半导体加工用粘合片及半导体装置的制造方法与流程

本发明涉及半导体加工用粘合片及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、在信息终端设备的薄型化、小型化及多功能化急速发展的过程中，对于搭载于这些设备的半导体装置，也提出了薄型化及高密度化的要求。

2、作为将半导体装置薄型化的方法，已进行了对半导体装置中使用的半导体晶片的背面进行磨削的方法。半导体晶片的背面磨削是在将背面磨削用的粘合片(以下，也称为“背磨片”)粘贴于半导体晶片的表面、并利用该片保护着半导体晶片的表面的状态下进行的。背磨片在背面磨削后被从半导体晶片的表面剥离除去。

3、近年来，作为在抑制对半导体芯片造成的损伤的同时进行薄型化的磨削及单片化方法，已实用的有先切割法、隐形先切割法等。先切割法是在半导体晶片的表面利用切割刀等形成了给定深度的槽之后，对该半导体晶片从背面侧磨削至到达槽，由此单片化为半导体芯片的方法。另外，隐形先切割法是通过激光的照射而向半导体晶片的内部形成了改性区域之后，对该半导体晶片从背面侧进行磨削，以上述改性区域为分割起点使其割断，由此单片化为半导体芯片的方法。在这些方法中也使用了用于保护半导体晶片的表面的背磨片。

4、在这些薄型化工艺技术的开发的同时，对于背磨片，也要求用于将半导体芯片成品率良好地薄型化的功能，并已进行了各种研究。

5、在专利文献1中，作为能够适用于先切割法或隐形先切割法的半导体晶片表面保护用粘合片，开发了一种半导体晶片表面保护用粘合片，其具有基材膜、设置于上述基材膜的至少一面侧且由粘合剂形成的中间层、以及设置于上述中间层的与上述基材膜相反侧的最外层的最外粘合剂层，其中，上述中间层是由会通过上述粘合片形成后的固化处理而发生固化的材料形成的。

6、现有技术文献

7、专利文献

8、专利文献1：日本特开2015-56446号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、根据专利文献1的半导体晶片表面保护用粘合片，被认为能够在将半导体晶片单片化为芯片后抑制原本的芯片间隔被破坏的切口偏移，并且能够抑制由半导体晶片的磨削屑导致的污染，能够防止在剥离了表面保护带时在芯片上的残胶。

3、另一方面，在进行背面磨削时，粘贴于半导体晶片的背磨片通过卡盘工作台等支撑装置而使与粘贴于半导体晶片的面相反一侧的面(以下，也称为“背面”)固定。进而，对于经由背磨片而被固定于支撑装置的工作台上的半导体晶片，边向磨削面供给用以除去由磨削产生的热及磨削屑的冷却水边对背面进行磨削。

4、在进行背面磨削时，如果在背磨片与支撑装置的工作台之间存在磨削屑，则有时会以存在该磨削屑的部分为起点，由于将半导体晶片固定于工作台时的冲击、背面磨削中的加压及振动等而导致在半导体晶片或半导体芯片产生裂纹。磨削屑以包含于冷却水中的状态附着于背磨片的背面，因此，为了抑制上述裂纹的产生，需要减少附着于背磨片的背面的磨削屑的量。

5、而相对于减少附着于背磨片的背面的磨削屑的量这样的要求而言，专利文献1的半导体晶片表面保护用粘合片并未能充分地对应。

6、本发明是鉴于上述背景而完成的，目的在于提供磨削屑的附着量减少了的半导体加工用粘合片、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法。

7、解决问题的方法

8、本发明人等经过了深入研究，结果发现，利用依次具有含有聚烯烃类树脂的表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层的半导体加工用粘合片，能够解决上述课题，进而完成了以下的本发明。

9、即，本发明涉及下述[1]～[11]。

10、[1]一种半导体加工用粘合片，其依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，

11、上述表面涂层是含有聚烯烃类树脂的层。

12、[2]上述[1]所述的半导体加工用粘合片，其中，上述聚烯烃类树脂含有源自碳原子数2～6的链状烯烃的结构单元。

13、[3]上述[2]所述的半导体加工用粘合片，其中，上述聚烯烃类树脂还含有源自具有氧原子及烯属不饱和键的单体的结构单元。

14、[4]上述[3]所述的半导体加工用粘合片，其中，上述具有氧原子及烯属不饱和键的单体为马来酸酐。

15、[5]上述[2]所述的半导体加工用粘合片，其中，上述聚烯烃类树脂还含有源自环状烯烃的结构单元。

16、[6]上述[1]～[5]中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，上述聚烯烃类树脂是在23℃下相对于甲苯溶解1质量％以上的树脂。

17、[7]上述[1]～[6]中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，上述表面涂层的厚度为0.05～10μm。

18、[8]上述[1]～[7]中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，上述缓冲层由含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯的缓冲层形成用组合物形成。

19、[9]上述[1]～[8]中任一项所述的半导体加工用粘合片，其用于半导体晶片的背面磨削。

20、[10]一种半导体装置的制造方法，其包括：

21、将上述[1]～[9]中任一项所述的半导体加工用粘合片以上述粘合剂层为粘贴面粘贴于半导体晶片的表面的工序；和

22、在利用支撑装置将粘贴于上述半导体晶片的上述半导体加工用粘合片的上述表面涂层侧固定的状态下对上述半导体晶片的背面进行磨削的工序。

23、[11]上述[10]所述的半导体装置的制造方法，其包括下述工序：

24、分割预定线形成工序：其是在半导体晶片的表面形成槽的工序a、或者是从半导体晶片的表面或背面向上述半导体晶片的内部形成改性区域的工序b；

25、片粘贴工序：在上述工序a之后、或者在上述工序b之前或之后，将上述[1]～[9]中任一项所述的半导体加工用粘合片以上述粘合剂层为粘贴面粘贴于上述半导体晶片的表面；以及

26、磨削及单片化工序：在利用支撑装置将粘贴于上述半导体晶片的半导体加工用粘合片的上述表面涂层侧固定的状态下对上述半导体晶片的背面进行磨削，将其以上述槽或改性区域为起点而单片化为多个半导体芯片。

27、发明的效果

28、根据本发明，可以提供磨削屑的附着量减少了的半导体加工用粘合片、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法。

1.一种半导体加工用粘合片，其依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，

2.根据权利要求1所述的半导体加工用粘合片，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体加工用粘合片，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体加工用粘合片，其中，

5.根据权利要求2所述的半导体加工用粘合片，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体加工用粘合片，其用于半导体晶片的背面磨削。

10.一种半导体装置的制造方法，其包括：

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其包括下述工序：