存储装置及存储装置模块的制作方法

本发明涉及一种存储装置及存储装置模块。

背景技术：

1、ssd(solid state drive)具有将nand型内存元件及对该内存元件进行控制的控制元件(控制器)实际安装在配线基板上的结构。近年来，伴随存储容量的大容量化及高速工作化的进展，控制元件的高性能化得到推进，发热量也随之增加。如果因该控制元件的热而内存元件的温度也上升，则存在不得不降低内存元件的工作速度(写入速度及读入速度)的情况。

2、专利文献

3、专利文献1：日本国专利第5767338号公报

4、专利文献2：日本国专利第6584258号公报

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种提高了控制元件的散热性的存储装置及存储装置模块。

2、根据本发明的一个形态，存储装置具备：配线基板，具有第1面、所述第1面的相反侧的第2面、多层配线层；控制元件，在埋入于所述配线基板内的同时，具有配置有连接于所述多层配线层的多个电极垫的第1元件面和所述第1元件面的相反侧的第2元件面；第1散热构件，配置在所述配线基板的所述第1面上的与所述控制元件发生重叠的区域中；散热构造，与所述控制元件的所述第2元件面相对，从所述配线基板的所述第2面露出；及至少一个内存元件，配置在所述配线基板的所述第1面上的并不与所述控制元件发生重叠的区域中，连接于所述多层配线层。所述多层配线层具有：信号图案，电连接所述控制元件与所述内存元件或外部连接端子；及散热导体图案，形成所述控制元件与所述第1散热构件之间的散热路径。

技术特征：

1.一种存储装置，其特征为，

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征为，在所述配线基板的所述第2面上的并不与所述控制元件发生重叠的区域中，还配置有连接于所述多层配线层的至少一个内存元件。

3.根据权利要求2所述的存储装置，其特征为，所述散热构造包含从所述配线基板的所述第2面突出的第3散热构件。

4.根据权利要求1或2所述的存储装置，其特征为，

5.根据权利要求1或2所述的存储装置，其特征为，在所述控制元件的所述第1元件面上设置有金属图案，其并不连接于所述控制元件的所述电极垫及所述配线基板的所述信号图案，而是连接于所述散热导体图案。

6.根据权利要求1或2所述的存储装置，其特征为，

7.根据权利要求1或2所述的存储装置，其特征为，所述散热构造包含埋入于所述配线基板的第2散热构件。

8.一种存储装置模块，其特征为，

9.一种存储装置模块，其特征为，

技术总结
存储装置具备：配线基板，具有第1面、第1面的相反侧的第2面、多层配线层；控制元件，在埋入于配线基板内的同时，具有配置有连接于多层配线层的多个电极垫的第1元件面和第1元件面的相反侧的第2元件面；第1散热构件，配置在配线基板的第1面上的与控制元件发生重叠的区域中；散热构造，与控制元件的第2元件面相对，从配线基板的第2面露出；及至少一个内存元件，配置在配线基板的第1面上的并不与控制元件发生重叠的区域中，连接于多层配线层。多层配线层具有：信号图案，电连接控制元件与内存元件或外部连接端子；及散热导体图案，形成控制元件与第1散热构件之间的散热路径。

技术研发人员：明岛周三
受保护的技术使用者：名幸电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15