清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序与流程

本公开文本涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序。

背景技术：

1、作为半导体器件(装置)的制造工序的一个工序，有时进行向处理室内的衬底供给原料气体、反应气体而在衬底上形成膜的成膜处理。进行成膜处理时，存在含有膜形成材料的附着物附着于处理室的内表面的情况。因此，已知在进行成膜处理后向处理衬底的处理室内供给清洁气体从而对前述处理室内进行清洁的方法(例如，参见日本特开2007-13205号公报及日本特开2012-216696号公报)。

技术实现思路

1、但是，在清洁后的成膜处理中，存在每个衬底的处理变得不均匀的情况。

2、本公开文本的目的在于提供在清洁后的衬底处理工序中使每个衬底的处理接近均匀的技术。

3、用于解决课题的手段

4、根据本公开文本的一个方式，提供一种清洁方法，其是清洁对衬底进行成膜处理的处理室的方法，具有：

5、加热工序，其以下述方式对前述处理室内进行加热：将被供给清洁气体的处理室内在气流方向上划分为3个以上的区域，使得在前述处理室内位于前述气流方向上游侧的区域和与该区域相邻的区域之间的温度差变得比位于前述气流方向下游侧的区域和与该区域相邻的区域之间的温度差大；和

6、供给工序，在前述加热工序之后向前述处理室内供给前述清洁气体。

7、发明效果

8、根据本公开文本，能够在清洁后的衬底处理工序中使每个衬底的处理接近均匀。

技术特征：

1.清洁方法，其是清洁对衬底进行成膜处理的处理室的方法，具有：

2.如权利要求1所述的清洁方法，其中，在所述加热工序中，以使得在所述处理室内位于所述气流方向上游侧的区域的温度变得比位于所述气流方向下游侧的区域的温度低的方式对所述处理室内进行加热。

3.如权利要求1或2所述的清洁方法，其中，在所述加热工序中，以使得在所述处理室内位于所述气流方向上游侧的区域的温度变得比位于所述气流方向中游侧的区域的温度低的方式对所述处理室内进行加热。

4.如权利要求1至3中任一项所述的清洁方法，其中，在所述加热工序中，以使得附着于所述处理室内的内表面上的附着物的蚀刻速率在所述处理室内的所述气流方向上游侧变得低于在所述处理室内的所述气体流动方向下游侧的方式对所述处理室进行加热。

5.如权利要求1至4中任一项所述的清洁方法，其中，在所述加热工序中，以使得附着于所述处理室内的内表面上的附着物的蚀刻速率在所述处理室内的所述气流方向下游侧与在所述处理室内的所述气流方向中游侧变得实质上相同的方式对所述处理室进行加热。

6.如权利要求1至5中任一项所述的清洁方法，其中，

7.如权利要求1至6中任一项所述的清洁方法，其中，

8.如权利要求1至7中任一项所述的清洁方法，其中，所述清洁气体中包含选自由f2、hf、nf3及cf4组成的组中的至少1种以上。

9.如权利要求1至8中任一项所述的清洁方法，其中，从所述处理室的上游侧朝向下游侧供给所述清洁气体。

10.如权利要求1至9中任一项所述的清洁方法，其中，在所述处理室的上游侧，连接有能够供给清洁气体的气体供给喷嘴，

11.如权利要求10所述的清洁方法，其中，

12.如权利要求11所述的清洁方法，其中，

13.如权利要求1至12中任一项所述的清洁方法，其还具有进行预涂敷处理的预涂敷工序，所述预涂敷处理中，在所述供给工序之后供给含有第1元素的第1气体和含有第2元素的第2气体，从而在所述处理室的内表面形成所述第1元素的比率成为通过所述成膜处理形成于衬底上的膜的所述第1元素的比率以上的膜。

14.如权利要求13所述的清洁方法，其中，使进行所述预涂敷处理时的所述处理室内的压力低于进行所述成膜处理时的所述处理室内的压力。

15.半导体器件的制造方法，所述制造方法具有：

16.衬底处理装置，其具备：

17.程序，其使计算机执行下述步骤：

技术总结
清洁方法是清洁对衬底进行成膜处理的处理室的方法，其具有：加热工序，其以下述方式对前述处理室内进行加热：将被供给清洁气体的处理室内在气流方向上划分为3个以上的区域，使得在前述处理室内位于前述气流方向上游侧的区域和与该区域相邻的区域之间的温度差变得比位于前述气流方向下游侧的区域和与该区域相邻的区域之间的温度差大；和供给工序，在前述加热工序之后向前述处理室内供给前述清洁气体。

技术研发人员：越保信,浦野裕司,野原慎吾,原田和宏
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14