一种GaN放大器及射频设备的制作方法

一种gan放大器及射频设备
技术领域
1.本技术涉及射频领域，尤其涉及是一种gan放大器及射频设备。


背景技术：

2.现代的无线通信中，射频设备的使用相当普及，而射频放大器在设备中起粉至关重要的作用，其工作频率高，但相对频带较窄，一般都采用选频网络作为负载回路。射频放大器类元器件，主要包括ldmos(laterally-diffused metal-oxide semiconductor，硅横向扩散金属氧化物半导体)射频放大器，gan(氮和镓)射频放大器，vdmos等等。其中，gan(氮和镓)是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体，其具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料，在4g、5g通信系统，工业微波领域中得到了广泛的应用。而在现有的射频放大器中，内部线路容易出现相互耦合，影响射频性能和输出效率。
3.因此，针对现有技术中存在的问题，亟需提供一种能降低放大器内部耦合功率的技术显得尤为重要。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种能降低放大器内部耦合功率的射频放大器。
5.本实用新型的目的通过以下技术方案实现：
6.一种gan放大器，包括：封装底座以及在封装底座上从一端到另一端依次设置的输入管脚、第一电容片、第二电容片、gan管芯及输出管脚；gan管芯的源极与封装底座电连接；输入管脚依次通过第一电容片和第二电容片与gan管芯的栅极电连接；gan管芯的漏极与输出管脚电连接。
7.具体的，第二电容片包括第一凹凸电极片和第二凹凸电极片；第一凹凸电极片包括第一凸起部；第二凹凸电极片包括第二凸起部和第二根部。
8.更具体的，第一凸起部和第二凸起部位置相对，且形状相互匹配。
9.更具体的，第一凸起部和第二凸起部均为波浪型。
10.另一具体的，第一凸起部和第二凸起部均为锯齿型。
11.以上的，第一电容片包括第一电极片和第二电极片；第一电极片与输入管脚电连接；第二电极片与第二凸起部电连接。
12.进一步的，gan管芯的栅极与第二根部电连接；gan管芯的漏极与第一凸起部电连接。
13.更进一步的，输入管脚和输出管脚与封装底座之间设有绝缘部；输入管脚和输出管脚与绝缘部固定连接；绝缘部与封装底座固定连接。
14.更进一步的，封装底座上还设置有封装盖体。
15.一种射频设备，该设备内置有gan放大器。
16.本实用新型达到的有益效果：一种gan放大器，包括依次设置在封装底座上的输入管脚、第一电容片、第二电容片、gan管芯及输出管脚；通过把gan管芯放置在放大器的输出侧，使gan管芯布置在距离输出管脚最靠近的位置，可降低gan管芯与输出管脚的连接线的长度，从而降低输出损耗。
附图说明
17.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
18.图1是本技术实施例的gan放大器的侧视结构示意图；
19.图2是本技术实施例的gan放大器的结构原理示意图；
20.图3是本技术实施例的第二电容片的结构原理示意图；
21.图4是本技术实施例的gan放大器的电学原理示意图；
22.其中，图1至图3包括有：
23.1、封装底座；2、封装盖体；3、输入管脚；4、输出管脚；
24.51、第一电容片；511、第一电极片；512、第二电极片；
25.52、第二电容片；521、第一凹凸电极片；522、第二凹凸电极片；
26.531、第一凸起部；532、第二凸起部；541、第一根部；542、第二根部；
27.6、gan管芯；61、栅极；62、漏极；
28.71、第一连接线；72、第二连接线；73、第三连接线；
29.74、第四连接线；75、第五连接线；
30.8、绝缘部。
具体实施方式
31.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本技术实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本技术的技术方案，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
32.一种gan放大器，如图1至3所示，包括：封装底座1和封装盖体2，在封装底座1从一端到另一端依次设置的上的输入管脚3、第一电容片51、第二电容片52、gan管芯6及输出管脚4；gan管芯6的源极与封装底座1电连接；输入管脚3依次通过第一电容片51和第二电容片52与gan管芯6的栅极61电连接；gan管芯6的漏极62与输出管脚4电连接，同时，gan管芯6的漏极62与第二电容片52电连接。输入管脚3和输出管脚4与封装底座1之间设有绝缘部8；输入管脚3和输出管脚4与绝缘部8固定连接；绝缘部8与封装底座1固定连接。封装盖体2设置在封装底座1的上方，用于对封装底座1上的各个电器件进行封装。
33.具体的，gan管芯6的漏极62通过第四连接线74与输出管脚4连接，第四连接线74对应图4的电路图中的电阻l-d2。
34.通过把gan管芯6放置在放大器的输出侧，使gan管芯6布置在距离输出管脚4最靠
近的位置，可降低gan管芯6与输出管脚4之间的第四连接线74的长度，从而减少电阻l-d2，降低输出损耗。
35.进一步的，第一电容片51包括第一电极片511和第二电极片512；第二电容片52包括第一凹凸电极片521和第二凹凸电极片522；第一凹凸电极片521包括第一凸起部531和第一根部541；第二凹凸电极片522包括第二凸起部532和第二根部542；第一凸起部531和第二凸起部532位置相对，且形状相互匹配。
36.更进一步的，第一凸起部531和第二凸起部532均为锯齿型。
37.额外的，第一凸起部531和第二凸起部532均为波浪型。
38.具体的，第一电极片511通过第二连接线72与输入管脚3电连接；第二电极片512通过第五连接线75与第二凸起部532电连接。gan管芯6的栅极61通过第一连接线71与第二根部542电连接；gan管芯6的漏极62通过第三连接线73与第一凸起部531电连接。
39.其中，第一连接线71、第二连接线72、第三连接线73以及第五连接线75在图4的电路图中分别对应的电阻为l-g1、l-g3、l-d1及l-g2。
40.第三连接线73跨过gan管芯6，反向连接到第二电容片52上，可有效减少第三连接线73和第四连接线74的互耦耦合，有助于效率的提升。但是，如果第二电容片52采用传统电容片结构的话，第三连接线73反向连接到第二电容片52上，又会与第五连接线75在空中交叉，导致对应的电阻l-d1与电阻l-g2产生较强互相耦合。而将第一凸起部531和第二凸起部532均设置为锯齿型结构时，不但避免了第三连接线73与第五连接线75在空中交叉，还能增大了l-d1和l-g2的距离，有效避免了电阻l-d1与电阻l-g2的互耦耦合，进一步提升效率。
41.本技术还提供一种射频设备，该设备内置有gan放大器。
42.注意，上述仅为本技术的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本技术不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本技术的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本技术进行了较为详细的说明，但是本技术不仅仅限于以上实施例，在不脱离本技术构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本技术的范围由所附的权利要求范围决定。