半导体装置的制作方法

本发明涉及半导体装置。

背景技术：

1、反向导通型绝缘栅双极晶体管(rc-igbt)被广泛用于逆变器等电力转换装置。近年来，以逆变器的小型化及成本降低为目的搭载的rc-igbt的元件尺寸正在变小。如果为了减小通电损耗及通断损耗而使igbt区域的面积比率变大，则二极管区域相对地变小。如此，在续流时超过二极管的峰值浪涌正向电流，有时产生破坏。因此，提出了设置对二极管的通电电流进行监视的感测二极管区域，对施加了导致破坏的电流这一情况进行检测的技术(例如，参照专利文献1)。

2、专利文献1：日本特开2009-135414号公报

技术实现思路

1、但是，在以往的半导体装置中，存在感测二极管区域的电流检测精度低的问题。

2、本发明就是为了解决上述这样的课题而提出的，其目的在于，得到能够提高感测二极管区域的电流检测精度的半导体装置。

3、本发明涉及的半导体装置的特征在于，具有：半导体基板，其具有漂移层；igbt区域及二极管区域，它们设置于所述半导体基板，在所述半导体基板的表面具有发射极电极；感测igbt区域，其设置于所述半导体基板，与所述igbt区域相比面积小，在所述半导体基板的所述表面具有与所述发射极电极分离的感测发射极电极；以及感测二极管区域，其设置于所述半导体基板，与所述二极管区域相比面积小，在所述半导体基板的所述表面具有与所述发射极电极分离的感测阳极电极，所述感测二极管区域以大于或等于所述漂移层的厚度的量与所述igbt区域分离。

4、发明的效果

5、在本发明中，使感测二极管区域以大于或等于漂移层的厚度的量与igbt区域及感测igbt区域分离。由此，能够在续流动作时抑制续流电流流过igbt区域及感测igbt区域，能够提高感测二极管区域的电流检测精度。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

技术总结
半导体基板(1)具有漂移层(8)。IGBT区域(2)及二极管区域(3)设置于半导体基板(1)，在半导体基板(1)的表面具有发射极电极(16)。感测IGBT区域(4)设置于半导体基板(1)，与IGBT区域(2)相比面积小，在半导体基板(1)的表面具有与发射极电极(16)分离的感测发射极电极(20)。感测二极管区域(5)设置于半导体基板(1)，与二极管区域(3)相比面积小，在半导体基板(1)的表面具有与发射极电极(16)分离的感测阳极电极(21)。感测二极管区域(5)以大于或等于漂移层(8)的厚度的量与IGBT区域(2)分离。

技术研发人员：大佐贺毅,阿多保夫,秦佑贵
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15