具有气流特征的静电夹盘及相关的方法与流程

1.本公开是在用于在处理工件的步骤期间支撑工件的静电夹盘的领域中，所述静电夹盘包含气流系统。


背景技术：

2.静电夹盘(也简称“夹盘”)用于半导体及微电子装置处理中。夹盘使例如半导体晶片或微电子装置衬底的工件保持于适当位置中以对工件的表面执行工艺。特定来说，静电夹盘通过产生工件与夹盘之间的静电吸引力来将工件固定到夹盘的上表面。将电压施加于夹盘内所含的电极以诱发工件及夹盘中具有相反极性的电荷。
3.夹盘包含允许夹盘执行或提高性能的各种结构、装置及设计。夹盘一般包含：平坦上表面，其支撑工件；电子组件，例如电极、导电涂层及用于控制夹盘及支撑工件的静电电荷的接地连接件；及各种其它“装置”，其可包含测量探头及用于支撑或改变工件相对于夹盘的位置的可移动引脚。
4.一些类型的静电夹盘组合件可包含的任选特征是夹盘的上表面(“衬底支撑表面”)处的导电层。导电层接触工件的底面且从而提供工件与电接地之间的电连接。在工件的处理期间，在工件内诱发静电电荷。在完成处理步骤之后可能余留电荷而引起夹盘与工件之间的残余静电吸引力，且在处理之后想要从夹盘移除(例如抬升)工件的时间引起工件“附着”到夹盘。导电层可用于消散相对于夹盘可能积累于工件中的残余静电电荷以促进将工件从夹盘移除。
5.夹盘的另一典型特征是小突起的图案，其在夹盘的上表面上方延伸非常小距离以在夹盘表面上方的小距离处支撑工件且产生工件的下表面与夹盘的上表面之间的空间。
6.静电夹盘的又一典型特征是冷却系统，其允许冷却气体流动通过夹盘而到夹盘的上表面且进入上表面与工件之间的空间以在处理步骤期间或之后从工件移除热。在半导体处理步骤中，工件在由夹盘支撑时可经历升温。冷却系统及冷却气体可用于从工件移除热且控制工件的温度。


技术实现要素：

7.在使用静电夹盘来处理工件的步骤之后，必须通过将工件从夹盘的上表面抬离来移除工件。然而，在完成处理步骤之后，各种力可相对于夹盘继续施加作用于工件上。静电力可继续驻留于工件中而引起工件对夹盘的残余吸引力。此外，压力差可存在于工件的上表面与工件的下表面之间。上工件表面暴露于通常处于近真空压力(低于1托或2托)的处理室的内部。工件的下表面暴露于静电夹盘的上表面上方的空间(有时称为“气流空间”)，其通常处于略高压力(例如高达50托)，因为在处理步骤结束时存在含于所述空间中的冷却气体。静电力或压力差在(例如)通过从夹盘抬离工件来从夹盘移除工件时会引起工件突然移动(例如“弹跳”)。
8.为消除夹盘与工件之间的残余静电力，静电夹盘可具有从工件快速消除残余静电
电荷的电荷消散特征。此特征包含夹盘的上表面处的导电涂层及到电接地的连接件。
9.为减小压力差的影响，通常在从夹盘移除工件之前允许工件下方的空间中所含的冷却气体量在夹盘的周边处逸出气流空间。此工艺有时称为残余冷却气体的“排放”或“泄放”。然而，由于气流空间的非常小尺寸及非常低压力差，排放步骤缓慢发生。当前静电夹盘设计需要用于通过排放来大体上平衡压力差的相对较长时段(“排放周期”)，例如从数秒到若干秒的范围内的排放周期。此时间量被视为漫长到足以因减慢总工艺而影响半导体制造步骤或工艺的处理量。排放周期的时间长度的任何显著减少将是提高工艺的效率及处理量的方式。
10.本案申请人已研究静电夹盘的设计以考虑减少从工件下方排放残余冷却气体所需的时间量以允许在处理步骤之后从夹盘较快移除工件的新设计。本案申请人已猜测，通常远离夹盘的周边定位的工件下方的相对较大开放空间中所含的气体会非常慢地逸出。这些较大开放空间是夹盘的开放部分(也称“开口”或“通道”)，其容纳在使用期间执行夹盘的操作的静电夹盘的各种“装置”中的任一者。装置的实例包含传感器(例如温度传感器、压力传感器、其它电子传感器)、用于提升或降低由夹盘支撑的工件的可垂直移动引脚、例如接地连接件(例如“接地引脚”)的电子结构及其它。每一此装置穿过基座中的开口垂直延伸。开口通常在未由装置填充的开口的上部分处包含开放空间容积。开口中的未填充空间(有时称为“穴”)在处理步骤之后含纳处于低压的残余冷却气体。残余冷却气体在排放步骤期间可从工件下方的空间缓慢逸出。
11.根据本公开，本案申请人已识别包含冷却系统的静电夹盘结构，所述冷却系统包含与含纳静电夹盘组合件的装置的静电夹盘的基座层中的开口连接的气流导管。导管与开口之间的气流系统中的连接允许改进气流系统的空间之间的气体流动，其包含改进排放步骤期间的气体流动以减少排放周期的时间量。
12.在一个方面中，本公开涉及一种静电夹盘组合件。所述静电夹盘组合件包含基座层，其包含：上基座层表面及下基座层表面；基座层装置开口，其延伸穿过所述基座层且经调适以含纳执行所述静电夹盘组合件的操作的装置的一部分；气流导管，其在所述基座层的区域上水平延伸，所述气流导管包括与所述基座层装置开口连接的导管分段；及气流进口，其通到所述基座层中且连接到所述气流导管。
13.在另一方面中，本公开涉及一种处理工件的方法。所述方法包含使用静电夹盘组合件，所述静电夹盘组合件包含基座层，所述基座层包含：上基座层表面及下基座层表面；基座层装置开口，其延伸穿过所述基座层且经调适以含纳执行所述静电夹盘组合件的操作的装置的一部分；气流导管，其在所述基座的区域上水平延伸，所述气流导管包括与所述基座层装置开口连接的导管分段；及气流进口，其进入所述基座且连接到所述气流导管。所述组合件还包含安置于所述基座层上方的陶瓷层。所述陶瓷层包含：上陶瓷层表面；下陶瓷层表面；多个气流通气口，其延伸于所述下陶瓷层表面与所述上陶瓷层表面之间，所述通气口与所述气流导管流体连通；及陶瓷层装置开口，其延伸穿过所述陶瓷层，连接到所述基座层装置开口且经调适以含纳所述装置的一部分。所述方法进一步包含：在所述上陶瓷层表面上支撑工件及引起气体流动到所述气流进口中且通过所述气流导管。
14.如本文中所使用，术语“上方”、“下方”、“顶部”、“底部”、“上”、“下”、“垂直”及“水平”具有与这些术语的常规含义一致且与在描述所包含的图的标的物时这些术语的使用一
致的含义。
附图说明
15.图1a是现有技术静电夹盘组合件的一侧视剖视示意图。
16.图1b是静电夹盘组合件的现有技术基座的俯视图。
17.图2a是本公开的静电夹盘组合件的侧视剖视示意图。
18.图2b是本文中所描述的静电夹盘组合件的基座的俯视图。
19.图3a、3b及3c展示所描述的方法的实例步骤。
具体实施方式
20.以下描述涉及用作静电夹盘(也称“夹盘”)的新颖及创造性组合件、其前驱体及相关方法。新颖组合件包含新颖气流系统。气流系统可用作冷却系统，其用于在处理工件的步骤期间或之后从夹盘移除热以影响或控制夹盘或由夹盘支撑的工件的温度。
21.所描述的夹盘可为包含组装在一起以形成静电夹盘组合件的多个不同层的多层结构，其包含其前驱体或部分。组合件包含静电夹盘组合件特有且允许夹盘在处理期间支撑工件(例如半导体衬底、微电子装置、半导体晶片、其前驱体)的各种特征，其中静电吸引力使工件保持于夹盘的上表面处的适当位置中。与静电夹盘一起使用的实例工件包含半导体晶片、平面屏幕显示器、太阳能电池、光罩、光掩模及其类似者。工件可具有等于或大于圆形100毫米直径晶片、200毫米直径晶片、300毫米直径晶片或450毫米直径晶片的面积的面积。
22.夹盘包含经调适以在处理期间支撑工件的上表面(“工件支撑表面”)。上表面通常具有圆形表面区域及圆形边缘，圆形边缘界定圆形周边且还界定表面及多层夹盘两者的直径。
23.夹盘还包含夹盘发挥作用所需或任选的许多其它层、装置、结构或特征。这些包含：电极层，其产生夹盘与工件之间的静电吸引力以使工件在处理期间保持于适当位置中；接地装置，例如接地层；测量装置，其用于测量处理步骤期间的压力、温度或电性质；表面结构，例如突起或导电表面涂层；及其它。
24.多层结构的一个层是组合件的上部分处的陶瓷层(也称电介质层)。陶瓷层可为组合件的顶层且可包含除导电涂层、突起或其类似者(其可任选地放置于陶瓷层的上表面上)之外的夹盘的上表面。上表面处的导电涂层可通过也包含在多层组合件中的任选接地层、接地引脚或其类似者来连接到电接地。陶瓷层可由例如氧化铝、氮化铝、石英或sio2(玻璃)等的有用陶瓷材料制成。陶瓷层可由单个(集成)材料层制成或可替代地视需要由两个或更多个不同材料(例如不同材料的多个层)制成。陶瓷层(具有陶瓷材料的一或多个层)的总厚度可为任何有效厚度，例如从1毫米到10毫米的范围(例如从1毫米到5毫米)内的厚度。
25.陶瓷层的下方由基座层(简称“基座”)支撑，基座层通常由例如铝、铝合金、钛、不锈钢的金属、例如氧化铝的陶瓷、金属基质复合物等制成。
26.以下一或多者通常位于陶瓷层与基座之间：接合层(例如聚合物粘合剂)、电极、接地层、允许电极及其它层电性地发挥作用的绝缘层或额外电路系统。
27.组合件包含相对于组合件垂直延伸且穿过形成为垂直穿过组合件的一或多个层
的开口(也称为“通道”)的一或多个装置。穿过组合件的开口通常将包含由陶瓷层中的垂直开口界定的一部分、由基座中的垂直开口界定的对准部分及在装置的位置处穿过存在于基座与陶瓷层之间的任何其它层的对准开口。装置的一部分(例如下部分)含于由基座中的开口界定的开口的部分中，且装置的一部分(例如上部分)含于由陶瓷层中的开口界定的开口的部分中。装置或装置的一部分可具有完全填充开口或开口的一部分的空间的大小及形状特征，例如，装置的截面大小及形状可相同于开口的大小及形状。然而，装置通常可具有配合于开口内同时使开口的一些空间未填充的大小或形状。此空间可称为开口的“未填充部分”或“穴”。
28.组合件还包含使冷却气体循环通过组合件(其包含与由夹盘支撑的工件热接触以允许冷却气体从支撑工件移除热能)的冷却系统(或更一般来说，“气流系统”)。气流系统将包含形成于基座中且在垂直观察(例如从上方、从“俯视图”)时相对于基座的区域沿水平方向延伸的气流导管。气流系统还将包含基座中的气流进口，其允许冷却气体进入基座，通常位于基座的下表面处。气流进口与形成于基座中的气流导管连接。由于陶瓷层安置于基座层上方，基座的气流导管连接到形成于陶瓷层中且穿过陶瓷层的多个气流通气口。这些气流通气口从陶瓷层的下表面垂直通到陶瓷层的上表面以允许冷却气体从基座的气流导管流动通过气流通气口而到陶瓷层的上表面。
29.属于基座的部分的气流导管或其部分可位于基座的任何有用位置处且呈相对于基座的区域的任何有用图案。有用气流导管的实例可为形成于基座的上表面处的导管，例如，呈通过在基座的上表面处移除基座的材料所形成的沟渠或“通路”的形式且具有延伸到表面下方且进入基座的厚度的深度。呈通路的形式的气流导管在表面处定位于基座的上表面处且到表面下方的深度。呈通路的形式的气流导管通常可包含通过在上基座表面处移除基座的少量材料来形成于表面中到浅深度的多个分段细长三维开口或“沟槽”的图案。
30.气流导管可形成为相对于基座的表面水平延伸(垂直观察)的多个连接导管分段的图案，其中图案将冷却气体有效地分配成通过基座的区域上的导管，将冷却气体分配到陶瓷层的气流通气口。气流导管分段的一个实例图案是“辐及轮”图案或其近似物，其包含以圆形基座的中心为中心的一或多个圆形分段及一或多个大体上线性或笔直“辐”分段，“辐”分段中的每一者延伸于圆形分段与圆形分段内部的位置之间，即，到较靠近基座的中心的位置。
31.通路由通路底部的基座及通路侧壁(每一通路侧壁的截面可形成为弯曲、笔直或其它形状)的结构界定且在上区域处由上基座表面的平面界定。当基座组装为多层静电夹盘组合件的基座层时，通路的上区域将由定位于基座的顶部上的相邻层的下平坦表面覆盖，例如由可包含粘合接合层的陶瓷层的下平坦表面覆盖。在气流导管的此实例中，上相邻层的下平坦表面将界定导管的上区域。
32.通路深度可为用于允许所要冷却气体流通过通路的任何深度，例如从0.5毫米到2毫米的范围内的深度。通路的宽度尺寸可为用于允许所要冷却气体流通过通路的任何宽度，例如从0.5毫米到2毫米的范围内的深度。
33.替代地，气流导管不是呈包含由上相邻层覆盖的暴露开口的基座的表面处的通路的形式，而是气流导管可围封于基座内。围封气流导管在除气流导管的位置(图案)及大小之外的其它方面可类似于气流通路，但可定位于基座的表面下方且不位于上表面处。
34.图1a及2a处的侧视截面图中示意性展示两个不同多层夹盘组合件设计的实例。每一组合件100包含水平延伸基座110及水平延伸陶瓷层120。还可包含(但未说明)其它任选层或结构，例如粘合(“接合”)层、电极层、接地层、导电涂层或上表面处的突起。
35.气流系统延伸通过组合件且包含连接到气流导管132的气流进口130，每一者形成为基座110的部分。如图中所说明，气流导管132呈基座110的上表面处的气流通路的形式。(在替代实施例中，气流导管可定位于表面112下方。)气流导管132在基座110的区域上水平延伸且连接到形成于陶瓷层120中的垂直气流通气口124。陶瓷层120的上表面126包含突起(图中未展示)且可任选地包含用于提高夹盘组合件的性能的其它表面特征，例如导电层(图中未展示)。工件(例如硅晶片)150由上表面126支撑且由突起(图中未展示)分离与上表面126接触。气流空间128定位于晶片150的下表面与陶瓷层120的上表面126之间且连接到陶瓷层120的气流通气口124。
36.在使用期间，冷却气体能够从基座110下方进入气流进口130且通过基座110的气流导管132，接着进入垂直气流通气口124。接着，冷却气体从气流通气口124流动到气流空间128以接触工件150。冷却气体也可视需要沿相反方向流动。
37.仍参考图1a及2a，装置开口140包含垂直延伸通过基座110的下装置开口部分142及垂直延伸通过陶瓷层120的上装置开口部分144。装置152(本文中未描述)定位于开口140内。至少在定位于上装置开口144内的装置152的上部分处具有不完全填充通道的整个容积的形状。开放空间(未填充空间或“穴”)134存在于开口140与装置152的表面之间且在工件150由组合件100的上表面支撑时位于工件150的下表面下方。
38.具体参考图1a，组合件100包含与气流导管132隔离、不直接连接到气流导管132的穴134。基座110的气流导管132不直接连接到开口140(及穴134)，即，不在基座的位置处连接。开口140(及穴134)与导管132之间的连接是需要气体从导管132流动通过陶瓷层120的气流通气口124且接着通过气流空间128而到达开口140的间接连接路线。图1b(其为组合件100的基座110的俯视图(即，其中移除陶瓷层120及工件150的图1a的组合件100的俯视图)也展示图1a的基座110的气流导管132不在基座的位置处直接连接到开口140。如图1b处所展示，基座110包含上基座表面112、装置开口140(图中未展示探头152)及气流导管132。定位于表面112处或表面112下方的气流导管132包含多个连接分段，其包含圆形分段132(b)及从大体上位于基座110的中心处的位置延伸到圆形分段132(b)的“辐”分段132(a)。因为图1a的组合件100不包含气流导管132与开口140之间的直接连接，所以图1a的组合件110不是本公开的组合件或基座的实例。
39.如上文所提及，通道中的未填充空间(例如图1a及1b的开口140)(有时称为“穴”)将在使用由夹盘组合件支撑的工件所执行的处理步骤之后含纳残余冷却气体。残余气体可在排放步骤期间从气流系统缓慢逸出，其将在期望从夹盘移除工件的时间导致跨工件的上及下表面的压力差。根据本公开的实例组合件，基座组合件(例如图2a的组合件100)包含基座110的气流导管132与通道144之间的直接连接(例如呈导管分段132(c)的形式)，即，导管132在基座110的位置处直接连接到通道144。
40.图2b是图2a的组合件100的基座110的俯视图且还展示基座110的气流导管132在基座的位置处直接连接到通道144。图2b展示无工件150及陶瓷层120的基座110。如图2b处所展示，基座110包含上基座表面112、装置开口140(图中未展示探头152)及气流导管132。
定位于表面112处或表面112下方的气流导管132包含多个连接分段，其包含圆形分段132(b)、从基座110的区域的中心延伸到圆形分段132(b)的“辐”分段132(a)及相邻于装置开口140且与所述装置开口140流体连通的分段132(c)。如图2b处所展示，气流进口130定位于辐分段132(a)内，接近组合件的区域的中心。替代地，气流进口130可视需要位于不同位置处，例如位于作为装置开口140的部分的分段132(c)处或作为圆形分段132(b)的部分。
41.图2a及2b的组合件100经调适使得在使用期间，冷却气体能够从基座120的导管132直接流动通过穴134而到气流空间128。产生且可一般期望以减小阻力流动通过装置开口140(包含穴134)的改进冷却气体流。然而，作为更具体潜在优点，允许冷却气体直接流动于导管132与穴134之间的气流导管也可改进穴134的通气以优选地减少从装置100的气流系统排放残余冷却气体的步骤所需的时间量。
42.穴134将含纳体积的残余冷却气体，其在排放步骤期间使用当前静电夹盘组合件设计来从气流空间128非常缓慢地释放。根据本案申请人的新设计，将在处理步骤之后存在于穴134中的残余冷却气体可通过导管132及进口130从夹盘的气流系统更快地释放。作为残余气体在排放步骤期间仅流动通过气流空间128(最终从组合件100的周边释放)的另外或代替例，残余冷却气体可替代地或另外流动通过导管132且通过通过气流进口130(其现在充当气流出口)离开基座110。因此，可相对于使用包含交替气流系统或导管设计的夹盘时(具体来说，使用包含不包含直接连接到装置开口的导管分段的气流系统设计的夹盘时)所需的排放周期减小排放周期，如图2a、2b、3a、3b及3c中所展示。
43.所描述的夹盘组合件可在用于使用涉及使用静电夹盘的各种已知处理步骤中的任一者来处理工件的装备及工艺中使用。所描述的夹盘及相关方法可尤其用于半导体晶片处理，但也可用于其它工艺。可与静电夹盘一起使用的装备及系统的实例包含：束线离子植入器、等离子体掺杂离子植入器、等离子体浸没离子植入器系统、浸没式离子植入器、聚焦等离子体系统、调变等离子体鞘的系统、蚀刻系统、基于光学的处理系统及化学汽相沉积系统。本文中所描述的各种静电夹盘组合件经配置以使用作为晶片处理系统的部分的静电夹盘系统环境中的施加电压源(ac或dc)来操作。
44.根据使用含纳所描述的静电夹盘组合件的系统或装备的实例方法，例如半导体晶片的工件支撑于静电夹盘的上表面上。夹盘组合件的电极经充电以产生夹盘与工件之间的静电吸引力。参考图3a(具有相同于图2a的元件符号)，实例夹盘组合件100包含经启动以将工件150吸引到上夹盘表面的电极(图中未展示)。朝向工件150的上表面对工件150执行工艺，例如使粒子或离子170加速的步骤(例如用于离子植入)。为允许高效植入或另一类型的工艺，含纳夹盘100及工件150的处理室内的空间可处于真空压力。例如，工件150的上表面上的压力可低于5托、3托、2托或1托。
45.处理步骤引起工件150的温度升高。为从工件150移除热，引起冷却气体160流动到气流进口130中。冷却气体160通过分离地通向通气口124及穴134的导管132。接着，冷却气体160流动通过通气口124及通过穴134，进入气流空间128以接触工件150的下表面。冷却气体160可为任何有用气体，例如空气、氮气、氩气或另一惰性气体。冷却气体的压力及流速可将工件150的温度有效地控制于所要水平。工件的温度可取决于包含工件的类型及对工件执行的工艺的类型的因子。一般来说，可以可在从-100摄氏度到600摄氏度的范围内的温度根据各种制造步骤来处理各种工件。可在较窄温度范围内执行对特定衬底执行的特定类型
的工艺。例如，可对具有从-30摄氏度到100摄氏度的范围内的温度的工件执行半导体晶片的离子植入工艺。
46.气流空间128中的冷却气体160的实例压力可在从5托到50托的范围内，例如从10托到30托。在通过气流空间128之后，冷却气体160在组合件100的周边处逸出，如由箭头162所指示。
47.在完成处理步骤之后，加速粒子或离子170的流动停止(参阅图3b)，冷却气体160的流动也停止。冷却气体160的残余量以高达约50托的压力保留于气流系统中(其包含在气流空间128、穴134、导管132及进口130处)，而残余静电电荷继续吸引工件150朝向夹盘组合件100。最后步骤是从夹盘组合件100移除工件150。但在移除工件150之前，允许使冷却气体160从气流空间128、穴134、导管132及进口130逸出的时间量。根据图3a、3b及3c(及图2a及2b)的组合件设计，冷却气体160可在组合件100的周边处从穴134逸出(如由箭头162所展示)且还可通过导管132而到进口130中以直接逸出。与不包含将穴134直接连接到导管132的分段132(c)的设计相比，残余冷却气体160的量可通过通过气流导管132的分段132(c)来更快地逸出。
48.在允许一定量的冷却气体160逸出组合件100的气流系统的所要时间量之后，可从组合件100移除工件150，例如抬离组合件100，如由图3c处的箭头172所展示。
49.在第一方面中，一种静电夹盘组合件包括基座层，所述基座层包含：上基座层表面及下基座层表面；基座层装置开口，其延伸穿过所述基座层且经调适以含纳执行所述静电夹盘组合件的操作的装置的一部分；气流导管，其在所述基座层的区域上水平延伸，所述气流导管包括与所述基座层装置开口连接的导管分段；及气流进口，其通到所述基座层中且连接到所述气流导管。
50.根据第一方面所述的第二方面，其中所述气流导管包括所述基座层的上表面处的通路。
51.根据前述方面中任一方面所述的第三方面，其进一步包括安置于所述基座层上方的陶瓷层，所述陶瓷层包括：上陶瓷层表面；下陶瓷层表面；多个气流通气口，其延伸于所述下陶瓷层表面与所述上陶瓷层表面之间，所述气流通气口与所述气流导管流体连通；及陶瓷层装置开口，其延伸穿过所述陶瓷层，连接到所述基座层装置开口且经调适以含纳所述装置的一部分。
52.根据前述方面中任一方面所述的第四方面，其进一步包括所述上陶瓷层表面上的隆起，所述隆起经调适以将工件支撑于所述上陶瓷层表面上方且形成所述工件的下表面与所述上陶瓷层表面之间的气流层。
53.根据前述方面中任一方面所述的第五方面，其中所述气流导管包括圆形导管分段及连接到所述圆形导管分段的多个径向导管分段。
54.根据前述方面中任一方面所述的第六方面，其中所述装置经调适以执行移动、影响状况或执行测量。
55.根据前述方面中任一方面所述的第七方面，其中所述装置是测量装置。
56.根据第一到第六方面中任一方面所述的第八方面，其中所述装置是可移动探头。
57.根据前述方面中任一方面所述的第九方面，其中：所述气流导管包括圆形导管分段及连接到所述圆形导管分段的多个径向导管分段，所述基座层包含穿过所述基座层的至
少两个基座层装置开口且每一基座层装置开口含纳可移动探头，且所述至少两个径向导管分段中的每一者连接到所述基座层装置开口中的一者。
58.根据前述方面中任一方面所述的第十方面，其中所述气流导管包括围绕所述基座层装置开口周边延伸的气流导管分段。
59.在第十一方面中，一种处理工件的方法包括：将工件支撑在静电夹盘组合件上，所述静电夹盘组合件包括基座层，所述基座层包含：上基座层表面及下基座层表面；基座层装置开口，其延伸穿过所述基座层且经调适以含纳执行所述静电夹盘组合件的操作的装置的一部分；气流导管，其在所述基座的区域上水平延伸，所述气流导管包括与所述基座层装置开口连接的导管分段；气流进口，其通到所述基座中且连接到所述气流导管；及陶瓷层，其安置于所述基座层上方，所述陶瓷层包括：上陶瓷层表面；下陶瓷层表面；及多个气流通气口，其延伸于所述下陶瓷层表面与所述上陶瓷层表面之间，所述通气口与所述气流导管流体连通；及陶瓷层装置开口，其延伸穿过所述陶瓷层，连接到所述基座层装置开口且经调适以含纳所述装置的一部分，其中所述工件支撑于所述上陶瓷层表面上；及引起气体流动到所述气流进口中且通过所述气流导管。
60.根据第十一方面所述的第十二方面，其中所述静电夹盘包括电极且所述方法包括产生所述工件上的电荷及所述电极上的相反电荷，以引起所述工件被静电地吸引到所述静电夹盘组合件。
61.根据第十一方面或第十二方面所述的第十三方面，其进一步包括使离子朝向所述工件加速以引起在所述工件的表面处植入所述离子。
62.根据第十一方面到第十三方面中任一方面所述的第十四方面，其进一步包括使所述工件的温度维持于从-30摄氏度到100摄氏度的范围内。
63.根据第十一方面到第十四方面中任一方面所述的第十五方面，其进一步包括：使气体停止流动到所述气流进口中以允许所述气流导管内的残余气体在排放周期内从所述气流导管排放及在所述排放周期之后，从所述上陶瓷层表面移除所述工件。
64.根据第十五方面所述的第十六方面，其中所述排放周期小于2秒。