半导体装置及其制造方法与流程

本公开涉及在基板的gan表面形成金属膜的半导体装置及其制造方法。

背景技术：

1、gan基板或外延生长了gan层的半导体基板，使用在包含半导体晶体管构造的集成电路(ic)中。由于gan具有高电子迁移率以及宽带隙的特性，所以被广泛用作高频器件或激光发光器件。其中，公开了一种使用光电化学反应对gan进行蚀刻的方法(例如，参照非专利文献1)。

2、非专利文献1：信学技报ieice technical report ed2019-98，mw2019-132(2020-01)，使用了无接触光电化学(pec)蚀刻的凹槽栅hemt的制作，堀切文正

3、在作为高频器件的mmic(monolithic microwave integrated circuit：单片微波集成电路)的制造方法中，包括通过在半导体基板之上利用图案化形成金属膜来构成电路的工序。但是，由于gan与金属的反应性低而存在金属膜的密接性差这样的问题。另外，在mmic中，存在被称为通孔构造的将半导体基板的表面与背面相连的电极以及布线的构造。若通过溅射法或蒸镀法形成金属膜，则形成于通孔侧壁的膜的厚度变得比形成于其他表面的膜的厚度极薄。因此，难以得到导电所需的膜厚。在镀敷法中，即使对这样的构造也能够比较良好地成膜，但没有在gan表面直接进行镀敷的技术。

技术实现思路

1、本公开是为了解决上述那样的课题所做出的，其目的在于得到一种能够在基板的gan表面形成密接性良好的金属膜的半导体装置及其制造方法。

2、本公开所涉及的半导体装置的制造方法具备如下工序：将具有gan表面的基板一边照射紫外光一边浸渍于包含氢氧化钾和镀敷催化剂金属盐的溶液中，而在上述gan表面析出催化剂金属；和通过无电镀而在析出了上述催化剂金属的上述基板的上述gan表面形成金属膜。

3、在本公开中，将具有gan表面的基板一边照射紫外光一边浸渍于包含氢氧化钾和镀敷催化剂金属盐的溶液中，而在gan表面析出催化剂金属。通过这样对析出了催化剂金属的gan表面进行无电镀，能够形成金属膜。由于与gan结晶的ga置换来析出催化剂金属，所以催化剂金属与基板的结合牢固，能够得到高密接性。因此，能够在基板的gan表面形成密接性良好的金属膜。

技术特征：

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

11.一种半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求11或12所述的半导体装置，其特征在于，

技术总结
将具有GaN表面(2)的基板(1)一边照射紫外光一边浸渍于包含氢氧化钾和镀敷催化剂金属盐的催化剂金属溶液(4)中，而在GaN表面(2)析出催化剂金属(5)。通过无电镀而在析出了催化剂金属(5)的基板(1)的GaN表面(2)形成金属膜(7)。

技术研发人员：西泽弘一郎,津波大介
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15