稳健的可灰化硬掩模
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1.pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。本技术要求于2020年9月25日申请的美国专利申请no.63/198,061的优先权，其全部公开内容都通过引用合并于此。
技术领域
2.本文涉及用于形成可灰化硬掩模(ahm)的方法及相关装置。在特定实例中，使用含卤素前体可提供具有改进抗蚀刻性的ahm。
背景技术：3.非晶碳膜可用作半导体工艺中(包括在存储器与逻辑装置制造中)的硬掩模及蚀刻停止层。这些膜也称为可灰化硬掩模(ahm)，因为其可通过灰化技术去除。随着光刻中深宽比增加，ahm需要更高的蚀刻选择性和/或更大厚度。
4.本文所包含的背景及上下文描述仅为了总体上呈现本公开的上下文的目的而提供。本公开的大部分内容呈现发明人的工作，并且仅因这样的工作描述于背景技术部分或在本文别处呈现为上下文并不意味其被承认为现有技术。
技术实现要素：5.本发明涉及使用特定前体以提供ahm。在一些实施方案中，ahm具有改进的抗蚀刻性。
6.因此，在第一方面，本发明包含一种方法，其包括：将处理室中的半导体衬底的表面暴露于含卤素前体，其中所述含卤素前体被输送至所述处理室或原位形成于所述处理室内；以及通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺，将可灰化硬掩模膜(ahm)沉积在所述表面上。
7.在一些实施方案中，所述暴露包括输送含卤素前体至处理室。在其他实施方案中，所述暴露还包括输送包含有含卤素前体与惰性气体的工艺气体。在还有的其他实施方案中，所述暴露还包括输送包含有含卤素前体与惰性气体的工艺气体。
8.在一些实施方案中，所述卤素前体包括直链或支链脂肪族部分、芳香族部分、环脂肪族部分、或多环脂肪族部分，其中每一部分包括一个或更多卤素取代。在其他实施方案中，所述一个或更多卤素取代被提供于sp碳、sp2碳、sp3碳、支链部分、或非支链部分上。在还有的其他实施方案中，所述含卤素前体包括卤代烃、卤代脂肪族、卤代烷烃、卤代烯烃、卤代炔烃、卤代芳香族、或卤代碳环。
9.在一些实施方案中，所述暴露包括利用有机反应物和含卤素反应物于所述处理室内原位形成所述含卤素前体。在特定实施方案中，所述有机反应物包括纯烃反应物、卤代烃反应物、具有离去基团的烃反应物、或杂环反应物。非限制性纯烃反应物包括烷烃、烯烃、炔
烃、芳香族或碳环，以及本文所述的任一者。非限制性卤代烃反应物包括包括包含有一个或更多卤素取代的烷烃、烯烃、炔烃、芳香族或碳环。具有离去基团的非限制性烃反应物包括包含有一个或更多离去基团(例如，卤代磺酰基(halosulfonyl group)、磺酸酯基(sulfonate group)、氰基、氧化亚氮基(n2o)、硝酸基(-ono2)、或本文所述的其他)的烷烃、烯烃、炔烃、芳香族或碳环，例如卤化烷基磺酰、卤化芳基磺酰、三氟甲磺酸烷基酯、三氟甲磺酸芳基酯、甲磺酸烷基酯、甲磺酸芳基酯、氰基烷烃、氰基芳香族、硝酸烷基酯、或硝酸芳基酯。非限制性含卤素反应物包括卤化物、卤素气体、四卤硅烷、三卤硅烷、二卤硅烷、单卤硅烷、或格氏试剂。
10.在一些实施方案中，所述暴露还包括输送含有所述有机反应物与第一惰性气体的第一工艺气体以及含有所述含卤素反应物与第二惰性气体的第二工艺气体(例如，从而在处理室内原位形成含卤素前体)。
11.在一些实施方案中，所述暴露还包括输送氢(h2)气体。
12.在其他实施方案中，所述暴露还包括输送烃前体与含卤素前体。非限制性烃前体包括烷烃、烯烃、炔烃、芳香族或碳环。
13.在其他实施方案中，所述暴露还包括输送含金属反应物，而所述沉积提供金属掺杂型ahm。非限制性含金属反应物包括有机金属试剂、金属卤化物、或金属氢化物。
14.在一些实施方案中，所述pecvd工艺包括点燃包括低频(lf)分量和/或高频(hf)分量的等离子体。
15.在其他实施方案中，该方法还包括：图案化所述ahm，由此提供图案化ahm；以及蚀刻所述图案化ahm以在所述半导体衬底中定义所述ahm的特征。在一些实施方案中，该方法还包括：蚀刻所述半导体衬底中的在所述图案化ahm底下的一个或更多层；以及去除所述图案化ahm。
16.在第二方面中，本发明包含一种用于形成ahm的装置，所述装置包括：处理室；衬底保持器，其位于所述处理室中；一个或更多气体入口，其用于使气体流入所述处理室中；等离子体产生器，其用于在所述处理室内产生等离子体；以及一个或更多控制器，其包括用于操作所述衬底保持器、所述一个或更多气体入口以及所述等离子体产生器以将所述ahm沉积于半导体衬底上的机器可读的指令。
17.在一些实施方案中，所述一个或更多控制器的所述指令包含用于下列操作的指令：(a)致使操作所述一个或更多气体入口，以使含卤素前体、或有机反应物与含卤素反应物流入所述处理室，其中所述有机反应物与所述含卤素反应物形成所述含卤素前体，从而使保持于所述衬底保持器中的所述半导体衬底的表面暴露于所述含卤素前体。在其他实施方案中，所述一个或更多控制器的所述指令包含用于下列操作的指令：(b)致使操作所述等离子体产生器来产生等离子体，以在所述表面上形成所述ahm。
18.在还有的其他实施方案中，所述一个或更多控制器的所述指令包括用于下列操作的指令：(c)在致使操作所述等离子体产生器之前，还致使操作所述一个或更多气体入口，以使氢(h2)气体流入所述处理室。在一些实施方案中，所述一个或更多控制器的所述指令包括用于下列操作的指令：(c)在致使操作所述等离子体产生器之前，还致使操作所述一个或更多气体入口，以使含金属反应物流入所述处理室。
19.在其他实施方案中，所述一个或更多控制器的所述指令包括用于下列操作的指
令：(c)致使所述衬底保持器在至少约50℃的温度下操作。
20.在一些实施方案中，等离子体产生器被操作成提供包含有低频(lf)分量和/或高频(hf)分量的等离子体。所述lf分量与hf分量可以连续波和/或脉冲模式提供，如本文所述的。
21.在本文的任一实施方案中，所述含卤素前体包括直链或支链脂肪族部分、芳香族部分、环脂肪族部分或多环脂肪族部分，其中每一部分包括一个或更多卤素取代。在一些实施方案中，所述一个或更多卤素取代被提供于sp碳、sp2碳、sp3碳、支链部分、或非支链部分上。
22.在本文的任一实施方案中，所述含卤素前体包括卤代烃、卤代脂肪族、卤代烷烃、卤代烯烃、卤代炔烃、卤代芳香族、或卤代碳环。
23.在本文的任一实施方案中，所述含卤素前体包括至少约1:3的碳原子比氢原子的比率(c:h比率)和/或至少约1:20的卤素原子比氢原子的比率(x:h比率)。
24.在本文的任一实施方案中，该方法提供包括ahm的多层堆叠件。
25.在本文的任一实施方案中，所述ahm通过使用本文所述的前体或反应物形成，例如含卤素前体、烃前体、有机反应物、含卤素反应物、纯烃反应物、卤代烃反应物、具有离去基团的烃反应物、脂肪族部分、芳香族部分、碳环、杂环、元素卤素、氢气、含金属反应物或任何这些的组合。额外细节如下。
附图说明
26.图1为根据多种实施方案示出在蚀刻操作中使用可灰化硬掩模(ahm)的方法相关操作的工艺流程图。
27.图2a-2c提供了示出形成ahm的方法相关操作的工艺流程图。
28.图3示出了适用于实行多种实施方案的等离子体增强化学气相沉积(pecvd)室的示意图。
29.图4示出了适用于实行多种实施方案的另一pecvd室的另一示意图。
30.图5示出了适用于实行多种实施方案的模块集群的示意图。
31.图6a-6c示出了适用于实行多种实施方案的又一pecvd室的示意图。
32.图7示出了适用于实行多种实施方案的感应耦合式等离子体蚀刻装置的示意图。
33.图8示出了适用于实行多种实施方案的模块集群的示意图。
具体实施方式
介绍及背景
34.在半导体工艺中，掩模施加方法用于图案化及蚀刻衬底。随着衬底深宽比增加，对于高选择性硬掩模的需求也增加。具有高蚀刻选择性且易去除而不损坏衬底的掩模对于处理衬底具有重要性。在选择性蚀刻期间，对于高深宽比(har)蚀刻或光致抗蚀剂可能不够厚来遮挡下伏层时，可灰化硬掩模(ahm)可用作蚀刻停止层中的掩模。ahm也可用于显示器及其他技术所使用的玻璃衬底上。
35.ahm膜具有一旦达到其目的便允许其通过称为“灰化”、“等离子体灰化”或“干式剥离”的技术进行去除的化学组成。碳硬掩模可利用不对新形成的特征产生巨大影响的工艺
去除干净。所述工艺的一示例是与氧等离子体接触。
36.ahm膜的一示例是非晶碳层或膜。ahm膜一般是由碳及氢以及可选的少量的一种或更多种掺杂物(例如，氮、氟、硼及硅)构成。ahm的键合结构可根据sp2(类石墨)或sp3(类钻石)或两者的组合变化，具体取决于沉积条件。
37.可灰化硬掩模的当前应用包括作为堆叠件(例如，交替的氧化硅与氮化物层(onon)或交替的氧化硅与多硅层(opop))上的保护性硬掩模，以用于高深宽比(har)蚀刻。由于堆叠件高度增加，硬掩模厚度持续增加。一些当前应用需要约1.6至2.2μm的ahm。
38.对于许多应用，可用的ahm技术限于密度相对低和/或氢含量高的膜。具有低密度或高氢含量显著增加特征蚀刻期间的蚀刻速率。
39.因为膜厚大，所以ahm必须具有相对低的内应力，例如接近中等，-40至-100mpa。此低应力程度与相对低的模量相关，例如约50gpa。在此状态下，已观察到ahm中氢含量降低约50％使得图案蚀刻选择性改善约22％。如通过卢瑟福背散射/氢前方散射(rutherford back scattering/hydrogen forward scattering,rbs/hfs)测量，许多ahm通常具有介于约10-12％的氢含量。
40.由于对掩模厚度(其决定膜的一些特性、沉积速率、应力及穿透率)的要求，此些特性的任何减损都需要蚀刻选择性的显著改进。换言之，该工艺不能仅为了降低氢含量就牺牲沉积速率。换句话说，降低这些ahm膜的氢含量而不降低沉积速率或减损其他膜特性将会是有利的。
41.本文公开在沉积温度范围内改善碳膜或掺杂型碳膜的特性的系统及方法。就背景而言，ahm通常在150℃至650℃下沉积。通过在等离子体增强沉积期间审慎组合等离子体气体中的碳及含卤素前体与惰性气体，蚀刻特性即获改善、和/或膜中氢的有效量下降。在一些实施方案中，等离子体增强沉积工艺为采用单频或双频等离子体源的导电耦合等离子体(ccp)工艺。
42.多种实施方案采用含有卤素、碳及氢原子的气态前体物质。尤其是，前体物质包括含卤素前体。所述前体可被输送至处理室中(例如，用卤代烃)，或者在可替代实施方案中，在处理室内原位形成(例如，用有机反应物与含卤素反应物)。相对于仅采用c2h2的基线工艺(baseline process)，一些这样的工艺提供卤素和/或氢含量下降约25至70％的ahm。而所述ahm可能具有约0至21原子％的端键(例如，包括氢(h)、氧(o)、氮(n)、金属(m)和/或卤素(x))含量。一些卤代烃沉积ahm的研究已显示，相较于c2h2基线，蚀刻速率降低8-32％。
43.卤代烃可为具有至少一个氢原子及至少一个卤素原子的烃。在一些实施方案中，可通过将氢(h2)气体添加至等离子体中来进一步调整氢及卤素含量。在所述工艺中，氢物质可取代ahm中的卤素物质。在一些非限制性工艺中，可在低于约300℃的温度下将氢物质及卤素物质提供至表面。本文描述额外的含卤素前体、有机反应物及含卤素反应物。
44.图1为示出在蚀刻操作中使用ahm作为硬掩模的方法相关操作的工艺流程图100。尽管以下描述主要是提及半导体衬底，但这些方法也可应用于其他类型衬底(包括玻璃衬底)上的层。可被ahm遮挡的材料的示例包括介电材料(例如氧化物(例如，sio2)及氮化物(例如，sin及tin))、多晶硅(poly-si)、及金属(例如铝(al)、铜(cu)及钨(w))。在某些实施方案中，本文所述的ahm用于对氧化物、氮化物或多晶硅层图案化。
45.在操作102中，通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)在待蚀刻的层上沉积可灰
化硬掩模。pecvd工艺涉及在沉积室中产生等离子体。在特定实施方案中，可使用包括高频(hf)功率及低频(lf)功率的双射频(rf)等离子体源。在一些工艺中，沉积一或更多ahm层。
46.在操作104中，根据所期望的蚀刻图案对光致抗蚀剂层进行沉积、暴露及显影。在一些实施方案中，抗反射层(arl)可在光致抗蚀剂沉积之前沉积在ahm膜上。
47.在操作106中，通过蚀刻ahm的暴露部分以对ahm膜开孔。可通过富氟干式蚀刻对ahm开孔。
48.接下来，在操作108中，选择性地蚀刻衬底层，以将图案转移至衬底层。可执行选择性蚀刻，使得衬底层被蚀刻而未显著削减ahm壁。蚀刻的示例可包括基于自由基和/或离子的蚀刻。蚀刻化学物的示例可包括基于卤素的蚀刻化学物，例如含氟及含氯的蚀刻化学物。例如，自含氟代烃的工艺气体所产生的电容耦合式等离子体可用于选择性蚀刻氧化物层。工艺气体的具体示例包括含c
xfy
的工艺气体，其可选地具有氧(o2)及惰性气体，例如c4h8/ch2f2/o2/ar。
49.最后，在操作110中，使用被称为灰化、等离子体灰化或干式剥离的技术以去除ahm。灰化可通过富氧干式蚀刻来执行。通常，将氧引入在真空下的室中，而rf功率会在等离子体中产生氧自由基，以与ahm反应并将其氧化成水(h2o)、一氧化碳(co)及二氧化碳(co2)。可选地，任何残存的ahm残留物也可在灰化后通过湿式或干式蚀刻工艺去除。该结果是图案化的衬底层。
50.随着har蚀刻的深度和/或深宽比增加，ahm的蚀刻选择性或厚度也必须增加。蚀刻选择性可通过比较ahm层与下伏层的蚀刻速率来确定。蚀刻选择性有时可通过确定ahm层的氢含量、折射率(ri,n)、消光系数(k)、密度及模量或刚度来近似。通常，具有较低氢含量、较低ri、较高密度及较高模量的ahm能够在涉及离子轰击的蚀刻工艺中承受较高的蚀刻速率。因此，具有较低氢含量、较低ri、较高密度和/或较高模量的ahm具有较高选择性及较低蚀刻速率，因此可更有效率且更有效地用于har半导体工艺。ahm的所期望的蚀刻选择性可取决于蚀刻工艺及下伏层的组成，但无论蚀刻工艺或下伏层的组成为何，蚀刻选择性与上述材料特性之间的相关性均保持相同。本文所述的选择性相关性适用于所有类型的下伏层，包括多晶硅层、氧化物层及氮化物层。
51.图2a示出了呈现根据多种实施方案形成ahm的方法相关操作的工艺流程图200。在操作202中，衬底被接收于处理室中。在此操作中可将衬底提供至室，或该衬底可从之前的操作就在该室中。
52.在操作204中，将衬底暴露于含卤素前体，其可被输送至该室或在该室内原位形成。接下来，在操作206中，通过pecvd工艺在衬底上沉积可灰化硬掩模。pecvd工艺可包括单个hf rf等离子体源或双hf/lf rf等离子体源，以在处理室中产生等离子体。操作206的结果是ahm膜。此后，可任选地处理ahm膜，例如通过对膜进行退火、蚀刻和/或灰化。
53.图2b示出了呈现相关操作的非限制性工艺流程图210。在操作212中，衬底被接收于处理室中。在操作214中，将含卤素前体输送至室，其中前体可提供为包含有前体及惰性气体载体(例如，本文所述的任一者)的工艺气体。接下来，在操作216中，通过pecvd工艺在衬底上沉积可灰化硬掩模，如本文所述。
54.如本文所述，可在室内原位形成含卤素前体。如图2c中所见，另一非限制性工艺流程图220示出了用于将衬底接收于处理室中的操作222以及原位形成含卤素前体的操作
224。操作224可包括输送可反应形成前体的至少两种反应物。在一实例中，反应物可包括有机反应物(例如烷烃)与含卤素反应物(例如，hx，其中x为卤素)。尤其是，选择反应物的组合以确保反应物相互反应，使得卤素原子包含于沉积物质中。所述反应物可作为分开的工艺气体输送。接下来，在操作226中，通过pecvd工艺在衬底上沉积可灰化硬掩模，如本文所述。
55.可使用本文的任何方法以提供ahm，包括包含有一或更多ahm层的多层堆叠件。例如，多层堆叠件可包括多个层，其中至少一层为ahm层。在一些实施方案中，该至少一层通过使用含卤素前体来形成。在其他实施方案中，该至少一层通过使用本文所述的前体或反应物来形成，例如含卤素前体、烃前体、有机反应物、含卤素反应物、纯烃反应物、卤代烃反应物、具有离去基团的烃反应物、脂肪族部分、芳香族部分、碳环、杂环、元素卤素、氢气、含金属反应物或任何这些的组合。
56.用于多层堆叠件的层的非限制性示例可包括以下的任何一或更多者：ahm层、含碳层、金属掺杂型含碳层、含硅层、介电层、金属层、碳化物层、氮化物层、氧氮化物层、氧碳化物层、金属碳化物层、金属氮化物层或其他者。层的还有的其他非限制性示例可包括碳(例如，非晶碳)、金属掺杂型碳、碳化物、氮化硅、二氧化硅(sio2)、氧氮化硅、碳化硅、氧碳化硅、氮化钛、氮化钨、碳化钽、多晶硅(poly-si)、铝、铜及钨，包括其非晶、氢化、未掺杂和/或掺杂形式。
57.多层堆叠件可任选地包括第一层与第二层的交替层。在一些实施方案中，第一层或第二层中的至少一者包含卤素。在其他实施方案中，第一层或第二层中的至少一者通过使用含卤素前体来形成。在还有的其他实施方案中，第一层通过使用第一含卤素前体(例如，本文实施方案1-15中的任一者中)形成，而第二层通过使用另一前体或反应物(例如，本文所述的任一者，例如第二含卤素前体、烃前体、有机反应物、含卤素反应物、纯烃反应物、卤代烃反应物、具离去基团的烃反应物、脂肪族部分、芳香族部分、碳环、杂环、元素卤素、氢气、含金属反应物或任何这些的组合)形成。工艺机制
58.沉积期间作为吸氢剂的卤素原子的存在提供具有较低氢含量的ahm膜。不希望受限于机制，似乎有两种工艺涉及这样的原子：一者于气相中，另一者在沉积的固相中。
59.在气相中，卤素原子可取代一些含碳前体片段中的氢原子。含卤素气相物质优选为自由基而非离子，因为离子可能被加速至沉积膜的深处，在该处更难去除卤素原子(导致具有整体更高卤素含量的膜)。此外，这些含卤素物质可隔离等离子体气体中的氢自由基，从而降低膜中的有效氢含量并提高沉积速率。例如，h自由基在膜生长期间产生竞争性蚀刻工艺，而总沉积速率为h自由基蚀刻速率与烃自由基沉积速率之间的差值。
60.除了气相机制外，还有沉积相机制，其中卤素和/或氢从生长膜中被提取。由于键能的因素，有利于从生长膜中的碳基质提取卤素而非氢。因此，采用一些氢原子被卤素原子取代的前体产生膜内结合氢与卤素的净减少。这两机制的净影响为较低氢含量。
61.在沉积物质中添加卤素的额外好处可能是c-x(其中x为卤素)键比大多数c-h键在动力学上更有效，因此允许热能以更快且于较低温度下使卤化物含量下降。此端键物质(c-h或c-x)的减少呈现与使用纯烃前体(例如c2h2或c3h6)的现有技术相同或更高的沉积速率且相似的应力模量比。
62.在特定实施方案中，ahm膜包括较低氢含量(例如，小于约15原子％或甚至小于约1
原子％)，具有较快的沉积速率及相当的应力模量比。所述膜可呈现改进的蚀刻速率，例如与图案蚀刻速率良好相关的无图案蚀刻速率(blanket etch rates)比c2h2基线(例如，在650℃下用c2h2或c3h6沉积的ahm)改善8％至30％。
63.为获得所述益处，卤素原子应参与作为沉积物质。例如，含卤素前体(无论是直接输送或原位形成)应参与作为沉积物质。不希望受限于机制，通过卤化物自由基加入夺氢(hydrogen abstraction)机制可能仅在前体含有能够提取而非作为额外非沉积物质的物质时方可实现。沉积可利用含卤素前体本身或与纯烃前体(例如，c2h2)共同流动来进行。对于单高频及双高频与低频rf设置类型，都会发生膜氢含量改善。
64.本文的工艺及其所得膜可与任何有用的基线作比较，例如用主要或仅含有c2h2的前体沉积的ahm。在一实施方案中，本发明的ahm膜采用本文所述的方法，以利用本文所述的任何前体或反应物(例如，如段落[0088]-[0124]中)。在特定实施方案中，相比于c2h2基线的总氢(h)含量，本发明的ahm膜呈现降低的氢与卤素(h+x)含量。在其他实施方案中，相比于c2h2基线的总h含量，本发明的ahm膜呈现下降的h含量。相比于c2h2基线的总h含量，所述下降可包括约10％至65％(例如，约10％至20％、10％至25％、10％至30％、10％至35％、10％至40％、10％至45％、10％至50％、10％至55％、10％至60％、15％至20％、15％至25％、15％至30％、15％至35％、15％至40％、15％至45％、15％至50％、15％至55％、15％至60％、15％至65％、20％至25％、20％至30％、20％至35％、20％至40％、20％至45％、20％至50％、20％至55％、20％至60％、或20％至65％)。所述工艺可包括任何有用的沉积温度(例如，80℃至750℃，以及本文所述的其他范围)下的气相沉积，包括cvd或pecvd。
[0065]
在一非限制性实施方案中，用含卤素前体的沉积使氢与卤素(h+x)含量减少20％至80％(表示为c2h2基线的总h含量的百分比)。在特定实施方案中，观察到h含量减少30％至80％。在其他实施方案中，在大于约500℃或介于约500℃至750℃之间的沉积温度下，相比于相同温度下用c2h2沉积的ahm，观察到h+x含量降低或h含量降低。在特定实施方案中，通过pecvd工艺进行沉积。
[0066]
在一非限制性实施方案中，在所有温度且类似于c2h2基线的工艺条件下，提供本发明ahm膜的含卤素前体的沉积速率可比c2h2基线的沉积速率更快或相当。在一些实施方案中，本发明ahm膜的总应力模量比与c2h2基线相同。在一些实施方案中，相比于c2h2基线，本发明ahm膜具有更高应力及更高模量。
[0067]
可进一步调整本文工艺以将应力降低至相当程度且不增加h和/或x含量(例如，温度、rf条件等)。在一实施方案中，可通过增加工艺的总压力、降低lf、和/或增加沉积物质(例如含卤素前体、烃前体、有机反应物、含卤素反应物、纯烃反应物、卤代烃反应物、具有离去基团的烃反应物、脂肪族部分、芳香族部分、碳环、杂环、元素卤素、氢气、含金属反应物、或任何这些的组合)的分压来降低应力。
[0068]
在某些非限制性实施方案中，本文所述的ahm膜具备低于10原子％、8原子％、5原子％或3原子％的h+x含量。在其他实施方案中，在所有温度条件下，含卤素前体提供h与x含量比c2h2基线低的ahm膜。
[0069]
此外，在沉积期间使用氢(h2)可在某些温度范围内(例如，低于300℃的温度)降低膜内的卤素含量。所述工艺可包括将h2气体加入等离子体中，其可允许氢物质取代ahm中的卤素物质。以此方式，可通过使h2气体包含进等离子体中来降低膜中的卤素含量。
[0070]
本发明的ahm膜可呈现改进的蚀刻速率。在一些实施方案中，相比于c2h2基线，本发明的ahm膜提供约5％至40％(例如，约5％至10％、5％至20％、5％至30％、7％至10％、7％至20％、7％至30％、7％至40％、10％至20％、10％至30％、10％至40％、15％至20％、15％至30％、或15％至40％)的改进的蚀刻速率。标准氧化硅逻辑蚀刻可用作测试载具(test vehicle)。工艺窗
[0071]
本节描述可用于产生ahm膜的多种工艺参数。对在工艺室(例如下文所述之一者)中进行的等离子体增强化学气相沉积工艺提供工艺参数。
[0072]
本文所述的ahm膜沉积方法可在任何合适的工艺温度下进行，以获得所期望的ahm特质，基座的示例温度范围从约80℃至750℃、80℃至700℃、80℃至650℃、80℃至600℃、80℃至550℃、80℃至500℃、80℃至450℃、80℃至400℃、80℃至350℃、80℃至300℃、80℃至250℃、80℃至200℃、80℃至150℃、80℃至100℃、85℃至750℃、85℃至700℃、85℃至650℃、85℃至600℃、85℃至550℃、85℃至500℃、85℃至450℃、85℃至400℃、85℃至350℃、85℃至300℃、85℃至250℃、85℃至200℃、85℃至150℃、85℃至100℃、90℃至750℃、90℃至700℃、90℃至650℃、90℃至600℃、90℃至550℃、90℃至500℃、90℃至450℃、90℃至400℃、90℃至350℃、90℃至300℃、90℃至250℃、90℃至200℃、90℃至150℃、90℃至100℃、95℃至750℃、95℃至700℃、95℃至650℃、95℃至600℃、95℃至550℃、95℃至500℃、95℃至450℃、95℃至400℃、95℃至350℃、95℃至300℃、95℃至250℃、95℃至200℃、95℃至150℃、95℃至100℃、100℃至750℃、100℃至700℃、100℃至650℃、100℃至600℃、100℃至550℃、100℃至500℃、100℃至450℃、100℃至400℃、100℃至350℃、100℃至300℃、100℃至250℃、100℃至200℃、150℃至750℃、150℃至700℃、150℃至650℃、150℃至600℃、150℃至550℃、150℃至500℃、150℃至450℃、150℃至400℃、150℃至350℃、150℃至300℃、150℃至250℃、150℃至200℃、200℃至750℃、200℃至700℃、200℃至650℃、200℃至600℃、200℃至550℃、200℃至500℃、200℃至450℃、200℃至400℃、200℃至350℃、200℃至300℃、200℃至250℃、250℃至750℃、250℃至700℃、250℃至650℃、250℃至600℃、250℃至550℃、250℃至500℃、250℃至450℃、250℃至400℃、250℃至350℃、250℃至300℃、300℃至750℃、300℃至700℃、300℃至650℃、300℃至600℃、300℃至550℃、300℃至500℃、300℃至450℃、300℃至400℃、300℃至350℃、350℃至750℃、350℃至700℃、350℃至650℃、350℃至600℃、350℃至550℃、350℃至500℃、350℃至450℃、350℃至400℃、400℃至750℃、400℃至700℃、400℃至650℃、400℃至600℃、400℃至550℃、400℃至500℃、400℃至450℃、450℃至750℃、450℃至700℃、450℃至650℃、450℃至600℃、450℃至550℃、450℃至500℃、500℃至750℃、500℃至700℃、500℃至650℃、500℃至600℃、500℃至550℃、550℃至750℃、550℃至700℃、550℃至650℃、550℃至600℃、600℃至750℃、600℃至700℃、600℃至650℃、650℃至750℃、650℃至700℃、或700℃至750℃。
[0073]
在较高温度(例如，高于约200℃或300℃)下沉积ahm可改善ahm的蚀刻选择性。工艺温度会影响应力、选择性及穿透率，其至少部分是由于sp2键与sp3键形成。较高温度有利于形成富含sp2的非晶碳网，因为高温使c-h键容易断裂，并且随后氢扩散。例如，高于约200℃的温度下所沉积的膜可能具有显著更多的sp
2 ch及ch2键以及相对较少的sp3键，其具有增加的碳含量及更高密度，并与提高的蚀刻选择性相关。相比于较高温度下所沉积的膜，较
低温度下(例如，低于约175℃)所沉积的ahm膜可能具有较少的sp2键合。
[0074]
在多种实施方案中，处理室、衬底保持器和/或基座中的温度可为至少约50℃。在其他实施方案中，温度为至少约500℃或在约80℃至750℃、约80℃至650℃或约550℃至650℃的范围内。处理室中的总压强可介于约1至10托(torr)或约5torr之间。
[0075]
可通过使用一个或更多气体入口将前体输送至处理室中。输送可包括使用一种或更多工艺气体，其中可使用单一工艺气体来输送含卤素前体与惰性气体。在其他实施方案中，可采用多种工艺气体，例如具有有机反应物与第一惰性气体的第一工艺气体，以及具有含卤素反应物与第二惰性气体的第二工艺气体。在输送至室中后，有机反应物与含卤素反应物即可反应以原位形成含卤素前体。
[0076]
除了输送前体物质(例如，含卤素前体、有机反应物或含卤素反应物)外，工艺气体还可包括其他化合物。所述化合物可包括氢(h2)气体、烃前体(例如烃，如c2h2及本文所述的任一者，其可为卤化或非卤化的)、和/或含金属反应物(例如，包括w、mo、hf、b、ru或co)，其中作为工艺气体输送可包括一种或更多惰性气体。
[0077]
在一些实施方案中，惰性气体包括所使用的全部惰性气体的至少约10％或至少约80％或至少约95％(体积计)。在其他实施方案中，惰性气体为氦(he)、氖(ne)、氩(ar)、氮(n2)、氪(kr)、氙(xe)或其任何组合。
[0078]
前体气体体积流率取决于特定工艺室、衬底及其他工艺条件。可用于单个300mm衬底的体积流率的示例为介于约200至5500sccm之间、约300至2500sccm之间或约400至2000sccm之间的前体物质与惰性气体的总体积流量。在一些实施方案中，对于惰性气体，体积流量介于约300至5000sccm或约400至2000sccm之间；而对于前体物质(例如，含卤素前体、烃前体、有机反应物或含卤素反应物)介于约1至500sccm或约20至100sccm之间。
[0079]
前体物质与惰性气体之间的比率可介于约0.01与约0.5之间。在一些实施方案中，含卤素物质的流率介于总流率的约1％与约50％之间，而惰性气体构成总流率的其余部分。在其他实施方案中，含卤素物质与烃前体(例如，c2h2)的流率介于总流率的约1％至约50％之间，而惰性气体构成总流率的其余部分。
[0080]
额外化合物可以介于约0至500sccm、1至500sccm、0至250sccm、1至250sccm、约0至50sccm或约5至50sccm之间的体积流量来提供。例如，氢(h2)气体、烃前体(例如烃，例如c2h2)、和/或含金属反应物可以这样的流率来提供。在一实施方案中，氢气以0至500sccm或1至500sccm的流率来提供。在另一实施方案中，含金属反应物以0至250sccm或1至250sccm的流率来提供。除非另外指明，否则本文所公开的流率是针对配置用于300mm晶片的单站工具。流率一般与站数及衬底面积呈线性比例。
[0081]
退火可在约500℃或更高温度下进行。可进行退火以降低膜的氢含量。
[0082]
在一些实施方案中，低频(lf)rf功率是指频率介于约200khz与2mhz之间的rf功率。在一些实施方案中，lf rf功率具有约400khz的频率。高频rf功率是指频率介于约2mhz与约100mhz之间的rf功率。在一些实施方案中，hf rf功率具有约60mhz的频率、约27mhz的频率或约13.56mhz的频率。
[0083]
rf操作可包括连续波模式或脉冲模式。脉冲可包括hf与lf分量的同步脉冲、hf分量的脉冲与lf分量的连续波、或hf分量的连续波与lf分量的脉冲。因此，脉冲是指使hf和/或lf的功率在脉冲周期的“关闭”部分处于0w。
[0084]
在一些实施方案中，hf功率可介于每300mm晶片约10w与8000w之间。在其他实施方案中，lf功率可在每300mm晶片0w与4000w之间变化。可单独使用lf或hf等离子体。在其他实施方案中，lf及hf分量皆存在，其中hf功率介于约10w与8000w之间，而lf功率可约4000w或更小。
[0085]
在许多实施方案中，hf rf分量的最小功率与lf rf分量的最小功率足以维持等离子体。本文所提供的所有功率为每300mm衬底。如本文所述的rf功率一般与站数及晶片面积呈线性比例。功率值可按单位面积基础来表示，例如，对于300mm晶片，2500w也可表示为0.884w/cm2。
[0086]
在一些实施方案中，衬底设置在处理室内的基座上，并位于基座与喷头之间。基座与喷头间的间隙的特征在于微容积，其可包括但不限于介于0.1升与2升之间的容积；和/或距离，其包括但不限于0.2英寸至2.5英寸或甚至高达6英寸之间的距离。
[0087]
在本文的一些方法中，ahm膜以至少约/分钟或约/分钟或约/分钟或约/分钟的速率沉积。在一些实施方案中，ahm膜以介于约/分钟与约/分钟之间的速率沉积。ahm膜的沉积速率可取决于lf及hf功率、室压力、工艺温度及前体物质。工艺气体与含卤素前体的组成
88.本文实施方案中的方法及装置采用含卤素前体。所述前体可包括本文所述的任一者，包括可一起反应以在室内原位形成含卤素前体的反应物。
[0089]
如本文所使用的，前体物质用于广泛地包含形成ahm膜的化合物。因此，前体物质可包括含卤素前体、有机反应物、含卤素反应物、纯烃反应物、卤代烃反应物、具有离去基团的烃反应物、烃前体或含金属反应物。这些物质中的每一者可提供作为具有惰性气体(例如，本文所述的任一者，例如he、ne、ar、n2、kr、xe或其任何组合)的工艺气体。
[0090]
前体物质可包括一种或更多种化合物，其意指本文所述的任一前体物质可单独或组合使用。所述组合可提供于相同工艺气体内或按顺序或同时引入处理室的不同工艺气体中。在一些实施方案中，前体物质将卤素、碳及氢原子(具有可选的其他杂原子)共同包含于一种或更多种化合物中。在其他实施方案中，前体物质可与惰性气体或h2气体一起使用。
[0091]
在实施方案1中，前体物质可包括至少一个氢原子与至少一个卤素原子。在特定实施方案中，所述前体物质为含卤素前体。在一些实施方案中，前体物质的特征在于碳原子比氢原子的比率(c:h比率)，其为至少约1:3或可能高达1:0；或介于约1:3至8:1之间或介于约1:2至2:1之间。在其他实施方案中，前体物质的特征在于卤素原子比氢原子的比率(x:h比率)，其为至少约1:20或可能高达1:0；或介于约17:1至1:17或约3:1至1:3之间。卤素原子可包括f、cl、br和/或i。
[0092]
前体物质的特征在于每一化合物中的碳原子数。在一些实施方案中，前体物质具有1-8个碳原子。在其他实施方案中，前体物质包括c
1-8
烷基、c
2-8
烯基、c
2-8
炔基、c
5-8
芳基、c
1-8
卤代烷基、
c2-8
卤代烯基、
c2-8
卤代炔基或c
5-8
卤代芳基。
[0093]
前体物质可包括任何有用的化合物种类。在某些实施方案中，前体物质可为或包括含有一个或更多卤素取代的直链或支链脂肪族部分、芳香族部分、环脂肪族部分、多环脂肪族部分。
[0094]
非限制性脂肪族部分可包括c
1-10
脂肪族或c
1-8
脂肪族部分。脂肪族部分的实施方案可包括烷烃、烯烃、炔烃、芳香族化合物、环脂肪族化合物及多环脂肪族化合物。所述部分可包括提供在sp2碳、sp3碳、支链部分、非支链部分或支链与非支链部分两者上的一个或更多卤素取代。当存在至少一个卤素取代时，所述前体物质可为卤代烃(例如，具有一个或更多卤素与一个或更多碳原子的化合物)、卤代脂肪族、卤代烷烃、卤代烯烃、卤代炔烃、卤代芳烃、或卤代碳环，如本文所述。
[0095]
烷烃可包括直链烷烃或支链烷烃。所述烷烃可被一种卤原子取代(或被单卤取代)。例如，单氟取代的烷烃仅包括氟作为卤素原子，但烷烃内可存在一个或更多氟原子。非限制性单卤取代的直链烷烃包括纯卤代烃(例如caxb，其中x为卤素，a为1至10，b为2a+2；例如cf4、ccl4、cbr4或cl4)、1,2-二氟乙烷、1,1-二氟乙烷、1,1-二氟乙烷、1-氟丙烷、2-氟丙烷、1,2-二氯乙烷、1,1-二氯乙烷、1-氯丙烷、2-氯丙烷、1,2-二溴乙烷、1,1-二溴乙烷、1-溴丙烷、2-溴丙烷、1,2-二碘乙烷、1,1-二碘乙烷、1-碘丙烷、或2-碘丙烷。在特定实施方案中，直链烷烃在链中一或两末端碳原子处包含卤素取代。
[0096]
支链烷烃可在支链部分或非支链部分或支链与非支链部分两者上包含卤素取代。非限制性支链烷烃包括叔丁基氟(2-氟-2-甲基丙烷)、仲丁基氟(2-氟丁烷)、异丁基氟(1-氟-2-甲基丙烷)、叔丁基氯(2-氯-2-甲基丙烷)、仲丁基氯(2-氯丁烷)、异丁基氯(1-氯-2-甲基丙烷)、叔丁基溴(2-溴-2-甲基丙烷)、仲丁基溴(2-溴丁烷)、异丁基溴(1-溴-2-甲基丙烷)、叔丁基碘(2-碘-2-甲基丙烷)、仲丁基碘(2-碘丁烷)、或异丁基碘(2-碘-2-甲基丙烷)。在特定实施方案中，支链烷烃在链中一个或更多末端碳原子处包含卤素取代。
[0097]
烯烃可包括直链及支链烯烃。所述烯烃可包含一个或更多卤素取代(例如，在sp2碳上、sp3碳、支链部分、非支链部分、支链部分的sp2碳上、或非支链部分的sp2碳上)。在一些实施方案中，直链烯烃可在sp2碳上包含一个或更多卤素取代(例如，顺式-1,2-二氟乙烯、反式-1,2-二氟乙烯、2,3-二氟-2-丁烯、1-氟丙烯、顺式-1,2-二氯乙烯、反式-1,2-二氯乙烯、2,3-二氯-2-丁烯、1-氯丙烯、顺式-1,2-二溴乙烯、反式-1,2-二溴乙烯、2,3-二溴-2-丁烯、1-溴丙烯、顺式-1,2-二碘乙烯、反式-1,2-二碘乙烯、2,3-二碘-2-丁烯、或1-碘丙烯)或在更长链的sp3碳上包含一个或更多卤素取代(例如，2,3-二氟-1-丁烯、2,3-二氯-1-丁烯、2,3-二溴-1-丁烯、或2,3-二碘-1-丁烯)。在特定实施方案中，直链烯烃在链中一个或更多末端碳原子处包含卤素取代。
[0098]
在其他实施方案中，支链烯烃可在支链部分上包括sp2碳(例如，并在sp2碳上包括至少一个卤素取代；或在sp3碳上包括至少一个卤素取代；或在sp2碳上包括至少一个卤素取代且在sp3碳上包括至少一个卤素取代)和/或在更长链的非支链部分上包括sp2碳(例如，并在sp2碳上包括至少一个卤素取代；或在sp3碳上包括至少一个卤素取代；或在sp2碳上包括至少一个卤素取代且在sp3碳上包括至少一个卤素取代)。
[0099]
炔烃可包括直链及支链炔烃。所述炔烃可包括一个或更多卤素取代(例如，在sp碳、sp2碳、sp3碳、支链部分、非支链部分、支链部分的sp碳上、或非支链部分的sp碳上)。直链炔烃可在sp碳上包括至少一个卤素取代；或在更长链的sp3碳上包含至少一个卤素取代。支链炔烃可在支链部分包括sp碳(例如，并在sp碳上包括至少一个卤素取代；或在sp3碳上包括至少一个卤素取代；或在sp碳上包括至少一个卤素取代且在sp3碳上包括至少一个卤素取代)和/或在更长链的非支链部分上包括sp碳(例如，并在sp碳上包括至少一个卤素取
代；或在sp3碳上包括至少一个卤素取代；或在sp碳上包括至少一个卤素取代且在sp3碳上包括至少一个卤素取代)。
[0100]
芳香族包括本文所述的任一者，包括具有单环(例如苯)或多环(例如萘)的那些。芳香族可在环内的碳上和/或位于环上的脂肪族取代内的碳上包括卤素取代。环上非限制性卤素取代包括单卤取代，例如氟苯、氯苯、溴苯、碘苯、氟萘、氯萘、溴萘、碘萘、1,4-氟苯、1,3-二氟苯、1,2-二氟苯、1,4-二氯苯、1,3-二氯苯、1,2-二氯苯、1,4-二溴苯、1,3-二溴苯、1,2-二溴苯、1,4-二碘苯、1,3-二碘苯、1,2-二碘苯及其类似物。芳香族也可包括一个或更多脂肪族或卤代脂肪族取代(例如，烷基、烯基、炔基、卤代烷基、卤代烯基或卤代炔基)。在一些实施方案中，芳香族的环和/或脂肪族取代可包括一个或更多卤素取代。具有至少一个卤素取代的非限制性脂肪族取代的芳香族包括在环部分上具有一个或更多卤素取代的那些(例如，3-氟甲苯、2-氟甲苯、4-氟甲苯、3-氯甲苯、2-氯甲苯、4-氯甲苯、3-溴甲苯、2-溴甲苯、4-溴甲苯、3-碘甲苯、2-碘甲苯或4-碘甲苯)；或在连接至环的脂肪族部分上包括一个或更多卤素取代(例如，苄基氟、苄基氯、苄基溴或苄基碘)；或在芳香族部分上包括至少一个卤素取代且在脂肪族部分上包括至少一个卤素取代(例如，2,4-二氟苄基氟、4-氟苄基氟、2,4-二氯苄基氯、4-氯苄基氯、2,4-二溴苄基溴、4-溴苄基溴、2,4-二碘苄基碘或4-碘苄基碘)。
[0101]
碳环可包括单环脂肪族或多环脂肪族部分。所述碳环可包括一个或更多卤素取代，且环状基团可为饱和的或不饱和的。饱和碳环可包括c
3-6
环脂肪族部分，其中环部分上存在至少一个卤素取代(例如，氟环丁烷、氯环丁烷、溴环丁烷、碘环丁烷、氟环丙烷、氯环丙烷、溴环丙烷、碘环丙烷、氟环戊烷、氯环戊烷、溴环戊烷、或碘环戊烷)；或在连接至环的脂肪族链上包括至少一个卤素取代(例如，(氟甲基)环丁烯、(氟甲基)环丙烷、(氯甲基)环丁烯、(氯甲基)环丙烷、(溴甲基)环丁烯、(溴甲基)环丙烷、(碘甲基)环丁烯、(碘甲基)环丙烷等)；或在环上包括至少一个卤素取代且在连接至环的脂肪族链上包括至少一个卤素取代。不饱和碳环可包括存在于环部分上的至少一个卤素取代(例如，3-氟环丁烯、3-氯环丁烯、3-溴环丁烯、或3-碘环丁烯)；或在连接至环的脂肪族链上包括至少一个卤素取代；或在环上包括至少一个卤素取代且在环的脂肪族链上包括至少一个卤素取代。
[0102]
碳环可包括多个环部分。这样的多环部分可为饱和的(例如，如在降冰片烷或其衍生物中)，其在环部分上可包括至少一个卤素取代(例如，1-氟-降冰片烷、2-氟-降冰片烷、1-氯-降冰片烷、2-氯-降冰片烷、1-溴-降冰片烷、2-溴-降冰片烷、1-碘-降冰片烷、或2-碘-降冰片烷)，或在连接至环的脂肪族链上包括至少一个卤素取代(例如，2-(氟甲基)降冰片烷、2-(氯甲基)降冰片烷、2-(溴甲基)降冰片烷、或2-(碘甲基)降冰片烷)，或在环上包括至少一个卤素取代且在环的脂肪链上包括至少一个卤素取代(例如，2-氟-3-(氟甲基)降冰片烷、2-氯-3-(氯甲基)降冰片烷、2-溴-3-(溴甲基)降冰片烷、或2-碘-3-(碘甲基)降冰片烷)；或为不饱和的(例如，如在降冰片烯或其衍生物中)，其在环部分上可包括至少一个卤素取代(例如，2-氟-2-降冰片烯、2-氯-2-降冰片烯、2-溴-2-降冰片烯、2-碘-2-降冰片烯)，或在连接至环的脂肪族链上包括至少一个卤素取代(例如，2-氟甲基-2-降冰片烯、2-氯甲基-2-降冰片烯、2-溴甲基-2-降冰片烯、或2-碘甲基-2-降冰片烯)，或在环上包括至少一个卤素取代且在环的脂肪族链上包括至少一个卤素取代。
[0103]
在本文的任一前体中，可存在单一类型的卤素(例如，氟、氯、溴或碘)。在其他前体
中，可存在两种或更多不同的卤素取代。
[0104]
在实施方案2中，前体物质可包括至少一种含卤素前体与至少一种烃前体的混合物。在特定实施方案中，混合物包括含卤素前体(例如，卤代烃、卤代脂肪族、卤代烷烃、卤代烯烃、卤代炔烃、卤代芳香族或卤代碳环)及烃前体(例如，未经取代的脂肪族、烷烃、烯烃、炔烃、芳香族或碳环)。含卤素前体可以包括本文所述的任一者，例如卤代烃，以及上述实施方案1(段落[0091]-[0103])所述的那些。在特定实施方案中，含卤素前体具有至少约1:3的c:h比和/或至少约1:20的x:h比；而烃前体具有至少1:2的c:h比。
[0105]
还有的其他非限制性烃前体描述于本文中且可包括烷烃、烯烃、炔烃、芳香族、碳环等。在特定实施方案中，烃前体仅包括氢及碳原子，其可为饱和、不饱和、直链、支链或芳香族。在一些实施方案中，烃前体为c
xhy
，其中x为介于2与10之间的整数，y为介于2与24之间的整数，包括甲烷(ch4)、乙炔(c2h2)、乙烯(c2h4)、丙烯(c3h6)、丁烷(c4h
10
)、丁烯(c4h8)、环丁烷(c4h8)、环己烷(c6h
12
)、苯(c6h6)、甲苯(c7h8)、降冰片烷(c7h
12
)、或降冰片烯(c7h
10
)。在一些实施方案中，可使用两种或更多烃前体。这些烃前体中的任一者可与一种或更多含卤素前体(例如，本文所述的任一者，例如卤代烃，以及段落[0091]-[0103]中上述实施方案1所述的那些)一起使用。
[0106]
在实施方案3中，前体物质可包括有机反应物与含卤素反应物的混合物，其中反应物可反应以原位形成可沉积为膜的至少一种含卤素前体。有机反应物可为与含卤素反应物反应的任何含碳化合物。有机反应物与含卤素反应物中的每一者可作为分开的工艺气体提供，其中所述工艺气体可按顺序或同时输送至处理室。
[0107]
含卤素反应物可为与有机反应物(例如，c-h键、sp3碳、sp2碳或sp碳)反应的任何反应物。非限制性含卤素反应物包括卤化物(例如hx，其中x为卤素，例如hf、hcl、hbr或hi)、元素卤素或卤素气体(例如f2、cl2、br2或i2)、四卤硅烷(例如，six4，其中每一x独立地为卤素)、三卤硅烷(例如，six3h，其中每一x独立为卤素)、二卤硅烷(例如，six2h2，其中每一x独立为卤素)、单卤硅烷(例如sixh3，其中x为卤素)、或格林纳(grignard)试剂(例如，r-mg-x，其中r为任选地经取代的烷基、脂肪族、杂烷基、杂脂肪族、芳基、或芳香族；而x为卤素)。
[0108]
在实施方案4中，前体物质可包括纯烃反应物与含卤素反应物的混合物，其中反应物可反应以原位形成可沉积为膜的至少一种含卤素前体。非限制性纯烃反应物包括本文所述的任一者，例如段落[0104]-[0105]中的上述实施方案2中。含卤素反应物可为本文所述的任一者，例如，如段落[0106]-[0107]中的上述实施方案3中。
[0109]
在实施方案5中，前体物质可包括卤代烃反应物与含卤素反应物的混合物，其中反应物可反应以原位形成可沉积为膜的至少一种含卤素前体。非限制性卤代烃反应物包括本文所述的任一者，例如，如段落[0091]-[0103]中的上述实施方案1中。含卤素反应物可为本文所述的任一者，例如，如段落[0106]-[0107]中的上述实施方案3中。
[0110]
在实施方案6中，前体物质可包括具有离去基团的烃反应物与含卤素反应物的混合物，其中反应物可反应以原位形成可沉积为膜的至少一种含卤素前体。含卤素反应物可为本文所述的任一者，例如，如段落[0106]-[0107]中的上述实施方案3中的任一者。在使用中，含卤素反应物可取代离去基团，因而提供原位形成且包括烃部分(来自具有离去基团的烃反应物)与卤素部分(来自含卤素反应物)的含卤素前体。
[0111]
具有离去基团的烃反应物的示例包括具有至少一个离去基团的烷烃、烯烃、炔烃、
芳香族或碳环。非限制性离去基团包括卤代磺酰基(例如，-os(o)x，其中x为卤素)；磺酸酯基(例如-os(o)2r，其中r为卤素、任选地经取代的烷基、任选地经取代的杂烷基、任选地经取代的烷氧基、任选地经取代的卤代烷基、任选地经取代的芳基、或任选地经取代的卤代芳基)；氰基(-cn基)；氧化亚氮基(-n2o)；或硝酸基(-ono2)。还有的其他非限制性离去基团包括卤代基、三氟甲磺酸酯基(triflate)、甲磺酸酯基(mesylate)、甲苯磺酸酯基(tosylate)、对溴苯磺酸酯基(brosylate)、对硝基苯磺酸酯基(nosylate)或三氟乙磺酸酯基(tresylate)。
[0112]
具有离去基团的其他烃反应物包括卤化烷基磺酰(例如，ak-os(o)x，其中ak为任选地经取代烷基或脂肪族，而x为卤素)、卤化芳基磺酰(例如，ar-os(o)x，其中ar为任选地经取代芳基或芳香族，x为卤素)、三氟甲磺酸烷基酯(例如ak-otf，其中ak为任选地经取代烷基或脂肪族)、三氟甲磺酸芳基酯(例如，ar-otf，其中ar为任选地经取代芳基或芳香族)、甲磺酸烷基酯(例如，ak-oms，其中ak为任选地经取代的烷基或脂肪族)、甲磺酸芳基酯(例如，ar-oms，其中ar为任选地经取代芳基或芳香族)、甲苯磺酸烷基酯(例如，ak-ots，其中ak为任选地经取代烷基或脂肪族)、甲苯磺酸芳基酯(例如，ar-ots，其中ar为任选地经取代芳基或芳香族)、氰基烷烃(例如，ak-cn，其中ak为任选地经取代烷基或脂肪族)、氰基芳香族(例如，ar-cn，其中ar为任选地经取代芳基或芳香族)、硝酸烷基酯(例如，ak-ono2，其中ak为任选地经取代烷基或脂肪族)、或硝酸芳基酯(例如，ar-ono2，其中ar为任选地经取代芳基或芳香族)。
[0113]
在实施方案7中，前体物质可包括脂肪族部分与含卤素反应物的混合物，其中反应物可反应以原位形成可沉积为膜的至少一种含卤素前体。非限制性脂肪族部分包括本文所述的任一者，例如，如烷烃、烯烃、炔烃、以及段落[0091]-[0103]中的上述实施方案1中的任一者。含卤素反应物可为本文所述的任一者，例如，如段落[0106]-[0107]中的上述实施方案3中的任一者。
[0114]
在实施方案8中，前体物质可包括芳香族部分与含卤素反应物的混合物，其中反应物可反应以原位形成可沉积为膜的至少一种含卤素前体。非限制性芳香族部分包括本文所述的任一者，例如，如具有单环或多环的芳香族，以及段落[0091]-[0103]中的上述实施方案1中的任一者。含卤素反应物可为本文所述的任一者，例如，如段落[0106]-[0107]中的上述实施方案3中的任一者。
[0115]
在实施方案9中，前体物质可包括碳环与含卤素反应物的混合物，其中反应物可反应以原位形成可沉积为膜的至少一含卤素前体。非限制性碳环包括本文所述的任一者，例如，如具有单个饱和环、单个不饱和环、多个饱和环、多个不饱和环、属于饱和与不饱和环的组合的多个环的碳环；属于狄尔斯-阿德尔(diels-alder)产物的碳环，其中产物可以是具有至少一个不饱和键的单环或多环；以及段落[0091]-[0103]中的上述实施方案1中的任一者。含卤素反应物可为本文所述的任一者，例如，如段落[0106]-[0107]中的上述实施方案3中的任一者。
[0116]
在实施方案10中，前体物质可包括杂环反应物与含卤素反应物的混合物，其中反应物可反应以原位形成可沉积为膜的至少一种含卤素前体。非限制性杂环包括本文所述的任一者，例如，如具有单个饱和环、单个不饱和环、多个饱和环、多个不饱和环、属于饱和与不饱和环的组合的多个环的杂环；或属于狄尔斯-阿德尔(diels-alder)产物的杂环，其中
产物可为具有至少一个不饱和键的单环或多环。含卤素反应物可为本文所述的任一者，例如，如段落[0106]-[0107]中的上述实施方案3中的任一者。
[0117]
在实施方案11中，前体物质可包括纯烃反应物与元素卤素(例如，x2，其中x为卤素)的混合物，其中反应物可反应以原位形成可沉积为膜的至少一种含卤素前体。非限制性纯烃反应物包括本文所述的任一者，例如，如段落[0104]-[0105]中的上述实施方案2中的任一者。
[0118]
在实施方案12中，前体物质可包括卤代烃反应物与元素卤素(例如，x2，其中x为卤素)的混合物，其中反应物可反应以原位形成可沉积为膜的含卤素前体。非限制性卤代烃反应物包括本文所述的任一者，例如，如段落[0091]-[0103]中的上述实施方案1中。
[0119]
在实施方案13中，实施方案1-12中的任一前体物质可进一步与一种或更多烃前体一起使用。在一些实施方案中，烃前体具有至少1:2的c:h比率。在一些实施方案中，烃前体包括分子量至多约50g/mol的化合物。还有的其他非限制性烃前体描述于本文中且可包括烷烃、烯烃、炔烃、芳香族、碳环等。在特定实施方案中，烃前体仅包括氢及碳原子，其可为饱和、不饱和、直链、支链或芳香族。在一些实施方案中，烃前体为烃。非限制性烃包括c
xhy
，其中x为介于2与10之间的整数，y为介于2与24之间的整数，包括甲烷、乙炔、乙烯、丙烯、丁烷、丁烯、环丁烷、环己烷、苯、甲苯、降冰片烷、或降冰片烯。在一些实施方案中，可使用两个或更多烃前体。烃前体可为卤化或非卤化的。在某些实施方案中，烃前体为卤代烃，其中一个或更多氢原子被卤素(尤其是氟、氯、溴和/或碘)取代。
[0120]
在实施方案14中，实施方案1-13中的任一前体物质可进一步与氢气一起使用。尤其，氢气可在前体物质暴露于衬底期间、在pecvd工艺之前或在通过pecvd工艺进行沉积期间引入。
[0121]
在实施方案15中，实施方案1-14中的任一前体可进一步与含金属反应物一起使用，其中含金属反应物可以与含卤素前体反应并且可以沉积为膜。在一些实施方案中，采用含金属反应物来产生金属掺杂型ahm膜。在特定实施方案中，含金属反应物与卤代烃、具有离去基团的烃反应物、杂环反应物或含卤素前体一起使用。
[0122]
非限制性金属反应物包括具有一个或更多金属或类金属原子的有机金属试剂、金属卤化物或金属氢化物。金属或类金属原子可包括过渡金属或类金属，例如钨(w)、钼(mo)、铪(hf)、硼(b)、钌(ru)或钴(co)。金属反应物的示例包括mmxn或m
mrp
或mmx
nrp
，其中m为w、mo、hf、b、ru或co；m为1至3的整数；n及p各自独立地为1至8的整数；每一x独立为卤素或h；且每一r独立为h、卤素、任选地经取代的烷基、任选地经取代的芳基、中性配体、阴离子配体或多齿配体(例如，双齿配体)。
[0123]
非限制性配体包括任选地经取代的胺(例如，nr3或r2n-ak-nr2，其中每一r可独立为h、任选地经取代的烷基、任选地经取代的脂肪族或任选地经取代的芳基，而ak为任选地经取代的二价形式的烷基)、任选地经取代的膦(例如，pr3或r2p-ak-pr2，其中每一r可独立为h、任选地经取代的烷基、任选地经取代的脂肪族或任选地经取代的芳基，而ak为任选地经取代的二价形式的烷基)、任选地经取代的醚(例如，or2，其中每一r可独立地为h、任选地经取代的烷基、任选地经取代的脂肪族或任选地经取代的芳基)、任选地经取代的烷基、任选地经取代的炔基、任选地经取代的苯、氧代基、一氧化碳(co)、二酮根(例如乙酰丙酮根(acac)或-oc(r1)-ak-(r1)co-或-oc(r1)-c(r2)-(r1)co-)、芳香族(例如-ar-)、环戊二烯基
(cyclopentadienyl)(例如-cp，包括其取代形式，例如本文对烷基或芳基所提供的取代)、吡唑特(pyrazolate)、任选地经取代的杂环基、任选地经取代的二价形式的烷基、或任选地经取代的二价形式的杂烷基。在特定实施方案中，每一r1独立地为h、任选地经取代的烷基、任选地经取代的卤代烷基、或任选地经取代的芳基；而每一r2独立地为h或任选地经取代的烷基；ak为任选地经取代的二价形式的烷基；ar为任选地经取代的二价形式的芳基。
[0124]
含金属反应物的示例可包括wx6、wr4、wr5、wr6、mox2r2、mor5、mor6、hfx4、hfr3、hfr4、b2x6、br3、rur2、rur4、cor2、或cox6，其中每一x独立地为h或卤素；其中每一r独立地为h、卤素、任选地经取代的烷基、任选地经取代的芳基、中性配体、阴离子配体或多齿配体(例如，双齿配体)。膜特性
[0125]
根据所公开的方法所产生的ahm膜通常主要由碳及氢与可选的一些卤素所构成，但其他元素可存在于膜中(例如，如掺杂物)。通常，ahm中氢的原子百分比越低，模量及选择性就越高。可能存在于ahm膜中的其他元素的示例包括卤素、氮、硫、硼、氧、钨、钼、铪、硼、钌、钴、钛及铝。通常，所述其他元素以不大于约20原子百分比(原子％)、15原子％或10原子％的量存在。
[0126]
通过使用含卤素前体，ahm膜可具备低的氢含量。在一些实施方案中，氢含量为至多约5原子％或约4原子％。在其他实施方案中，氢含量少于约15原子％、10原子％、5原子％或原子％。在其他实施方案中，氢含量为0.5原子％至20原子％、0.5原子％至15原子％、0.5原子％至10原子％、0.5原子％至5原子％、1原子％至20原子％、1原子％至15原子％、1原子％至10原子％、1原子％至5原子％、1.5原子％至20原子％、1.5原子％至15原子％、1.5原子％至10原子％、1.5原子％至5原子％、2原子％至20原子％、2原子％至15原子％、2原子％至10原子％、2原子％至5原子％、2.5原子％至20原子％、2.5原子％至15原子％、2.5原子％至10原子％、2.5原子％至5原子％、3原子％至20原子％、3原子％至15原子％、3原子％至10原子％、3原子％至5原子％、3.5原子％至20原子％、3.5原子％至15原子％、3.5原子％至10原子％、3.5原子％至5原子％、4原子％至20原子％、4原子％至15原子％、4原子％至10原子％、或者4原子％至5原子％。
[0127]
尽管卤素可存在于处理室内，但卤素含量可为至多约25原子％或至多约15原子％。在其他实施方案中，卤素含量约0.1原子％至2原子％或约0原子％至25原子％，包括约0原子％至1原子％、0原子％至1.5原子％、0原子％至2原子％、0原子％至3原子％、0原子％至4原子％、0原子％至5原子％、0原子％至8原子％、0原子％至10原子％、0原子％至12原子％、0原子％至15原子％、0原子％至18原子％、0原子％至20原子％、0原子％至22原子％、0.1原子％至1原子％、0.1原子％至1.5原子％、0.1原子％至2原子％、0.1原子％至3原子％、0.1原子％至4原子％、0.1原子％至5原子％、0.1原子％至8原子％、0.1原子％至10原子％、0.1原子％至12原子％、0.1原子％至15原子％、0.1原子％至18原子％、0.1原子％至20原子％、0.1原子％至22原子％、或者0.1原子％至25原子％。
[0128]
氢与卤素的组合可以少于约35原子％或至多约7原子％的量存在。在其他实施方案中，氢与卤素的组合可约1原子％至40原子％，例如1原子％至35原子％、1原子％至30原子％、1原子％至25原子％、1原子％至20原子％、1原子％至15原子％、1原子％至10原子％、2原子％至40原子％、2原子％至35原子％、2原子％至30原子％、2原子％至25原子％、2原
子％至20原子％、2原子％至15原子％、2原子％至10原子％、3原子％至40原子％、3原子％至35原子％、3原子％至30原子％、3原子％至25原子％、3原子％至20原子％、3原子％至15原子％、3原子％至10原子％、4原子％至40原子％、4原子％至35原子％、4原子％至30原子％、4原子％至25原子％、4原子％至20原子％、4原子％至15原子％、4原子％至10原子％、5原子％至40原子％、5原子％至35原子％、5原子％至30原子％、5原子％至25原子％、5原子％至20原子％、5原子％至15原子％、5原子％至10原子％、10原子％至40原子％、10原子％至35原子％、10原子％至30原子％、10原子％至25原子％、10原子％至20原子％、或者10原子％至15原子％。
[0129]
碳含量可至少约90原子％、91原子％、92原子％、93原子％、94原子％、95原子％、96原子％、97原子％、98原子％、99原子％或更多。
[0130]
除了低氢含量之外，在一些实例中，ahm膜的特征可在于高模量和/或低应力。不希望受限于机制，模量为确定sp3含量的非限制性代表，而较高模量有利于提高蚀刻选择性。应力为c-c键应变的非限制性代表，而较低应力是有利的。在一些实施方案中，膜具有约75％至95％的sp2含量；和/或至少约50gpa或至少约70gpa的模量。在其他实施方案中，ahm膜具有约50至190gpa或约60至190gpa的弹性模量。对于非掺杂型ahm膜，该膜可具有至多约-1000mpa，或介于约-150至-1000mpa或约-200至-1000mpa之间的内应力幅值(负的内应力表示压缩应力，使得较低值具有较小内应力)。对于掺杂金属型ahm膜，该膜可具有至多约1000mpa的内应力幅值(正的内应力表示拉伸应力)或介于约-500mpa至1000mpa之间的应力。
[0131]
在一些实施方案中，ahm膜具有至少约5gpa或至少约10gpa的硬度。在其他实施方案中，硬度介于约5gpa与约24gpa之间。在一些实施方案中，ahm膜具有至少约1.7g/cm3、或介于约1.7g/cm3与约2.3gm/cm3之间的密度。
[0132]
在一些实施方案中，根据本文所公开的方法所沉积的ahm膜的厚度至少约1μm或至少约2μm或介于约1μm与约3.5μm之间。一般而言，ahm膜的所期望的厚度可根据待蚀刻的下伏层厚度及ahm的蚀刻选择性作变化，待蚀刻的下伏层越厚，就需要越厚的ahm。如上所讨论，ahm膜用于蚀刻各种下伏层材料，且对于每一材料可能具有不同蚀刻选择性。ahm的蚀刻选择性可表示为材料的蚀刻速率与ahm的蚀刻速率的比率，且可因不同的材料以及蚀刻化学品而变化。
[0133]
在一些实施方案中，ahm膜具有约0.6至1.0或约0.6至0.8的归一化(normalized)蚀刻量。归一化蚀刻量可被归一化为标准，例如650℃下沉积的ahm膜(650℃ahm)。归一化蚀刻量也可解释为百分比，其中0.8的归一化蚀刻量提供将比标准(例如无图案蚀刻期间的650℃ahm)慢20％进行蚀刻的工艺。
[0134]
在一些实施方案中，根据本文所述方法所产生的ahm膜在633nm处具有至少1.8、或介于约1.80至2.70之间或介于约2.3至2.6之间的折射率(n或ri)。折射率一般可用作材料选择性的代表，折射率越高表示ahm的选择性越高。在一些实施方案中，根据本文所述方法所产生的ahm膜在633nm处具有至多约1.1、或介于约0.5至1.3之间或介于约0.8至1.1之间的消光系数(k)。应用
[0135]
ahm通常用于通过蚀刻衬底的一个或更多下伏层来建立电子设备的特征，例如集
成电路。可使用ahm进行蚀刻的材料可包括硅(单晶、多晶硅或非晶硅)、氧化硅、氮化硅及钨。在一些实施方案中，堆叠多层并使用单个ahm进行蚀刻。这样的堆叠件的示例包括一层硅与一层氧化硅，以及一层钨与一层氮化硅。在一些实施方案中，堆叠件包括使用单个ahm进行蚀刻的重复层。所述重复层的示例包括氧化硅/多晶硅(opop)或氧化硅与氮化硅(onon)的重复层。可使用如本文所公开的ahm来蚀刻前段制程(front end of line)与后段制程(back end of line)特征。存储器或逻辑装置特征可被图案化。存储器的示例包括：dram、nand及3d nand。
[0136]
通常，具有较低氢含量、较低ri、较高密度、较低应力和/或较高模量的ahm能够在涉及离子轰击的蚀刻工艺中承受较高的蚀刻速率。因此，具有较低氢含量、较低ri、较高密度、较低应力和/或较高模量的ahm具有较高选择性及较低蚀刻速率，因此可更有效率且有效地用于har半导体工艺。据此，本文的工艺可提供har结构的蚀刻，例如深宽比至少约5:1的那些。装置
[0137]
图3示意性示出了可使用等离子体增强化学气相沉积(pecvd)以用来沉积材料的处理站300的实施方案。为简单起见，将处理站300描绘为独立的处理站，其具有用于维持低压环境的处理室体302。然而应理解，多个处理站300可被包含在共同的处理装置环境中。还应理解，在一些实施方案中，可以一或多个计算机控制器以程序方式调整处理站300的一或多个硬件参数(包含本文中详细讨论的参数)。
[0138]
处理站300与反应物输送系统301流体连通，反应物输送系统301用于将工艺气体输送至分配喷头306。反应物输送系统301包含用于混合和/或调整待输送至喷头306的工艺气体的混合容器304。一或多个混合容器入口阀320可控制工艺气体至混合容器304的引入。类似地，喷头入口阀305可控制工艺气体至喷头306的引入。
[0139]
例如，图3的实施方案包含用于蒸发待供给至混合容器304的液体反应物的蒸发点303。在一些实施方案中，蒸发点303可以是经加热的蒸发器。从这种蒸发器所产生的反应物蒸气会在下游输送管线中凝结。不相容的气体暴露于已凝结的反应物可能会产生小颗粒。这些小颗粒会阻塞管线、阻碍阀操作、污染衬底等。解决这些问题的某些方法涉及扫除和/或排空输送管线以去除剩余的反应物。然而，扫除输送管线会增加处理站循环时间，降低处理站的产量。因此，在一些实施方案中，可热追踪蒸发点303下游的输送管线。在某些示例中，也可热追踪混合容器304。在非限制性的示例中，蒸发点303下游的管线具有较高温度的分布，其从约100℃延伸至混合容器304处的约150℃。
[0140]
在一些实施方案中，反应物液体可以在液体注入器处蒸发。例如，液体注入器可将液体反应物的脉冲注入至混合容器上游的载气流中。在一种情况下，液体注入器可通过瞬间使液体从较高压力变为较低压力来蒸发反应物。在另一情况下，液体注入器可将液体雾化为分散微滴，这些分散微滴接着在经加热的输送管线中蒸发。应明白，较小的液滴比较大的液滴更快蒸发，因此可降低液体注入与完成蒸发之间的延迟。较快蒸发可减少蒸发点303下游的管线的长度。在一情况下，液体注入器可直接安装至混合容器304。在另一情况下，液体注入器可直接安装至喷头306上。
[0141]
在一些实施方案中，可提供蒸发点303上游的液流控制器以控制蒸发以及输送至处理站300的液体的质量流量。例如，液流控制器(lfc)可包含位于lfc下游的热质量流量计
(mfm)。接着可调整lfc的柱塞阀以响应与mfm电通信的比例-积分-微分(pid)控制器所提供的反馈控制信号。然而，利用反馈控制可能要花一秒或更长时间才能稳定液流。这可能会延长液态反应物的配料时间。因此，在一些实施方案中，lfc可动态地在反馈控制模式与直接控制模式之间切换。在一些实施方案中，lfc可通过停用lfc与pid控制器的感测管来动态地从反馈控制模式切换至直接控制模式。
[0142]
喷头306向衬底312分配工艺气体。在图3所示的实施方案中，衬底312位于喷头306下方，并且显示为搁置在基座308上。应当理解，喷头306可以具有任何合适的形状，并且可以具有用于将工艺气体分配到衬底312的任何合适数量和布置的端口。
[0143]
在一些实施方案中，微体积307位于喷头306下方。在处理站中的微体积中进行ald和/或cvd工艺会比在整个体积中进行ald和/或cvd工艺能减少反应物暴露与扫除时间、可降低转换工艺条件(如压力、温度等)所需的时间、可限制处理站机械手被暴露于工艺气体等。微体积尺寸的示例可包含但不限于介于0.1升至2升之间的体积。该微体积也会影响生产产量。虽然每一循环的沉积率减少，但循环时间也同时减少。在某些情况下，后者的效应大到足以改善针对特定目标膜厚度的模块的整体产量。
[0144]
在一些实施方案中，可升高或降低基座308以将衬底312暴露于微体积307和/或改变微体积307的体积。例如，在衬底传送阶段中，可降低基座308以使衬底312能加载到基座308上。在沉积工艺阶段中，可升高基座308以将衬底312置于微体积307中。在一些实施方案中，微体积307可完全围绕衬底312以及基座308的一部分以在沉积工艺期间产生高流动阻抗区域。
[0145]
任选地，可在部分沉积工艺期间降低和/或升高基座308以调节微体积307内的工艺压力、反应物浓度等。在沉积期间处理室体302被维持在一基础压力的情况下，降低基座308可使微体积307被排空。微体积的体积对处理室的体积的示例性比例可包含但不限于介于1:500至1:10之间的比例。应理解，在一些实施方案中，可通过合适的计算机控制器以编程方式调整基座高度。
[0146]
在另一情况下，调整基座308的高度可改变沉积工艺中所包含的等离子体活化期间和/或工艺循环期间的等离子体密度。在完成沉积工艺阶段时，可在另一衬底传送阶段期间降低基座308以使得能从基座308去除衬底312。
[0147]
虽然本文中所述的示例性微体积变化是指高度可调整的基座，但应理解，在一些实施方案中，可调整喷头306相对于基座308的位置以改变微体积307的体积。另外，应理解，在本发明的范围内可通过任何适当的机构来改变基座308和/或喷头306的竖直位置。在一些实施方案中，基座308可包含用于旋转衬底312的方位的旋转轴。应当明白，在一些实施方案中，可通过一或多个合适的计算机控制器以编程方式执行这些示例性调整的一或多种。
[0148]
回到图3所示的实施方案，喷头306与基座308是与用于对等离子体供给能量的rf电源314与匹配网络316电连通。在一些实施方案中，可通过控制处理站压力、气体浓度、rf源功率、rf源频率以及等离子体功率脉冲时点中的一或多者来控制等离子体能量。例如，可在任何适当的功率下操作rf电源314与匹配网络316以产生具有期望的自由基物质组成的等离子体。适当功率的示例已包含在上面的段落。类似地，rf电源314可提供具有任何适当频率的rf功率。在一些实施方案中，rf电源314可用于彼此独立地控制高频与低频rf电源。低频rf频率的示例可包含但不限于介于50khz和500khz之间的频率。高频rf频率的示例可
包含但不限于介于1.8mhz和2.45ghz之间的频率。应明白，可以离散地或连续地调节任何适当的参数以提供用于表面反应的等离子体能量。在一非限制性的示例中，相对于被连续供电的等离子体，可间歇地给等离子体功率施以脉冲以降低对衬底表面的离子轰击。
[0149]
在一些实施方案中，可通过一或多个等离子体监测器原位监测等离子体。在一情况下，可通过一或多个电压、电流传感器(如vi探针)监测等离子体功率。在另一情况下，可通过一或多个光发射光谱(oes)传感器测量等离子体密度和/或工艺气体的浓度。在一些实施方案中，可基于来自这种原位监测器的测量值以编程方式调整一或多个等离子体参数。例如，可在提供等离子体功率的程序化控制的反馈回路中使用oes传感器。应理解，在一些实施方案中，可使用其他监测器监测等离子体与其他工艺特性。这种监测器可包含但不限于红外线(ir)监测器、声学监测器以及压力传感器。
[0150]
在一些实施方案中，可通过输入/输出控制(ioc)序列指令控制等离子体。在一示例中，设定用于等离子体工艺阶段的等离子体条件的指令可被包含在沉积工艺配方的对应等离子体活化配方阶段中。在某些情况下，工艺配方阶段可按顺序配置，使得用于沉积工艺阶段的所有指令与该工艺阶段同步执行。在一些实施方案中，可将用于设定一或多个等离子体参数的指令包含在等离子体工艺阶段之前的配方阶段中。例如，第一配方阶段可包含用于设定惰性气体和/或前体气体的流率的指令、用于将等离子体产生器设定至功率设定点的指令以及用于第一配方阶段的时间延迟指令。后续的第二配方阶段可包含用于启用等离子体产生器的指令以及用于第二配方阶段的时间延迟指令。第三配方阶段可包含用于使等离子体产生器停用的指令以及用于第三配方阶段的时间延迟指令。应理解，在本发明的范围内这些配方阶段可以任何合适的方式被更进一步地细分和/或重复。
[0151]
在一些实施方案中，基座308可通过加热器310控制温度。另外，在一些实施方案中，可通过蝶阀318提供沉积处理站300的压力控制。如图3的实施方案中所示，蝶阀能调节下游真空泵(未显示)提供的真空。然而在一些实施方案中，可通过改变被导入处理站300的一或多种气体的流率而调整处理站300的压力控制。
[0152]
图4示出了多站式处理工具400的实施方案的概要视图，其具有入站装载锁402和出站装载锁404，入站装载锁402和出站装载锁404的一者或者两者可以包含远程等离子体源。处于大气压的机械手406被配置为将晶片从通过晶舟408装载的盒经由大气端口410移动至入站装载锁402内。晶片由机械手406放置在入站装载锁402中的基座412上，关闭大气端口410，且抽空装载锁。当入站装载锁402包含远程等离子体源时，晶片在被引入处理室414之前，可以暴露至装载锁中的远程等离子体工艺。此外，晶片另外也可以在入站装载锁402中加热，例如以移除湿气和吸附的气体。接下来，通向处理室414的室传输端口416被打开，且另一个机械手(未示出)将晶片放置到在反应器中被示出的第一站的基座上的反应器中以用于处理。尽管在图4中绘出的实施方案包含装载锁，但应该理解的是，在一些实施方案中，可以使衬底直接进入处理站。
[0153]
绘出的处理室414包含4个处理站，图4所示的实施方案中编号为1至4。每个站具有加热的基座(对于站1示出为418)和气体管线入口。应该理解的是，在一些实施方案中，每个处理站可以具有不同或者多个用途。尽管绘出的处理室414包含4个站，但要理解的是，根据本公开所述的处理室可以具有任何适当数量的站。例如，在一些实施方案中，处理室可以具有5个或5个以上的站，而在其它实施方案中，处理室可以具有3个或者更少的站。
[0154]
图4描绘了用于在处理室414内传输晶片的晶片搬运系统490的一些实施方案。在一些实施方案中，晶片搬运系统490可以在各种处理站之间和/或处理站与装载锁之间传输晶片。应该理解的是，可以采用任何适当的晶片搬运系统。非限制性示例包含晶片转盘和搬运晶片的机械手。图4还绘出了采用来控制处理工具400的工艺条件和硬件状态的系统控制器450的实施方案。系统控制器450可以包含一个或多个存储器设备456、一个或多个海量存储设备454和一个或多个处理器452。处理器452可以包含计算机或者cpu、模拟和/或数字输入/输出连接、步进马达控制器板等。
[0155]
在一些实施方案中，系统控制器450控制处理工具400的所有活动。系统控制器450执行存储在海量存储设备454、载入存储器设备456、并由处理器452执行的系统控制软件458。系统控制软件458可以包含用于控制时序、气体的混合、室和/或站压强、室和/或站温度、清扫条件和时序、晶片温度、rf功率电平、rf频率、衬底、基座、卡盘和/或基座位置、以及由处理工具400执行的特定处理的其它参数的指令。系统控制软件458可以以任何适当的方式配置。例如，各种处理工具组件子程序或者控制对象可以写入以控制执行根据所公开的方法的各种处理工具处理所必要的处理工具部件的操作。系统控制软件458可以以任何适当的计算机可读编程语言来编码。
[0156]
在一些实施方案中，系统控制软件458可以包含用于控制上述各种参数的输入/输出控制(ioc)排序指令。在一些实施方案中可以采用与系统控制器450关联的、存储在海量存储设备454和/或存储器设备456的其它计算机软件和/或程序。用于该目的的程序或者程序段的示例包含衬底定位程序、工艺气体控制程序、压力控制程序、加热器控制程序、以及等离子体控制程序。
[0157]
衬底定位程序可以包含用于处理工具组件的程序代码，该处理工具组件用于将衬底装载到基座418，并控制衬底和处理工具400的其它部分之间的间隔。
[0158]
工艺气体控制程序可包含用于控制气体组成和流率的代码和任选地用于使气体在沉积之前流到一个或多个处理站中以稳定在处理站中的压强的代码。工艺气体控制程序可以包括用于将气体组成和流率控制在任何公开范围内的代码。压强控制程序可以包含用于通过调节例如在处理站的排放系统中的节流阀、流入处理站内的气流等等来控制处理站内的压强的代码。压强控制程序可以包括用于将处理站中的压强保持在任何公开的压强范围内的代码。
[0159]
加热器控制程序可包含用于控制流向用于加热衬底的加热单元的电流的代码。可替代地，加热器控制程序可控制传热气体(如氦气)朝向衬底上的传送。加热器控制程序可包括将衬底的温度保持在任何公开的范围内的指令。
[0160]
等离子体控制程序可以包括用于设置施加到一个或多个处理站中的处理电极的rf功率电平和频率的代码，例如用于使用本文公开的任何rf功率电平的代码。等离子体控制程序还可以包括用于控制每次等离子体暴露的持续时间的代码。
[0161]
在一些实施方案中，可以存在与系统控制器450相关联的用户界面。用户界面可以包含显示屏、装置和/或工艺条件的图形软件显示器、以及诸如点击设备、键盘、触摸屏、麦克风等用户输入设备。
[0162]
在一些实施方案中，由系统控制器450调节的参数会涉及工艺条件。非限制性实例包含工艺气体组成和流率、温度、压强、等离子体条件(例如，rf功率电平、频率和暴露时间)
等。这些参数可以以配方的形式提供给用户，配方可以利用所述用户界面输入。
[0163]
用于监控处理的信号可以由系统控制器450的模拟和/或数字输入连接件从各种处理工具传感器提供。用于控制工艺的信号可以通过处理工具400的模拟和数字输出连接件输出。可被监控的处理工具传感器的非限制性实例包含质量流量控制器、压力传感器(例如压力计)、热电偶等等。经适当编程的反馈和控制算法可以与来自这些传感器的数据一起使用，以保持工艺条件。
[0164]
可以使用任何合适的室来实施所公开的实施方案。示例性沉积装置包括但不限于来自产品系列、产品系列和/或产品系列的装置(每一者都可从lam research corp.(fremont,california)获得)或任何各种其他市售处理系统。两个或多个站可以执行相同的功能。类似地，两个或更多站可以执行不同的功能。每个站都可以设计/配置为根据需要执行特定的功能/方法。
[0165]
图5为根据某些实施方案适合执行薄膜沉积工艺的处理系统的框图。系统500包括传送模块503。传送模块503提供清洁、加压的环境，以最小化当正被处理的衬底在各个反应器模块之间移动时被污染的风险。根据某些实施方案，安装在传送模块503上的是两个多站式反应器509和510，每个反应器能够执行原子层沉积(ald)和/或化学气相沉积(cvd)。反应器509和510可以包括多个站511、513、515和517，其可以根据所公开的实施方案顺序地或非顺序地执行操作。这些站可包括加热的基座或衬底支撑件、一个或多个气体入口或喷头或分散板。
[0166]
安装在传送模块503上的还可以是一个或多个单站或多站式模块507，其能够执行等离子体或化学(非等离子体)预清洁，或者与所公开的方法有关的任何其他工艺。在一些情况下，模块507可以用于各种工艺，以例如制备用于沉积工艺的衬底。模块507还可以被设计/配置为执行各种其他工艺，例如蚀刻或抛光。系统500还包括一个或多个晶片源模块501，其中在工艺之前和之后存储晶片。大气传送室519中的大气机械手(未示出)可以首先将晶片从源模块501移动到装载锁521。传送模块503中的晶片传送装置(通常是机械臂单元)将晶片从装载锁521移动到安装在传送模块503上的模块中以及在安装在传送模块503上的模块中移动。
[0167]
在多种实施方案中，系统控制器529用于控制沉积过程中的工艺条件。控制器529通常将包括一或多个存储器设备和一或多个处理器。处理器可包括cpu或计算器、模拟和/或数字输入/输出连接部、步进马达控制器板，等等。
[0168]
控制器529可控制沉积装置的活动中的全部。系统控制器529执行系统控制软件，系统控制软件包括用于控制定时、气体的混合物、室压、室温、晶片温度、射频(rf)功率等级、晶片卡盘或基座位置以及特殊工艺的其他参数的成组的指令。存储在与控制器529相关联的存储器设备的其他计算机程序可在一些实施方案中被采用。
[0169]
通常会有与控制器529相关联的用户界面。用户界面可包括显示屏、该装置和/或工艺条件的图形软件显示器以及诸如指点设备、键盘、触摸屏、话筒等用户输入设备。
[0170]
系统控制逻辑可以用任何合适的方式来配置。一般而言，该逻辑可被设计或配置在硬件和/或软件中。用于控制驱动电路的指令可被硬编码或作为软件被提供。指令可通过“编程”提供。这种编程被理解为包括任何形式的逻辑，包括数字信号处理器、专用集成电路以及具有实现为硬件的具体算法的其他器件中的硬编码逻辑。编程还被理解为包括可在通
用处理器上执行的软件或固件指令。系统控制软件可以任何合适的计算机可读编程语言进行编码。
[0171]
用于控制含锗还原剂脉冲、氢气流和含钨前体脉冲以及工艺序列中的其他工艺的计算机程序代码可以任何常用计算机可读编程语言：例如，汇编语言、c、c++、pascal、fortran或其他编写。编译的目标代码或脚本由处理器执行以完成程序中所识别的任务。同样如所指示的，程序代码可以是硬编码的。
[0172]
控制器参数与工艺条件有关，诸如，例如工艺气体组分和流率、温度、压强、冷却气压、衬底温度以及室壁温度。这些参数以配方的形式被提供给用户，且可利用用户界面输入。用于监控工艺的信号可通过系统控制器529的模拟和/或数字输入连接被提供。用于控制工艺的信号通过沉积装置500的模拟和数字输出连接被输出。
[0173]
可以以许多不同方式设计或配置系统软件。例如，根据所公开的实施方案，可以编写各种室部件子程序或控制对象以控制执行沉积工艺(以及在一些情况下的其他工艺)所必需的室部件的操作。用于该目的的程序或程序段的示例包括衬底定位代码、工艺气体控制代码、压力控制代码和加热器控制代码。
[0174]
图6a-6c示出了可用于执行这里所描述的蚀刻操作的可调节间隙电容耦合约束rf等离子体反应器600的实施方案。如所描绘的，真空室602包括室壳体604，室壳体604围绕容纳下电极606的内部空间。在室602的上部，上电极608与下电极606竖直隔开。上电极608和下电极606的平坦表面基本平行并正交于电极间的竖直方向。优选地，上电极608和下电极606是圆形的，并且相对于竖直轴线同轴。上电极608的下表面朝向下电极606的上表面。相对电极间隔开的表面限定其间存在的可调节间隙610。在操作期间，下电极606由rf功率源(匹配)620供给rf功率。rf功率通过rf供应管线622、rf带624和rf功率构件626被供给到下电极606。接地屏蔽件636可以围绕rf功率构件626，以供应更均匀的rf场到下电极606。如美国专利no.7,732,728中所述，其整体内容通过引用并入本文，晶片通过晶片端口682插入并被支撑在下电极606上的间隙610中以供处理，并且工艺气体被供给到间隙610并由rf功率激发成等离子体状态。上电极608可被供电或接地。
[0175]
在图6a-图6c中所示的实施方案中，下电极606被支撑在下电极支撑板616上。插在下电极606和下电极支撑板616之间的绝缘环614使下电极606与支撑板616绝缘。
[0176]
rf偏置壳体630将下电极606支撑在rf偏置壳体盆632上。盆632穿过在室壁板618中的开口通过rf偏置壳体630的臂634连接到导管支撑板638。在优选实施方案中，rf偏置壳体盆632和rf偏置壳体臂634一体地形成为一个部件，但是，臂634和盆632也可以是栓接或接合在一起的两个单独的部件。
[0177]
rf偏置壳体臂634包括一个或多个中空通路用于传递rf功率和设施，诸如气体冷却剂、液体冷却剂、rf能量、用于升降销控制的电缆、电气监测和启动从真空室602外到真空室602内在下电极606的背面上的空间的信号。rf供应导管622与rf偏置壳体臂634绝缘，该rf偏置壳体臂634提供rf功率到rf功率源620的返回路径。设施管道640提供了用于设施部件的通道。为了描述的简单设施部件的进一步的细节在美国专利no.5,948,704和no.7,732,728中被描述病且在这里未示出。间隙610优选地由约束环组件或罩(未示出)包围，其细节可见于美国专利no.7,740,736中，其通过引用并入本文。真空室602的内部经由通过真空端口680连接到真空泵而维持在低压下。
[0178]
导管支撑板638被附接到致动机构642。致动机构的细节描述于美国专利no.7,732,728中，其如上并入本文。致动机构642，例如伺服机械电机、步进电机或类似物，通过例如螺旋齿轮646(如滚珠丝杠)和用于转动滚珠丝杠的马达附接到竖直线性轴承644。在调整间隙610的大小的操作过程中，致动机构642沿着竖直线性轴承644行进。图6a示出了当致动机构642在线性轴承644上处于产生小的间隙610a的高的位置时的布置。图6b示出了当致动机构642处于在线性轴承644上中间的位置时的布置。如图所示，下电极606、rf偏置壳体630、导管支撑板638、rf功率源620均相对于室壳体604和上电极608向下移动，从而产生中等大小的间隙610b。
[0179]
图6c示出了当致动机构642处于在线性轴承上的低的位置时的大的间隙610c。优选地，上电极608和下电极606在间隙调整期间保持同轴并且跨越间隙的上电极和下电极的相对表面保持平行。
[0180]
例如，为了保持跨越大直径衬底(例如300毫米晶片或平板显示器)的均匀蚀刻，本实施方案使得在多步骤蚀刻工艺配方(barc、harc、和strip等)期间在ccp室602中上电极608和下电极606之间的间隙610能进行调节。特别地，该室涉及一种机械装置，该机械装置使得能提供下电极606和上电极608之间可调的间隙所需的直线运动。
[0181]
图6a示出了在导管支撑板638的近端并在室壁板618的阶梯式凸缘628的远端密封的横向偏转的波纹管650。阶梯式凸缘的内径限定室壁板618中的开口612，rf偏置壳体臂634通过开口612。波纹管650的远端被夹持环652夹持。
[0182]
横向偏转的波纹管650提供真空密封，同时允许rf偏置壳体630、导管支撑板638和致动机构642的竖直移动。rf偏置壳体630、导管支撑板638和致动机构642可以被称为悬臂组件。优选地，rf功率源620与该悬臂组件一起移动并可以附接到导管支撑板638。图6b示出了当悬臂组件在中间位置时处于中间位置的波纹管650。图6c示出了当悬臂组件处于低的位置时横向偏转的波纹管650。
[0183]
迷宫式密封件648提供了波纹管650和等离子体处理室壳体604的内部之间的颗粒屏障。固定屏蔽件656在室壁板618处不可移动地连接到室壳体604的内壁内，以便提供迷宫式槽660(缝隙)，其中可移动屏蔽板658竖直移动，以适应悬臂组件的竖直移动。可移动屏蔽板658的外部在下电极606的所有竖直位置保持在缝隙中。
[0184]
在示出的实施方案中，迷宫式密封件648包括在限定迷宫式槽660的室壁板618的开口612的周边附接到室壁板618的内表面上的固定屏蔽件656。可移动屏蔽板658附接rf偏置壳体臂634并从该rf偏置壳体臂6634径向延伸，其中臂634穿过该室壁板618中的开口612。可移动屏蔽板658延伸进入迷宫式槽660，同时与固定屏蔽件656间隔开第一间隙，并与室壁板618的内表面间隔开第二间隙，从而使得悬臂组件能竖直移动。迷宫式密封件648阻止从波纹管650剥落的颗粒迁移进入真空室内部605，并阻挡来自工艺气体等离子体的自由基迁移到波纹管650，在波纹管650中自由基可以形成随后剥落的沉积物。
[0185]
图6a示出了当悬臂组件处于高位置(小的间隙610a)时在rf偏置壳体臂634上方的迷宫式槽660中较高的位置的可移动屏蔽板658。图6c示出了当悬臂组件处于低位置(大的间隙610c)时在rf偏置壳体臂634上方的迷宫式槽660中较低位置的可移动屏蔽板658。图6b示出了当悬臂组件处于中间位置(中等的间隙610b)时在迷宫式槽660内中等或中间位置的可移动屏蔽板658。尽管迷宫式密封件648被示出为相对于rf偏置壳体臂634是对称的，但在
其他实施方案中迷宫式密封件648相对于rf偏置壳体臂634可以是不对称的。
[0186]
图7示意性地示出了根据本文某些实施方案的电感耦合等离子体蚀刻装置700的截面图。由lam research corp.(fremont,ca)生产的反应器反应器是可用于实施本文所述技术的合适反应器的示例。电感耦合等离子体蚀刻装置700包括在结构上由室壁701和窗711限定的整体蚀刻室。室壁701可以由不锈钢或铝制成。窗711可以由石英或其他介电材料制成。可选的内部等离子体栅格750将整个蚀刻室划分为上副室702和下副室703。等离子体栅格750可以包括单个栅格或多个单独的栅格。在许多实施方案中，可以去除等离子体栅格750，从而利用由副室702和703构成的室空间。
[0187]
卡盘717定位在下副室703中在底部内表面附近。卡盘717被配置成接收和保持在其上执行蚀刻工艺的半导体晶片719。卡盘717可以是当晶片719存在时用于支撑晶片719的静电卡盘。在一些实施方案中，边缘环(未示出)围绕卡盘717，并具有大致与晶片719(当晶片存在于卡盘717上方时)的顶面在同一平面的上表面。卡盘717还包括用于夹紧和松开晶片719的静电电极。可设置过滤器和dc夹持功率源(在图中未示出)用于此目的。也可以提供其他的控制系统用于提升晶片719使其离开卡盘717。卡盘717可以用rf电源723充电。rf电源723通过连接件727被连接到匹配电路721。匹配电路721通过连接件725连接到卡盘717。以这种方式，rf电源723被连接到卡盘717上。
[0188]
线圈733位于窗711上方。线圈733由导电材料制成，并包括至少一整匝。在图7中所示的示例性线圈733包括三匝。线圈733的横截面用符号示出，具有“x”符号的线圈表示线圈旋转地延伸到页面内，相反，具有
“●”
符号的线圈表示线圈旋转地延伸出页面。rf电源741被配置为提供rf功率至线圈733。一般地，rf电源741通过连接件745被连接到匹配电路739。匹配电路739通过连接件743连接到线圈733。以这种方式，rf电源741被连接到线圈733。任选的法拉第屏蔽件749被定位在线圈733和窗711之间。法拉第屏蔽件749以相对于线圈733成隔开的关系被保持。法拉第屏蔽件749被设置在窗711的正上方。线圈733、法拉第屏蔽件749和窗711各自被配置为基本上彼此平行。法拉第屏蔽件可以防止金属或其它物质沉积在处理室的介电窗上。
[0189]
工艺气体可以通过位于上室中的主注入口760和/或通过侧注入口770(有时称为stg)供应。在操作等离子体工艺期间，真空泵(例如，一级或二级机械干泵和/或涡轮分子泵740)可用于将工艺气体抽出处理室并通过使用闭环-受控流量限制设备(例如节流阀(未显示)或摆阀(未显示))保持处理室700内的压强。
[0190]
在装置的操作期间，可以通过注入口760和/或770供应一种或多种反应气体。在某些实施方案中，可以仅通过主注入口760或仅通过侧注入口770供应气体。在某些情况下，注入口可能会被喷头取代。法拉第屏蔽749和/或可选的栅格750可以包括允许将工艺气体输送到室的内部通道和孔。法拉第屏蔽749和可选栅格750中的任何一者或两者都可以用作用于输送工艺气体的喷头。
[0191]
射频功率从rf电源741供给到线圈733以使rf电流流过线圈733。流过线圈733的rf电流产生围绕线圈733的电磁场。该电磁场产生在上副室702内的感应电流。所生成的各种离子和自由基与晶片719的物理和化学相互作用选择性蚀刻晶片的特征。
[0192]
如果使用等离子体栅格750使得存在上副室702和下副室703二者，则感应电流作用于存在于上副室702中的气体上以在上副室702中产生电子-离子等离子体。任选的内部
等离子体栅格750(如果存在)可以用于限制下副室703中的热电子的数量。在一些实施方案中，设计和操作所述装置使得存在于下副室703中的等离子体是离子-离子等离子体。在其他实施方案中，该装置可以被设计和操作使得存在于下副室703中的等离子体是电子-离子等离子体。内部等离子体栅格与离子-离子等离子体进一步于2013年11月15日所提申的美国专利申请no.14/082,009(名称为“internal plasma grid for semiconductor fabrication”)中与美国专利no.9,245,761中讨论，其每一者整体内容通过引用并入本文。
[0193]
挥发性的蚀刻和/或沉积的副产物可通过端口722从下副室703去除。本文所公开的卡盘717可在约30℃和约250℃之间的升高的温度范围内操作。在一些情况下，卡盘717也可以在较低温度下操作，例如当卡盘717被主动冷却时。在这种情况下，卡盘717可以根据需要在显著较低的温度下操作。温度将取决于蚀刻工艺操作和具体配方。在一些实施方案中，室701可以在约1毫托和约95毫托之间的范围内的压强下操作。在某些实施方案中，压强可能更高。
[0194]
室701当安装在清洁室或制造厂中时可耦合到设施(未示出)。设施包括管道，管道提供工艺气体、真空、温度控制和环境微粒控制。这些设施当安装在目标制造厂时耦合到室701。此外，室701可耦合在传送室上，从而允许使用典型的自动化由机械手传送半导体晶片进出室701。
[0195]
在一些实施方案中，系统控制器730(其可以包括一个或多个物理或逻辑控制器)控制蚀刻室的一些或全部操作。系统控制器730可以包括一个或多个存储器设备和一个或多个处理器。处理器可以包括中央处理单元(cpu)或计算机、模拟和/或数字输入/输出连接、步进电机控制器板和其他类似部件。用于实现适当控制操作的指令在处理器上执行。这些指令可以存储在与系统控制器730相关联的存储器设备上，或者它们可以通过网络提供。在某些实施方案中，系统控制器730执行系统控制软件。
[0196]
在某些情况下，系统控制器730控制气体浓度、晶片移动和/或提供给线圈733和/或静电卡盘717的功率。系统控制器730可以通过例如打开和关闭相关阀以产生提供适当浓度的必要反应物的一种或多种入口气流来控制。可以通过例如引导晶片定位系统根据需要移动来控制晶片移动。可以控制提供给线圈733和/或卡盘717的功率以提供特定的rf功率电平。类似地，如果使用内部栅格750，则施加到栅格的任何rf功率都可以由系统控制器730调整。
[0197]
系统控制器730可以基于传感器输出(例如，当功率、电势、压强等达到某个阈值时)、操作的时序(例如，在处理中，在特定时间打开阀门)、或基于从用户收到的指令来控制这些和其他方面。下面进一步讨论示例性的控制器。
[0198]
图8描绘了具有各种与真空传送模块838(vtm)界面的模块的半导体工艺群集架构。在多个存储设备和处理模块之间“传送”衬底的传送模块装置可以被称为“集群工具架构”系统。气锁830(也被称为装载锁或传送模块)在vtm 838示出具有四个处理模块820a-820d，其可以被单独优化以执行各种制造工艺。例如，处理模块820a-820d可以被实现以执行衬底蚀刻、沉积、离子注入、衬底清洁、溅射和/或其它半导体工艺以及激光计量与其他缺陷检测及缺陷辨识方法。衬底蚀刻处理模块中的一个或多个(820a-820d中的任意一个)可以如本文所公开的被实施，即，用于将凹陷特征蚀刻至衬底中。气锁830和处理模块820a-820d可以被称为“站”。每个站具有将站与vtm 838连接的小面836(facet 836)。在小面内
部，传感器1-18被用于在衬底826在各站之间移动通过时检测衬底826。
[0199]
机械手822将衬底826在站之间传输。在一实现方案中，机械手可以具有一个臂，而在另一实现方案中，机械手可以具有两个臂，其中每个臂可以具有端部执行器824以拾取衬底用于运输。在大气传送模块(atm)840中，前端机械手832可以用于从在装载端口模块(lpm)842中的盒或前开式标准晶舟(foup)834传送衬底到气锁830。处理模块820a-820d内的模块中心828可以是用于放置衬底的一个位置。在atm 840中的对准器844可以用于对齐衬底。
[0200]
在一示例性的处理方法中，衬底被放置在lpm 842中的多个foup 834中的一个中。前端机械手832将衬底从foup 834传送到对准器844，其允许衬底826在被蚀刻或在其上进行沉积或其他处理之前适当地居中。对准后，衬底由前端机械手832移动到气锁830。由于气锁模块具有匹配atm和vtm之间的环境的能力，因此衬底826能够在两个压强环境之间移动而不被破坏。从气锁模块830，衬底826通过机械手822移动通过vtm 838并进入处理模块820a-820d中的一个，例如处理模块820a。为了实现这种衬底移动，机械手822在其每一个臂上使用端部执行器1024。一旦晶片826已经被处理，它就被机械手822从处理模块820a-820d移动到气锁模块830。从这里，晶片826可以被前端机械手832移动到foup 834中的一者或对准器844。
[0201]
应当注意的是，控制衬底运动的计算机对于集群架构可以是本地的，或者它可以位于在制造工厂中的群集架构的外部，或在远程位置并通过网络连接到群集架构。
[0202]
在一些实现方案中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体工艺设备，半导体工艺设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何工艺，包括工艺气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(rf)产生器设置、rf匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出工具和其他转移工具和/或与具体系统连接或通过接口连接的装载锁。
[0203]
从广义上讲，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(dsp)、定义为专用集成电路(asic)的芯片、和/或执行程序指令(例如，软件)的一个或多个微处理器或微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定工艺的操作参数。在一些实施方案中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。
[0204]
在一些实现方案中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系
统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的工艺。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供工艺配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的工艺的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的工艺和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的工艺。
[0205]
示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(pvd)室或模块、化学气相沉积(cvd)室或模块、原子层沉积(ald)室或模块、原子层蚀刻(ale)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体工艺系统。
[0206]
如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。定义
[0207]“脂肪族(aliphatic)”意指具有至少一个碳原子至50个碳原子(c
1-50
)的烃基，例如1至25个碳原子(c
1-25
)、或1至10个碳原子(c
1-10
)，且其包含烷烃(或烷基)、烯烃(或烯基)、炔烃(或炔基)，包含其环状形式，并且进一步包含直链和支链排列，以及所有立体和位置异构体。这样的脂肪族可为未经取代或经一个或更多基团取代，例如本文对烷基所述的基团。还有的其他取代基团可包括芳香族、卤代芳香族、卤素、硝酸基、氰基、磺酸酯基、磺酰基或其他。
[0208]“烷烃(alkane)”意指具有一个或更多烷基的化合物，如本文所定义的。烷烃可未经取代或经一个或更多本文所述的取代基取代，例如，如对烷基所述的。
[0209]“烯烃(alkene)”意指具有一个或更多烯基的化合物，如本文所定义的。烯烃可未经取代或经一个或更多本文所述的取代基取代，如对烷基所述的。
[0210]“炔烃(alkyne)”意指具有一个或更多炔基的化合物，如本文所定义的。炔烃可未经取代或经一个或更多本文所述的取代基取代，如对烷基所述的。
[0211]“烯基(alkenyl)”意指具有至少两个碳原子至50个碳原子(c
2-50
)(例如两个至25个碳原子(c
2-25
)、或两个至十个碳原子(c
2-10
))以及至少一个碳-碳双键的不饱和单价烃，其中不饱和单价烃可衍生自从母体烯烃的一个碳原子上除去一个氢原子。烯基可以是支链、直链、环状(例如环烯基)、顺式或反式(例如e或z)。示例性的烯基包含具有一个或更多双键的任选地经取代的c
2-24
烷基。烯基可以是单价或多价(例如二价)，其通过去除一个或更多氢以形成与母分子基团适当连接或母分子基团与另一取代基之间的适当连接。烯基也可以
是经取代或未经取代的。例如，烯基可经一个或更多取代基取代，如本文对烷基所述的。
[0212]“烷氧基(alkoxy)”意指-or，其中r为任选地经取代的脂肪族基，如本文所述。示例性的烷氧基包含，但不限于，甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、三卤代烷氧基，例如三氟甲氧基等。烷氧基可经取代或未经取代。例如，烷氧基可经一个或更多取代基取代，如本文对烷基所述的。示例性的未经取代烷氧基包含c
1-3
、c
1-6
、c
1-12
、c
1-16
、c
1-18
、c
1-20
、或c
1-24
烷氧基。
[0213]“烷基(alkyl)”意指具有至少一个碳原子至50个碳原子(c
1-50
)(例如1至25个碳原子(c
1-25
)、或1至10个碳原子(c
1-10
)的饱和单价烃，其中饱和单价烃可衍生自从母化合物(例如烷烃)的一个碳原子上去除一个氢原子。烷基可以是支链、直链或环状(例如，环烷基)。示例性的烷基包含具有1至24个碳原子的支链或非支链饱和烃基，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷基、十四烷基、十六烷基、二十烷基、二十四烷基及类似物。烷基也可以是经取代或未经取代的。烷基可以是单价或多价(例如，二价)，其通过去除一个或更多氢以形成与母分子基团的适当连接或母分子基团与另一取代基之间的适当连接。例如，烷基可经一个、两个、三个或(在具有两个或更多碳的烷基的情况下)四个取代基取代，取代基独立地选自由以下项组成的群组:(1)c
1-6
烷氧基(例如-o-r，其中r为c
1-6
烷基)；(2)c
1-6
烷基亚磺酰基(例如-s(o)-r，其中r为c
1-6
烷基)；(3)c
1-6
烷基磺酰基(例如-so
2-r，其中r为c
1-6
烷基)；(4)胺(例如，-c(o)nr1r2或-nhcor1，其中r1与r2中的每一者独立地选自如本文所定义的氢、脂肪族、杂脂肪族、卤代脂肪族、卤代杂脂肪族、芳香族、或其任何组合，或r1与r2连同各自所连接的氮原子形成如本文所定义的杂环基)；(5)芳基；(6)芳基烷氧基(例如-o-l-r，其中l为烷基而r为芳基)；(7)芳酰基(例如，-c(o)-r，其中r为芳基)；(8)叠氮基(例如-n3)；(9)氰基(例如-cn)；(10)醛基(例如，-c(o)h)；(11)c
3-8
环烷基；(12)卤素；(13)杂环基(例如，如本文所定义的，例如含有一个、两个、三个或四个非碳杂原子的5-、6-或7-元环)；(14)杂环氧基(例如-o-r，其中r为如本文所定义的杂环基)；(15)杂环酰基(例如-c(o)-r，其中r为如本文所定义的杂环基)；(16)羟基(例如-oh)；(17)n-保护氨基；(18)硝基(例如-no2)；(19)氧代基(例如，＝o)；(20)c
1-6
硫代烷氧基(例如-s-r，其中r为烷基)；(21)硫醇基(例如-sh)；(22)-co2r1，其中r1选自由以下项组成的群组:(a)氢、(b)c
1-6
烷基、(c)c
4-18
芳基以及(d)c
1-6
烷基-c
4-18
芳基(例如，-l-r，其中l为c
1-6
烷基而r为c
4-18
芳基)；(23)-c(o)nr1r2，其中r1与r2中的每一者独立地选自由以下项组成的群组:(a)氢、(b)c
1-6
烷基、(c)c
4-18
芳基以及(d)c
1-6
烷基-c
4-18
芳基(例如，-l-r，其中l为c
1-6
烷基而r为c
4-18
芳基)；(24)-so2r1，其中r1选自由以下项组成的群组:(a)c
1-6
烷基、(b)c
4-18
芳基以及(c)c
1-6
烷基-c
4-18
芳基(例如，-l-r，其中l为c
1-6
烷基而r为c
4-18
芳基)；(25)-so2nr1r2，其中r1与r2中的每一者独立地选自由以下项组成的群组:(a)氢、(b)c
1-6
烷基、(c)c
4-18
芳基以及(d)c
1-6
烷基-c
4-18
芳基(例如，-l-r，其中l为c
1-6
烷基而r为c
4-18
芳基)；以及(26)-nr1r2，其中r1与r2中的每一者独立地选自由以下项组成的群组:(a)氢、(b)n-保护基、(c)c
1-6
烷基、(d)c
2-6
烯基、(e)c
2-6
炔基、(f)c
4-18
芳基、(g)c
1-6
烷基-c
4-18
芳基(例如，-l-r，其中l为c
1-6
烷基，r为c
4-18
芳基)、(h)c
3-8
环烷基、以及(i)c
1-6
烷基-c
3-8
环烷基(例如，-l-r，其中l为c
1-6
烷基而r为c
3-8
环烷基)，其中在一实施方案中，没有两个基团通过羰基或磺酰基与氮原子结合。烷基可以是经一个或更多取代基(例如，一个或更多卤素或烷氧基)取代的伯烷基、仲烷基或叔烷基。在一些实施方案中，未经取代的烷基
为c
1-3
、c
1-6
、c
1-12
、c
1-16
、c
1-18
、c
1-20
或c
1-24
烷基。
[0214]“炔基(alkynyl)”意指具有至少两个碳原子至50个碳原子(c
2-50
)(例如两个至25个碳原子(c
2-25
)、或两个至十个碳原子(c
2-10
))以及至少一个碳-碳三键的不饱和单价烃，其中不饱和单价烃可衍生自从母体炔烃的一个碳原子上除去一个氢原子。炔基可以是支链、直链或环状(例如，环炔基)。示例性的炔基包含具有一个或更多三键的任选地经取代的c
2-24
烷基。炔基可以是环状或非环状，例如乙炔基、1-丙炔基以及类似物。炔基可以是单价或多价(例如，二价)，其通过去除一个或更多氢以形成与母分子基团的适当连接或母分子基团与另一取代基之间的适当连接。炔基也可以是经取代或未经取代的。例如，炔基可经一个或更多取代基取代，如本文对烷基所述的。
[0215]“芳香族(aromatic)”意指具有单环(例如苯基)或多个稠合环的5至15个(除非另指明)环原子的环状共轭基团或部分，其中至少一个环为芳香族(例如，萘基、吲哚基或吡唑并吡啶基(pyrazolopyridinyl))；即，至少一个环及可选地多个稠合环具有连续且离域的π电子系统。通常，平面外π电子的数量对应于休克尔(huckel)规则(4n+2)。与母体结构的连接点通常是通过稠合环系统的芳香族部分。这样的芳香族可为未经取代或经一个或更多基团取代，例如本文对烷基或芳基所述的基团。还有的其他取代基团可包括脂肪族、卤代脂肪族、卤素、硝酸基、氰基、磺酸酯基、磺酰基或其他。
[0216]“芳基(aryl)”意指包含至少五个碳原子至15个碳原子(c
5-15
)(例如五至十个碳原子(c
5-10
))的芳香族碳环基，其具有单环或多个稠合环，其稠合的环可以是或可以不是芳香族，条件是与本文所公开的化合物的剩余位置的连接点是通过芳香族碳环基的原子。芳基可经一个或更多除氢以外的基团(例如脂肪族、杂脂肪族、芳香族、其它官能团或其任何组合)取代。示例性的芳基包含，但不限于，苄基、萘、苯基、联苯基、苯氧基苯及类似物。术语芳基还包含杂芳基，其定义为包含芳香基的基团，该芳香基具有并入芳香基的环内的至少一杂原子。杂原子的示例包含，但不限于氮、氧、硫和磷。同样，也包含在术语芳基中的术语非杂芳基定义含有芳香基且不含杂原子的基团。芳基可以是经取代或未经取代的。芳基可经一个、两个、三个、四个或五个取代基取代，取代基独立地选自由以下项组成的群组:(1)c
1-6
烷酰基(例如-c(o)-r，其中r为c
1-6
烷基)；(2)c
1-6
烷基；(3)c
1-6
烷氧基(例如-o-r，其中r为c
1-6
烷基)；(4)c
1-6
烷氧基-c
1-6
烷基(例如-l-o-r，其中l与r各自独立地为c
1-6
烷基)；(5)c
1-6
烷基亚磺酰基(例如-s(o)-r，其中r为c
1-6
烷基)；(6)c
1-6
烷基亚磺酰基-c
1-6
烷基(例如-l-s(o)-r，其中l与r各自独立地为c
1-6
烷基)；(7)c
1-6
烷基磺酰基(如-so
2-r，其中r为c
1-6
烷基)；(8)c
1-6
烷基磺酰基-c
1-6
烷基(例如-l-so
2-r，其中l与r各自独立地为c
1-6
烷基)；(9)芳基；(10)胺(例如，-nr1r2，其中r1与r2各自独立地选自如本文所定义的氢、脂肪族、杂脂肪族、卤代脂肪族、卤代杂脂肪族、芳香族、或其任何组合；或r1与r2连同各自所连接的氮原子形成如本文所定义的杂环基)；(11)c
1-6
氨基烷基(例如，-l
1-nr1r2或-l
2-c(nr1r2)(r3)-r4，其中l1为c
1-6
烷基；l2为共价键或c
1-6
烷基；r1与r2各自独立地选自如本文所定义的氢、脂肪族、杂脂肪族、卤代脂肪族、卤代杂脂肪族、芳香族、或其任何组合；或r1与r2连同各自所连接的氮原子形成如本文所定义的杂环基；r3与r4各自独立地为h或c
1-6
烷基)；(12)杂芳基；(13)c
1-6
烷基-c
4-18
芳基(例如，-l-r，其中l为c
1-6
烷基而r为c
4-18
芳基)；(14)芳酰基(例如，-c(o)-r，其中r为芳基)；(15)叠氮基(例如，-n3)；(16)氰基(例如，-cn)；(17)c
1-6
叠氮烷基(例如，-l-n3，其中l为c
1-6
烷基)；(18)醛(例如，c(o)h)；(19)醛-c
1-6
烷基(例如，-l-c(o)h，其中l是c
1-6
烷
基)；(20)c
3-8
环烷基；(21)c
1-6
烷基-c
3-8
环烷基(例如，-l-r，其中l为c
1-6
烷基且r为c
3-8
环烷基)；(22)卤素；(23)c
1-6
卤代烷基(例如，-l
1-x或-l
2-c(x)(r1)-r2，其中l1为c
1-6
烷基；l2为共价键或c
1-6
烷基；x为氟、溴、氯或碘；且r1与r2各自独立地为h或c
1-6
烷基)；(24)杂环基(例如，如本文所定义的，例如含有一个、两个、三个或四个非碳杂原子的5-、6-或7-元环)；(25)杂环氧基(例如，-o-r，其中r为如本文所定义的杂环基)；(26)杂环酰基(例如，-c(o)-r，其中r为如本文所定义的杂环基)；(27)羟基(-oh)；(28)c
1-6
羟烷基(例如，-l
1-oh或-l
2-c(oh)(r1)-r2，其中l1为c
1-6
烷基；l2为共价键或烷基；且r1与r2各自独立地为如本文所定义的h或c
1-6
烷基)；(29)硝基；(30)c
1-6
硝基烷基(例如，-l
1-no或-l
2-c(no)(r1)-r，其中l1为c
1-6
烷基；l2为共价键或烷基；且r1与r2各自独立地为如本文所定义的h或c
1-6
烷基)；(31)n-保护氨基；(32)n-保护氨基-c
1-6
烷基；(33)氧代基(例如，＝o)；(34)c
1-6
硫代烷氧基(例如，-s-r，其中r为c
1-6
烷基)；(35)硫代-c
1-6
烷氧基-c
1-6
烷基(例如，-l-s-r，其中l与r各自独立地为c
1-6
烷基)；(36)-(ch2)rco2r1，其中r为0至4的整数，且r1选自由以下项组成的群组:(a)氢、(b)c
1-6
烷基、(c)c
4-18
芳基、以及(d)c
1-6
烷基-c
4-18
芳基(例如，-l-r，其中l为c
1-6
烷基且r为c
4-18
芳基)；(37)-(ch2)rconr1r2，其中r为0至4的整数，且其中r1与r2各自独立地选自由以下项组成的群组:(a)氢、(b)c
1-6
烷基、(c)c
4-18
芳基、以及(d)c
1-6
烷基-c
4-18
芳基(例如，-l-r，其中l为c
1-6
烷基且r为c
4-18
芳基)；(38)-(ch2)rso2r1，其中r为0至4的整数，且其中r1选自由以下项组成的群组:(a)c
1-6
烷基、(b)c
4-18
芳基、及(c)c
1-6
烷基-c
4-18
芳基(例如，-l-r，其中l为c
1-6
烷基且r为c
4-18
芳基)；(39)-(ch2)rso2nr1r2，其中r为0至4的整数且其中r1与r2各自独立地选自由以下项组成的群组:(a)氢、(b)c
1-6
烷基、(c)c
4-18
芳基、以及(d)c
1-6
烷基-c
4-18
芳基(例如，-l-r，其中l为c
1-6
烷基且r为c
4-18
芳基)；(40)-(ch2)rnr1r2，其中r为0至4的整数且其中r1与r2各自独立地选自由以下项组成的群组:(a)氢、(b)n-保护基、(c)c
1-6
烷基、(d)c
2-6
烯基、(e)c
2-6
炔基、(f)c
4-18
芳基、(g)c
1-6
烷基-c
4-18
芳基(例如，-l-r，其中l为c
1-6
烷基且r为c
4-18
芳基)、(h)c
3-8
环烷基、以及(i)c
1-6
烷基-c
3-8
环烷基(例如，-l-r，其中l为c
1-6
烷基且r为c
3-8
环烷基)，其中在一实施方案中没有两个基团通过羰基或磺酰基与氮原子结合；(41)硫醇(例如，-sh)；(42)全氟烷基(例如，-(cf2)ncf3，其中n为0至10的整数)；(43)全氟烷氧基(例如，-o-(cf2)ncf3，其中n为0至10的整数)；(44)芳氧基(例如，-o-r，其中r为芳基)；(45)环烷氧基(例如，-o-r，其中r为环烷基)；(46)环烷基烷氧基(例如，-o-l-r，其中l为烷基且r为环烷基)；以及(47)芳基烷氧基(例如，-o-l-r，其中l为烷基，r为芳基)。在特定的实施方案中，未经取代的芳基为c
4-18
、c
4-14
、c
4-12
、c
4-10
、c
6-18
、c
6-14
、c
6-12
、或c
6-10
芳基。
[0217]“碳环(carbocycle)”意指具有一个或更多环脂肪族或多环脂肪族部分的化合物，如本文所定义的。碳环可未经取代或经一个或更多本文所述的取代基取代，例如，如对烷基所述的。
[0218]“氰基(cyano)”意指-cn基团。
[0219]“氰基烷烃(cyanoalkane)”意指如本文所定义的烷烃，其中一个或更多氢原子被氰基取代。
[0220]“氰基芳香族(cyanoaromatic)”意指如本文所定义的芳香族，其中一个或更多氢原子被氰基取代。
[0221]“环脂肪族(cycloaliphatic)”意指如本文所定义的脂肪族基团，其为环状。所述环脂肪族基团可为饱和或不饱和。
[0222]“环烷基(cycloalkyl)”意指三至八个碳(除非另外指明)的单价饱和或不饱和的非芳香环烃基团，其举例而言有环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、双环[2.2.1.庚基]及类似物。环烷基也可以是经取代或未经取代的。例如，环烷基可经一个或更多基团取代，包含本文对烷基所述的那些。
[0223]“卤素(halo)”意指f、cl、br或i。当用作前缀时，“卤代”表示该基团可包括一个或更多卤素取代。
[0224]“卤代脂肪族(haloaliphatic)”意指一个或更多氢原子(例如1至10个氢原子)独立地被卤素原子(例如氟、溴、氯或碘)取代的如本文所定义的脂肪族基团。
[0225]“卤代烷烃(haloalkane)”意指如本文所定义的烷烃，其中一个或更多氢原子(例如一个至10个氢原子)独立地被卤素原子取代，例如氟、溴、氯或碘。
[0226]“卤代烯烃(haloalkene)”意指如本文所定义的烯烃，其中一个或更多氢原子(例如1至10个氢原子)独立地被卤素原子取代，例如氟、溴、氯或碘。
[0227]“卤代烯基(haloalkenyl)”意指如本文所定义的烯基，其中一个或更多氢原子(例如1至10个氢原子)独立地被卤素原子取代，例如氟、溴、氯或碘。
[0228]“卤代烷基(haloalkyl)”意指一个或更多氢原子(例如1至10个氢原子)独立地被卤素原子(例如氟、溴、氯或碘)取代的如本文所定义的烷基。在一独立实施方案中，卤代烷基可以是-cx3基团，其中每一x可独立地选自氟、溴、氯或碘。在一些实施方案中，卤代烷基为-l-x，其中l为如本文定义的烷基，而x为氟、溴、氯或碘。在其他实施方案中，卤代烷基为-l-c(x)(r1)-r2，其中l为如本文所定义的共价键或烷基；x为氟、溴、氯或碘；且r1与r2各自独立地为如本文所定义的h或烷基。
[0229]“卤代炔烃(haloalkyne)”意指如本文所定义的炔烃，其中一个或更多氢原子(例如1至10个氢原子)独立地被卤素原子取代，例如被氟、溴、氯或碘取代。
[0230]“卤代炔基(haloalkynyl)”意指如本文所定义的炔基，其中一个或更多氢原子(例如1至10个氢原子)独立地被卤素原子取代，例如氟、溴、氯或碘。
[0231]“卤代芳香族(haloaromatic)”意指如本文所定义的芳香族，其中一个或更多氢原子(例如1至10个氢原子)独立地被卤素原子取代，例如氟、溴、氯或碘。将被卤素取代的氢原子可存在环内或位于环上的取代内。
[0232]“卤代芳基(haloaryl)”意指如本文所定义的芳基，其中一个或更多氢原子(例如1至10个氢原子)独立地被卤素原子取代，例如氟、溴、氯或碘。在一独立实施方案中，卤代芳基可为-ph-cx3基团，其中ph为苯基且每一x可独立地选自氟、溴、氯或碘。在一些实施方案中，卤代芳基为-l-x，其中l为如本文所定义的芳基，且x为氟、溴、氯或碘。在其他实施方案中，卤代芳基为-l-c(x)(r1)-r2，其中l为如本文所定义的芳基；x为氟、溴、氯或碘；且r1与r2中各自独立地为如本文所定义的h或烷基。
[0233]“卤代碳环(halocarbocycle)”意指如本文所定义的碳环，其中一个或更多氢原子(例如1至10个氢原子)独立地被卤素原子取代，例如氟、溴、氯或碘。
[0234]“卤代杂脂肪族(haloheteroaliphatic)”意指如本文所定义的杂脂肪族，其中一个或更多氢原子(例如1至10个氢原子)独立地被卤素原子取代，例如氟、溴、氯或碘。
[0235]“卤代磺酰基(halosulfonyl)”意指-s(o)2x基团或-os(o)x基团，其中x为卤素(例如，氟、溴、氯或碘)。
[0236]“杂脂肪族(heteroaliphatic)”意指包含至少一个杂原子至20个杂原子(例如1至15个杂原子、或1至5个杂原子)的如本文所定义的脂肪族基团，杂原子可选自但不限于氧、氮、硫、硅、硼、硒、磷及基团内其氧化形式。
[0237]“杂烷基(heteroalkyl)”、“杂烯基(heteroalkenyl)”和“杂炔基(heteroalkynyl)”分别意指包含至少一个杂原子至20个杂原子(例如1至15个杂原子或1至5个杂原子)的如本文所定义的烷基、烯基或炔基(其可以是支链、直链或环状)，杂原子可选自但不限于氧、氮、硫、硅、硼、硒、磷及其在基团内的氧化形式。
[0238]“杂环(heterocycle)”意指具有一个或更多杂环基部分的化合物。非限制性杂环包含任选地经取代的咪唑(imidazole)、任选地经取代的三唑(triazole)、任选地经取代的四唑(tetrazole)、任选地经取代的吡唑(pyrazole)、任选地经取代的咪唑啉(imidazoline)、任选地经取代的吡唑啉(pyrazoline)、任选地经取代的咪唑烷(imidazolidine)、任选地经取代的吡唑烷(pyrazolidine)、任选地经取代的吡咯(pyrrole)、任选地经取代的吡咯啉(pyrroline)、任选地经取代的吡咯烷(pyrrolidine)、任选地经取代的四氢呋喃(tetrahydrofuran)、任选地经取代的呋喃(furan)、任选地经取代的噻吩(thiophene)、任选地经取代的噁唑(oxazole)、任选地经取代的异噁唑(isoxazole)、任选地经取代的异噻唑(isothiazole)、任选地经取代的噻唑(thiazole)、任选地经取代的氧硫杂环戊烷(oxathiolane)、任选地经取代的噁二唑(oxadiazole)、任选地经取代的噻二唑(thiadiazole)、任选地经取代的环丁砜(sulfolane)、任选地经取代的琥珀酰亚胺(succinimide)、任选地经取代的噻唑烷二酮(thiazolidinedione)、任选地经取代的噁唑烷酮(oxazolidone)、任选地经取代的乙内酰脲(hydantoin)、任选地经取代的吡啶(pyridine)、任选地经取代的哌啶(piperidine)、任选地经取代的哒嗪(pyridazine)、任选地经取代的哌嗪(piperazine)、任选地经取代的嘧啶(pyrimidine)、任选地经取代的吡嗪(pyrazine)、任选地经取代的三嗪(triazine)、任选地经取代的吡喃(pyran)、任选地经取代的吡喃鎓(pyrylium)、任选地经取代的四氢吡喃(tetrahydropyran)、任选地经取代的二氧杂芑(dioxine)、任选地经取代的二噁烷(dioxane)、任选地经取代的二噻烷(dithiane)、任选地经取代的三噻烷(trithiane)、任选地经取代的噻喃(thiopyran)、任选地经取代的噻烷(thiane)、任选地经取代的噁嗪(oxazine)、任选地经取代的吗啉(morpholine)、任选地经取代的噻嗪(thiazine)、任选地经取代的硫代吗啉(thiomorpholine)、任选地经取代的胞嘧啶(cytosine)、任选地经取代的胸嘧啶(thymine)、任选地经取代的脲嘧啶(uracil)、任选地经取代的硫代吗啉二氧化物(thiomorpholine dioxide)、任选地经取代的茚(indene)、任选地经取代的吲哚啉(indoline)、任选地经取代的吲哚(indole)、任选地经取代的异吲哚(isoindole)、任选地经取代的吲哚嗪(indolizine)、任选地经取代的吲唑(indazole)、任选地经取代的苯并咪唑(benzimidazole)、任选地经取代的氮杂吲哚(azaindole)、任选地经取代的氮杂吲唑(azaindazole)、任选地经取代的吡唑并嘧啶(pyrazolopyrimidine)、任选地经取代的嘌呤(purine)、任选地经取代的苯并呋喃(benzofuran)、任选地经取代的异苯并呋喃(isobenzofuran)、任选地经取代的苯并噻吩(benzothiophene)、任选地经取代的苯并异噁唑(benzisoxazole)、任选地经取代的苯甲酰亚胺酸(anthranil)、任选地经取代的苯并异噻唑(benzisothiazole)、任选地经取代的苯并噁唑(benzoxazole)、任选地经取代的苯并
噻唑(benzthiazole)、任选地经取代的苯并噻二唑(benzthiadiazole)、任选地经取代的腺嘌呤(adenine)、任选地经取代的鸟嘌呤(guanine)、任选地经取代的四氢喹啉(tetrahydroquinoline)、任选地经取代的二氢喹啉(dihydroquinoline)、任选地经取代的二氢异喹啉(dihydroisoquinoline)、任选地经取代的喹啉(quinoline)、任选地经取代的异喹啉(isoquinoline)、任选地经取代的喹嗪(quinolizine)、任选地经取代的喹噁啉(quinoxaline)、任选地经取代的酞嗪(phthalazine)、任选地经取代的喹唑啉(quinazoline)、任选地经取代的噌啉(cinnoline)、任选地经取代的萘啶(naphthyridine)、任选地经取代的吡啶并嘧啶(pyridopyrimidine)、任选地经取代的吡啶并吡嗪(pyridopyrazine)、任选地经取代的喋啶(pteridine)、任选地经取代的色烯(chromene)、任选地经取代的异色烯(isochromene)、任选地经取代的色烯酮(chromenone)、任选地经取代的苯并噁嗪(benzoxazine)、任选地经取代的喹啉酮(quinolinone)、任选地经取代的异喹啉酮(isoquinolinone)、任选地经取代的咔唑(carbazole)、任选地经取代的二苯并呋喃(dibenzofuran)、任选地经取代的吖啶(acridine)、任选地经取代的吩嗪(phenazine)、任选地经取代的吩噁嗪(phenoxazine)、任选地经取代的吩噻嗪(phenothiazine)、任选地经取代的啡噁噻(phenoxathiine)、任选地经取代的喹咛环(quinuclidine)、任选地经取代的氮杂金刚烷(azaadamantane)、任选地经取代的二氢氮杂庚因(dihydroazepine)、任选地经取代的氮杂庚因(azepine)、任选地经取代的二氮杂庚因(diazepine)、任选地经取代的氧杂环庚烷(oxepane)、任选地经取代的硫杂庚因(thiepine)、任选地经取代的硫氮庚因(thiazepine)、任选地经取代的氮杂环辛烷(azocane)、任选地经取代的吖辛因(azocine)、任选地经取代的硫杂环辛烷(thiocane)、任选地经取代的氮杂环壬烷(azonane)、任选地经取代的氮杂癸因(azecine)等。任选的取代包含本文针对芳基所述的任一者。杂环也可包括任何这些的阳离子和/或盐。
[0239]“杂环基”意指3、4、5、6或7元环(例如，5、6或7元环)，除非另有说明，否则该环包含一个、两个、三个或四个非碳杂原子(例如，其独立地选自氮、氧、磷、硫、硒或卤素)。3元环具有零到一个双键，4和5元环有零到两个双键，并且6和7元环有零到三个双键。术语“杂环基”还包括双环、三环和四环基团，其中任何上述杂环稠合到独立地选自芳环、环己烷环、环己烯环、环戊烷环、环戊烯环和另一个单环杂环(例如吲哚基、喹啉基、异喹啉基、四氢喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基等)的一个、两个或三个环。杂环包括吖啶基(acridinyl)、腺苷基(adenyl)、咯嗪基(alloxazinyl)、氮杂金刚烷基(azaadamantanyl)、氮杂苯并咪唑基(azabenzimidazolyl)、氮杂双环壬基(azabicyclononyl)、氮杂环庚基(azacycloheptyl)、氮杂环辛基(azacyclooctyl)、氮杂环壬基(azacyclononyl)、氮杂次黄嘌呤基(azahypoxanthinyl)、氮杂吲唑基(azaindazolyl)、氮杂吲哚基(azaindolyl)、阿吖啶基(azecinyl)、氮杂环庚烷基(azepanyl)、氮杂庚因基(azepinyl)、氮杂环丁烷基(azetidinyl)、氮杂环丁二烯基(azetyl)、氮丙啶基(aziridinyl)、吖丙啶基(azirinyl)、氮杂环辛烷基(azocanyl)、吖辛因基(azocinyl)、氮杂环壬烷基(azonanyl)、苯并咪唑基(benzimidazolyl)、苯并异噻唑基(benzisothiazolyl)、苯并异噪唑基(benzisoxazolyl)、苯并二氮杂庚因基(benzodiazepinyl)、苯并二吖辛因基(benzodiazocinyl)、苯并二氢呋喃基(benzodihydrofuryl)、苯并二氧庚因基(benzodioxepinyl)、苯并二氧杂环己烯基(benzodioxinyl)、苯并二氧杂环己基(benzodioxanyl)、苯并二氧辛因基
(benzodioxocinyl)、苯并二氧杂环戊烯基(benzodioxolyl)、苯并二噻庚因基(benzodithiepinyl)、苯并二硫杂环己二烯基(benzodithiinyl)、苯并二氧辛因基(benzodioxocinyl)、苯并呋喃基(benzofuranyl)、苯并吩嗪基(benzophenazinyl)、苯并吡喃酮基(benzopyranonyl)、苯并哌喃基(benzopyranyl)、苯并芘基(benzopyrenyl)、苯并吡喃酮基(benzopyronyl)、苯并喹啉基(benzoquinolinyl)、苯并喹嗪基(benzoquinolizinyl)、苯并硫二氮庚因基(benzothiadiazepinyl)、苯并噻二唑基(benzothiadiazolyl)、苯并硫氮庚因基(benzothiazepinyl)、苯并硫吖辛因基(benzothiazocinyl)、苯并噻唑基(benzothiazolyl)、苯并噻吩基(benzothienyl)、苯并苯硫基(benzothiophenyl)、苯并噻嗪酮基(benzothiazinonyl)、苯并噻嗪基(benzothiazinyl)、苯并噻喃基(benzothiopyranyl)、苯并噻喃酮基(benzothiopyronyl)、苯并三氮庚因基(benzotriazepinyl)、苯并三嗪酮基(benzotriazinonyl)、苯并三嗪基(benzotriazinyl)、苯并三唑基(benzotriazolyl)、苯并氧硫杂环己二烯基(benzoxathiinyl)、苯并三氧庚因基(benzotrioxepinyl)、苯并氧二氮庚因基(benzoxadiazepinyl)、苯并氧硫氮庚因基(benzoxathiazepinyl)、苯并氧硫庚因基(benzoxathiepinyl)、苯并氧硫辛因基(benzoxathiocinyl)、苯并氧氮庚因基(benzoxazepinyl)、苯并噁嗪基(benzoxazinyl)、苯并氧吖辛因基(benzoxazocinyl)、苯并噁唑啉酮基(benzoxazolinonyl)、苯并噁唑啉基(benzoxazolinyl)、苯并噁唑基(benzoxazolyl)、苄基磺胺基(benzylsultamyl)、苄基磺酰亚胺基(benzylsultimyl)、联吡嗪基(bipyrazinyl)、联吡啶基(bipyridinyl)、咔唑基(carbazolyl)(例如4h-咔唑基)、咔啉基(carbolinyl)(例如β-咔啉基)、色满酮基(chromanonyl)、色满烷基(chromanyl)、色烯基(chromenyl)、肉桂基(cinnolinyl)、香豆素基(coumarinyl)、胞苷基(cytdinyl)、胞嘧啶基(cytosinyl)、十氢异喹啉基(decahydroisoquinolinyl)、十氢喹啉基(decahydroquinolinyl)、二氮杂二环辛烷基(diazabicyclooctyl)、二氮杂环丁二稀基(diazetyl)、二氮丙啶亚硫酰基(diaziridinethionyl)、二氮丙啶酮基(diaziridinonyl)、二吖丙啶基(diaziridinyl)、二氮丙啶基(diazirinyl)、二苯异喹啉基(dibenzisoquinolinyl)、二苯并吖啶基(dibenzoacridinyl)、二苯并咔唑基(dibenzocarbazolyl)、二苯并呋喃基(dibenzofuranyl)、二苯并吩嗪基(dibenzophenazinyl)、二苯并吡喃酮基(dibenzopyranonyl)、二苯并吡喃酮基(dibenzopyronyl)(呫吨酮基/xanthonyl)、二苯并喹噁啉(dibenzoquinoxalinyl)、二苯并硫氮庚因基(dibenzothiazepinyl)、二苯并硫庚因基(dibenzothiepinyl)、二苯并苯硫基(dibenzothiophenyl)、二苯并氧庚因基(dibenzoxepinyl)、二氢氮庚因基(dihydroazepinyl)、二氢氮杂环丁二烯基(dihydroazetyl)、二氢呋喃基(dihydrofuranyl)、二氢呋喃基(dihydrofuryl)、二氢异喹啉基(dihydroisoquinolinyl)、二氢吡喃基(dihydropyranyl)、二氢吡啶基(dihydropyridinyl)、二氢吡啶基(dihydroypyridyl)、二氢喹啉基(dihydroquinolinyl)、二氢噻吩基(dihydrothienyl)、二氢吲哚基(dihydroindolyl)、二氧杂环己基(dioxanyl)、二噁嗪基(dioxazinyl)、二氧吲哚基(dioxindolyl)、二环氧乙烷基(dioxiranyl)、二环氧乙烯基(dioxenyl)、二氧杂环己烯基(dioxinyl)、二氧苯并呋喃基(dioxobenzofuranyl)、二氧杂环戊烯基(dioxolyl)、二氧四氢呋喃基(dioxotetrahydrofuranyl)、二氧硫代吗啉基(dioxothiomorpholinyl)、二噻
环己基(dithianyl)、二噻唑基(dithiazolyl)、二噻吩基(dithienyl)、硫杂环己二烯基(dithiinyl)、呋喃基(furanyl)、呋吖基(furazanyl)、呋喃甲酰基(furoyl)、呋喃基(furyl)、鸟嘌呤基(guaninyl)、均哌嗪基(homopiperazinyl)、均哌啶基(homopiperidinyl)、次黄嘌呤基(hypoxanthinyl)、乙内酰脲基(hydantoinyl)、咪唑啉啶基(imidazolidinyl)、咪唑啉基(imidazolinyl)、咪唑基(imidazolyl)、吲唑基(indazolyl)(例如1h-吲唑基)、吲哚烯基(indolenyl)、吲哚啉基(indolinyl)、吲哚嗪基(indolizinyl)、吲哚基(indolyl)(例如，1h-引哚基或3h-吲哚基)、靛红基(isatinyl)、靛红基(isatyl)、异苯并呋喃基(isobenzofuranyl)、异色基(isochromanyl)、异色烯基(isochromenyl)、异吲唑基(isoindazoyl)、异吲哚啉基(isoindolinyl)、异吲哚基(isoindolyl)、异吡唑酰基(isopyrazolonyl)、异吡唑基(isopyrazolyl)、异噁唑啶基(isoxazolidiniyl)、异噁唑基(isoxazolyl)、异喹啉基(isoquinolinyl)、异喹啉基(isoquinolinyl)、异噻唑啶基(isothiazolidinyl)、异噻唑基(isothiazolyl)、吗啉基(morpholinyl)、萘并吲唑基(naphthindazolyl)、萘并吲哚基(naphthindolyl)、二氮杂萘基(naphthiridinyl)、萘并吡喃基(naphthopyranyl)、萘并噻唑基(naphthothiazolyl)、萘并硫酮基(naphthothioxolyl)、萘并三唑基(naphthotriazolyl)、萘并氧代吲哚基(naphthoxindolyl)、萘啶基(naphthyridinyl)、八氢异喹啉基(octahydroisoquinolinyl)、氧杂双环庚烷基(oxabicycloheptyl)、氧杂脲嘧啶(oxauracil)、噁二唑基(oxadiazolyl)、噁嗪基(oxazinyl)、噁吖丙啶基(oxaziridinyl)、噁唑啶基(oxazolidinyl)、噁唑啶酮基(oxazolidonyl)、噁唑啉基(oxazolinyl)、噁唑酮基(oxazolonyl)、噁唑基(oxazolyl)、氧杂环庚烷基(oxepanyl)、氧杂环丁烷酮基(oxetanonyl)、氧杂环丁烷基(oxetanyl)、氧杂环丁烯基(oxetyl)、氧杂环丁烯基(oxtenayl)、氧吲哚基(oxindolyl)、环氧乙烷基(oxiranyl)、氧代苯并异噻唑基(oxobenzoisothiazolyl)、氧代色烯基(oxochromenyl)、氧代异喹啉基(oxoisoquinolinyl)、氧代喹啉基(oxoquinolinyl)、氧代硫杂环戊基(oxothiolanyl)、菲啶基(phenanthridinyl)、菲啉基(phenanthrolinyl)、菲嗪基(phenazinyl)、菲噻嗪基(phenothiazinyl)、菲噻吩基(phenothienyl)(苯并硫代呋喃基/benzothiofuranyl)、菲噁噻基(phenoxathiinyl)、菲噁嗪基(phenoxazinyl)、酞嗪基(phthalazinyl)、酞嗪酮基(phthalazonyl)、酞基(phthalidyl)、苯并吡咯烷酮基(phthalimidinyl)、哌嗪基(piperazinyl)、哌啶基(piperidinyl)、哌啶酮基(piperidonyl)(例如，4-哌啶酮基)、蝶啶基(pteridinyl)、嘌呤基(purinyl)、哌喃基(pyranyl)、吡嗪基(pyrazinyl)、吡唑啶基(pyrazolidinyl)、吡唑啉基(pyrazolinyl)、吡唑并嘧啶基(pyrazolopyrimidinyl)、吡唑基(pyrazolyl)、哒嗪基(pyridazinyl)、吡啶基(pyridinyl)、吡啶并吡嗪基(pyridopyrazinyl)、吡啶并嘧啶基(pyridopyrimidinyl)、吡啶基(pyridyl)、嘧啶基(pyrimidinyl)、嘧啶基(pyrimidyl)、吡喃酮基(pyronyl)、吡咯烷基(pyrrolidinyl)、吡咯烷酮基(pyrrolidonyl)(例如，2-吡咯烷酮基)、吡咯啉基(pyrrolinyl)、吡咯嗪烷基(pyrrolizidinyl)、吡咯基(pyrrolyl)(例如，2h-吡咯基)、吡喃鎓(pyrylium)、喹唑啉基(quinazolinyl)、喹啉基(quinolinyl)、喹嗪基(quinolizinyl)(例如，4h-喹嗪基)、喹喔啉基(quinoxalinyl)、喹啉环基(quinuclidinyl)、硒杂吖嗪基(selenazinyl)、硒杂唑基(selenazolyl)、硒吩基(selenophenyl)、琥珀酰亚胺基(succinimidyl)、环丁砜基
(sulfolanyl)、四氢呋喃基(tetrahydrofuranyl)、四氢呋喃基(tetrahydrofuryl)、四氢异喹啉基(tetrahydroisoquinolinyl)、四氢异喹啉基(tetrahydroisoquinolyl)、四氢吡啶基(tetrahydropyridinyl)、四氢吡啶基(tetrahydropyridyl)(哌啶基(piperidyl))、四氢哌喃基(tetrahydropyranyl)、四氢吡喃酮基(tetrahydropyronyl)、四氢喹啉基(tetrahydroquinolinyl)、四氢喹啉基(tetrahydroquinolyl)、四氢噻吩基(tetrahydrothienyl)、四氢苯硫基(tetrahydrothiophenyl)、四嗪基(tetrazinyl)、四唑基(tetrazolyl)、噻二嗪基(thiadiazinyl)(例如，6h-1,2,5-噻二嗪基或2h,6h-1,5,2-二噻二嗪基)、噻二唑基(thiadiazolyl)、噻嗯基(thianthrenyl)、噻环己基(thianyl)、硫茚基(thianaphthenyl)、硫氮庚因基(thiazepinyl)、噻嗪基(thiazinyl)、噻唑烷二酮基(thiazolidinedionyl)、噻唑啶基(thiazolidinyl)、噻唑基(thiazolyl)、噻吩基(thienyl)、硫杂环庚烷基(thiepanyl)、硫杂庚因基(thiepinyl)、硫杂环丁烷基(thietanyl)、硫杂环丁烯基(thietyl)、硫杂环丙基(thiiranyl)、硫杂环辛烷基(thiocanyl)、硫代色满酮基(thiochromanonyl)、硫代色基(thiochromanyl)、硫代色烯基(thiochromenyl)、硫代二嗪基(thiodiazinyl)、噻二唑基(thiodiazolyl)、硫代-3-吲哚酚(thioindoxyl)、硫代吗啉基(thiomorpholinyl)、苯硫基(thiophenyl)、噻喃基(thiopyranyl)、硫代吡喃酮基(thiopyronyl)、硫代三唑基(thiotriazolyl)、硫代脲唑基(thiourazolyl)、硫氧杂环己基(thioxanyl)、硫氧杂环戊烯基(thioxolyl)、胸嘧啶基(thymidinyl)、胸苷基(thyminyl)、三嗪基(triazinyl)、三唑基(triazolyl)、三噻环己基(trithianyl)、脲嗪基(urazinyl)、脲唑基(urazolyl)、尿嘧啶基(uretidinyl)、脲啶基(uretinyl)、脲嘧啶基(uricyl)、脲苷基(uridinyl)、呫吨基(xanthenyl)、黄嘌呤基(xanthinyl)、黄硫酮基(xanthionyl)等，以及其修饰形式(例如，包括一或更多个氧代基和/或氨基)及其盐类。杂环基基团可以是取代的或未取代的。例如，杂环基基团可以被一个或多个取代基(如本文针对芳基所述的基团)取代。
[0240]“多环脂肪族(multicycloaliphatic)”意指具有多于一个的环状基团的如本文所定义的脂肪族基团。
[0241]“硝酸基(nitrate)”意指-ono2基团。
[0242]“磺酰基(sulfonyl)”意指-s(o)
2-基团或-os(o)-基团。
[0243]“磺酸酯基(sulfonate)”意指-os(o)
2-基团。非限制性磺酸酯基团包括-oso2r，其中r选自如本文所定义的氢、卤素、脂肪族、烷基、杂脂肪族、杂烷基、烷氧基、卤代脂肪族、卤代烷基、卤代杂脂肪族、芳香族、芳基、卤代芳基或其任何组合。其他非限制性磺酸酯基团包括三氟甲磺酸酯基(-otf或-os(o)2cf3)、甲磺酸酯基(-oms或-os(o)2ch3)、甲苯磺酸酯基(-ots或-os(o)2(对甲苯基))、对溴苯磺酸酯基(-obs或-os(o)2(对溴苯基))、对硝基苯磺酸酯基(-ons或-os(o)2(对硝基苯基))、或三氟乙磺酸酯基(-os(o)2ch2cf3)。
[0244]
本领域普通技术人员将知悉，以上所提供的定义并非意在包括不允许的取代模式(例如，被5个不同基团取代的甲基及类似者)。本领域普通技术人员得以轻易得知所述不允许的取代模式。除非其中另外指明，否则本文所公开和/或以上所定义的任何官能团可经取代或未经取代。结论
[0245]
虽然为了清楚理解目的已详细描述前述实施方案，但显而易见的是，可在随附权
利要求的范围内进行某些改变及修改。可在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实行本文所公开的实施方案。在其他实例中，不再详细描述众所周知的工艺操作，以免不必要地使所公开的实施方案难以理解。此外，尽管结合具体实施方案来描述所公开的实施方案，但应理解，具体实施方案并非意在限制所公开的实施方案。应当注意，有许多实施本实施方案的工艺、系统和装置的替代方式。因此，本实施方案应被认为是说明性而非限制性的，且实施方案不限于本文所给出的细节。