一种导线磁屏蔽结构的制作方法

1.本实用新型涉及磁屏蔽技术，特别涉及一种导线磁屏蔽结构。


背景技术：

2.在电磁脱扣器应用场景中由于导线大电流冲击，往往会引起电磁脱扣器误动作而引起断路器误动作。故此，不满足现有的需求，对此我们提出了一种导线磁屏蔽结构。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的是提供一种导线磁屏蔽结构，以解决背景技术中所以提出的问题。
4.本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种导线磁屏蔽结构，包括有固定设置在导线一侧的屏蔽结构，所述的屏蔽结构至少具有两层屏蔽层，两层所述的屏蔽层分别为外侧屏蔽层和内侧屏蔽层，且所述的外侧屏蔽层和内侧屏蔽层相联通，以改变由内侧屏蔽层转移到外侧屏蔽层的磁场方向，从而抵消外侧屏蔽层由导线电流产生的磁场，进而于所述的外侧屏蔽层的外侧生成有效屏蔽区。
5.进一步设置是：所述的外侧屏蔽层和内侧屏蔽层相联通并构成闭环状，且两者之间具有一空芯。
6.进一步设置是：所述的外侧屏蔽层和内侧屏蔽层均由磁性材料制成。
7.本实用新型的有益效果在于：
8.本实用新型基于设置的屏蔽结构可以对导线外的局部地方产生高效的磁屏蔽作用；由于内侧屏蔽层靠近导线所以导线产生的磁场强，而外侧屏蔽层的磁场较弱，且在内侧屏蔽层转移到外侧屏蔽层时会有些损耗，所以只要间距合理，甚至可以全部抵消为零。同时可以使内侧屏蔽层和外侧屏蔽层磁场方向相反，故在有效屏蔽区内磁场相互抵消，使得有效屏蔽区内磁场减弱(最高可以接近为零)，从而起到有效屏蔽作用。
附图说明
9.图1为实施例的结构示意图；
10.图2为实施例的原理示意图。
11.图中：1、导线；2、屏蔽结构；21、外侧屏蔽层；22、内侧屏蔽层；3、有效屏蔽区；4、空芯。
具体实施方式
12.以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
13.如附图1和2所示，一种导线磁屏蔽结构，包括有固定设置在导线1一侧的屏蔽结构2，屏蔽结构2具有两层屏蔽层，两层屏蔽层分别为外侧屏蔽层21和内侧屏蔽层22，且外侧屏蔽层21和内侧屏蔽层22相联通，以改变由内侧屏蔽层22转移到外侧屏蔽层21的磁场方向，
从而抵消外侧屏蔽层21由导线1电流产生的磁场，进而于外侧屏蔽层21的外侧生成有效屏蔽区3。
14.其中，外侧屏蔽层21和内侧屏蔽层22相联通并构成闭环状，且两者之间具有一空芯4。
15.其中，外侧屏蔽层21和内侧屏蔽层22均由磁性材料制成。
16.本实用新型的工作原理为：
17.如附图2所示，外侧屏蔽层21和内侧屏蔽层22相联通，以改变由内侧屏蔽层22转移到外侧屏蔽层21的磁场方向，从而抵消外侧屏蔽层21由导线1电流产生的磁场；由于内侧屏蔽层22靠近导线1所以导线1产生的磁场强，而外侧屏蔽层21的磁场较弱，且在内侧屏蔽层22转移到外侧屏蔽层21时会有些损耗，所以只要间距合理，甚至可以全部抵消为零。同时可以使内侧屏蔽层22和外侧屏蔽层21磁场方向相反，故在有效屏蔽区3内磁场相互抵消，使得有效屏蔽区3内磁场减弱(最高可以接近为零)，从而起到有效屏蔽作用。
18.本具体实施例仅仅是对本实用新型的解释，其并不是对本实用新型的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本实用新型的权利要求范围内都受到专利法的保护。


技术特征：
1.一种导线磁屏蔽结构，其特征在于：包括有固定设置在导线(1)一侧的屏蔽结构(2)，所述的屏蔽结构(2)至少具有两层屏蔽层，两层所述的屏蔽层分别为外侧屏蔽层(21)和内侧屏蔽层(22)，且所述的外侧屏蔽层(21)和内侧屏蔽层(22)相联通，以改变由内侧屏蔽层(22)转移到外侧屏蔽层(21)的磁场方向，从而抵消外侧屏蔽层(21)由导线(1)电流产生的磁场，进而于所述的外侧屏蔽层(21)的外侧生成有效屏蔽区(3)。2.根据权利要求1所述的一种导线磁屏蔽结构，其特征在于：所述的外侧屏蔽层(21)和内侧屏蔽层(22)相联通并构成闭环状，且两者之间具有一空芯(4)。3.根据权利要求1或2所述的一种导线磁屏蔽结构，其特征在于：所述的外侧屏蔽层(21)和内侧屏蔽层(22)均由磁性材料制成。

技术总结
本实用新型公开了一种导线磁屏蔽结构，包括有固定设置在导线一侧的屏蔽结构，屏蔽结构至少具有两层屏蔽层，两层屏蔽层分别为外侧屏蔽层和内侧屏蔽层，且外侧屏蔽层和内侧屏蔽层相联通，以改变由内侧屏蔽层转移到外侧屏蔽层的磁场方向，从而抵消外侧屏蔽层由导线电流产生的磁场，进而于外侧屏蔽层的外侧生成有效屏蔽区。本实用新型具有以下优点和效果：本实用新型基于设置的屏蔽结构可以对导线外的局部地方产生高效的磁屏蔽作用。地方产生高效的磁屏蔽作用。地方产生高效的磁屏蔽作用。


技术研发人员：黄献国 吴钟栅 钱伟
受保护的技术使用者：乐清市贝加尔电子科技有限公司
技术研发日：2021.08.18
技术公布日：2022/3/1