深紫外线发光二极管的制作方法

本发明涉及一种无机物半导体发光二极管，尤其涉及一种发出300nm以下的深紫外线的发光二极管。

背景技术：

1、通常，发出200nm至300nm范围内的紫外线的发光二极管可以用于包括杀菌装置、水或空气净化装置、高密度光记录装置、生物气溶胶荧光检测系统的激发机制的各种用途。

2、与近紫外线或蓝色发光二极管不同，发出相对深紫外线的发光二极管包括含有诸如algan之类的al的阱层。起因于这样的氮化镓类半导体层的组成，深紫外线发光二极管具有与蓝色发光二极管或近紫外线发光二极管相当不同的结构。

3、尤其，根据现有技术的深紫外线发光二极管具有布置在n型半导体层上的台面形状以及位置与通常的蓝色发光二极管或近紫外线发光二极管不同的结构。即，台面从n型半导体层的中心偏向一侧而形成，在台面上布置有p凸块，并且在与所述一侧对向的另一侧附近与台面相隔地布置有n凸块。

4、这种现有的紫外线发光二极管大体上具有光输出低且正向电压高的缺点。尤其，虽然深紫外线发光二极管根据半导体层的结晶品质的改善而达成良好的内部量子效率，但光提取效率非常低。光提取效率借由内部全反射或内部中的光损失而减少。例如，为了欧姆接触所包括的p型gan层吸收在活性层生成的紫外线，并且与n型半导体层接合的n欧姆接触层也吸收紫外线。

5、进一步地，现有的紫外线发光二极管难以利用向台面的侧表面发出的光，因此具有尽可能减小台面的侧表面的整体面积的倾向。即，台面的宽度相对较宽地形成。然而，台面的宽度越大，从n欧姆接触层到台面中央区域的距离越大，从而不利于电流分散，因此正向电压变高。甚至，恶劣的电流分散性能限制电流密度的增加，据此，能够实现为单独的发光二极管的光度受到限制。

技术实现思路

1、技术问题

2、本发明所要解决的技术问题在于提供一种能够改善电特性和/或光输出的新结构的深紫外线发光二极管。

3、本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种能够提高电流分散性能的深紫外线发光二极管。

4、技术方案

5、根据本发明的一实施例的一种深紫外线发光二极管，根据一实施例的深紫外线发光二极管，包括：基板；n型半导体层，位于所述基板上；台面，布置在所述n型半导体层上且包括活性层和p型半导体层，并且具有使所述n型半导体层暴露的多个通孔；n欧姆接触层，在所述通孔内与所述n型半导体层接触；p欧姆接触层，与所述p型半导体层接触；n垫金属层，与所述n欧姆接触层电连接；p垫金属层，与所述p欧姆接触层电连接；n凸块，与所述n垫金属层电连接；以及p凸块，与所述p垫金属层电连接，其中，所述p垫金属层形成为围绕所述n垫金属层。

6、根据本发明的又一实施例的一种发光二极管，包括：基板；n型半导体层，位于所述基板上；台面，布置在所述n型半导体层上且包括活性层和p型半导体层，并且具有使n型半导体层暴露的多个通孔；n欧姆接触层，在所述通孔内与所述n型半导体层接触；p欧姆接触层，与所述p型半导体层接触；n凸块，与所述n欧姆接触层电连接；以及p凸块，与所述p欧姆接触层电连接，其中，所述p欧姆接触层包括ni/rh。

7、根据本发明的又一实施例的一种深紫外线发光二极管，包括：基板；n型半导体层，位于所述基板上；台面，布置在所述n型半导体层上且包括活性层和p型半导体层，并且包括使所述n型半导体层暴露的槽；n欧姆接触层，在所述槽内与所述n型半导体层接触；p欧姆接触层，与所述p型半导体层接触；n垫金属层，与所述n欧姆接触层电连接；p垫金属层，与所述p欧姆接触层电连接；n凸块，与所述n垫金属层电连接；以及p凸块，与所述p垫金属层电连接。

8、有益效果

9、根据本发明的实施例，可以提供一种通过采用多个通孔而能够使电流均匀地分散于台面内的深紫外线发光二极管。进一步，作为p型欧姆接触层采用ni/rh，从而能够提供光提取效率得到提高的深紫外线发光二极管。并且，通过使注入到发光二极管的电流密度增加来增加单独的发光二极管的光度，因此，尤其能够减少为了对细菌或病毒等进行杀菌而所需的发光二极管的数量，并且能够减少杀菌时间。

10、针对本发明的优点和特征，将在详细说明中详细讨论或通过详细说明变得明确。

技术特征：

1.一种深紫外线发光二极管，包括：

2.根据权利要求1所述的深紫外线发光二极管，其中，

3.根据权利要求1所述的深紫外线发光二极管，其中，

4.根据权利要求3所述的深紫外线发光二极管，其中，

5.根据权利要求4所述的深紫外线发光二极管，其中，

6.根据权利要求5所述的深紫外线发光二极管，其中，

7.根据权利要求4所述的深紫外线发光二极管，还包括：

8.根据权利要求7所述的深紫外线发光二极管，还包括：

9.根据权利要求8所述的深紫外线发光二极管，其中，

10.根据权利要求1所述的深紫外线发光二极管，其中，

11.根据权利要求10所述的深紫外线发光二极管，其中，

12.一种深紫外线发光二极管，包括：

13.根据权利要求12所述的深紫外线发光二极管，还包括：

14.根据权利要求13所述的深紫外线发光二极管，其中，

15.根据权利要求14所述的深紫外线发光二极管，其中，

16.根据权利要求14所述的深紫外线发光二极管，其中，

17.根据权利要求13所述的深紫外线发光二极管，还包括：

18.根据权利要求17所述的深紫外线发光二极管，其中，

19.根据权利要求17所述的深紫外线发光二极管，其中，

20.根据权利要求12所述的深紫外线发光二极管，其中，

21.一种深紫外线发光二极管，包括：

22.根据权利要求21所述的深紫外线发光二极管，还包括：

23.根据权利要求21所述的深紫外线发光二极管，其中，

24.根据权利要求23所述的深紫外线发光二极管，其中，

25.根据权利要求23所述的深紫外线发光二极管，其中，

26.根据权利要求23所述的深紫外线发光二极管，其中，

27.根据权利要求21所述的深紫外线发光二极管，其中，

28.根据权利要求27所述的深紫外线发光二极管，其中，

29.根据权利要求27所述的深紫外线发光二极管，其中，

30.根据权利要求27所述的深紫外线发光二极管，其中，

技术总结
根据本发明提供一种深紫外线发光二极管，根据一实施例的深紫外线发光二极管包括：基板；n型半导体层，位于所述基板上；台面，布置在所述n型半导体层上且包括活性层和p型半导体层，并且具有使所述n型半导体层暴露的多个通孔；n欧姆接触层，在所述通孔内与所述n型半导体层接触；p欧姆接触层，与所述p型半导体层接触；n垫金属层，与所述n欧姆接触层电连接；p垫金属层，与所述p欧姆接触层电连接；n凸块，与所述n垫金属层电连接；以及p凸块，与所述p垫金属层电连接，其中，所述p垫金属层形成为围绕所述n垫金属层。

技术研发人员：金泰均,郭俊植,李圭浩
受保护的技术使用者：首尔伟傲世有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12