用于减少的电阻温度系数可变性的栅极注入物的制作方法

本公开涉及集成电路的领域。更具体地，但非排他地，本公开涉及电阻器，例如集成电路中的电阻的零温度系数(ztcr)电阻器。

背景技术：

1、由于光刻/蚀刻/注入工艺和掺杂剂损耗的限制，使用先进技术节点制造的集成电路中的电阻器在较小的线宽下可变性增加。掺杂剂损耗可反过来导致电阻温度系数的变化。电阻和温度系数的可变性可对电路功能产生不利影响，并导致产量损失，尤其是在加工角落处。

技术实现思路

1、本公开的一个方面涉及一种集成器件，其通过改变注入物的角度和/或增加或减少注入物的能级，遍及晶圆和/或在晶圆之间具有电阻器的更均匀的电阻温度系数。本公开的另一个方面涉及一种减少离子注入剖面的可变性和改善温度系数剖面的改进方法。

技术特征：

1.一种形成集成电路的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二角度是相对于所述表面法线至少10°。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二角度是在相对于所述表面法线约10°至约30°的范围内。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二角度是在相对于所述表面法线约30°至约60°的范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二角度是在相对于所述表面法线约60°至约90°的范围内。

6.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在注入所述第一掺杂剂种类和所述第二掺杂剂种类之前，通过注入非晶态种类使所述多晶硅电阻器主体非晶化。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述非晶态种类以相对于所述表面法线至少约10°的角度指向所述半导体衬底。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述角度是在相对于所述表面法线约30°至约60°的范围内。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二角度是相对于所述表面法线约25°。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二角度是相对于所述表面法线约45°。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二角度是相对于所述表面法线约65°。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂是相同的掺杂剂种类。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的至少一个包括硼。

14.一种集成电路，所述集成电路包括：

15.根据权利要求14所述的集成电路，其中所述第一掺杂浓度和所述第三掺杂浓度是大约相同的。

16.根据权利要求14所述的集成电路，其中所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度和所述第三掺杂浓度中的至少一个。

17.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

18.根据权利要求17所述的集成电路，其中所述第一多晶硅电阻器主体和所述第二多晶硅电阻器主体中的掺杂剂的摩尔浓度是大约相同的。

19.根据权利要求17所述的集成电路，其中所述第一多晶硅电阻器和所述第二多晶硅电阻器具有基本上相同的电阻。

20.根据权利要求17所述的集成电路，其中所述第一多晶硅电阻器主体和所述第二多晶硅电阻器主体还具有注入其中的非晶态种类。

21.根据权利要求20所述的集成电路，其中第二多晶硅电阻器主体的非晶态种类的浓度大于所述第一多晶硅电阻器主体的非晶态种类的浓度。

技术总结
描述了在半导体衬底(102)之上形成多晶硅电阻器主体(130)的方法和半导体电路。第一掺杂剂种类以大约与多晶硅电阻器主体(130)的最顶表面的表面法线平行的第一角度被注入多晶硅电阻器主体(130)中。第二掺杂剂种类以大于相对于表面法线约10°的第二角度被注入多晶硅电阻器主体中。注入物的组合减少了窄电阻器的电阻温度系数与宽电阻器的电阻温度系数之间的差异，并使电阻器的电阻温度系数更接近于零的优选值。

技术研发人员：M·楠达库玛
受保护的技术使用者：德克萨斯仪器股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12