技术特征：
1.一种低vf沟槽型肖特基二极管，包括二极管本体(1)，其特征在于：所述二极管本体(1)的两侧均开设有限位槽(11)，所述限位槽(11)内设置有散热板(2)，所述散热板(2)和二极管本体(1)之间通过卡合方式进行连接，所述二极管本体(1)的底端固定连接有连接触脚(13)，所述连接触脚(13)的数量设置为三个，所述连接触脚(13)上设置有安装基座(3)，所述连接触脚(13)和安装基座(3)之间通过插接方式进行连接。2.根据权利要求1所述的一种低vf沟槽型肖特基二极管，其特征在于，所述限位槽(11)的内侧开设有竖形槽(111)，所述竖形槽(111)等间距分布，所述限位槽(11)的内侧对称固定连接有定位凸起(112)，所述散热板(2)的侧面开设有横形槽(21)，所述横形槽(21)等间距分布，且横形槽(21)和竖形槽(111)之间相互交错，所述散热板(2)的侧面对称开设有拼接槽(22)，所述拼接槽(22)和定位凸起(112)之间相互卡合。3.根据权利要求2所述的一种低vf沟槽型肖特基二极管，其特征在于，所述散热板(2)的侧面固定连接有散热条(23)，所述散热条(23)均匀分布。4.根据权利要求1所述的一种低vf沟槽型肖特基二极管，其特征在于，所述连接触脚(13)上固定连接有球形凸起(132)，且连接触脚(13)的底端开设有定位槽(131)。5.根据权利要求4所述的一种低vf沟槽型肖特基二极管，其特征在于，所述安装基座(3)的顶端固定连接有锁紧箍套(31)，所述锁紧箍套(31)上开设有锁紧槽(311)，且锁紧箍套(31)和球形凸起(132)之间相互卡合，所述安装基座(3)的内侧底端固定连接有触针(33)。6.根据权利要求5所述的一种低vf沟槽型肖特基二极管，其特征在于，所述安装基座(3)的外侧设置有挡圈(32)，所述挡圈(32)和安装基座(3)之间固定连接。7.根据权利要求1所述的一种低vf沟槽型肖特基二极管，其特征在于，所述二极管本体(1)的顶端固定连接有固定板(12)，所述固定板(12)的侧面对称贯穿开设有固定孔(121)。
技术总结
本实用新型公开了一种低VF沟槽型肖特基二极管，包括二极管本体，所述二极管本体的两侧均开设有限位槽，所述限位槽内设置有散热板，所述散热板和二极管本体之间通过卡合方式进行连接，所述二极管本体的底端固定连接有连接触脚，所述连接触脚的数量设置为三个，所述连接触脚上设置有安装基座，所述连接触脚和安装基座之间通过插接方式进行连接。本实用新型具有结构合理、使用方便的特点，通过设置的限位槽和散热板之间的相互配合，从而可以将二极管本体上的热量及时散出，通过设置的安装基座和连接触脚之间的相互配合，进而可以让安装基座和连接触脚通过插拔的方式进行组装，从而可以让二极管本体的更换更加方便。以让二极管本体的更换更加方便。以让二极管本体的更换更加方便。
技术研发人员：王兴超 路尚伟 林延峰
受保护的技术使用者：山东沂光集成电路有限公司
技术研发日：2021.11.19
技术公布日：2022/5/16