件。
9.实施本实用新型实施例，将具有如下有益效果：
10.本实用新型实施例通过采用uv胶层来固定盖板，一方面，在封装体的顶部形成uv胶层，然后将盖板覆盖在uv胶层上，采用uv照射uv胶，uv胶固化，从而粘结固定导光盖板，uv照射固化只需几分钟，而常规高温烘烤固化需要2～3小时，大大提高了生产效率，另一方面，uv胶层设置于封装体的顶部，未包裹micro
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led结构，uv胶固化时不会出现现有技术中因胶体热胀冷缩使micro
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led结构底部的焊点出现松脱或虚焊的现象；还有，uv照射不会产生高温，因此，也不会让micro
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led结构底部的焊膏或导电胶出现热胀冷缩导致松脱或虚焊的现象。
附图说明
11.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例
或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
12.其中：
13.图1是本实用新型一具体实施例的micro
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led显示器件的截面结构示意图。
具体实施方式
14.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
15.参考图1，本实用新型公开了一种micro
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led封装结构，包括内部具有容纳腔15的封装体10和密封容纳腔15的盖板14，容纳腔15用于容纳micro
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led结构20，封装体10的顶部设有uv胶层16，盖板14覆盖于封装体10的顶部，且盖板14通过uv胶层16与封装体10固定连接。通过采用uv胶层16来固定盖板14，制备过程中，一方面，在封装体10的顶部形成uv胶层16，然后将盖板14覆盖在uv胶层16上，采用uv照射uv胶层16，uv胶层16固化，从而粘结固定导光盖板14，uv照射固化只需几分钟，而常规高温烘烤固化需要2～3小时，大大提高了生产效率，另一方面，uv胶层16设置于封装体10的顶部，未包裹micro
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led结构20，uv胶层16固化时不会出现现有技术中因胶体热胀冷缩使micro
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led结构20底部的焊点出现松脱或虚焊的现象；还有，uv照射不会产生高温，因此，也不会让micro
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led结构20底部的焊膏或导电胶13出现热胀冷缩导致松脱或虚焊的现象。
16.进一步的，在一具体实施例中，封装体10的顶部设有用于容纳uv胶层16的凹槽，凹槽防止uv胶流淌到容纳腔15的内壁，影响容纳腔15内壁对micro
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led结构20的光线的反射作用。容纳腔15的内壁可以设置反射层，用于将micro
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led结构20发散的光线反射回micro
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led结构20，提高micro
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led结构20的光强度。
17.由于本实用新型采用盖板14密封容纳腔15，代替现有技术在micro
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led结构20周围灌胶用胶体包裹micro
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led结构20达到密封效果，因此，micro
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led结构20与容纳腔15的侧壁之间不必留有空隙，可以使micro
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led结构20与容纳腔15的侧壁卡合连接，如图1所示，一方面，除了焊膏或导电胶13使micro
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led结构20与电极12固定连接外，micro
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led结构20还与容纳腔15的侧壁卡合，能够增强对micro
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led结构20的固定作用，避免在重力作用下使焊膏或导电胶13开焊的现象，另一方面，减少micro
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led显示器件周围的非显示区域的宽度，达到更宽屏的显示效果。
18.在一具体实施例中，盖板14为透明或半透明盖板14，将透明或半透明盖板14覆盖在uv胶层16上后，使uv直接从盖板14上方照射，uv透过盖板14使uv胶层16固化。从盖板14上方进行uv照射，能够使uv胶层16整体均匀固化，避免uv胶层16不完全固化。
19.在一具体实施例中，透明或半透明盖板14可以为玻璃盖板14或石英盖板14。
20.参考图1，在一具体实施例中，封装体10包括框架11和位于框架11底部的电极12，框架11与电极12围成容纳腔15，电极12用于与micro
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led结构20电连接，micro
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led结构20安装于容纳腔15，micro
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led结构20的底部与电极12电连接。在本具体实施例中，框架11的
顶部通过uv胶层16与盖板14固定连接，容纳uv胶层16的凹槽可以设置于框架11的顶部。
21.进一步的，电极12上设置有用于与micro
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led结构20的底部电连接的导电胶或焊膏。
22.在一具体实施例中，电极12为导电板，导电板可以为金属导电板或其它可导电材料构成的导电板，电极12包括正电极121和负电极122，正电极121与micro
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led芯片的正极电连接，负电极122与micro
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led芯片的负极电连接。
23.在另一具体实施例中，电极12还可以为电路板，电路板上设置焊盘与micro
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led芯片的底部电连接。当然，电极12也可以为现有技术中的其它结构。
24.参考图1，在本具体实施例中，电极12为金属导电板，包括正电极121和负电极122，金属导电板位于框架11的底部，与框架11固定连接。
25.参考图1，本实用新型还公开了一种micro
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led显示器件，包括micro
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led封装结构和封装于micro
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led封装结构内的micro
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led结构20。
26.在一具体实施例中，micro
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led结构20包括至少一个micro
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led芯片。
27.当micro
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led芯片的数量为1个时，micro
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led芯片与容纳腔15的侧壁卡合连接。micro
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led芯片包括多个micro
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led发光单元，micro
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led发光单元的尺寸为微纳尺寸，具体为1微米～100微米，多个micro
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led发光单元阵列排布构成micro
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led发光单元阵列。micro
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led发光单元阵列可以包括只发一种颜色的micro
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led发光单元，也可以包括红、绿、蓝三色micro
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led发光单元，红、绿、蓝三色micro
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led发光单元按照一定规则排列，可实现全彩显示。
28.当micro
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led芯片的数量为多个时，多个micro
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led芯片阵列排布构成micro
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led芯片阵列，micro
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led芯片的尺寸为微纳尺寸，具体为1微米～100微米。micro
‑
led芯片阵列可以包括只发一种颜色的micro
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led芯片，也可以包括红、绿、蓝三色micro
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led芯片，红、绿、蓝三色micro
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led芯片按照一定规则排列，能够实现全彩显示。
29.在另一具体实施例中，micro
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led结构包括2个或2个以上的micro
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led芯片，每个micro
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led芯片包括多个micro
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led发光单元，多个micro
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led发光单元阵列排布构成micro
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led发光单元阵列，micro
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led发光单元的尺寸为微纳尺寸，具体为1微米～100微米。micro
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led发光单元阵列可以包括只发一种颜色的micro
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led发光单元，也可以包括红、绿、蓝三色micro
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led发光单元，红、绿、蓝三色micro
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led发光单元按照一定规则排列。
30.当micro
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led芯片的数量为多个时，可以使相邻micro
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led芯片紧密连接，使最外圈micro
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led芯片与容纳腔15的侧壁卡合连接。
31.在本具体实施例中，micro
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led结构20包括阵列排布的尺寸为1微米～100微米的micro
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led芯片，micro
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led芯片包括数量均为多个的红、绿、蓝三色micro
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led芯片，红、绿、蓝三色micro
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led芯片按照一定规则排列，对每个micro
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led芯片单独控制驱动发光，能够实现全彩化。
32.在一具体实施例中，micro
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led显示器件的制备方法包括以下过程：
33.首先，提供封装体10，封装体10包括框架11和位于框架11底部的电极12，在电极12上通过点涂工艺或精密钢网印刷工艺，将焊膏或导电胶13均匀涂覆在电极12上，然后通过aoi扫描确认涂覆效果以及定位是否准确。
34.然后，拾取、转移micro
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led结构20至目标电极12上，通过aoi扫描确认micro
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led
结构20的转移效果以及定位是否准确。
35.之后，通过加热、加压或uv照射等方法将焊膏或导电胶13分别与电极12和micro
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led结构20固化连接，实现电气导通，并进行电测。
36.下一步，在框架11顶部涂覆uv胶层16，抓取盖板14轻压放置在uv胶层16上。
37.最后，通过紫外灯照射，使uv胶层16固化，从而达到密封封装效果，完成micro
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led显示器件的制备。
38.本实用新型还公开了一种电子设备，包括上述micro
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led显示器件，micro
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led显示器件可以设置于tft板或coms板上，tft板或coms板提供驱动控制，控制micro
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led显示器件的各micro
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led芯片，甚至各micro
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led发光单元的发光。电子设备可以是手机、平板、笔记本电脑、电视、ar/vr设备、车仪表与中控、户外显示器、抬头显示器(hud)等。
39.以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。