柔性发光器件和包括该柔性发光器件的发光装置的制作方法

1.本公开涉及半导体led的技术领域，具体而言，涉及一种柔性发光器件和包括该柔性发光器件的发光装置。


背景技术：

2.微型led具有更小型化、分辨率更高、亮度更高、发光效率更高、功耗更低以及可控性好等优点，随着微型led的发展，除了显示屏以外，微型led被应用于各种不同的产品。然而，微型led的应用主要以刚性载体为主，不能很好地适用于柔性载体，这大大限制了微型led的应用。


技术实现要素：

3.为了解决背景技术中提到的技术问题，本公开的方案提供了一种柔性发光器件和包括该柔性发光器件的发光装置。
4.根据本公开实施例的一个方面，提供了一种柔性发光器件，其中，所述柔性发光器件包括：柔性基板；耐热胶，其设置在所述柔性基板上；tft阵列，其设置在所述耐热胶上，并且所述tft阵列的电极在所述tft阵列的远离所述耐热胶的一侧；微型led阵列，其设置在所述tft阵列上，并且所述微型led阵列的电极与所述tft阵列的电极连接。
5.进一步地，所述柔性基板包括布料或塑料。
6.进一步地，所述耐热胶包括聚酰亚胺胶。
7.进一步地，所述聚酰亚胺胶由聚酰亚胺胶水形成，所述聚酰亚胺胶将所述柔性基板和所述tft阵列固定在一起。
8.进一步地，所述tft阵列在所述耐热胶上制备而成，并且所述tft阵列的漏极在所述tft阵列的远离所述耐热胶的一侧。
9.进一步地，所述微型led阵列在蓝宝石衬底上制备而成，并且所述微型led阵列的阴极在所述微型led阵列的远离所述蓝宝石衬底的一侧。
10.进一步地，所述微型led阵列通过倒装焊与所述tft阵列连接在一起。
11.进一步地，所述微型led阵列的阴极通过倒装焊与所述tft阵列的漏极键合。
12.进一步地，所述柔性发光器件包括柔性封装层，所述柔性封装层对所述柔性发光器件进行封装并且包括柔性胶。
13.根据本公开实施例的另一方面，还提供了一种发光装置。所述发光装置包括上述的柔性发光器件和与所述柔性发光器件连接的控制电路。
14.应用本公开的技术方案，通过耐热胶将连在一起的微型led阵列和tft阵列与柔性基板固定，使得微型led阵列和tft阵列可以整体可靠且高效地固定于各种柔性基板上，从而使得柔性发光器件可以应用于各种柔性产品，实现不同的功能。
附图说明
15.通过参考附图阅读下文的详细描述，本公开示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本公开的若干实施方式，并且相同或对应的标号表示相同或对应的部分，其中：
16.图1是示出根据本公开的一个实施例的柔性发光器件的制备方法的流程图；
17.图2a-图2k是示出根据本公开的一个实施例的柔性发光器件的制备方法的制备工艺流程示意图。
具体实施方式
18.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
19.应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本技术提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本技术所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
20.为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在
……
之上”、“在
……
上方”、“在
……
上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在
……
上方”可以包括“在
……
上方”和“在
……
下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位旋转90度或处于其他方位，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
21.现在，将参照附图更详细地描述根据本公开的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本技术的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员，在附图中，为了清楚起见，扩大了层和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的器件，因而将省略对它们的描述。
22.本公开提供一种柔性发光器件的制备方法。参照图1，图1是示出根据本公开的一个实施例的柔性发光器件的制备方法的流程图。如图1所示，该柔性发光器件的制备方法包括以下步骤s101-s106。
23.步骤s101:提供在第一衬底上制备而成的微型led阵列并且提供在设置于第二衬底上的耐热胶上制备而成的tft阵列。
24.步骤s102:借助黏性胶且通过两次转移将所述微型led阵列从所述第一衬底转移到第三衬底上，使得所述微型led阵列的电极露出。
25.步骤s103:将转移到所述第三衬底上的所述微型led阵列的电极与所述tft阵列的电极键合。
26.步骤s104:去除所述第二衬底，露出所述耐热胶。
27.步骤s105:通过耐热胶将连接在一起的所述微型led阵列和所述tft阵列固定在柔性基板上。
28.步骤s106:去除所述第三衬底。
29.根据该技术方案，可以将微型led阵列在两次转移后更换为易去除的衬底并且与用于驱动微型led阵列的tft阵列连接，随后通过耐热胶与柔性基板粘贴来固定连在一起的微型led阵列和tft阵列，使得微型led阵列和tft阵列可以整体可靠且高效地固定于各种柔性基板上，从而使得柔性发光器件可以应用于各种柔性产品，实现不同的功能。
30.在步骤s101中，可以提供在第一衬底上制备而成的微型led阵列并且提供在设置于第二衬底上的耐热胶上制备而成的tft阵列。
31.根据本公开的实施例，为了制备柔性发光器件，可以首先获得用于发光的微型led阵列以及用于驱动微型led阵列的tft(薄膜晶体管)阵列，该微型led阵列在第一衬底上制备而成，该tft阵列在设置于第二衬底上的耐热胶上制备而成。该耐热胶的耐热温度使tft阵列可以在其上制备该微型led阵列和tft阵列可以是预先制备好的，也可以在本公开的柔性发光器件的制备方法中制备。
32.对于微型led阵列和tft阵列，所述第一衬底和所述第二衬底可以包括刚性衬底。进一步地，所述第一衬底包括蓝宝石衬底。所述第二衬底包括玻璃衬底、蓝宝石衬底或石英衬底，所述耐热胶包括聚酰亚胺胶。聚酰亚胺胶可以通过在第二衬底上涂覆聚酰亚胺胶水而形成。所述耐热胶还可以是其它任何耐高温且适于在其上制备tft阵列的胶。参照图2a-图2k，图2a-图2k是示出根据本公开的一个实施例的柔性发光器件的制备方法的制备工艺流程示意图。其中图2a示出了根据本公开的一个实施例的具有蓝宝石衬底11的微型led阵列10。微型led阵列10在蓝宝石衬底11上外延生长而成。所述微型led阵列中的每个微型led包括露出的电极。如图2a所示，所述微型led阵列10中的每个微型led101包括露出的阴极1011，该阴极1011用于与tft阵列的电极连接以便使得微型led阵列被tft阵列驱动。图2b示出了根据本公开的一个实施例的在设有聚酰亚胺胶22的玻璃衬底21上制备而成的tft阵列20。所述tft阵列中的每个tft包括露出的电极。如图2b所示，所述tft阵列20中的每个tft201包括露出的漏极2011，该漏极2011用于与图2a所示的微型led阵列10的阴极1011连接以便tft阵列20驱动微型led阵列10。
33.根据本公开的实施例，在设有聚酰亚胺胶的第二衬底上制备tft阵列的方法可以包括：在第二衬底上旋涂聚酰亚胺胶，然后使用cvd或旋涂方法在聚酰亚胺胶上沉积绝缘层，绝缘层的材料可以是旋转涂布玻璃(sog)或者二氧化硅；在绝缘层上溅射金属层，并经过光刻和干法刻蚀以及去胶步骤，将金属层图形化为tft的背栅，金属层的材料例如可以是钼；使用等离子体增强化学的气相沉积法(pecvd)在绝缘层和背栅上沉积栅绝缘层，在pecvd中温度控制在300摄氏度以下，栅绝缘层的材料可以是二氧化硅；在栅绝缘层上溅射有源层金属氧化物，并经过光刻和干法刻蚀以及去胶步骤，将有源层金属氧化物图形化为有源岛以及源极和漏极，有源层金属氧化物可以是铟镓锌氧化物(igzo),氧化锌(zno)等；在栅绝缘层、有源岛、源极和漏极上沉积钝化层，然后进行氧气退火，在进行氧气退火时，温度需要控制在300摄氏度以下，时间按需要调整，钝化层的材料可以是二氧化硅；在钝化层上进行光刻，刻蚀和去胶，以图形化出接触孔，该接触孔露出源极和漏极区域；在源极和漏极区域上溅射金属电极层，并图形化出金属电极，金属电极层的材料可以是钼、铝或多层金属组合；在金属电极上沉积一层绝缘保护层，并图形化出接触孔以露出漏极区域对应的金属电极，在接触孔中沉积金属电极连接焊盘形成漏极。值得注意的是，在聚酰亚胺胶上制备
tft阵列时，温度需要控制在300摄氏度以下，这是因为聚酰亚胺胶的耐热温度是300摄氏度。由于聚酰亚胺胶的高耐热性，可以在聚酰亚胺胶上制备tft阵列，从而在去除衬底后可以利用聚酰亚胺胶将tft阵列粘贴在基板上，这尤其便于在柔性基板上制备发光装置。
34.在步骤s102中，可以借助黏性胶且通过两次转移将所述微型led阵列从所述第一衬底转移到第三衬底上，使得所述微型led阵列的电极露出。
35.根据本公开的实施例，为了便于后续制备操作，在两次转移后，需要将微型led阵列通过黏性胶粘贴在第三衬底上并且仍然保持其转移前露出的电极露出，以方便随后操作去除该第三衬底和黏性胶而不损坏其他部分。
36.在第一实施例中，所述借助黏性胶且通过两次转移将所述微型led阵列从所述第一衬底转移到第三衬底上，使得所述微型led阵列的电极露出可以包括：通过第一黏性胶将所述微型led阵列的露出的电极固定在临时衬底上；去除所述第一衬底，露出所述微型led阵列的与所述电极相对的电极相对部分；通过第二黏性胶将所述电极相对部分固定在所述第三衬底上；去除所述第一黏性胶和所述临时衬底，露出所述微型led阵列的所述电极。因此，针对该第一实施例，微型led阵列的两次转移都借助黏性胶。
37.其中，所述第三衬底和所述临时衬底均可以包括刚性衬底。具体地，所述临时衬底可以包括硅片基板或铜基板，所述第一黏性胶可以是任何适用于将微型led阵列固定在临时衬底上的胶，即该胶可被特定溶剂溶解，且该特定溶剂不会损坏微型led阵列。所述第三衬底可以包括蓝宝石衬底、玻璃衬底或石英衬底，所述第二黏性胶可以包括uv减黏胶。
38.下面将详细描述微型led阵列通过两次转移来更换其衬底。
39.首先，可以为带有第一衬底的微型led阵列添加临时衬底。参照图2a-图2k，图2a-图2k是示出根据本公开的一个实施例的柔性发光器件的制备方法的制备工艺流程示意图。其中图2c示出了通过第一黏性胶13固定在硅片基板12上的微型led阵列10。如图2c所示，可以在硅片基板12上涂覆第一黏性胶13，将如图2a所示的带有蓝宝石衬底11的微型led阵列10翻转以使微型led阵列10露出的阴极1011朝向第一黏性胶13，然后通过蓝宝石衬底11对微型led阵列10施加压力，使得所述微型led阵列10的露出的阴极1011通过该第一黏性胶13粘贴在硅片基板12上，从而使得微型led阵列10固定在硅片基板12上。
40.其次，可以去除原有的第一衬底，实现微型led阵列的第一次转移。具体地，所述去除所述第一衬底，露出所述微型led阵列的与所述电极相对的电极相对部分可以包括：通过第一紫外激光分解所述微型led阵列的与所述蓝宝石衬底接合处的半导体层的一部分，以便剥离所述蓝宝石衬底，并且露出所述半导体层的剩余部分。
41.参照图2a-图2k，图2a-图2k是示出根据本公开的一个实施例的柔性发光器件的制备方法的制备工艺流程示意图。其中图2d示出了去除蓝宝石衬底11时的微型led阵列。在微型led阵列10固定在硅片基板12上之后，如图2d所示，可以通过第一紫外激光31穿过蓝宝石衬底11并分解所述微型led阵列10的与所述蓝宝石衬底11接合处的半导体层的一部分，即分解在蓝宝石衬底上外延生长的第一层半导体层与蓝宝石衬底交界处的部分，这不影响微型led阵列的性能，由此可以使得蓝宝石衬底11与微型led阵列10分离，从而可以剥离所述蓝宝石衬底11，并且露出该第一层半导体层。应注意，附图中未示出微型led阵列的具体半导体分层，即未示出第一层半导体层。所述第一层半导体层可以为gan层，为了穿过蓝宝石衬底11并且分解gan的一部分，所述第一紫外激光31的波长为257nm。波长为257nm的紫外激
光更有利于穿过蓝宝石衬底并且分解gan。应注意，第一紫外激光31在附图中被表示为三条带有箭头的线并且照射方向倾斜，这仅仅是示意性地表示第一紫外激光，并不限定第一紫外激光的覆盖范围和方向。
42.接下来，可以为带有临时衬底的微型led阵列添加第三衬底。参照图2a-图2k，图2a-图2k是示出根据本公开的一个实施例的柔性发光器件的制备方法的制备工艺流程示意图。其中图2e示出了通过uv减黏胶15固定在蓝宝石衬底14上的微型led阵列10。如图2e所示，可以在蓝宝石衬底14上涂覆uv减黏胶15，将带有硅片基板12的微型led阵列10翻转以使微型led阵列10露出的半导体层朝向uv减黏胶15，然后通过硅片基板12对微型led阵列10施加压力，使得微型led阵列10的露出的半导体层通过uv减黏胶15粘贴在蓝宝石衬底14上，从而使得微型led阵列10固定在蓝宝石衬底14上。
43.最后，可以去除所述第一黏性胶和所述临时衬底，实现微型led阵列的第二次转移。具体地，所述去除所述第一黏性胶和所述临时衬底，露出所述微型led阵列的所述电极可以包括：通过丙酮溶液溶解所述第一黏性胶，以便去除所述第一黏性胶和所述硅片基板，并且露出所述微型led阵列的电极。
44.参照图2a-图2k，图2a-图2k是示出根据本公开的一个实施例的柔性发光器件的制备方法的制备工艺流程示意图。其中图2f示出了去除所述第一黏性胶13和硅片基板12后的微型led阵列10。其中，可以将如图2e所示的带有硅片基板12的微型led阵列10浸泡到丙酮溶液中，通过丙酮溶液溶解第一黏性胶13，第一黏性胶13溶解后，其上的硅片基板12自然会与微型led阵列10分离，随后可以将硅片基板12去除，从而可以获得如图2f的结构。在该步骤中使用丙酮溶液去除第一黏性胶和硅片基板，对当前制备过程中的包含微型led阵列的结构(如图2e所示)没有额外的损害。
45.如图2f所示，微型led阵列在两次转移后将第一衬底(例如蓝宝石衬底)更换为第三衬底(例如设有uv减黏胶的蓝宝石衬底)。
46.在第二实施例中，所述借助黏性胶且通过两次转移将所述微型led阵列从所述第一衬底转移到第三衬底上，使得所述微型led阵列的电极露出可以包括：通过激光焊接将所述微型led阵列的露出的电极焊接固定在硅片临时衬底上的焊点上；去除所述第一衬底，露出所述微型led阵列的与所述电极相对的电极相对部分；通过第二黏性胶将所述电极相对部分固定在所述第三衬底上；通过激光穿过硅片临时衬底熔化焊点而去除所述硅片临时衬底，露出所述微型led阵列的所述电极。针对该第二实施例，仅是第一步骤和第四步骤与第一实施例不同。因此，微型led阵列仅转移到第三衬底时借助黏性胶。
47.在步骤s103中，可以将转移到所述第三衬底上的所述微型led阵列的电极与所述tft阵列的电极键合。
48.根据本公开的实施例，在将微型led更换完衬底之后，可以将更换完衬底的微型led与tft阵列键合。具体地，所述将转移到所述第三衬底上的所述微型led阵列的电极与所述tft阵列的电极键合包括：通过倒装焊将所述微型led阵列的电极与tft阵列的电极键合。
49.参照图2a-图2k，图2a-图2k是示出根据本公开的一个实施例的柔性发光器件的制备方法的制备工艺流程示意图。其中图2g示出了与tft阵列20连接在一起的微型led阵列10。如图2g所示，将如图2f所示的带有设有uv减黏胶15的蓝宝石衬底14的微型led阵列10翻转，通过倒装焊将该微型led阵列10的阴极1011与如图2b所示的带有设有聚酰亚胺胶22的
玻璃衬底21的tft阵列20的漏极2011键合连接，从而使得微型led阵列10与tft阵列20连接在一起。
50.在步骤s104中，可以去除所述第二衬底，露出所述耐热胶。
51.根据本公开的实施例，在将微型led阵列与tft阵列连接在一起之后，可以去除第二衬底。具体地，所述去除所述第二衬底，露出所述耐热胶可以包括：通过第二紫外激光熔化所述聚酰亚胺胶，以去除所述玻璃衬底并露出所述聚酰亚胺胶。所述第二紫外激光的波长为308nm。
52.参照图2a-图2k，图2a-图2k是示出根据本公开的一个实施例的柔性发光器件的制备方法的制备工艺流程示意图。其中图2h示出了去除tft阵列20的玻璃衬底21时的与微型led阵列连在一起的tft阵列。如图2h所示，在翻转图2g所示的结构后，可以通过第二紫外激光32穿过玻璃衬底21并熔化所述聚酰亚胺胶22，由此可以将玻璃衬底21去除，并且保留聚酰亚胺胶22。为了穿过玻璃衬底21并熔化聚酰亚胺胶22，所述第二紫外激光32的波长为308nm。波长为308nm的紫外激光更有利于穿过玻璃衬底21并熔化聚酰亚胺胶22。应注意，第二紫外激光32在附图中被表示为三条带有箭头的线并且照射方向倾斜，这仅仅是示意性地表示第二紫外激光，并不限定第二紫外激光的覆盖范围和方向。
53.在步骤s105中，可以通过耐热胶将连接在一起的所述微型led阵列和所述tft阵列固定在柔性基板上。
54.根据本公开的实施例，在露出耐热胶之后，可以通过该耐热胶将连在一起的微型led阵列和tft阵列粘贴在柔性基板上。该柔性基板的材料可以包括布料或塑料。
55.参照图2a-图2k，图2a-图2k是示出根据本公开的一个实施例的柔性发光器件的制备方法的制备工艺流程示意图。其中图2i示出了粘贴在柔性基板，例如布料23上的微型led阵列10和tft阵列20。如图2i所示，在翻转经图2h所示操作获得的结构之后，可以将带有uv减黏胶15和蓝宝石衬底14的连在一起的微型led阵列10和tft阵列20通过聚酰亚胺胶22粘贴在布料23上。
56.在步骤s106中，可以去除所述第三衬底。
57.根据本公开的实施例，在与微型led阵列连在一起的tft阵列固定在柔性基板上之后，可以去除第三衬底和uv减黏胶。具体地，所述去除所述第三衬底包括：通过第三紫外激光使所述uv减黏胶降低黏性，以去除所述uv减黏胶和所述蓝宝石衬底。所述第三紫外激光的波长介于350nm和380nm之间。
58.参照图2a-图2k，图2a-图2k是示出根据本公开的一个实施例的柔性发光器件的制备方法的制备工艺流程示意图。其中图2j示出了去除微型led阵列10的蓝宝石衬底14和uv减黏胶15时的固定在布料23上的微型led阵列10和tft阵列20。如图2j所示，可以通过第三紫外激光33穿过蓝宝石衬底14使uv减黏胶15降低黏性，从而可以去除所述uv减黏胶15和所述蓝宝石衬底14。为了穿过蓝宝石衬底14并降低uv减黏胶15的黏性，所述第三紫外激光33的波长可以介于350nm和380nm之间。波长介于350nm和380nm之间的紫外激光更有利于穿过蓝宝石衬底14并降低uv减黏胶15的黏性。应注意，第三紫外激光33在附图中被表示为三条带有箭头的线并且照射方向倾斜，这仅仅是示意性地表示第三紫外激光，并不限定第三紫外激光的覆盖范围和方向。
59.在去除了第三衬底和uv减黏胶之后，柔性发光器件制备完成，图2k示出了制备完
成的柔性发光器件1。
60.根据本公开的实施例，在上述柔性发光器件的制备方法中，在同时存在两个衬底或基板时，这两个衬底或基板不相同并且去除方法不相同且互不干扰，也就是说，在去除一个衬底或基板时，另一个衬底或基板不受影响。因此，第一黏性胶和临时衬底(硅片基板)可以由耐热胶和第二衬底(玻璃衬底)替换，并且相应地替换去除衬底的方法。此外在柔性基板的材料不溶解于丙酮溶液时，第二黏性胶(uv减黏胶)和第三衬底(蓝宝石衬底)可以与第一黏性胶和临时衬底(硅片基板)交换，并且相应地交换去除衬底的方法。当然，在遵循以上原则的情况下，第一黏性胶和临时衬底以及第二黏性胶和第三衬底还可以有更多种的选择，在此不作限制。
61.根据本公开的另一个实施例，在去除所述第三衬底之后，所述方法还可以包括：通过设置柔性封装层对连在一起的所述led阵列和tft阵列进行封装。其中所述柔性封装层可以包括封装胶。
62.在该实施例中，可以在如图2k所示的结构上设置封装胶，该封装胶可以只粘贴在图2k所示的结构的周边或者与图2k所示的结构的形状匹配接触粘贴。由此在封装后形成柔性发光器件使得柔性发光器件可以得到更好的保护。
63.根据本公开的技术方案，在第一衬底(例如蓝宝石衬底)上直接外延生长的微型led阵列，在去除该第一衬底时，采用的是将该微型led阵列固定在刚性的临时衬底(例如硅片基板)上，如此在微型led阵列具有稳定的刚性临时衬底时通过紫外激光直接剥离第一衬底(例如蓝宝石衬底)，使得该第一衬底(例如蓝宝石衬底)不易破碎，从而使得剥离第一衬底(例如蓝宝石衬底)更加顺利和可靠。并且，微型led阵列在更换为第三衬底(例如蓝宝石衬底)和第二黏性胶(例如uv减黏胶)后，使得在连在一起的微型led阵列和tft阵列整体通过耐热胶固定于柔性基板上后，便于去除第三衬底(例如蓝宝石衬底)和第二黏性胶(例如uv减黏胶)，并且不易破坏耐热胶，使得微型led阵列和tft阵列整体可靠地固定于柔性基板上。如果不对微型led阵列更换衬底，而是使用带有第一衬底(例如蓝宝石衬底)的微型led阵列与tft阵列直接进行倒装焊，那么最后在去除第一衬底时，由于连在一起的微型led阵列和tft阵列整体固定在不稳定的柔性基板上，因此通过紫外激光去除第一衬底时很容易造成第一衬底的破碎，从而不利于第一衬底的整体移除。
64.另外，将微型led阵列在两次转移后更换为易去除的衬底并且与用于驱动微型led阵列的tft阵列连接，随后通过耐热胶与柔性基板粘贴来固定连在一起的微型led阵列和tft阵列，使得微型led阵列和tft阵列可以整体可靠且高效地固定于各种柔性基板上，从而使得柔性发光器件可以应用于各种柔性产品，实现不同的功能。
65.本公开还提供了一种柔性发光器件。该柔性发光器件可以通过上述柔性发光器件的制备方法制造而成。
66.图2k示出了本公开的柔性发光器件1，如图2a-图2k所示，所述柔性发光器件1可以包括：柔性基板；耐热胶，其设置在所述柔性基板上；tft阵列20，其设置在所述耐热胶上，并且所述tft阵列20的电极在所述tft阵列20的远离所述耐热胶的一侧；微型led阵列10，其设置在所述tft阵列20上，并且所述微型led阵列10的电极与所述tft阵列20的电极连接。
67.根据本公开的柔性发光器件的结构，通过耐热胶将连在一起的微型led阵列和tft阵列与柔性基板固定，使得微型led阵列和tft阵列可以整体可靠且高效地固定于各种柔性
基板上，从而使得柔性发光器件可以应用于各种柔性产品，实现不同的功能。
68.下面结合图2a-图2k对本公开的柔性发光器件的实施例进行进一步地描述。
69.根据本公开的实施例，所述柔性基板包括布料或塑料。所述柔性基板可以是布料23。如以上描述的柔性发光器件的制备方法所述，柔性发光器件1可以在布料23上制备而成。同样地，柔性发光器件可以在塑料上制备而成。当然，柔性基板还可以包括其它柔性目标物，在此不作限制。由此，柔性发光器件1的应用更加广泛。
70.根据本公开的实施例，所述耐热胶包括聚酰亚胺胶22。该聚酰亚胺胶22有利于tft阵列在其上制备。所述耐热胶还可以是其它任何耐高温且适于在其上制备tft阵列的胶。
71.根据本公开的实施例，聚酰亚胺胶22可以由聚酰亚胺胶水固化形成。所述聚酰亚胺胶将所述柔性基板和所述tft阵列固定在一起。聚酰亚胺胶22可以将布料23和tft阵列20粘在一起，即将tft阵列20粘贴在布料23上。由于该聚酰亚胺胶，使得柔性发光器件1可以在布料等柔性材料上制备而成，增大了柔性发光器件的应用范围。
72.根据本公开的实施例，所述tft阵列在所述耐热胶上制备而成，并且所述tft阵列的漏极在所述tft阵列的远离所述耐热胶的一侧。以聚酰亚胺胶为例，由于该聚酰亚胺胶22的耐热温度可达300摄氏度，因此tft阵列20可以直接在聚酰亚胺胶22上制备而成并且tft阵列20的漏极2011位于顶部，如此可简化制造工艺，简单地直接使用聚酰亚胺胶22将tft阵列20固定在例如布料23的柔性基板上。
73.根据本公开的实施例，所述微型led阵列在蓝宝石衬底上制备而成，并且所述微型led阵列的阴极在所述微型led阵列的远离所述蓝宝石衬底的一侧。所述微型led阵列10可以在蓝宝石衬底上制备而成并且微型led阵列10的阴极1011位于顶部。
74.根据本公开的实施例，所述微型led阵列通过倒装焊与所述tft阵列连接在一起。具体地，所述微型led阵列的阴极通过倒装焊与所述tft阵列的漏极键合。在该实施例中，通过倒装焊可以使微型led阵列10的位于顶部的阴极1011与tft阵列20的位于顶部的漏极2011键合连接。
75.根据本公开的实施例，所述柔性发光器件包括柔性封装层，所述柔性封装层对所述柔性发光器件进行封装并且包括柔性胶。在该实施例中，该封装胶可以只粘贴在图2k所示的结构的周边或者与图2k所示的结构的形状匹配接触粘贴。由此在封装后形成柔性发光器件使得柔性发光器件可以得到更好的保护。
76.值得注意的是，上述柔性发光器件的制备方法中的关于柔性发光器件结构的任何相关描述(包括但不限于技术特征及其作用、解释等)都可以应用于本公开的柔性发光器件。
77.本公开还提供了一种发光装置。该发光装置包括上述柔性发光器件和和与所述柔性发光器件连接的控制电路，并因此可以构成柔性发光装置。
78.根据本公开的实施例，该柔性发光装置可以用作显示装置或照明装置等。该柔性发光器件的微型led阵列可以作为像素单元阵列或发光单元阵列。
79.值得注意的是，该柔性发光器件可以应用于不同的柔性产品，并将柔性产品或柔性产品的柔性部件作为柔性基板而在该柔性产品上制备而成。
80.在一个实施例中，针对衣物，该柔性发光器件可以将该衣物的布料作为柔性基板，直接在布料上制备柔性发光器件，然后利用带有该柔性发光器件的布料制作衣物，或者直
接在成品衣物上制备该柔性发光器件。此外，控制电路可以是单独的设置于fpc(柔性印刷电路板)连接器上的ic芯片，fpc连接器同样可以设置在布料上，由此控制电路可以通过fpc连接器与柔性发光器件连接。当然，fpc连接器可以固定于衣物外部的装置上与柔性发光器件进行连接。由此，可以在衣服上设置由柔性发光器件和控制电路构成的显示装置或照明装置。
81.在另一个实施例中，针对美容面膜或面罩(塑料材质)，该柔性发光器件可以将该面膜或面罩作为柔性基板，直接在面膜或面罩上面向人脸的一侧制备柔性发光器件。此外，控制电路可以是单独的设置于fpc(柔性印刷电路板)连接器上的ic芯片，fpc连接器同样可以设置在面膜或面罩上，由此控制电路可以通过fpc连接器与柔性发光器件连接。当然，fpc连接器可以固定于面膜或面罩外部的装置上而与柔性发光器件进行连接。由此，可以在面膜或面罩上设置由柔性发光器件和控制电路构成的发光装置。由于微型led阵列的特性，该发光装置可以利用不同颜色、不同强度的光对人脸的不同区域进行美容。
82.当然，本公开的柔性发光装置在用作显示装置时，可以是应用于电子设备的显示屏。该电子设备可以包括：智能手机、智能手表、笔记本电脑、平板电脑、行车记录仪、导航仪等任何具有显示屏的设备。
83.需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本技术的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
84.需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施方式例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
85.以上所述仅为本公开的优选实施例而已，并不用于限制本公开，对于本领域的技术人员来说，本公开可以有各种更改和变化。凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。