发光装置及其制造方法以及包括发光装置的显示装置与流程

本发明涉及一种发光元件、制造发光元件的方法以及包括发光元件的显示装置。

背景技术：

1、随着对信息显示的兴趣和对使用便携式信息媒介的需求增加，对显示装置的研究和商业化在积极进行。

2、应当理解的是，技术部分的该背景技术部分地意图提供对用于理解技术有用的背景技术。然而，技术部分的该背景技术也可以包括不是在这里公开的主题的对应有效提交日期之前由相关领域技术人员已知或理解的内容的部分的想法、构思或认知。

技术实现思路

1、技术问题

2、实施例提供了一种发光元件和制造发光元件的方法，在发光元件中，包括氧化物层的阻挡层设置在活性层上和之下，从而使由于在制造工艺期间暴露的表面的损坏而导致的表面漏电流最小化，以改善发光效率。

3、公开也提供了一种包括上述发光元件的显示装置。

4、技术方案

5、一种发光元件可以包括：第一端部和第二端部，设置在发光元件的长度方向上；第一半导体层，设置在第一端部处；活性层，设置在第一半导体层上；第二半导体层，设置在活性层上；第一阻挡层，设置在活性层与第一半导体层之间，第一阻挡层包括第一区域和第二区域；以及绝缘膜，围绕第一半导体层、活性层、第一阻挡层和第二半导体层中的每个的外周表面。第一阻挡层的第一区域可以包括具有比第一半导体层、活性层和第二半导体层的铝成分高的铝成分的半导体层。第一阻挡层的第二区域可以包括氧化物层。

6、在实施例中，第一半导体层可以包括掺杂有n型掺杂剂的n型半导体层，第二半导体层可以包括掺杂有p型掺杂剂的p型半导体层。活性层和第一阻挡层可以是可以未掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂的半导体层。

7、在实施例中，发光元件还可以包括：第二阻挡层，设置在第二半导体层与活性层之间，第二阻挡层包括第三区域和第四区域。第二阻挡层可以是可以未掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂的半导体层。

8、在实施例中，第二阻挡层的第三区域可以包括具有比第一半导体层、活性层和第二半导体层的铝成分高的铝成分的半导体层，并且第二阻挡层的第四区域可以包括氧化物层。第三区域和第四区域可以在发光元件的长度方向上具有相同的厚度。

9、在实施例中，第二区域和第四区域可以在与发光元件的长度方向交叉的方向上具有相同的宽度或不同的宽度。第二区域和第四区域可以在发光元件的长度方向上具有相同的厚度或不同的厚度。

10、在实施例中，第一阻挡层和第二阻挡层可以包括相同的材料。

11、在实施例中，第一阻挡层的第一区域和第二阻挡层的第三区域可以包括包含铝、铟和磷的alinp层或包含铝、镓和砷的algaas层。

12、在实施例中，第一阻挡层的第一区域和第一阻挡层的第二区域可以在发光元件的长度方向上具有相同的厚度。

13、在实施例中，发光元件还可以包括：电极，在发光元件的第二端部处设置在第二半导体层上。

14、上述发光元件可以通过制造发光元件的方法制造，所述方法可以包括：在基底上形成第一半导体层、第一阻挡层、活性层、第二阻挡层、第二半导体层和电极，以形成发光堆叠体；垂直蚀刻发光堆叠体，以形成至少一个发光堆叠图案，并且向外暴露第一半导体层的一个区域；对至少一个发光堆叠图案执行热处理，使得第一阻挡层和第二阻挡层中的每个包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域包括不同的材料；在至少一个发光堆叠图案上形成绝缘材料层，并且垂直蚀刻绝缘材料层以形成围绕发光堆叠图案的表面的绝缘膜；以及将被绝缘膜围绕的至少一个发光堆叠图案与基底分离，以形成发光元件。发光元件可以包括设置在发光元件的长度方向上的第一半导体层、第一阻挡层、活性层、第二阻挡层、第二半导体层和电极。

15、在实施例中，第一阻挡层和第二阻挡层中的每个的第一区域可以包括具有比第一半导体层、活性层和第二半导体层的铝成分高的铝成分的半导体层，并且第一阻挡层和第二阻挡层中的每个的第二区域可以包括氧化物层。

16、在实施例中，第一半导体层可以包括掺杂有n型掺杂剂的n型半导体层，第二半导体层可以包括掺杂有p型掺杂剂的p型半导体层，并且第一阻挡层、活性层和第二阻挡层可以是可以未掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂的半导体层。

17、在实施例中，第一阻挡层的第二区域和第二阻挡层的第二区域可以在与发光元件的长度方向相交的方向上具有相同的宽度或不同的宽度。

18、在实施例中，第一阻挡层的第二区域和第二阻挡层的第二区域可以在发光元件的长度方向上具有相同的厚度或不同的厚度。

19、在实施例中，形成发光堆叠体的步骤可以包括：在基底上形成第一半导体层；在第一半导体层上形成第一阻挡层；在第一阻挡层上形成活性层；在活性层上形成第二阻挡层；在第二阻挡层上形成第二半导体层；以及在第二半导体层上形成电极。

20、在实施例中，第一阻挡层和第二阻挡层中的每个的第一区域可以包括包含铝、铟和磷的alinp层或包含铝、镓和砷的algaas层。

21、在实施例中，第一阻挡层和第二阻挡层可以包括相同的材料，并且第一阻挡层和第二阻挡层中的每个的第一区域可以与相应阻挡层的第二区域具有相同的厚度。

22、根据实施例的显示装置可以包括：第一电极和第二电极，在第一方向上设置在基底上，并且在与第一方向不同的第二方向上延伸，第一电极和第二电极彼此间隔开；以及多个发光元件，设置在第一电极与第二电极之间。多个发光元件中的每个发光元件可以包括：第一端部和第二端部，设置在发光元件的长度方向上；第一半导体层，设置在第一端部处；第一阻挡层，设置在第一半导体层上，并且包括第一区域和第二区域；活性层，设置在第一阻挡层上；第二阻挡层，设置在活性层上，并且包括第三区域和第四区域；第二半导体层，设置在第二阻挡层上；第三电极，设置在第二半导体层上；以及绝缘膜，围绕第一半导体层、第一阻挡层、活性层、第二阻挡层、第二半导体层和第三电极中的每个的外周表面。

23、在实施例中，第一区域和第三区域可以包括具有比第一半导体层、活性层和第二半导体层的铝成分高的铝成分的半导体层，并且第二区域和第四区域可以包括氧化物层。

24、在实施例中，第一半导体层可以包括掺杂有n型掺杂剂的n型半导体层，第二半导体层可以包括掺杂有p型掺杂剂的p型半导体层，第一阻挡层、活性层和第二阻挡层可以是未掺杂区，第一区域和第二区域可以在发光元件的长度方向上具有相同的厚度，并且第三区域和第四区域可以在发光元件的长度方向上具有相同的厚度。

25、在实施例中，显示装置还可以包括：第一接触电极，设置在第一电极以及多个发光元件中的每个发光元件的第一端部和第二端部中的一个上；以及第二接触电极，设置在第二电极以及多个发光元件中的每个发光元件的第一端部和第二端部中的另一个上，其中，第一接触电极可以电连接到第一电极，并且第二接触电极可以电连接到第二电极。

26、有益效果

27、在发光元件、制造发光元件的方法以及包括发光元件的显示装置中，由于包括氧化物层的阻挡层可以设置在活性层与p型半导体层之间以及活性层与n型半导体层之间，因此可以能够使由于在发光元件的制造工艺期间暴露的表面的损坏而导致的表面漏电流最小化，从而制造具有改善的发光效率的发光元件。

28、根据实施例的效果不受上述内容的限制，并且更多的各种效果包括在说明书中。