用于浮动变压器耦合等离子体室气体板的承载环的制作方法

本公开涉及与用于衬底处理系统的气体分配设备相关。

背景技术：

1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

2、在衬底(例如半导体晶片)的制造期间，可在处理室内执行蚀刻工艺与沉积工艺。将衬底设置在处理室中的衬底支撑件(例如静电卡盘(esc)或基座)上。经由气体分配设备导入工艺气体并且在处理室中激励等离子体。

3、某些衬底处理系统可配置成执行深硅蚀刻(dsie)处理和/或快速交替工艺(rap)，其包含快速地切换蚀刻与沉积工艺。例如，rap可用于微机电系统(mems)蚀刻、dsie处理等等。

技术实现思路

1、一种用于衬底处理系统中的处理室的气体分配组件包含：气体板，其包含多个孔洞，所述多个孔洞被配置成将气体混合物供应到所述处理室的内部；以及承载环，其被配置成支撑所述气体板。所述承载环包含环状主体以及径向朝内突出部分。所述径向朝内突出部分具有第一内径以及所述环状主体具有大于所述第一内径的第二内径，所述径向朝内突出部分限定凸耳，且所述气体板被设置在所述承载环的所述凸耳上。介电窗被设置在所述气体板上并且位于所述气体板和所述承载环的上方，以使所述气体板被支撑在所述承载环与所述介电窗之间。

2、在其他特征中，所述环状主体的所述第二内径大于所述气体板的直径。所述环状主体的所述第二内径对应于位于所述凸耳的径向朝内周边处的竖直表面，且所述气体板的厚度大于所述竖直表面的高度。所述承载环包含陶瓷。所述承载环包含氧化铝。所述承载环包含与所述气体板相同的材料。所述承载环包含与所述气体板具有相同的cte的材料。所述承载环具有钇氧化物涂层。

3、在其他特征中，所述承载环的外周边包含环状沟槽。所述气体分配组件还包含升降环，所述升降环被设置成围绕所述承载环的所述外周边，并且所述升降环包含环状突出部，所述环状突出部朝内延伸到所述承载环的所述环状沟槽内。所述气体板不与所述升降环直接接触。一种处理室包含所述气体分配组件，所述处理室的上部分包含凹部，以及所述气体分配组件被设置在所述凹部内，且所述气体板不与所述处理室直接接触。

4、一种被配置成执行变压器耦合等离子体处理的衬底处理系统的处理室包含：凹部，其限定在所述处理室的上部分中；以及承载环，其被设置在所述凹部中。所述承载环包含环状主体以及径向朝内突出部分，其中所述径向朝内突出部分具有第一内径，所述环状主体具有大于所述第一内径的第二内径，且所述突出部分限定凸耳。气体板被设置在所述承载环的所述凸耳上，其中所述气体板包含多个孔洞，所述多个孔洞被配置成将气体混合物供应到所述处理室的内部。介电窗被设置在所述气体板上并且位于所述气体板和所述承载环的上方，以使所述气体板被支撑在所述承载环与所述介电窗之间。所述气体板不与所述处理室的所述上部分直接接触。

5、在其他特征中，所述环状主体的所述第二内径大于所述气体板的直径。所述环状主体的所述第二内径对应于位于所述凸耳的径向朝内周边处的竖直表面。所述气体板的厚度大于所述竖直表面的高度。所述承载环的外周边包含环状沟槽。所述处理室还包含升降环，所述升降环被设置成围绕所述承载环的所述外周边。所述升降环包含环状突出部，所述环状突出部朝内延伸到所述承载环的所述环状沟槽内。所述气体板不与升降环直接接触。

6、根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。

技术特征：

1.一种气体分配组件，其用于衬底处理系统中的处理室，所述气体分配组件包含：

2.根据权利要求1所述的气体分配组件，其中所述环状主体的所述第二内径大于所述气体板的直径。

3.根据权利要求1所述的气体分配组件，其中所述环状主体的所述第二内径对应于位于所述凸耳的径向朝内周边处的竖直表面，且其中所述气体板的厚度大于所述竖直表面的高度。

4.根据权利要求1所述的气体分配组件，其中所述承载环包含陶瓷。

5.根据权利要求1所述的气体分配组件，其中所述承载环包含氧化铝。

6.根据权利要求1所述的气体分配组件，其中所述承载环包含与所述气体板相同的材料。

7.根据权利要求1所述的气体分配组件，其中所述承载环包含与所述气体板具有相同的cte的材料。

8.根据权利要求1所述的气体分配组件，其中所述承载环具有钇氧化物涂层。

9.根据权利要求1所述的气体分配组件，其中所述承载环的外周边包含环状沟槽。

10.根据权利要求9所述的气体分配组件，其还包含升降环，所述升降环被设置成围绕所述承载环的所述外周边，其中所述升降环包含环状突出部，所述环状突出部朝内延伸到所述承载环的所述环状沟槽内。

11.根据权利要求10所述的气体分配组件，其中所述气体板不与所述升降环直接接触。

12.一种处理室，其包含根据权利要求11所述的气体分配组件，其中所述处理室的上部分包含凹部，以及所述气体分配组件被设置在所述凹部内，且其中所述气体板不与所述处理室直接接触。

13.一种衬底处理系统的处理室，所述衬底处理系统配置成执行变压器耦合等离子体处理，所述处理室包含：

14.根据权利要求13所述的处理室，其中所述环状主体的所述第二内径大于所述气体板的直径。

15.根据权利要求13所述的处理室，其中所述环状主体的所述第二内径对应于位于所述凸耳的径向朝内周边处的竖直表面，且其中所述气体板的厚度大于所述竖直表面的高度。

16.根据权利要求13所述的处理室，其中所述承载环的外周边包含环状沟槽。

17.根据权利要求16所述的处理室，其还包含升降环，所述升降环被设置成围绕所述承载环的所述外周边，其中所述升降环包含环状突出部，所述环状突出部朝内延伸到所述承载环的所述环状沟槽内。

18.根据权利要求17所述的处理室，其中所述气体板不与所述升降环直接接触。

技术总结
一种用于衬底处理系统中的处理室的气体分配组件包含：气体板，其包含多个孔洞，所述多个孔洞被配置成将气体混合物供应到所述处理室的内部；以及承载环，其被配置成支撑所述气体板。所述承载环包含环状主体以及径向朝内突出部分。所述径向朝内突出部分具有第一内径以及所述环状主体具有大于所述第一内径的第二内径，所述径向朝内突出部分限定凸耳，且所述气体板被设置在所述承载环的所述凸耳上。介电窗被设置在所述气体板上并且位于所述气体板和所述承载环的上方，以使所述气体板被支撑在所述承载环与所述介电窗之间。

技术研发人员：戈登·彭,安巴理什·查哈特,克雷格·罗斯利,丹·马罗尔,大卫·赛顿
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13