用于有机电致发光器件的材料的制作方法

用于有机电致发光器件的材料
1.本发明涉及包含式(h1)化合物和式(h2)化合物的组合物。本发明还涉及包含含有式(h1)化合物和式(h2)化合物的组合物以及溶剂的制剂。最后，本发明涉及包含这种组合物的电子器件。
2.用于电子器件的功能性化合物的开发目前是深入研究的主题。特别地，目标是开发化合物，其中所述化合物可以在一个或多个相关点上实现电子器件的改进性能，例如器件的功率效率和寿命以及发射光的颜色坐标。
3.根据本发明，术语电子器件被认为尤其是指有机集成电路(oic)、有机场效应晶体管(ofet)、有机薄膜晶体管(otft)、有机发光晶体管(olet)、有机太阳能电池(osc)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(ofqd)、有机发光电化学电池(olec)、有机激光二极管(o-激光器)和有机电致发光器件(oled)。
4.特别令人感兴趣的是提供在最后提到的称为oled的电子器件中使用的化合物。oled的一般结构和功能原理是本领域技术人员已知的并且例如描述于us 4539507中。
5.oled的性能数据仍然需要进一步改进，特别是考虑到广泛的商业用途，例如在显示设备中或作为光源，仍然需要进一步改进。在这方面特别重要的是oled的寿命、效率和工作电压以及所达到的色值。特别是，在发蓝光oled的情况下，在器件的效率、寿命和工作电压方面存在改进的潜力。
6.实现所述改进的一个重要起点是发光体化合物和主体化合物的选择。实际上，发光体化合物通常在发光层中与用作基质化合物或主体化合物的第二化合物组合使用。这里的发光体化合物被认为是指在电子器件工作期间发光的化合物。在这种情况下，主体化合物被认为是指以比发光体化合物更大的比例存在于混合物中的化合物。术语基质化合物和术语主体化合物可以同义使用。主体化合物优选不发光。即使在发光层的混合物中存在多种不同的主体化合物，它们各自的比例通常也大于发光体化合物的比例，或者如果在发光层的混合物中存在多种发光体化合物，则多种不同的主体化合物各自的比例大于多种发光体化合物各自的比例。
7.例如在us 4769292中已经针对荧光发光层描述了这样的实施方式。
8.如果发光层中存在多种化合物的混合物，则发光体化合物通常是比发光层的混合物中存在的其它化合物的含量更小、即比例更小的组分。在这种情况下，发光体化合物也称为掺杂剂。
9.从现有技术已知的用于荧光发光体的主体化合物是多种化合物。发光层可以包含一种或多种主体化合物。
10.包含菲基团的主体化合物已在现有技术中(例如在wo2009/100925中)公开。包含苯并蒽基团的主体化合物也已在现有技术中(例如在wo 2015/158409中)公开。
11.然而，仍然需要用于荧光发光体的其它主体材料，其可以用于oled中并导致oled在寿命、颜色发光和效率方面具有非常好的性能。更特别是，需要结合了非常高的效率、非常好的寿命和非常好的热稳定性的荧光发光体的主体材料。
12.此外，已知oled可以包括不同的层，所述层可以通过真空室中的气相沉积或通过
从溶液中加工来施加。基于气相沉积的工艺产生非常好的结果，但它们可为复杂且昂贵的。因此，还需要能够从溶液中容易且可靠地加工的包含oled材料的组合物。更特别地，需要包含oled材料的组合物，在oled的制造期间，当从制剂中，更特别地从溶液如油墨中加工时，所述组合物可以沉积为均匀膜。在这种情况下，材料应在包含它们的溶液中具有良好的溶解性，并且包含oled材料的沉积膜在导致溶剂去除的干燥步骤之后应尽可能平滑。重要的是，沉积层形成平滑且均匀的膜，因为层厚度不均匀性会导致发光密度分布不匀，其中膜厚度较薄的区域显示增加的发光密度并且较厚的区域具有降低的发光密度，这导致oled的质量下降。同时，包含从溶液加工的膜的oled应表现出良好的性能，例如在寿命、工作电压和效率方面表现出良好的性能。
13.此外，还需要产生稳定的oled材料的方法，所述材料易于纯化并易于加工。对于通过提供可接受的纯度和高产率的oled材料而在经济上和质量上令人感兴趣的工艺，是需要的。
14.因此，本发明基于提供包含oled材料的组合物的技术目的，所述组合物适用于电子器件，例如oled，更特别地用作荧光发光体的基质组分。本发明还基于提供包含oled材料的组合物的技术目的，所述组合物特别适用于溶液加工。本发明还基于提供工艺的技术目的。
15.在对用于电子器件的新型组合物的研究中，现已发现，包含如下定义的式(h1)化合物和式(h2)化合物的组合物非常适用于电子器件。特别地，它们实现了上述技术目的中的一个或多个，优选地全部技术目的。
16.因此，本技术涉及一种组合物，所述组合物包含式(h1)的化合物和式(h2)的化合物，
[0017][0018]
其中以下适用于所使用的符号和标记：
[0019]
x在每次出现时相同地或不同地代表cr
x
或n；或者如果x键合到基团ar1或ars，则x为c；
[0020]
z在每次出现时相同地或不同地代表crz或n；或者如果z键合到基团ar3，则z为c；
[0021]
ar1在每次出现时相同地或不同地是具有10至60个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，所述芳基或杂芳基基团在每种情况下还可被一个或多个基团rv取代；
[0022]
ar3在每次出现时相同地或不同地是具有10至60个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，所述芳基或杂芳基基团在每种情况下还可被一个或多个基团ry取代；
[0023]
ar2、ar4、ars在每次出现时相同地或不同地是具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下还可被一个或多个基团r取代；
[0024]
rv、r
x
、ry、rz在每次出现时相同地或不同地代表h，d，f，cl，br，i，cho，cn，c(＝o)ar，p(＝o)(ar)2，s(＝o)ar，s(＝o)2ar，n(r)2，n(ar)2，no2，si(r)3，b(or)2，oso2r，具有1至40个c原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷基基团，或具有3至40个c原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团，所述烷基、烷氧基或硫代烷基基团中的每个可被一个或多个基团r取代，其中在每种情况下一个或多个非相邻的ch2基团可被rc＝cr、c≡c、si(r)2、ge(r)2、sn(r)2、c＝o、c＝s、c＝se、p(＝o)(r)、so、so2、o、s或conr代替并且其中一个或多个h原子可被d、f、cl、br、i、cn或no2代替，具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下可被一个或多个基团r取代，或具有5至60个芳族环原子的芳氧基基团，所述芳氧基基团可被一个或多个基团r取代；其中两个相邻基团rv、两个相邻基团r
x
、两个相邻基团ry、两个相邻基团rz可一起形成脂族、芳族或杂芳族环系，所述芳族或
杂芳族环系可被一个或多个基团r取代；
[0025]
r在每次出现时相同地或不同地代表h，d，f，cl，br，i，cho，cn，c(＝o)ar，p(＝o)(ar)2，s(＝o)ar，s(＝o)2ar，n(r
′
)2，n(ar)2，no2，si(r
′
)3，b(or
′
)2，oso2r
′
，具有1至40个c原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷基基团，或具有3至40个c原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团，所述烷基、烷氧基或硫代烷基基团中的每个可被一个或多个基团r
′
取代，其中在每种情况下一个或多个非相邻的ch2基团可被r
′
c＝cr
′
、c≡c、si(r
′
)2、ge(r
′
)2、sn(r
′
)2、c＝o、c＝s、c＝se、p(＝o)(r
′
)、so、so2、o、s或conr
′
代替并且其中一个或多个h原子可被d、f、cl、br、i、cn或no2代替，具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下可被一个或多个基团r
′
取代，或具有5至60个芳族环原子的芳氧基基团，所述芳氧基基团可被一个或多个基团r
′
取代；其中两个相邻取代基r可一起形成脂族或芳族环系，所述脂族或芳族环系可被一个或多个基团r
′
取代；
[0026]
ar在每次出现时相同地或不同地是具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下还可被一个或多个基团r
′
取代；
[0027]r′
在每次出现时相同地或不同地代表h，d，f，cl，br，i，cn，具有1至20个c原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷基基团，或具有3至20个c原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团，其中在每种情况下一个或多个非相邻的ch2基团可被so、so2、o、s代替并且其中一个或多个h原子可被d、f、cl、br或i代替，或具有5至24个芳族环原子的芳族或杂芳族环系；并且
[0028]
a、b在每次出现时相同地或不同地为0或1；其中当a或b为0时，则相应的ars不存在并且基团ar1直接键合到基团x。
[0029]
在本发明意义上的相邻取代基是与彼此直接键合的原子键合的取代基或者键合至同一原子的取代基。
[0030]
此外，以下化学基团的定义适用于本技术的目的：
[0031]
在本发明意义上的芳基基团含有6至60个芳族环原子，优选6至40个芳族环原子，更优选6至20个芳族环原子；在本发明意义上的杂芳基基团含有5至60个芳族环原子，优选5至40个芳族环原子，更优选5至20个芳族环原子，其中的至少一个是杂原子。所述杂原子优选地选自n、o和s。这代表了基本的定义。如果在本发明的说明书中例如在芳族环原子数量或所存在杂原子方面指出了其它优选特征，则适用这些优选特征。
[0032]
此处芳基基团或杂芳基基团被认为是指简单的芳族环，即苯，或者简单的杂芳族环，例如吡啶、嘧啶或噻吩，或者稠合(增环)的芳族或杂芳族的多环化合物，例如萘、菲、喹啉或咔唑。在本技术意义上的稠合(增环)的芳族或杂芳族多环化合物由两个或更多个彼此稠合的简单的芳族或杂芳族环组成。
[0033]
在每种情况下可被上述基团取代并且可以经由任何希望的位置与芳族或杂芳族环系连接的芳基或杂芳基基团，特别被认为是指衍生于如下物质的基团：苯、萘、蒽、菲、芘、二氢芘、苣、苝、荧蒽、苯并蒽、苯并菲、并四苯、并五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、唑、苯并唑、萘并唑、蒽并唑、菲并唑、异唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻
唑、哒嗪、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、吡嗪、吩嗪、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-二唑、1,2,4-二唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲嗪和苯并噻二唑。
[0034]
根据本发明定义的芳氧基基团被认为是指经由氧原子键合的如上文所定义的芳基基团。类似的定义适用于杂芳氧基基团。
[0035]
在本发明意义上的芳族环系在环系中含有6至60个c原子，优选6至40个c原子，更优选6至20个c原子。在本发明意义上的杂芳族环系含有5至60个芳族环原子，优选5至40个芳族环原子，更优选5至20个芳族环原子，其中的至少一个是杂原子。所述杂原子优选地选自n、o和/或s。在本发明意义上的芳族或杂芳族环系旨在被认为是指以下体系：其不必仅含有芳基或杂芳基基团，而是其中多个芳基或杂芳基基团还可以通过非芳族单元(优选小于非h原子的10％)连接，所述非芳族单元例如是sp3杂化的c、si、n或o原子，sp2杂化的c或n原子，或者sp杂化的c原子。因此，例如，诸如9,9'-螺二芴、9,9'-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚、茋等的体系同样旨在被认为是在本发明意义上的芳族环系，并且其中两个或更多个芳基基团例如通过直链或环状的烷基、烯基或炔基基团或通过甲硅烷基基团连接的体系一样。此外，其中两个或更多个芳基或杂芳基基团经由单键彼此连接的体系，例如，诸如联苯、三联苯或二苯基三嗪的体系，也被认为是在本发明意义上的芳族或杂芳族环系。
[0036]
在每种情况下还可被如上文所定义的基团取代并且可以经由任何希望的位置与所述芳族或杂芳族基团连接的具有5-60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，特别被认为是指衍生于如下物质的基团：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、苣、苝、荧蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、联苯、联苯、三联苯、联三苯叉、四联苯、芴、螺二芴、二氢菲、二氢芘、四氢芘、顺式或反式茚并芴、三聚茚、异三聚茚、螺三聚茚、螺异三聚茚、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、唑、苯并唑、萘并唑、蒽并唑、菲并唑、异唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1,5-二氮杂蒽、2,7-二氮杂芘、2,3-二氮杂芘、1,6-二氮杂芘、1,8-二氮杂芘、4,5-二氮杂芘、4,5,9,10-四氮杂苝、吡嗪、吩嗪、吩嗪、吩噻嗪、荧红环、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-二唑、1,2,4-二唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲嗪和苯并噻二唑，或这些基团的组合。
[0037]
出于本发明的目的，其中个别h原子或ch2基团还可被上文在所述基团定义下提及的基团取代的具有1至40个c原子的直链烷基基团或者具有3至40个c原子的支链或环状的烷基基团或者具有2至40个c原子的烯基或炔基基团，优选被认为是指如下的基团：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、环戊基、
新戊基、正己基、环己基、新己基、正庚基、环庚基、正辛基、环辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。具有1至40个c原子的烷氧基或硫代烷基基团优选被认为是指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、仲戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、环己氧基、正庚氧基、环庚氧基、正辛氧基、环辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、异丙硫基、正丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、正戊硫基、仲戊硫基、正己硫基、环己硫基、正庚硫基、环庚硫基、正辛硫基、环辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、环戊烯硫基、己烯硫基、环己烯硫基、庚烯硫基、环庚烯硫基、辛烯硫基、环辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。
[0038]
出于本技术的目的，两个或更多个基团可以彼此形成环的表述旨在被认为尤其是指两个基团通过化学键彼此连接。这由以下方案示例：
[0039][0040]
然而，此外，上述表述也旨在被认为是指，在其中两个基团之一表示氢的情况下，第二基团键合在氢原子所键合的位置处，从而成环。
[0041]
这由以下方案示例：
[0042][0043]
优选地，基团ar1和ar3在每次出现时相同地或不同地代表蒽、菲、芘、苣、苝、荧蒽、苯并蒽、苯并菲、并四苯或并五苯，它们中的每个在每种情况下可以在任何自由位置被一个或多个基团rv取代(对于ar1)或者在任何自由位置被一个或多个基团ry取代(对于ar3)。
[0044]
优选地，基团ar1、ar3在每次出现时相同地或不同地代表具有10至18个芳族环原子的稠合芳基基团。更优选地，基团ar1、ar3在每次出现时相同地或不同地代表蒽、萘、菲、并四苯、苣、苯并蒽、苯并菲、芘、苝、联三苯叉、苯并芘或荧蒽，所述基团中的每个可以在任何自由位置被一个或多个基团rv取代(在ar1的情况下)或被一个或多个基团ry取代(在ar3的情况下)。非常优选地，基团ar1、ar3代表蒽基团，所述基团可以在任何自由位置被一个或多个基团rv取代(对于ar1)或在任何自由位置被一个或多个基团ry取代(对于ar3)。
[0045]
合适的基团ar1和ar3的实例是如下表所示的式(ar1-1)至(ar1-11)的基团：
[0046][0047][0048]
其中
[0049]
虚线键表示与相邻基团的键合；并且其中式(ar1-1)至(ar1-11)的基团可以在每个自由位置被基团rv取代(在ar1的情况下)或被基团ry取代(在ar3的情况下)，其中rv和ry具有与上文相同的含义。
[0050]
在式(ar1-1)至(ar1-11)的基团中，式(ar1-1)的基团是优选的。
[0051]
非常合适的基团ar1和ar3的实例是如下表所示的式(ar1-1-1)至(ar1-12-1)的基团：
[0052][0053][0054]
其中
[0055]
虚线键表示与相邻基团的键合；并且其中式(ar1-1-1)至(ar1-12-1)的基团可以在每个自由位置被基团rv取代(在ar1的情况下)或被基团ry取代(在ar3的情况下)，其中rv和ry具有与上文相同的含义。
[0056]
在式(ar1-1-1)至(ar1-12-1)的基团中，式(ar1-1-1)的基团是优选的。
[0057]
优选地，所述式(h2)的化合物选自式(h2-1)的化合物，
[0058][0059]
其中符号ar2和z具有与上文相同的含义；并且其中
[0060]
y是cry或n；或者如果y键合到ar2或基团z，则y为c；其中ry具有与上文相同的含义。
[0061]
更优选地，所述式(h2)的化合物选自式(h2-2)的化合物，
[0062][0063]
其中ar2、y、z具有与上文相同的含义。
[0064]
甚至更优选地，所述式(h2)的化合物选自式(h2-3)的化合物，
[0065]
[0066]
其中符号具有与上文相同的含义，并且条件是在相邻蒽的键合位置处的基团crz对应于基团c。
[0067]
特别优选地，所述式(h2)的化合物选自式(h2-4)的化合物，
[0068][0069]
其中符号具有与上文相同的含义。
[0070]
非常特别优选地，所述式(h2)的化合物选自式(h2-5)的化合物，
[0071][0072]
其中符号具有与上文相同的含义。
[0073]
非常合适的式(h2-5)化合物的实例是化合物(h2-5-1)至(h2-5-4)，
[0074][0075]
其中符号具有与上文相同的含义。
[0076]
优选地，ry、rz在每次出现时相同地或不同地代表h，d，f，具有1至40个、优选地1至20个、更优选地1至10个c原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷基基团，或具有3至40个、优选地3至20个、更优选地3至10个c原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团，所述烷基、烷氧基或硫代烷基基团中的每个可被一个或多个基团r取代，其中在每种情况下一个或多个非相邻的ch2基团可被rc＝cr、c≡c、o或s代替并且其中一个或多个h原子可被d或f代替，具有5至60个、优选地5至40个、更优选地5至30个、特别优选地5至18个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下可被一个或多个基团r取代。更优选地，ry、rz在每次出现时相同地或不同地代表h，d，f，具有1至20个、优选地1至10个、更优选地1至6个c原子的直链烷基基团，或具有3至20个、优选地3至10个、更优选地3至6个c原子的支链或环状的烷基基团，所述烷基基团中的每个可被一个或多个基团r取代，具有5至40个、优选地5至30个、更优选地5至18个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下可被一个或多个基团r取代。
[0077]
特别优选地，ry代表h。
[0078]
特别优选地，rz在每次出现时相同地或不同地代表具有1至10个、更优选地1至6个c原子的直链烷基基团，或具有3至10个、更优选地3至6个c原子的支链或环状的烷基基团，
所述烷基基团中的每个可被一个或多个基团r取代，具有5至40个、优选地5至30个、更优选地5至18个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下可被一个或多个基团r取代。
[0079]
优选地，所述式(h1)的化合物选自式(h1-1)的化合物，
[0080][0081]
其中符号x、ars、ar4以及标记a和b具有与上文相同的含义；并且
[0082]
v是crv或n；或者如果v键合到ar4、ars或基团x，则v为c；其中rv具有与上文相同的含义。
[0083]
优选地，标记a和b等于0，因此基团ars不存在并且蒽部分直接键合到菲部分。
[0084]
优选地，基团ars在每次出现时相同地或不同地代表苯基、联苯基、芴、螺二芴、萘、菲、蒽、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、吡啶、嘧啶、吡嗪、哒嗪、三嗪、苯并吡啶、苯并哒嗪、苯并嘧啶和喹唑啉，所述基团中的每个可被一个或多个基团r取代。
[0085]
合适的基团ars的实例是如下表所示的式(ars-1)至(ars-26)的基团：
[0086]
[0087]
[0088][0089]
其中虚线键表示与式(1)中相邻基团的键合；
[0090]
其中式(ars-1)至(ars-26)的基团可以在每个自由位置被基团r取代，所述基团r具有与上述定义相同的含义；并且
[0091]
其中基团e在每次出现时相同地或不同地选自
–
br
0-、-c(r0)
2-、-si(r0)
2-、-c(＝o)-、-o-、-s-、-s(＝o)-、-so
2-、-n(r0)-和-p(r0)-，
[0092]
其中r0在每次出现时相同地或不同地代表h，d，f，具有1至20个、优选地1至10个c原子的直链烷基基团，或具有3至20个、优选地3至10个c原子的支链或环状的烷基基团，所述烷基基团中的每个可被一个或多个基团r取代，其中在每种情况下一个或多个非相邻的ch2基团可被o或s代替并且其中一个或多个h原子可被d或f代替，或具有5至40个、优选地5至30个、更优选地6至18个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下可被一个或多个基团r取代，其中两个相邻基团r0可一起形成脂族或芳族环系，所述脂族或芳族环系可被一个或多个基团r取代。
[0093]
在式(ars-1)至(ars-26)的基团中，式(ars-1)、(ars-2)、(ars-3)、(ars-11)和(ars-12)的基团是优选的。式(ars-1)、(ars-2)、(ars-3)的基团是非常优选的。
[0094]
更优选地，所述式(h1)的化合物选自式(h1-2)的化合物，
[0095][0096]
其中x、ar4和v具有与上文相同的含义。
[0097]
甚至更优选地，所述式(h1)的化合物选自式(h1-3)的化合物，
[0098][0099]
其中符号具有与上文相同的含义。
[0100]
特别优选地，所述式(h1)的化合物选自式(h1-4)的化合物，
[0101][0102]
其中符号具有与上文相同的含义。
[0103]
非常特别优选地，所述式(h1)的化合物选自式(h1-5)的化合物，
[0104]
其中符号具有与权利要求1中的相同的含义。
[0105]
非常合适的式(h1-5)化合物的实例是化合物(h1-5-1)至(h1-5-4)，
[0106][0107][0108]
其中符号具有与上文相同的含义。
[0109]
优选地，r
x
、rv在每次出现时相同地或不同地代表h，d，f，具有1至40个、优选地1至20个、更优选地1至10个c原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷基基团，或具有3至40个、优选地3至20个、更优选地3至10个c原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团，所述烷基、烷氧基或硫代烷基基团中的每个可被一个或多个基团r取代，其中在每种情况下一个或多个非相邻的ch2基团可被rc＝cr、c≡c、o或s代替并且其中一个或多个h原子可被d或f代替，具有5至60个、优选地5至40个、更优选地5至30个、特别优选地5至18个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下可被一个或多个基团r取代。更优选地，r
x
、rv在每次出现时相同地或不同地代表h，d，f，具有1至20个、优选地1至10个、更优选地1至6个c原子的直链烷基基团，或具有3至20个、优选地3至10个、更优选地3至6个c原子的支
链或环状的烷基基团，所述烷基基团中的每个可被一个或多个基团r取代，具有5至40个、优选地5至30个、更优选地5至18个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下可被一个或多个基团r取代。
[0110]
更优选地、r
x
、rv在每次出现时相同地或不同地代表h，具有1至10个、更优选地1至6个c原子的直链烷基基团，或具有3至10个、更优选地3至6个c原子的支链或环状的烷基基团，所述烷基基团中的每个可被一个或多个基团r取代，具有5至40个、优选地5至30个、更优选地6至18个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下可被一个或多个基团r取代。
[0111]
优选地，基团ar2、ar4在每次出现时相同地或不同地选自具有5至30个、优选地5至25个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下可被一个或多个基团r取代。更优选地，基团ar2、ar4选自苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、芴、螺二芴、萘、菲、蒽、联三苯叉、荧蒽、并四苯、苣、苯并蒽、苯并菲、芘、苝、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、茚并咔唑、吲哚并咔唑、吡啶、嘧啶、吡嗪、哒嗪、三嗪、喹诺酮、苯并吡啶、苯并哒嗪、苯并嘧啶、苯并咪唑和喹唑啉，所述基团中的每个可被一个或多个基团r取代；其中ar2、ar4也可以是两个或更多个前述基团的组合。特别优选地，基团ar2、ar4选自苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、芴、螺二芴、萘、蒽、菲、联三苯叉、荧蒽、并四苯、苣、苯并蒽、苯并菲、芘或苝、二苯并呋喃、咔唑和二苯并噻吩，所述基团中的每个可以在任何自由位置被一个或多个基团r取代；并且其中ar2、ar4也可以是两个或更多个前述基团的组合。非常特别优选地，基团ar2、ar4选自苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、芴、螺二芴、萘、蒽、菲、联三苯叉、荧蒽、二苯并呋喃、咔唑和二苯并噻吩，所述基团中的每个可以在任何自由位置被一个或多个基团r取代；并且其中ar2、ar4也可以是两个或更多个前述基团的组合。
[0112]
合适的基团ar2和ar4的实例是如下表所绘示的式(ar2-1)至(ar2-27)的基团：
[0113]
[0114]
[0115][0116]
其中虚线键表示与相邻基团的键合并且其中基团r0具有与上文相同的含义；并且其中式(ar2-1)至(ar2-27)的基团可以在每个自由位置被基团r取代，所述基团r具有与上文相同的含义。
[0117]
在式(ar2-1)至(ar2-27)的基团中，式(ar2-1)、(ar2-2)、(ar2-3)、(ar2-4)、(ar2-5)、(ar2-8)、(ar2-18)、(ar2-19)的基团是优选的。式(ar2-1)、(ar2-2)、(ar2-3)、(ar2-4)、(ar2-5)的基团是非常优选的。
[0118]
优选地，r在每次出现时相同地或不同地代表h，d，f，cn，n(ar)2，具有1至40个、优选地1至20个、更优选地1至10个c原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷基基团，或具有3至40个、优选地3至20个、更优选地3至10个c原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团，所述烷基、烷氧基或硫代烷基基团中的每个可被一个或多个基团r
′
取代，其中在每种情况下一个或多个非相邻的ch2基团可被r
′
c＝cr
′
、c≡c、o或s代替并且其中一个或多个h原子可被d或f代替，或具有5至60个、优选地5至40个、更优选地5至30个、特别优选地6至18个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下可被一个或多个基团r
′
取代。
[0119]
优选地，r
′
在每次出现时相同地或不同地代表h，d，f，cl，br，i，cn，具有1至10个c原子的直链烷基基团，或具有3至10个c原子的支链或环状的烷基基团，其中在每种情况下一个或多个h原子可被d或f代替，或具有5至18个c原子的芳族或杂芳族环系。
[0120]
以下化合物是式(h1)化合物的实例：
[0121]
[0122]
[0123]
[0124]
[0125][0126]
以下化合物是式(h2)化合物的实例：
[0127]
[0128]
[0129]
[0130]
[0131]
[0132][0133]
根据一个优选的实施方式，所述组合物包含式(h1)的化合物、式(h2)的化合物和至少一种荧光发光体。表述“至少一种荧光发光体”是指“一种、两种、三种或更多种荧光发光体”。
[0134]
优选地，所述组合物包含至少一种荧光发光体，所述荧光发光体包含以下中的至少一种：
[0135]-含有三个直接与氮键合的被取代或未被取代的芳族或杂芳族环系的芳基胺；
[0136]-具有至少14个芳族环原子的稠合芳族环系或稠合杂芳族环系；
[0137]-茚并芴、茚并芴胺或茚并芴二胺；
[0138]-苯并茚并芴、苯并茚并芴胺或苯并茚并芴二胺；
[0139]-二苯并茚并芴、二苯并茚并芴胺或二苯并茚并芴二胺；
[0140]-含有具有至少10个芳族环原子的稠合芳基基团的茚并芴；
[0141]-双茚并茚并芴；
[0142]-茚并二苯并呋喃；茚并芴胺或茚并芴二胺；
[0143]-芴二聚体；
[0144]-吩嗪；或
[0145]-硼衍生物。
[0146]
更优选地，所述组合物包含至少一种式(e-1)的荧光发光体，
[0147][0148]
其中
[0149]
ar
10
、ar
11
、ar
12
在每次出现时相同地或不同地是具有6至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下还可被一个或多个基团r取代；条件是至少一个基团ar
10
、ar
11
、ar
12
是具有10至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系含有至少一个由2至4个彼此稠合的芳族环组成的稠合芳基基团或稠合杂芳基基团，其中所述芳族或杂芳族环系可被一个或多个基团r取代；
[0150]
r具有与上文相同的定义；并且
[0151]
d为1、2、3或4；更优选地，d为1；
[0152]
或至少一种式(e-2)的荧光发光体，
[0153][0154]
其中
[0155]
ar
20
、ar
21
、ar
22
在每次出现时相同地或不同地是具有6至30个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，所述芳基或杂芳基基团在每种情况下还可被一个或多个基团r取代；
[0156]e20
在每次出现时相同地或不同地是选自br、c(r0)2、si(r0)2、c＝o、c＝nr0、c＝c(r0)2、o、s、s＝o、so2、nr0、pr0、p(＝o)r0或p(＝s)r0的基团；其中ar
20
、ar
21
和e
20
一起形成五元环或六元环，并且ar
21
、ar
23
和e
20
一起形成五元环或六元环；
[0157]
r0具有与上文相同的定义；
[0158]
p、q在每次出现时相同地或不同地为0或1，条件是p+q＝1；
[0159]
r为1、2或3；
[0160]
或至少一种式(e-3)的荧光发光体，
[0161][0162]
其中
[0163]
ar
30
、ar
31
、ar
32
在每次出现时相同地或不同地代表具有5至22个、优选地5至18个、更优选地6至14个芳族环原子的被取代或未被取代的芳基或杂芳基基团；
[0164]e30
代表b或n；
[0165]e31
、e
32
、e
33
在每次出现时相同地或不同地代表o、s、c(r0)2、c＝o、c＝s、c＝nr0、c＝c(r0)2、si(r0)2、br0、nr0、pr0、so2、seo2或化学键，条件是如果e
30
为b，则基团e
31
、e
32
、e
33
中的至少一者代表nr0，并且如果e
30
为n，则基团e
31
、e
32
、e
33
中的至少一者代表br0；
[0166]
r0具有与上文相同的定义；
[0167]
s、t、u在每次出现时相同地或不同地为0或1，条件是s+t+u≥1。
[0168]
优选地，所述式(e-1)的荧光发光体包含至少一个基团ar
10
、ar
11
或ar
12
，优选地选
自式(ar
10-1)至(ar
10-24)的ar
10
：
[0169]
[0170]
[0171][0172]
其中基团ar
10-1至ar
10-24可以在所有自由位置被一个或多个基团r取代；并且其中
[0173]e10
在每次出现时相同地或不同地是选自br0、c(r0)2、si(r0)2、c＝o、c＝nr0、c＝c(r0)2、o、s、s＝o、so2、nr0、pr0、p(＝o)r0或p(＝s)r0的基团，优选地e
10
是c(r0)2；
[0174]
其中r0具有与上文相同的定义；
[0175]e11
在每次出现时相同地或不同地是选自c＝o、o、s、s＝o或so2的基团，优选地o或s，更优选地o；并且
[0176]
ar
13
在每次出现时相同地或不同地是具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下还可被一个或多个基团r取代。
[0177]
根据一个优选的实施方式，式(e-1)的发光体包含选自式(ar
10-15)至(ar
10-22)的基团ar
10
，其中d优选等于1并且其中优选地至少一个基团ar
11
、ar
12
选自式(ar
10-15)至(ar
10-22)。
[0178]
根据一个非常优选的实施方式，所述式(e-1)的荧光发光体选自式(e-1-1)至(e-1-6)的发光体，
[0179]
[0180][0181]
其中符号具有与上文相同的含义，并且其中：
[0182]
f为0、1或2；并且
[0183]
式(e-1-1)至(e-1-6)的化合物中的上文所示苯环可以在所有自由位置被一个或多个基团r取代。
[0184]
特别优选地，所述式(e-1)的荧光发光体选自式(e-1-1-a)至(e-1-6-a)的化合物，
[0185]
[0186]
[0187][0188]
其中符号和标记具有与上文相同的含义并且其中式(e-1-1-a)至(e-1-6-a)的化合物中的上文所示苯环可以在所有自由位置被一个或多个基团r取代。
[0189]
优选地，所述式(e-2)的荧光发光体选自式(e-2-1)至(e-2-43)的荧光发光体，
[0190]
[0191]
[0192]
[0193]
[0194]
[0195][0196]
其中式(e-2-1)至(e-2-43)的基团可以在所有自由位置被一个或多个基团r取代；并且其中e
20
具有与上文相同的定义。优选地，e
20
是c(r0)2。
[0197]
所述式(e-2)的荧光发光体优选地选自式(e-2-32)至(e-2-43)的化合物。更优选地，所述式(e-2)的化合物选自化合物(e-2-32-a)至(e-2-43-a)：
[0198]
[0199]
[0200][0201]
其中符号具有与上文相同的含义并且其中式(e-2-32-a)至(e-2-43-a)的化合物中的上文所示苯环和萘环可以在所有自由位置被一个或多个基团r取代。
[0202]
优选地，所述式(e-3)的荧光发光体选自式(e-3-1)的荧光发光体，
[0203][0204]
其中符号和标记具有与上文相同的含义。
[0205]
更优选地，所述式(e-3)的荧光发光体选自式(e-3-2)的荧光发光体，
[0206][0207]
其中符号e
30
至e
33
具有与上文相同的含义；其中t为0或1，其中当t为0时，基团e
32
不存在并且基团r
30
存在，其代替与e
32
连接的键；并且其中
[0208]r10
在每次出现时相同地或不同地代表h，d，f，cl，br，i，cho，cn，c(＝o)ar，p(＝o)(ar)2，s(＝o)ar，s(＝o)2ar，n(r
′
)2，n(ar)2，no2，si(r
′
)3，b(or
′
)2，oso2r
′
，具有1至40个c原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷基基团，或具有3至40个c原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团，所述烷基、烷氧基或硫代烷基基团中的每个可被一个或多个基团r
′
取代，其中在每种情况下一个或多个非相邻的ch2基团可被r
′
c＝cr
′
、c≡c、si(r
′
)2、ge(r
′
)2、sn(r
′
)2、c＝o、c＝s、c＝se、p(＝o)(r
′
)、so、so2、o、s或conr
′
代替并且其中一个或多个h原子可被d、f、cl、br、i、cn或no2代替，具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下可被一个或多个基团r
′
取代，或具有5至60个芳族环原子的芳氧基基团，所述芳氧基基团可被一个或多个基团r
′
取代；其中两个相邻取代基r
10
可一起形成脂族或芳族环系，所述脂族或芳族环系可被一个或多个基团r
′
取代；其中r
′
具有与上文相同的定义。
[0209]
甚至更优选地，所述式(e-3)的荧光发光体选自式(e-3-3)和(e-3-4)的荧光发光体，
[0210][0211]
其中符号和标记具有与上文相同的含义。
[0212]
根据一个优选的实施方式，所述式(e-1)、(e-2)或(e-3)的荧光发光体包含基团rs，其中所述基团rs选自：
[0213]-由以下通式(rs-a)的基团表示的支链或环状的烷基基团，
[0214][0215]
其中
[0216]r22
、r
23
、r
24
在每次出现时相同地或不同地选自h，具有1至10个碳原子的直链烷基基团，或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中上述基团可以各自被一个或多个基团r
25
取代，并且其中基团r
22
、r
23
、r
24
中的两者或所有基团r
22
、r
23
、r
24
可以连接形成(多)环烷基基团，所述基团可被一个或多个基团r
25
取代；
[0217]r25
在每次出现时相同地或不同地选自具有1至10个碳原子的直链烷基基团，或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团；
[0218]
条件是在每次出现时基团r
22
、r
23
和r
24
中的至少一者不为h，条件是在每次出现时所有基团r
22
、r
23
和r
24
一起具有至少4个碳原子，并且条件是在每次出现时，如果基团r
22
、r
23
、r
24
中的两者是h，则其余基团不为直链的；或
[0219]-由以下通式(rs-b)表示的支链或环状的烷氧基基团，
[0220][0221]
其中
[0222]r26
、r
27
、r
28
在每次出现时相同地或不同地选自h，具有1至10个碳原子的直链烷基基团，或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中上述基团可以各自被一个或多个如上定义的基团r
25
取代，并且其中基团r
26
、r
27
、r
28
中的两者或所有基团r
26
、r
27
、r
28
可以连接形成(多)环烷基基团，所述(多)环烷基基团可被一个或多个如上定义的基团r
25
取代；
[0223]
条件是在每次出现时基团r
26
、r
27
和r
28
中的仅一者可以是h；
[0224]-由以下通式(rs-c)表示的芳烷基基团
[0225][0226][0227]
其中
[0228]r29
、r
30
、r
31
在每次出现时相同地或不同地选自h，具有1至10个碳原子的直链烷基基团，或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中上述基团可以各自被一个或多个基团r
32
取代，或具有6至30个芳族环原子的芳族环系，所述芳族环系在每种情况下可被一个或多个基团r
32
取代，并且其中基团r
29
、r
30
、r
31
中的两者或全部可以连接形成(多)环烷基基团或芳族环系，所述(多)环烷基基团或芳族环系中的每个可被一个或多个基团r
32
取代；
[0229]r32
在每次出现时相同地或不同地选自具有1至10个碳原子的直链烷基基团，或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，或具有6至24个芳族环原子的芳族环系；
[0230]
条件是在每次出现时基团r
29
、r
30
和r
31
中的至少一者不为h并且在每次出现时基团r
29
、r
30
和r
31
中的至少一者是具有至少6个芳族环原子的芳族环系或含有具有至少6个芳族环原子的芳族环系；
[0231]-由以下通式(rs-d)表示的芳族环系，
[0232][0233]
其中
[0234]r40
至r
44
在每次出现时相同地或不同地选自h，具有1至10个碳原子的直链烷基基团，或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中上述基团可以各自被一个或多个基团r
32
取代，或具有6至30个芳族环原子的芳族环系，所述芳族环系在每种情况下可被一个或多个基团r
32
取代，并且其中基团r
40
至r
44
中的两个或更多个可以连接形成(多)环烷基基团或芳族环系，所述(多)环烷基基团或芳族环系中的每个可被一个或多个如上定义的基团r
32
取代；或
[0235]-式(rs-e)的基团，
[0236][0237]
其中式(rs-e)中的虚线键指示与荧光发光体的键合，其中ar
50
、ar
51
在每次出现时相同地或不同地代表具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下可被一个或多个基团r取代；并且其中m是选自1至10的整数。
[0238]
优选地，式(rs-e)的基团中的标记m是选自1至6、非常优选地1至4的整数。
[0239]
优选地，其中ar
50
、ar
51
在每次出现时相同地或不同地代表具有5至40个、优选地5至30个、更优选地6至18个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下可被一个或多个基团r取代。更优选地，ar
50
、ar
51
选自苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、芴、螺二芴、萘、蒽、菲、联三苯叉、荧蒽、二苯并呋喃、咔唑和二苯并噻吩，其在每种情况下可被一个或多个基团r取代。非常优选地，至少一个基团ar
50
或ar
51
是芴，其可被一个或多个基团r取代。
[0240]
更特别地，优选的是至少一个基团ar
50
代表式(ar50-2)的基团和/或至少一个基团ar
51
代表式(ar51-2)的基团，
[0241][0242]
其中
[0243]
式(ar50-2)中的虚线键指示与荧光发光体的键合和与基团ar
50
或ar
51
的键合；并且式(ar51-2)中的虚线键指示与ar
50
的键合；
[0244]
e4选自-c(r
0a
)
2-、-si(r
0a
)
2-、-o-、-s-或-n(r
0a
)-，优选地-c(r
0a
)2；
[0245]r0a
在每次出现时相同地或不同地代表h，d，f，cn，具有1至40个、优选地1至20个、更优选地1至10个c原子的直链烷基基团，或具有3至40个、优选地3至20个、更优选地3至10个c原子的支链或环状的烷基基团，所述烷基基团中的每个可被一个或多个基团r取代，具有5至60个、优选地5至40个、更优选地5至30个、非常优选地5至18个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下可被一个或多个基团r取代；其中两个相邻取代基r
0a
可以形成单环或多环的脂族环系或芳族环系，所述脂族环系或芳族环系可被一个或多个基团r取代，所述基团r具有与上文相同的含义；并且
[0246]
式(ar50-2)和(ar51-2)的基团可以在每个自由位置被基团r取代，所述基团r具有与上文相同的含义。
[0247]
基团rs优选地位于其代替r、r0或r
′
的位置处。
[0248]
可以用于包含式(h1)和(h2)的化合物的组合物中的荧光发光体的实例是芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族苣胺或芳族苣二胺。芳族蒽胺被认为是指其中一个二芳基氨基基团直接与蒽基团键合，优选在9位键合的化合物。芳族蒽二胺被认为是指其中两个二芳基氨基基团直接与蒽基团键合，优选在9,10位键合的化合物。与此类似地定义芳族的芘胺、芘二胺、苣胺和苣二胺，其中所述二芳基氨基基团优选与芘在1位或在1,6位键合。另外优选的发光体是茚并芴胺或茚并芴二胺，例如根据wo 2006/108497或wo 2006/122630的，苯并茚并芴胺或苯并茚并芴二胺，例如根据wo 2008/006449的，和二苯并茚并芴胺或二苯并茚并芴二胺，例如根据wo 2007/140847的，以及在wo 2010/012328中公开的含有稠合芳基基团的茚并芴衍生物。还另外优选的发光体是如wo 2015/158409中公开的苯并蒽衍生物、如wo 2017/036573中公开的蒽衍生物、如wo 2016/150544中的经由杂芳基基团连接的芴二聚体或如wo 2017/028940和wo 2017/028941中公开的吩嗪衍生物。同样优选wo 2012/048780和wo 2013/185871中公开的芘芳基胺。同样优选wo 2014/037077中公开的苯并茚并芴胺、wo 2014/106522中公开的苯并芴胺和wo 2014/111269或wo 2017/036574、wo 2018/007421中公开的茚并芴。此外优选的是包含二苯并呋喃或茚并二苯并呋喃部分的发光体，如在wo 2018/095888、wo 2018/095940、wo 2019/076789、wo 2019/170572中以及未公开的申请pct/ep2019/072697、pct/ep2019/072670和pct/ep2019/072662中公开的。同样优选硼衍生物，如在例如wo 2015/102118、cn108409769、cn107266484、wo2017195669、us2018069182中以及未公开的申请ep 19168728.4、ep 19199326.0和ep 19208643.7中公开的。
[0249]
在本发明的情况下，非常合适的荧光发光体是wo 2018/007421中公开的茚并芴衍生物和wo 2019/076789中公开的二苯并呋喃衍生物。
[0250]
可以用于包含式(h1)和(h2)的化合物的组合物中的优选荧光发光化合物的实例描述于下表中：
[0251]
[0252]
[0253]
[0254]
[0255]
[0256]
[0257]
[0258]
[0259]
[0260]
[0261]
[0262]
[0263]
[0264]
[0265]
[0266]
[0267]
[0268]
[0269]
[0270]
[0271]
[0272]
[0273]
[0274]
[0275]
[0276]
[0277]
[0278]
[0279]
[0280]
[0281]
[0282]
[0283]
[0284]
[0285]
[0286]
[0287]
[0288]
[0289]
[0290]
[0291]
[0292]
[0293][0294]
根据本发明，所述式(h1)的化合物和所述式(h2)的化合物一起存在于组合物中，优选地以均质混合物存在。
[0295]
优选地，所述式(h1)的化合物以1-60％、优选地5-50％、更优选地10-50％、特别优选地5-40％、更特别优选地10-40％并且非常更特别优选地20-40％的比例存在于根据本发明的组合物中。
[0296]
优选地，所述式(h2)的化合物以30-99％、优选地50-95％、更优选地50-90％、特别优选地60-95％、更特别优选地60-90％并且非常更特别优选地60-80％的比例存在于组合物中。
[0297]
根据一个优选的实施方式，根据本发明的组合物还包含至少一种荧光发光体。在这种情况下，优选的是荧光发光体以0.1％至50.0％、优选地0.5％至20.0％、特别优选地1.0％至10.0％的比例存在于组合物中。
[0298]
出于本技术的目的，以％计的比例的说明，如果化合物是从气相施加的，则被认为是指体积％，并且如果化合物是从溶液施加的，则被认为是指重量％。
[0299]
为了从液相加工中例如通过涂布工艺如旋涂或通过印刷工艺加工根据本发明的化合物，需要根据本发明的组合物的制剂。这些制剂可以例如是溶液、分散液或乳液。出于这个目的，可优选的是使用两种或更多种溶剂的混合物。所述溶剂优选地选自有机和无机溶剂，更优选有机溶剂。所述溶剂非常优选地选自烃、醇、酯、醚、酮和胺。合适且优选的溶剂例如是甲苯，苯甲醚，邻二甲苯、间二甲苯或对二甲苯，苯甲酸甲酯，均三甲基苯，萘满，邻二甲氧苯，thf，甲基-thf，thp，氯苯，二烷，苯氧基甲苯，特别是3-苯氧基甲苯，(-)-葑酮，1,2,3,5-四甲基苯，1,2,4,5-四甲基苯，1-甲基萘，1-乙基萘，癸基苯，苯基萘，异戊酸薄荷酯，异丁酸对甲苯酯，己酸环己酯，对甲苯甲酸乙酯，邻甲苯甲酸乙酯，间甲苯甲酸乙酯，十氢化萘，2-甲氧基苯甲酸乙酯，二丁基苯胺，二环己酮，异山梨醇二甲醚，十氢化萘，2-甲基联苯，辛酸乙酯，辛酸辛酯，癸二酸二乙酯，3,3-二甲基联苯，1,4-二甲基萘，2,2'-二甲基联苯，2-甲基苯并噻唑，2-苯氧基乙醇，2-吡咯烷酮，3-甲基苯甲醚，4-甲基苯甲醚，3,4-二甲基苯甲醚，3,5-二甲基苯甲醚，苯乙酮，α-萜品醇，苯并噻唑，苯甲酸丁酯，异丙苯，环己醇，环己酮，环己基苯，萘烷，十二烷基苯，苯甲酸乙酯，茚满，nmp，对异丙基甲苯，苯乙醚，1,4-二异丙基苯，二苄醚，二乙二醇丁基甲基醚，三乙二醇丁基甲基醚，二乙二醇二丁基醚，三乙二醇二甲基醚，二乙二醇单丁基醚，三丙二醇二甲基醚，四乙二醇二甲基醚，2-异丙基萘，戊基苯，己
基苯，庚基苯，辛基苯，1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷或这些溶剂的混合物。
[0300]
因此，本发明还涉及包含根据本发明的式(h1)化合物和式(h2)化合物以及至少一种溶剂的制剂。所述溶剂可以是上述溶剂中的一种或这些溶剂的混合物。
[0301]
基于制剂的总重量，根据本发明的制剂中有机溶剂的比例优选为至少60重量％、优选地至少70重量％并且更优选地至少80重量％。
[0302]
根据本发明的制剂可以用于生产层或多层结构，其中有机功能材料以层的形式存在，如生产优选的电子或光电组件如oled所需要的。
[0303]
本发明的制剂可以优选用于在基底上或在施加到基底上的层之一上形成包含根据本发明的组合物的功能层。
[0304]
本发明的再一个目的是一种生产电子器件的方法，其中至少一个层是从本发明的制剂的施加获得。优选地，将根据本发明的制剂施加到基底或另一个层上，然后干燥。
[0305]
由根据本发明的制剂获得的功能层可以例如通过覆涂、浸涂、喷涂、旋涂、丝网印刷、凸版印刷、凹版印刷、轮转印刷、辊涂、柔版印刷、胶版印刷或喷嘴印刷来生产，优选地在基底或施加到基底的层之一上的喷墨印刷来生产。
[0306]
在将根据本发明的制剂施加到基底或已经施加的功能层上之后，可以进行干燥步骤以除去溶剂。干燥可以优选在较低温度和较长时期内进行，避免气泡形成以获得均一的涂层。干燥可以优选在80至300℃、特别优选地150至250℃并且尤其优选地180至200℃范围内的温度下进行。这里的干燥可以优选在10-6
毫巴至2巴的范围内，特别优选地在10-2
毫巴至1巴的范围内并且尤其优选地在10-1
毫巴至100毫巴的范围内的压力下进行。干燥的持续时间取决于要达到的干燥程度，其中可以任选地在相对高的温度下除去少量的水并与优选进行的烧结相结合。
[0307]
因此，本发明涉及一种用于制造包括至少一个层的电子器件的方法，所述至少一个层包含根据本发明的组合物，其中所述方法包括以下步骤：
[0308]
a)制备根据本发明的制剂；
[0309]
b)将在步骤a)中制备的所述制剂施加在基底上或另一个层上以形成包含根据本发明的组合物的层；
[0310]
c)干燥所述层以除去溶剂。
[0311]
优选地，在步骤b)中，所述制剂通过从液相加工，更优选地经由涂布方法或印刷方法，非常更优选地通过印刷方法，特别优选地通过喷墨印刷方法来施加。
[0312]
本发明的另一个目的是一种电子器件，其包括阳极、阴极和其间的至少一个功能层，其中该功能层包含根据本发明的组合物。优选地，包含根据本发明的组合物的至少一个功能层是发光层。
[0313]
所述电子器件优选地选自有机电致发光器件(oled)、有机集成电路、有机场效应晶体管、有机薄膜晶体管、有机发光晶体管、有机太阳能电池、染料敏化的有机太阳能电池、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件、发光电化学电池、有机激光二极管和有机等离子体发光器件。更优选地，所述电子器件是有机电致发光器件(oled)。
[0314]
所述有机电致发光器件包括阴极、阳极和至少一个发光层，所述发光层包含根据本发明的组合物。除了这些层之外，它还可以包括另外的层，例如在每种情况下一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、激子阻挡层、电子阻挡层
和/或电荷产生层。同样可以在两个发光层之间引入具有例如激子阻挡功能的中间层。然而，应该指出的是，这些层中的每一个都不一定必须存在。这里的有机电致发光器件可以包括一个发光层或多个发光层。如果存在多个发光层，则这些发光层优选地总共具有多个在380nm与750nm之间的发光最大值，从而总体上产生白色发光，即能够发荧光或发磷光的多种发光化合物用于发光层。特别优选具有三个发光层的体系，其中所述三个层显示蓝色、绿色和橙色或红色发光(关于基本结构，参见例如wo 2005/011013)。这些可以是荧光或磷光发光层，或荧光和磷光发光层彼此组合的混合体系。
[0315]
所涉及的电子器件可以包括含有根据本发明的组合物的单个发光层，或者所述电子器件可以包括两个或更多个发光层。
[0316]
根据本发明的组合物可以包含一种或多种另外的基质材料。
[0317]
优选的另外的基质材料选自以下类别：低聚芳亚基(例如根据ep 676461的2,2',7,7'-四苯基螺二芴，或二萘基蒽)，特别是含有稠合芳族基团的低聚芳亚基，低聚芳亚基乙烯亚基(例如根据ep 676461的dpvbi或螺-dpvbi)，多足金属络合物(例如根据wo 2004/081017)，空穴传导化合物(例如根据wo 2004/058911)，电子传导化合物，特别是酮、氧化膦、亚砜等(例如根据wo 2005/084081和wo 2005/084082)，阻转异构体(例如根据wo 2006/048268)，硼酸衍生物(例如根据wo 2006/117052)或苯并蒽(例如根据wo 2008/145239)。特别优选的基质材料选自如下类别：低聚芳亚基，包括萘、蒽、苯并蒽和/或芘或这些化合物的阻转异构体，低聚芳亚基乙烯亚基，酮，氧化膦和亚砜。非常特别优选的基质材料选自如下类别：低聚芳亚基，包括蒽、苯并蒽、苯并菲和/或芘或这些化合物的阻转异构体。在本发明意义上的低聚芳亚基旨在被认为是指其中至少三个芳基或芳亚基基团彼此键合的化合物。
[0318]
在根据本发明的有机电致发光器件中用作相应功能材料的一般优选的材料类别如下所示。
[0319]
可以用于根据本发明的电子器件的空穴注入或空穴传输层或电子阻挡层或电子传输层中的合适的电荷传输材料是例如y.shirota等人,chem.rev.2007,107(4),953-1010中公开的化合物，或根据现有技术在这些层中采用的其它材料。
[0320]
可以用于电子传输层的材料是根据现有技术在电子传输层中用作电子传输材料的所有材料。特别合适的是铝络合物例如alq3、锆络合物例如zrq4、锂络合物例如liq、苯并咪唑衍生物、三嗪衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡嗪衍生物、喹喔啉衍生物、喹啉衍生物、二唑衍生物、芳族酮、内酰胺、硼烷、磷二氮杂环戊熳衍生物和氧化膦衍生物。此外，合适的材料是上述化合物的衍生物，如jp 2000/053957、wo 2003/060956、wo 2004/028217、wo 2004/080975和wo 2010/072300中所公开的。
[0321]
可以用于根据本发明的电致发光器件中的空穴传输、空穴注入或电子阻挡层的优选空穴传输材料是茚并芴胺衍生物(例如根据wo 06/122630或wo 06/100896)、ep 1661888中公开的胺衍生物、六氮杂联三苯叉衍生物(例如根据wo 01/049806)、含有稠合芳族环的胺衍生物(例如根据us 5,061,569)、公开于wo 95/09147中的胺衍生物、单苯并茚并芴胺(例如根据wo 08/006449)、二苯并茚并芴胺(例如根据wo 07/140847)、螺二芴胺(例如根据wo 2012/034627或wo 2013/120577)、芴胺(例如根据申请ep 2875092、ep 2875699和ep 2875004)、螺二苯并吡喃胺(例如根据wo 2013/083216)和二氢吖啶衍生物(例如根据wo 2012/150001)。根据本发明的化合物也可以用作空穴传输材料。
[0322]
所述有机电致发光器件的阴极优选包含具有低逸出功的金属，金属合金或多层结构，其包含多种金属例如碱土金属、碱金属、主族金属或镧系元素(例如ca、ba、mg、al、in、mg、yb、sm等)。另外合适的是包含碱金属或碱土金属和银的合金，例如包含镁和银的合金。在多层结构的情况下，除了所述金属之外，还可以使用具有相对高逸出功的其它金属，例如ag或al，在这种情况下，通常使用金属的组合，例如ca/ag、mg/ag或ag/ag。还可以优选在金属阴极与有机半导体之间引入具有高介电常数的材料的薄中间层。适用于此目的的是例如碱金属氟化物或碱土金属氟化物，以及相应的氧化物或碳酸盐(例如lif、li2o、baf2、mgo、naf、csf、cs2co3等)。此外，喹啉锂(liq)可以用于此目的。该层的层厚度优选在0.5和5nm之间。
[0323]
所述阳极优选包含具有高逸出功的材料。所述阳极优选具有相对于真空大于4.5ev的逸出功。适合于此目的的一方面是具有高氧化还原电位的金属，例如ag、pt或au。另一方面，金属/金属氧化物电极(例如al/ni/nio
x
、al/pto
x
)也可是优选的。对于一些应用，电极中的至少一者必须是透明的或部分透明的，以促进有机材料的照射(有机太阳能电池)或光的耦合输出(oled、o-激光器)。这里优选的阳极材料是导电的混合金属氧化物。特别优选氧化锡铟(ito)或氧化铟锌(izo)。此外优选导电掺杂有机材料，特别是导电掺杂聚合物。
[0324]
所述器件被适当地(取决于应用)结构化，提供接触并最终密封，因为根据本发明的器件的寿命在水和/或空气的存在下缩短。
[0325]
在一个优选的实施方式中，根据本发明的有机电致发光器件的特征在于通过升华工艺施加一个或多个层，在小于10-5
毫巴、优选小于10-6
毫巴的初始压力下，在真空升华单元中通过气相沉积施加。然而，这里也可以使初始压力更低，例如小于10-7
毫巴。
[0326]
同样优选这样的有机电致发光器件，其特征在于通过ovpd(有机气相沉积)方法或借助于载气升华施加一个或多个层，其中材料是在介于10-5
毫巴和1巴之间的压力下施加。该方法的一个特例是ovjp(有机蒸气喷印)方法，其中材料直接通过喷嘴施加并因此结构化(例如m.s.arnold等人,appl.phys.lett.2008,92,053301)。
[0327]
此外优选这样的有机电致发光器件，其特征在于从溶液中例如通过旋涂，或通过任何希望的印刷方法例如丝网印刷、柔版印刷、喷嘴印刷或胶版印刷，但特别优选liti(光引发热成像、热转印)或喷墨印刷，来产生一个或多个层。出于这个目的，需要可溶性式(i)化合物。通过化合物的适当取代可以实现高溶解性。
[0328]
混合工艺也是可以的，其中例如从溶液施加一个或多个层并且通过气相沉积施加一个或多个另外的层。因此，例如从溶液施加发光层和通过气相沉积施加电子传输层是可行的。
[0329]
这些方法对于本领域技术人员来说通常是已知的并且可以由其在不付出创造性劳动的情况下应用于包含根据本发明的化合物的有机电致发光器件。
[0330]
根据本发明，包含一种或多种根据本发明的化合物的电子器件可以用于显示器中，用作照明应用中的光源以及用作医疗和/或美容应用(例如光疗)中的光源。
[0331]
现在将通过以下实施例更详细地解释本发明，但不希望由此对其进行限制。
实施例
[0332]
合成例
[0333]
a)主体h1
[0334]
化合物a1的合成：
[0335][0336]
将7.9g(32mmol)3,6-二氯-菲(20851-90-5)、30.4g(80mmol)4,4,5,5-四甲基-2-(10-苯基-9-蒽基)-1,3,2-二氧杂环戊硼烷(460347-59-5)、29.5g(128mmol)磷酸钾一水合物溶解在750ml thf/水(2:1)中。加入813mg(0.96mmol)第3代xphos palladacycle并将混合物在65℃搅拌。16小时后，使反应混合物达到室温。过滤反应混合物并用冷thf洗涤。沉淀物通过在氧化铝(甲苯)上热萃取来纯化，并通过从甲苯/乙醇和甲苯/庚烷中结晶析出进一步纯化，直至通过hplc纯度》99.9。通过在300℃和10-5
巴下回火2小时去除剩余的溶剂。
[0337]
产率：4.9g(7.2mmol,23％)的浅黄色固体
[0338]
可以以类似方式合成以下化合物：
[0339]
[0340][0341]
化合物i1的合成：
[0342][0343]
将9.3g(32mmol)3-溴-6-氯-菲(892550-44-6)、13.3g(35mmol)4,4,5,5-四甲基-2-(10-苯基-9-蒽基)-1,3,2-二氧杂环戊硼烷(460347-59-5)、11.5g(50mmol)磷酸钾一水合物溶解在750ml thf/水(2:1)中。加入813mg(0.96mmol)第3代xphos palladacycle并将
混合物在65℃搅拌。16小时后，使反应混合物达到室温。混合物用300ml甲苯稀释。水相用甲苯(2
×
200ml)萃取，并且合并的有机相用水(2
×
200ml)洗涤，经硫酸镁干燥，过滤并减压浓缩。剩余的固体通过二氧化硅(甲苯)过滤并从甲苯/乙醇中结晶析出，直至通过hplc纯度为98％。
[0344]
产率10.7g(23mmol,72％)
[0345]
可以以类似方式合成以下化合物：
[0346]
[0347][0348]
化合物b1的合成：
[0349][0350]
将9.3g(20mmol)i1、16.0g(30mmol)4,4,5,5-四甲基-2-(10-{5-苯基-[1,1'-联苯]-3-基}蒽-9-基)-1,3,2-二氧杂环戊硼烷(1016653-38-5)、11.5g(50mmol)磷酸钾一水
合物溶解在750ml thf/水(2:1)中。加入813mg(0.96mmol)第3代xphos palladacycle并将混合物在65℃搅拌。16小时后，使反应混合物达到室温。混合物用300ml甲苯稀释。水相用甲苯(2
×
200ml)萃取，并且合并的有机相用水(2
×
200ml)洗涤，经硫酸镁干燥，过滤并减压浓缩。剩余的固体通过氧化铝(甲苯)热萃取纯化并从甲苯/乙醇和甲苯/庚烷中结晶析出，直至通过hplc纯度》99.9％。通过在300℃和10-5
巴下回火2小时来去除剩余的溶剂。
[0351]
产率：7.5g(9mmol,45％)
[0352]
可以以类似方式合成以下化合物：
[0353]
[0354][0355]
b)主体h2
[0356]
式(h2)的主体的合成是本领域技术人员已知的并且描述于例如wo 2008/145239
和wo 2015/158409中。其它合成例描述如下：
[0357]
c-1的合成
[0358][0359]
在高压釜中，将c-i1(1818872-84-2；10g,19.5mmol)溶解在700ml甲苯-d8和d20(5:2)的混合物中，并且脱气并用氮气冲洗，加入20g pt-c5％并在165℃搅拌混合物。11天后，将混合物冷却至室温并滤除催化剂，并且分离两相。在减压下缩减有机相。剩余的固体通过在二氧化硅上过滤(3次，甲苯作为洗脱剂)以及从二氯甲烷:环己烷和甲苯:正庚烷中多次结晶析出进行纯化，直至hplc纯度为99.9％。剩余的固体通过在250℃和10-5
巴下回火进行干燥。氘化产物(d22-28)以无色粉末获得。氘化等级通过asap-ms、1h-nmr、
13
c-nmr和2d-nmr获得。产率：5.4g(10.5mmol；54％)。
[0360]
d1的合成
[0361][0362]
将10g(19.7mmol)7-乙基-4-(10-苯基蒽-9-基)四苯溶解在230ml甲苯-d8中。滴加10.4ml(0.12mol)三氟甲磺酸并将混合物在室温下搅拌。两小时后，加入47ml d20，并且搅拌混合物10分钟，直至将其加入磷酸钾水溶液中。混合物用甲苯萃取，并且合并的有机相经硫酸钠干燥。在减压下缩减有机相。剩余的固体通过柱色谱法以及从二氯甲烷:环己烷和甲苯:正庚烷中多次结晶析出进行纯化，直至hplc纯度为99.9％。产率5.7g(10.8mmol,55％)
[0363]
器件实施例
[0364]
a)膜和器件的制备
[0365]
在去离子水中使用超声波处理来清洗覆盖有预结构化ito(50nm)和辊隙材料的玻璃基底。接着，使用气枪干燥基底，随后在230℃的热板上退火2小时。
[0366]
以下所有工艺步骤均在黄光下进行。
[0367]
下面的层序示于图4a和图4b中。
[0368]
将空穴注入层(hil)喷墨印刷到基底上，厚度为20nm，并在真空中干燥。为此，hil油墨具有6g/l的固体浓度。然后将hil在200℃下退火30分钟。hil的喷墨印刷和退火在空气中进行。作为hil材料，将空穴传输、可交联聚合物和p型掺杂盐溶解在3-苯氧基甲苯中。所述材料描述于即wo2016/107668、wo2013/081052和ep2325190中。
[0369]
在hil之上，在环境条件下喷墨印刷空穴传输层，在真空中干燥并在氩气气氛中在210℃下退火30分钟。空穴传输层是表1所示结构的根据wo2013156130合成的聚合物(htm1)或根据wo2018/114882合成的聚合物htm2(表1)。
[0370]
将所述聚合物溶解在3-苯氧基甲苯中，因此所述溶液通常具有约5g/l的固含量，同样，器件典型的20nm的层厚度通过喷墨印刷来实现。所述层在环境气氛中通过喷墨印刷施加，在真空中干燥并通过在氩气气氛中在210℃加热30分钟来退火。
[0371]
所述发光层包含如下表2中所述的基质材料(一种主体化合物或两种主体化合物)和掺杂剂。将用于发光层的混合物溶解在3-苯氧基甲苯中。这类溶液的固含量为约10mg/ml，同样，器件典型的30nm的层厚度通过喷墨印刷实现。蓝色发光层(b-eml)也是喷墨印刷的，然后真空干燥并在150℃下退火10分钟。喷墨印刷是在环境气氛中进行的，而退火是在氩气气氛中进行的。
[0372]
根据图4a制备的器件用于评价eml膜均匀性。
[0373]
对于用于电光表征的根据图4b的器件的制备，然后将样品转移到真空沉积室中，在这里使用热蒸发进行两个电子传输层(etl1、etl2)、一个电子注入层(eil)和阴极(al)的沉积。因此，etl1由etm1(10nm膜厚度)组成，而etl2由etm1和etm2的1:1体积％混合物(40nm膜厚度)组成。电子注入层由etm2(3nm)组成，并且阴极为铝(100nm)。结构示于表1中。
[0374]
蒸发后，将器件封装在氩气气氛中的手套箱中。
[0375]
表1：溶液加工层的材料的结构。
[0376]
[0377][0378]
b)发光膜均匀性评价
[0379]
对于显示器的制造，获得非常好的像素均匀性而同时具有良好的器件性能是非常重要的。层厚度不均匀性导致发光密度分布不匀，其中膜厚度较薄的区域显示增加的发光密度，而较厚的区域具有降低的发光密度。这种不均匀性在各像素之间不同，从而阻止了像素之间的外观可再现。综合起来，这将导致对这种显示器质量的负面看法。因此，本发明解决了eml膜均匀性和器件性能的主题。因此，评价的第一步是检查膜均匀性。为此，使用图4a中所示的叠层，并且在eml沉积后停止加工。如a)部分中所述制备膜。eml的组成示于表2-a和表2-b中。
[0380]
为了评估印刷膜的均匀性，通过轮廓测量仪沿8μm轮廓表征它们的形貌，并计算rp-v(峰谷)值以及粗糙度的均方根差。来自kla-tencor公司的带有2μm描形针的轮廓测量仪alpha-step d120用于测量膜轮廓。rp-v值对应于所测量轮廓内的测量最大值(rp)和最小峰值(rv)的高度差。为了便于查看，减去了膜轮廓的基线，使得最小峰值对应于0nm的高度，并且所有图表的轴标度都相同。
[0381]
以下两个公式用于确定膜均匀性：峰谷rp-v，其指示层内的最大高度差(公式1)；和均方根粗糙度rms，其使用与平均线zi的高度差的均方根值(公式2)。
[0382]
r(p-v)＝rp-rv
ꢀꢀꢀꢀ
公式1
[0383][0384]
表2-a.膜轮廓和相应的图。
[0385][0386]
包含根据本发明的主体混合物的实施例pe1显示出与pr2相比显著降低的rp-v和rms并且对应于更平滑的膜(图2和图3)。
[0387]
此外，与pr1相比，实施例pe1还显示出类似的rp-v和rms，同时导致更好的oled性能，如下所示(参见表5f、参考11和实施例14)。
[0388]
额外发光层(eml)的另外的膜均匀性示于下表2-b中，并且包含相应eml的oled的性能示于表5a至表5k中。
[0389]
表2-b.另外的膜轮廓
[0390]
[0391]
[0392]
[0393][0394]
对于具有轮廓pe1、pe2、pe3、pe4、pe5、pe6、pe7、pe8、pe9、pe11和pe12的发光层，与上述pe1相同的讨论是有效的。
[0395]
可以将使用具有轮廓pe1至pe12的混合主体eml的器件的性能与其它器件进行比较(参见表5a至表5k)。
[0396]
c)器件结果
[0397]
如图4b中所示的器件如a)部分中所述制备。主体材料示于表3中并且发光体示于表4中。将蓝色eml油墨混合，如表5a-k中所示，其中也显示了各个实施例的在1000cd/m2下的相对外量子效率(相对eqe)和相对器件寿命(在1000cd/m2下的相对lt90)。
[0398]
表3：主体结构
[0399]
[0400][0401]
表4：发光体结构
[0402][0403]
在手套箱中封装后，oled通过标准方法进行表征。为此目的，确定了电致发光光谱、呈现朗伯发光特性的电流/电压/发光密度特性曲线(iul特性曲线)和(工作)寿命。iul特性曲线用于确定特性品质因数，例如在特定发光密度下的外量子效率(以％计)。在施加的电压斜坡的每一步，所述器件都以恒定电压驱动。器件寿命是在具有初始发光密度的给定电流下测量的。然后通过校准的光电二极管随时间测量发光密度。
[0404]
表5a：用于具有1％e1的器件实施例的蓝色eml混合物
[0405][0406][0407]
表5b：用于具有3％e1的器件实施例的蓝色eml混合物
[0408][0409]
表5c：用于具有5％e2的器件实施例的蓝色eml混合物
[0410][0411]
表5d：用于具有1％e3的器件实施例的蓝色eml混合物
[0412][0413][0414]
表5e：用于具有1％e3的器件实施例的蓝色eml混合物
[0415][0416]
表5f：用于具有1％e4的器件实施例的蓝色eml混合物
[0417][0418]
表5g：用于具有3％e4的器件实施例的蓝色eml混合物
[0419][0420][0421]
表5h：用于具有5％e2的器件实施例的蓝色eml混合物
[0422][0423]
表5i：用于具有3％e3的器件实施例的蓝色eml混合物
[0424][0425]
表5j：用于具有1％e4的器件实施例的蓝色eml混合物
[0426][0427][0428]
表5k：用于具有3％e4的器件实施例的蓝色eml混合物
[0429][0430]
与单一主体h1型相比，所有显示的混合主体体系的实施例都显示出改进的器件性
能，而可以达到与主体h2型相似的性能。
[0431]
这与使用的发光体和使用的发光体浓度无关。
[0432]
如上文所讨论，示出了来自表5f的参考11和12以及实施例14和实施例15的轮廓(参见图1至图3)。与参考11相比，根据本发明的实施例13、14和15显示了改进的器件性能，可见效率增加和寿命增加。与显示高度不均匀膜的参考12相比，根据本发明的膜非常均匀，同时显示出类似的器件性能。
[0433]
相同的讨论对于表5a至表5k中所示的根据本发明的器件是有效的。
[0434]
借助于本发明的内容，可以在确保均匀膜质量的同时实现良好的oled器件性能。