LED芯片封装体的制作方法

led芯片封装体
技术领域
1.本实用新型涉及led封装结构技术领域，尤其涉及一种led芯片封装体。


背景技术：

2.由于led灯具有较好的节能效果和较高的亮度，被用于生产、生活的各个行业。led封装的各种技术、方法、流程、设备以及封装的外形，直接关系到后续下游led的应用方式和应用的范围，往往led的封装技术的革新，都会使得 led行业带来深刻的变化。就目前的led封装结构体来说，一般是直接在led芯片上覆设颜色转换层，这样虽然可最大程度上保证led芯片的发光面，但是颜色转换层会对光造成影响，可能会在一定程度上影响led芯片的发光均匀性，影响发光效果。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的是为解决上述技术问题而提供一种可有效改善led芯片的发光均匀性以增强其发光效果的led芯片封装体。
4.为了实现上述目的，本实用新型公开了一种led芯片封装体，其包括基板，所述基板上设置有led芯片和覆设在所述led芯片上的颜色转换层，所述led 芯片的侧面设置有挡光部，所述挡光部自所述led芯片的底部向上延伸，所述挡光部用于阻挡所述led芯片发出的光线从侧面投射到所述基板上；所述颜色转换层用于改变所述led芯片发出的光的颜色。
5.在本技术的一个实施例中，所述颜色转换层相对于所述led芯片各个面的厚度相同。
6.在本技术的一个实施例中，所述挡光部的顶部与所述led芯片的顶部具有高度差，所述挡光部的顶部与所述led芯片的顶部之间的高度差等于所述颜色转换层的厚度。
7.在本技术的一个实施例中，所述颜色转换层与所述led芯片顶部边角相对处设置有弧面，且所述弧面与其对应的边角之间的距离等于所述led芯片顶部的颜色转换层的厚度，以使得所述led芯片各处发出的光线所穿过的所述颜色转换层的厚度相同。
8.在本技术的一个实施例中，所述颜色转换层覆设在所述led芯片的顶部，并且所述颜色转换层包括覆设在所述挡光部的顶部的第一部分。
9.在本技术的一个实施例中，所述挡光部顶部的宽度与所述颜色转换层的厚度相当。
10.在本技术的一个实施例中，所述颜色转换层还包括第二部分，所述第二部分设置在所述挡光部远离所述led芯片的侧面，并设置在所述挡光部顶部与所述基板之间。
11.在本技术的一个实施例中，所述颜色转换层内相对所述led芯片顶部区域设置有散光材料。
12.在本技术的一个实施例中，所述led芯片通过高温锡膏焊接在所述基板上。
13.与现有技术相比，本实用新型led芯片封装体具有如下有益技术效果：由于led芯片的侧面设置有挡光部，通过该挡光部可有效阻挡led芯片发出的光线从侧面投射到所述
基板上，从而避免基板的发射光影响led芯片封装体的发光均匀性，以增强发光效果；另外，颜色转换层可以改变led芯片发出的光的颜色，从而能够得到与led芯片的发光颜色不同颜色的光。
附图说明
14.图1为本实用新型实施例中led芯片封装体的剖面示意图。
具体实施方式
15.为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
16.如图1，本实施例公开了一种led芯片封装体，其包括基板1，基板1上设置有led芯片2和覆设在led芯片2上的颜色转换层3，led芯片2的侧面设置有挡光部4，挡光部4自led芯片2的底部向上延伸，挡光部4用于阻挡 led芯片2发出的光线从侧面投射到基板1上，颜色转换层3用于改变led芯片2发出的光的颜色。本实施例中，led芯片2上设置有芯片电极20，基板1 上设置有基板1电极，通过高温锡膏6(熔点为245-255℃)将芯片电极20和基板1电极焊接在一起，使得led芯片2与基板1电性连接，并在led芯片2 上覆设颜色转换层3，从而形成led芯片封装体。由于led芯片2的侧面设置有挡光部4，通过该挡光部4可有效阻挡led芯片2发出的光线从侧面投射到基板1上，从而避免基板1的发射光影响led芯片封装体的发光均匀性，以增强发光效果。另外，颜色转换层3外还可设置封胶层5，以完成led芯片2的完整封装，保护颜色转换层3，该封胶层5的材质可以为硅胶、硅树脂、环氧树脂等。具体的，挡光部4位于颜色转换层3内，通过该颜色转换层3将led芯片2和挡光部4一起封装在基板1上。
17.在该实施例中，高温锡膏6的熔点高，后续使用回流焊在基板1上焊接其他器件时，高温锡膏6不会融化，避免在回流焊时led芯片2脱离基板1。
18.在本技术的一个实施例中，可以使用高精度喷阀在led芯片2上均匀喷涂荧光胶以形成颜色转换层3，能够准确控制颜色转换层3的形状。颜色转换层3 可以包括黄色、绿色荧光胶、红色、绿色荧光胶、黄色、绿色量子点、红色、绿色量子点的一种或多种。进一步的，颜色转换层3相对于led芯片2各个面的厚度相同，使得led芯片2各个位置发出的光线所穿过的颜色转换层3厚度相同，从而进一步提高led芯片封装体的发光均匀性，并有效保证led芯片封装体的色温一致性。
19.进一步的，颜色转换层3包括设置在led芯片2和挡光部4顶部的第一部分31和设置在挡光部4外侧的第二部分32，第二部分32设置在挡光部4远离 led芯片2的侧面，并设置在挡光部4顶部与基板之间。由于颜色转换层3在固化前呈流体，设置在挡光部4顶部与基板1之间的颜色转换层3的第一部分 31能够为挡光部4顶部的颜色转换层3提供支撑，使挡光部4顶部的颜色转换层3稳定固定。而且由于重力的作用，呈流体状的颜色转换层3在时会自然的流至挡光部4顶部与基板之间，以及流至挡光部4的侧面，可以减小设置颜色转换层3的难度。
20.具体地，颜色转换层3可以呈工型结构，方便控制颜色转换层3各个面的厚度的一致性。
21.在本技术的一个实施例中，颜色转换层3还可以覆盖基板1设置led芯片2一面中未
被led芯片2覆盖的部分，即可以在焊接led芯片2后的基板1上，直接喷涂颜色转换层2，喷涂时不必遮挡基板1，使喷涂流程简单。
22.在本技术的一个实施例中，颜色转换层3可以包括多层结构，可以分多层涂布，逐层干燥后再涂下一层，使led芯片2侧面的颜色转换层3稳定固定，同时也便于控制颜色转换层3的形状。
23.在本技术的一个实施例中，在颜色转换层3涂布完成且干燥后，可以使用等离子技术平整荧光胶表面，进一步提高led芯片2发光均匀性。
24.另外，颜色转换层3与led芯片2顶部边角相对处设置有弧面30，且该弧面30与其对应的边角之间的距离等于led芯片2顶部的颜色转换层30的厚度，以使得led芯片2各处发出的光线所穿过的颜色转换层3的厚度相同，也即使得led芯片2顶面与侧面连接的棱边处发出的光线穿过颜色转换层3的厚度与其led芯片2其他部分穿过颜色转换层3的厚度相同。
25.更进一步的，挡光部4的顶部与led芯片2的顶部具有高度差h，从而使得挡光部4不完全遮挡led芯片2的侧壁，避免影响led芯片2的发光角度和光照范围，使得led芯片封装体整体具有深邃的发光效果。具体地，挡光部4 的顶部与led芯片2的顶部的高度差h与颜色转换层3的厚度相当。更具体地，挡光部4顶部的宽度也与颜色转换层3的厚度相当，从而方便实现颜色转换层3 在led芯片2侧面与其他面厚度相同。
26.对于上述实施例中的挡光部4的具体材料，可为黑色陶瓷块、黑色二氧化硅、黑色氧化硅以及黑胶中的任一种。
27.更进一步的，led芯片2发蓝色或近紫外光，颜色转换层3可以包括黄色荧光胶，以使得封装后的led芯片封装体发出白光。
28.再者，颜色转换层3内相对led芯片2顶部区域设置有散光材料(如扩散粉等材料)，从而方便控制led芯片封装体发出的光的光型，该光型包括聚光、散光等。
29.在本技术的一个实施例中，可以使用模压工艺制作封胶层5。
30.在本技术的一个实施例中，在设置led芯片2的基板1上设置第一封装层，第一封装层可以对应led芯片2设置凹槽，槽底可以与led芯片2形状适配，凹槽的槽底与led芯片2的顶部的距离，等于凹槽的槽底与led芯片2的侧壁的距离，使芯片从各个面发出的光穿过同样厚度的槽底；槽壁与对应led芯片 2侧壁的槽底之间的距离，等于槽口与对应led芯片2顶部的槽底之间的距离；再将颜色转换层3覆设在凹槽中的led芯片2上，且颜色转换层3的高度等于槽口高度，能够使得颜色转换层相对于所述led芯片2各个面的厚度相同；再在颜色转换层3上覆设第二封装层，以保护颜色转换层3。
31.以上所揭露的仅为本实用新型的优选实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型申请专利范围所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。