本发明涉及显示装置及其制造方法。
背景技术:
1、近年来,作为代替液晶显示装置的显示装置,使用有机电致发光(electroluminescence,以下也称为“el”)元件的自发光型的有机el显示装置受到关注。该有机el显示装置例如具备tft层,该tft层在构成显示区域的各子像素中设置有用于驱动有机el元件的薄膜晶体管(thin film transistor,以下也称为“tft”)。
2、例如,在专利文献1中,作为用于评价tft的特性的评价用元件(test elementgroup,以下也称为“teg”),公开了一种半导体装置,其设置有杂质区域的一部分具有未被金属硅化物化的si区域的半导体元件。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1:日本特开2007-13125号公报
技术实现思路
1、本发明所要解决的技术问题
2、然而,在通过电流控制进行灰度显示的有机el显示装置中,与通过电压控制进行灰度显示的液晶显示装置不同,期望电流-电压特性(id-vg曲线)的波形的倾斜平缓、即s值(亚阈值系数)大的tft。但是,若tft的s值变大,则s值的偏差也变大,因此,即使在显示区域的周围的边框区域设置teg,例如,通过测量teg的电阻值,进行工序检查,从而管理设置在显示区域的tft的特性,由于teg的电阻值的再现性差,因此,难以通过工序检查来管理tft的特性。
3、本发明是鉴于这一点而完成的,其目的在于通过工序检查可靠地管理薄膜晶体管的特性。
4、用于解决技术问题的技术方案
5、为了达成上述目的,本发明的显示装置具备:基底基板;薄膜晶体管层,其设置在所述底基板之上,依次层叠有半导体层、栅极绝缘膜、第一配线层、层间绝缘膜及第二配线层;以及发光元件层,其设置在所述薄膜晶体管层之上,与构成显示区域的多个子像素对应地排列有多个发光元件,在所述显示区域的周围设置有边框区域,在所述边框区域设置有检查部,所述检查部具备以彼此相邻的方式设置的第一检查部及第二检查部,所述第一检查部具备:第一检查半导体层,其与所述半导体层由相同的材料形成在同一层;所述栅极绝缘膜及所述层间绝缘膜,以覆盖所述第一检查半导体层的方式设置;以及第一检查第一端子、第一检查第二端子、第一检查第三端子及第一检查第四端子,设置在所述层间绝缘膜上,并经由形成在所述栅极绝缘膜及所述层间绝缘膜的层叠膜的各接触孔与所述第一检查半导体层电连接,所述第二检查部具备:第二检查半导体层,其与所述半导体层由相同的材料形成在同一层;所述栅极绝缘膜和所述层间绝缘膜,以覆盖所述第二检查半导体层的方式设置;以及第二检查第一端子、第二检查第二端子、第二检查第三端子和第二检查第四端子,设置在所述层间绝缘膜上,并经由形成在所述栅极绝缘膜和所述层间绝缘膜的层叠膜的各接触孔与所述第二检查半导体层电连接,在所述第二检查部的所述栅极绝缘膜及所述层间绝缘膜的层叠膜上,在所述第二检查第一端子、所述第二检查第二端子、所述第二检查第三端子及所述第二检查第四端子的至少一个之间设置有向上方开口的开口部。
6、有益效果
7、根据本发明,能够通过工序检查可靠地管理薄膜晶体管的特性。
1.一种显示装置,其特征在于,其具备:
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
3.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,
4.根据权利要求1~3中任一项所述的显示装置,其特征在于,
5.根据权利要求1~4中任一项所述的显示装置,其特征在于,
6.根据权利要求1~5中任一项所述的显示装置,其特征在于,
7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,
8.根据权利要求1~5中任一项所述的显示装置,其特征在于,
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,
10.根据权利要求1~9中任一项所述的显示装置,其特征在于,
11.一种显示装置的制造方法,其是制造权利要求1~10中任一项所述的显示装置的方法,其特征在于,所述显示装置的制造方法包括:
12.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
13.根据权利要求11或12所述的显示装置的制造方法,其特征在于,