显示设备的制作方法

显示设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年2月10日提交的第10-2021-0019362号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请如同在本文中完全阐述一样通过引用并入本文中用于所有目的。
技术领域
3.本发明的实施方式总体涉及显示设备。


背景技术：

4.显示设备通过接收关于图像的信息来显示图像。当显示设备包括具有相对大面积的显示区域时，显示质量可能由于布置在显示区域中的电极和/或穿过显示区域的一条或多条布线的电阻而劣化。
5.在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解本发明构思的背景技术，并且因此，它可以包括不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

6.根据本发明的说明性实施方式构造的设备能够通过使用绝缘图案来限制显示设备的辅助线(即，辅助电极)和发光元件的电极(即，阴极接触部分或阳极接触部分)之间的接触区域的尺寸的偏差，从而提供能够显示不具有劣化的电学特性的高质量图像的显示设备。因此，最小化或消除否则可能由激光在设置在辅助线和电极之间的中间层内产生开口而引起的接触区域的尺寸的偏差。
7.一个或多个实施方式提供了高质量显示设备。该目的仅为示例，并且本公开的范围不由此受限。
8.本发明构思的其它特征将在随后的描述中阐述，并且将部分地从描述中变得显而易见，或者可以通过对本发明构思的实践来获知。
9.根据实施方式，显示设备包括：发光二极管，包括第一电极、设置在第一电极上的第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的中间层；辅助电极，与发光二极管的第一电极间隔开；堤部层，覆盖第一电极的边缘和辅助电极的边缘，并且暴露第一电极的一部分和辅助电极的一部分；以及绝缘图案层，布置在辅助电极上，并且包括与辅助电极重叠的第一开口，其中，第二电极通过绝缘图案层的第一开口接触辅助电极。
10.绝缘图案层可以包括无机绝缘材料。
11.中间层可以布置在第一电极的上表面、辅助电极的上表面和堤部层的上表面上，并且可以包括与第一开口重叠的第二开口，并且中间层的第二开口的宽度可以大于绝缘图案层的第一开口的宽度。
12.在平面图中，第一开口的边缘可以位于第二开口内部。
13.第二电极可以接触中间层的上表面、绝缘图案层的围绕第一开口的边缘的部分的
上表面以及辅助电极的上表面。
14.中间层可以包括发射层和至少一个功能层，并且第二开口可以穿透发射层和至少一个功能层。
15.堤部层可以包括与辅助电极对应的堤部开口，并且堤部开口的宽度可以大于第一开口的宽度。
16.第一电极和辅助电极可以位于相同层上，并且可以包括相同的材料。
17.显示设备还可以包括电连接到辅助电极的公共电压线，并且公共电压线可以电连接到至少一个辅助图案，至少一个辅助图案与公共电压线重叠，并且可以布置在与公共电压线不同的层上。
18.显示设备还可以包括在与公共电压线相交的方向上延伸的辅助线。
19.根据另一实施方式，显示设备包括：公共电压线；辅助电极，电连接到公共电压线；第一电极，与辅助电极电绝缘；堤部层，暴露第一电极的一部分和辅助电极的一部分，并且覆盖第一电极的边缘和辅助电极的边缘；绝缘图案层，布置在辅助电极上，其中，绝缘图案层包括与辅助电极重叠的第一开口，并且包括无机材料；中间层，布置在第一电极、辅助电极和堤部层上，其中，中间层包括与第一开口重叠的第二开口；以及第二电极，布置在中间层上，并且与第一电极和辅助电极对应，其中，第二电极通过第二开口和第一开口接触辅助电极。
20.第一开口的宽度可以小于第二开口的宽度。
21.堤部层可以包括与辅助电极对应的堤部开口，并且堤部开口的宽度可以大于第一开口的宽度和第二开口的宽度中的每个。
22.第二电极可以接触中间层的上表面、绝缘图案层的围绕第一开口的边缘的部分的上表面以及辅助电极的上表面。
23.整个第一开口可以与第二开口重叠。
24.辅助电极和第一电极可以布置在相同层上，并且可以包括相同的材料。
25.公共电压线可以电连接到至少一个辅助图案，至少一个辅助图案与公共电压线重叠，并且可以布置在与公共电压线不同的层上。
26.显示设备还可以包括在与公共电压线相交的方向上延伸的至少一条辅助线。
27.显示设备还可以包括与公共电压线相邻的相邻公共电压线，并且至少一条辅助线可以在与公共电压线相交的方向上延伸，并且可以电连接到公共电压线和相邻公共电压线，并且在平面图中形成网状结构。
28.绝缘图案层的外部边缘可以用堤部层覆盖。
29.应理解，前述总体描述和随后的详细描述两者是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
30.包括附图以提供对本发明的进一步理解，并且附图结合在本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的说明性实施方式，并且与本说明书一起用于解释本发明构思。
31.图1a是示意性地示出根据按照本发明的原理构造的实施方式的显示设备的平面
图。
32.图1b是示意性地示出根据实施方式的显示设备的截面图。
33.图2是示出根据实施方式的设置在发光面板中的发光二极管和连接到发光二极管的像素电路的等效电路图。
34.图3是示出根据实施方式的显示设备的发光面板的一部分的平面图。
35.图4示出了沿着图3中的线a-a'和线b-b'截取的显示设备的截面图。
36.图5是沿着图3中的线c-c'截取的显示设备的截面图。
37.图6是示出根据实施方式的形成显示设备的发光面板的工艺的截面图。
38.图7是示出根据实施方式的形成显示设备的发光面板的工艺的截面图。
39.图8是示出根据实施方式的形成显示设备的发光面板的工艺的截面图。
40.图9是示出图8中的绝缘图案层及其外围区域的平面图。
41.图10是示出根据实施方式的形成显示设备的发光面板的工艺的截面图。
具体实施方式
42.在以下描述中，出于说明的目的，阐述了许多具体细节，以提供对本发明的各种实施方式或实现方式的透彻理解。如本文中所用，“实施方式”和“实现方式”是可互换的词，它们是采用本文中公开的一个或多个发明构思的设备或方法的非限制性示例。然而，显然的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或多个等效布置的情况下实践各种实施方式。在其它情况下，以框图形式示出公知的结构和设备，以避免不必要地模糊各种实施方式。此外，各种实施方式可以是不同的，但不必是排他的。例如，实施方式的特定形状、配置和特性可以在另一实施方式中使用或实施，而不脱离本发明构思。
43.除非另外说明，否则所示实施方式应被理解为提供可以在实践中实施本发明构思的一些方式的不同细节的说明性特征。因此，除非另外说明，否则各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或共同地称作为“元件”)可以在不脱离本发明构思的情况下以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。
44.在附图中通常提供交叉影线和/或阴影的使用来阐明相邻元件之间的边界。如此，除非另外说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当实施方式可以以其它方式实施时，可以与所述顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以大体同时执行，或者以与所述顺序相反的顺序执行。此外，相同的参考标记表示相同的元件。
45.当元件(或层)被称作为在另一元件或层上、连接到或联接到另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接联接到其它元件或层，或者可以存在居间元件或居间层。然而，当元件或层被称作为直接在另一元件或层上、直接连接到或直接联接到另一元件或层时，不存在居间元件或居间层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，x轴、y轴和z轴不限于矩形坐标系的三个轴，并且可以以更宽泛的含义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直(即，大体彼此垂直)的不同方向。出于本公开的目的，“a、b和c中的至少一个”和“选
自由a、b和c组成的组中的至少一个”可以被解释为仅a、仅b、仅c、或者a、b和c中的两个或更多的任何组合(诸如以abc、abb、bc和cc为例)。如本文中所用，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和全部组合。
46.尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受到这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，以下讨论的第一元件可以被称作为第二元件。
47.诸如“以下”、“下方”、“之下”、“下部”、“之上”、“上部”、“上方”、“更高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语在本文中可以用于描述目的，并且因此用于描述附图中示出的一个元件与其它(多个)元件的关系。除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在包括装置在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征下方或以下的元件或特征将随之被定向在其它元件或特征上方。因此，术语“下方”可以包括上方和下方的定向两者。此外，装置可以以其它方式定向(例如，旋转90度或处于其它定向)，并且如此，相应地解释本文中使用的空间相对描述语。
48.本文中使用的术语出于描述特定实施方式的目的，而非旨在进行限制。如本文中所用，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式。此外，当在本说明书中使用时，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”指定所述特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。还应注意，如本文中所用，术语“大体”、“约”和其它类似的术语用作近似的术语，而不用作程度的术语，并且如此，用于解释将由本领域中的普通技术人员认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
49.本文中参考作为理想化实施方式和/或中间结构的示意性图示的截面图和/或分解图来描述各种实施方式。如此，将预期由于例如制造技术和/或公差而导致的与图示的形状的偏差。因此，本文中公开的实施方式不应必然地解释为限于区域的特定示出形状，而是包括由于例如制造而导致的形状的偏差。以这种方式，附图中示出的区域在本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映设备的区域的实际形状，并且如此，不必要旨在进行限制。
50.图1a是示意性地示出根据实施方式的显示设备dv的平面图，并且图1b是示意性地示出根据实施方式的显示设备dv的截面图。
51.参考图1a，显示设备dv可以包括其中布置有多个像素的显示区域da以及显示区域da外部的外围区域pa。外围区域pa是其中不布置像素的非显示区域，并且可以完全围绕显示区域da。
52.如图1a和图1b中所示，显示设备dv可以包括叠置的发光面板1和过滤器面板2。发光面板1可以包括多个发光二极管led，并且发光二极管led中的每个电连接到电路pc(在下文中称作为像素电路pc)。发光二极管led和像素电路pc可以布置在显示区域da中。
53.在显示区域da中，可以通过使用来自发光二极管led的光提供图像。在实施方式中，当穿过过滤器面板2时，从发光二极管led发射的蓝色光lb可以改变为红色光lr和绿色光lg，或者可以穿过过滤器面板2而不改变颜色。显示设备dv可以通过使用红色光lr、绿色光lg和蓝色光lb来提供图像。
54.图2是示出根据本公开的实施方式的包括在显示设备的发光面板中的发光二极管led和电连接到发光二极管led的像素电路pc的等效电路图。
55.参考图2，发光二极管led可以电连接到包括多个晶体管和电容器的像素电路pc。
56.像素电路pc可以包括第一晶体管m1、第二晶体管m2、第三晶体管m3和存储电容器cst。
57.第一晶体管m1、第二晶体管m2和第三晶体管m3中的每个可以是包括由氧化物半导体形成的半导体层的氧化物半导体薄膜晶体管，或者可以是包括由多晶硅形成的半导体层的硅半导体薄膜晶体管。根据晶体管的类型，第一电极可以是源电极和漏电极中的一个，而第二电极可以是源电极和漏电极中的另一个。
58.第一晶体管m1可以是驱动晶体管。第一晶体管m1的第一电极可以电连接到配置成施加驱动电源电压elvdd的驱动电压线vdl，并且第一晶体管m1的第二电极可以电连接到发光二极管led的第一电极(例如，阳极)。发光二极管led的第二电极(例如，阴极)可以电连接到公共电压线vsl。
59.第一晶体管m1的栅电极可以电连接到第一节点n1。第一晶体管m1可以根据第一节点n1的电压控制从驱动电压线vdl流入发光二极管led中的电流量。
60.第二晶体管m2可以是开关晶体管。第二晶体管m2的第一电极可以连接到数据线dl，并且第二晶体管m2的第二电极可以连接到第一节点n1。第二晶体管m2的栅电极可以电连接到扫描线sl。当扫描信号传输到扫描线sl时，第二晶体管m2可以导通以将数据线dl电连接到第一节点n1。
61.第三晶体管m3可以是初始化晶体管和/或感测晶体管。第三晶体管m3的第一电极可以电连接到第二节点n2，并且第三晶体管m3的第二电极可以电连接到初始化感测线isl。第三晶体管m3的栅电极可以电连接到控制线cl。
62.当经由控制线cl接收控制信号时，第三晶体管m3可以导通以将初始化感测线isl电连接到第二节点n2。在一些实施方式中，可以根据经由控制线cl接收的信号导通第三晶体管m3，以通过使用来自初始化感测线isl的初始化电压来初始化发光二极管led的第一电极。在一些实施方式中，当经由控制线cl接收控制信号时，第三晶体管m3可以导通以感测发光二极管led的特性信息。第三晶体管m3可以具有上述初始化晶体管的功能和感测晶体管的功能两者，或者可以具有其中之一。在一些实施方式中，当第三晶体管m3具有初始化晶体管的功能时，初始化感测线isl可以被称作为初始化电压线，而当第三晶体管m3具有感测晶体管的功能时，初始化感测线isl可以被称作为感测线。第三晶体管m3的初始化操作和感测操作可以单独执行或同时执行。换言之，第三晶体管m3可以是初始化晶体管和/或感测晶体管。
63.存储电容器cst可以电连接在第一节点n1和第二节点n2之间。例如，存储电容器cst的第一电极可以电连接到第一晶体管m1的栅电极，而存储电容器cst的第二电极可以电连接到发光二极管led的第一电极。
64.在图2中，像素电路pc包括三个晶体管和一个存储电容器，但是在另一实施方式中，晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路pc的设计而进行各种修改。
65.发光二极管led可以包括具有有机材料的有机发光二极管。在另一实施方式中，发光二极管led可以包括具有无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括具有基
于无机半导体的材料的p-n二极管。当电压施加到p-n结时，空穴和电子被注入，并且由空穴和电子的复合产生的能量可以转化为光能，从而发射有颜色的光。上述无机发光二极管可以具有几微米至几百微米或几纳米至几百纳米的宽度。
66.图3是示出根据实施方式的显示设备dv的发光面板的一部分的平面图。
67.参考图3，发光面板在显示区域da中包括公共电压线vsl，并且公共电压线vsl中的每条可以在y方向上延伸。公共电压线vsl彼此间隔开，但是发光二极管(例如，有机发光二极管)可以布置在两条相邻的公共电压线vsl之间。在实施方式中，图3示出了第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3布置在两条相邻的公共电压线vsl之间。
68.在与公共电压线vsl相交的方向(例如，x方向)上延伸的辅助线可以布置在显示区域da中。在实施方式中，图3示出了第一辅助线al1和第二辅助线al2在x方向上延伸，其中，第一辅助线al1和第二辅助线al2可以彼此间隔开，并且第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3位于第一辅助线al1和第二辅助线al2之间。
69.公共电压线vsl可以电连接到第一辅助线al1和第二辅助线al2中的至少任何一条。如图3中所示，在实施方式中，公共电压线vsl可以电连接到第一辅助线al1。图3示出了显示区域da的一部分的结构，并且显示区域da可以视为图3的结构的重复布置。例如，在显示区域da中，多条公共电压线vsl和多条第一辅助线al1彼此电连接同时彼此相交，并且在平面图中，公共电压线vsl和第一辅助线al1可以形成网状结构。当显示区域da具有相对大的面积时，可能引起通过公共电压线vsl提供的公共电压的电压下降，但是公共电压线vsl和第一辅助线al1可以形成网状结构，从而防止或最小化上述电压下降。在图3中，公共电压线vsl电连接到第一辅助线al1，但是在另一实施方式中，公共电压线vsl可以连接到第二辅助线al2或者可以连接到第一辅助线al1和第二辅助线al2中的每条。
70.公共电压线vsl可以电连接到与公共电压线vsl重叠的辅助图案。在实施方式中，图3示出第一辅助图案vsc1和第二辅助图案vsc2布置在公共电压线vsl下方。第一辅助图案vsc1可以通过第二接触孔ct2电连接到公共电压线vsl，并且第二辅助图案vsc2可以通过第三接触孔ct3电连接到公共电压线vsl。第一辅助图案vsc1和第二辅助图案vsc2在y方向上延伸以与公共电压线vsl的一部分重叠，并且可以位于第一辅助线al1和第二辅助线al2之间。第一辅助图案vsc1和第二辅助图案vsc2通过第二接触孔ct2和第三接触孔ct3电连接到公共电压线vsl，从而减小公共电压线vsl本身的电阻。
71.辅助电极180可以布置成与公共电压线vsl的至少一部分重叠。辅助电极180可以通过第一接触孔ct1电连接到公共电压线vsl，并且发光二极管(例如，第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3)的第二电极可以通过布置在辅助电极180上的绝缘图案层190的第一开口190op和中间层160(参见图6)的第二开口160op电连接到辅助电极180。
72.图4示出了沿着图3中的线a-a'和线b-b'截取的显示设备的截面图。
73.参考图4的沿着线a-a'截取的截面，发光二极管(例如，第二有机发光二极管oled2)可以设置在基板100上方，并且像素电路pc可以布置在基板100和第二有机发光二极管oled2之间。关于此，图4示出了包括在像素电路pc中的第一晶体管m1和存储电容器cst。
在图4中，示出了第二有机发光二极管oled2和与其连接的像素电路pc，但是第一有机发光二极管oled1和第三有机发光二极管oled3的结构可以与第二有机发光二极管oled2的结构相同，并且连接到第一有机发光二极管oled1和第三有机发光二极管oled3中的每个的像素电路pc可以与图4中示出的像素电路pc相同。
74.基板100可以包括诸如玻璃材料、金属材料、有机材料等的材料。例如，基板100可以包括具有二氧化硅(sio2)作为主要成分的玻璃材料，或者可以包括诸如聚合物树脂的柔性或可弯曲的各种材料。
75.第一晶体管m1可以包括半导体层a1和栅电极g1。半导体层a1可以包括基于氧化物的材料或基于硅的材料(例如，非晶硅和多晶硅)。例如，半导体层a1可以包括选自由铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)和锌(zn)组成的组中的至少一种材料的氧化物。
76.半导体层a1可以包括沟道区域c1、第一低电阻区域b1和第二低电阻区域d1，其中，第一低电阻区域b1和第二低电阻区域d1布置在沟道区域c1的相对侧处。第一低电阻区域b1和第二低电阻区域d1是具有比沟道区域c1低的电阻的区域，其中，第一低电阻区域b1和第二低电阻区域d1中的一个可以对应于源区，而另一个可以对应于漏区。
77.半导体层a1可以设置在形成在基板100上的第一绝缘层il1上方。第一绝缘层il1可以防止杂质渗透到半导体层a1中。第一绝缘层il1可以包括诸如氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料。
78.第二绝缘层il2可以位于半导体层a1和栅电极g1之间。第二绝缘层il2可以是栅极绝缘层的类型，并且可以包括诸如氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料。
79.栅电极g1可以与半导体层a1的沟道区域c1重叠。栅电极g1可以包括钼(mo)、铜(cu)、钛(ti)等，并且可以包括具有上述材料的单层结构或多层结构。
80.半导体层a1的第一低电阻区域b1和第二低电阻区域d1中的任何一个可以电连接到驱动电压线vdl。驱动电压线vdl可以布置在覆盖栅电极g1的第三绝缘层il3上，并且图4示出了驱动电压线vdl通过穿透第三绝缘层il3和第二绝缘层il2的接触孔连接到第二低电阻区域d1。在另一实施方式中，第二绝缘层il2和栅电极g1可以在大体相同的掩模工艺中一起图案化，并且因此，第二绝缘层il2可以不延伸到第一低电阻区域b1和第二低电阻区域d1的上表面上。在这种情况下，驱动电压线vdl可以通过穿透第三绝缘层il3的接触孔连接到第二低电阻区域d1。
81.驱动电压线vdl可以包括诸如mo、cu、ti等的金属材料。在另一实施方式中，驱动电压线vdl可以包括上述金属材料层的多层结构和设置在金属材料层上的诸如铟锡氧化物(ito)层的透明导电氧化物层。
82.存储电容器cst包括第一电容器电极ce1和与第一电容器电极ce1重叠的第二电容器电极ce2，并且至少一个绝缘层位于第一电容器电极ce1和第二电容器电极ce2之间。第一电容器电极ce1和栅电极g1可以形成在相同层上，并且可以包括相同的材料。第一电容器电极ce1可以包括mo、cu、ti等，并且可以包括具有上述材料的单层结构或多层结构。
83.在实施方式中，第二电容器电极ce2可以包括布置在第一电容器电极ce1下方和上方的两个子电容器电极ce2b和ce2t，并且第一电容器电极ce1位于子电容器电极ce2b和ce2t之间。子电容器电极ce2b和ce2t中的任何一个子电容器电极(在下文中称作为第一子
电容器电极ce2b)可以布置在基板100和第一绝缘层il1之间，并且另一子电容器电极(在下文中称作为第二子电容器电极ce2t)可以布置在第三绝缘层il3上。
84.第一子电容器电极ce2b和第二子电容器电极ce2t包括mo、cu、ti等，并且可以包括具有上述材料的单层或多层。在实施方式中，第二子电容器电极ce2t和驱动电压线vdl可以布置在相同层上，并且可以包括相同的材料。
85.第二子电容器电极ce2t可以通过穿透第一绝缘层il1、第二绝缘层il2和第三绝缘层il3的接触孔连接到第一子电容器电极ce2b。第一子电容器电极ce2b和第一电容器电极ce1之间可以形成电容，第一子电容器电极ce2b和第一电容器电极ce1彼此重叠且第一绝缘层il1和第二绝缘层il2位于第一子电容器电极ce2b和第一电容器电极ce1之间，并且第一电容器电极ce1和第二子电容器电极ce2t之间可以形成电容，第一电容器电极ce1和第二子电容器电极ce2t彼此重叠且第三绝缘层il3位于第一电容器电极ce1和第二子电容器电极ce2t之间。如上所述，第二电容器电极ce2包括多个子电容器，从而提高存储在存储电容器cst中的电容量。
86.在图4中，第一绝缘层il1和第二绝缘层il2位于第一子电容器电极ce2b和第一电容器电极ce1之间，但是在另一实施方式中，第二绝缘层il2和第一电容器电极ce1可以在用于形成第一电容器电极ce1的掩模工艺中一起图案化。在这种情况下，第一绝缘层il1可以位于第一子电容器电极ce2b和第一电容器电极ce1之间，并且第二子电容器电极ce2t可以通过穿透第一绝缘层il1和第三绝缘层il3的接触孔连接到第一子电容器电极ce2b。
87.第四绝缘层il4可以布置在上述包括第一晶体管m1和存储电容器cst的像素电路pc上。第四绝缘层il4可以包括诸如亚克力、苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(hmdso)等的有机绝缘层。
88.发光二极管的第一电极150可以形成在第四绝缘层il4上，并且图4示出了第二有机发光二极管oled2的第一电极150。
89.第一电极150可以包括诸如ito、铟锌氧化物(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、铟镓氧化物(igo)和/或铝锌氧化物(azo)的透明导电氧化物。在另一实施方式中，第一电极150可以包括具有银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、cr或其任何化合物的反射膜。在另一实施方式中，第一电极150还可以在上述反射膜下方或上方包括由ito、izo、zno或in2o3形成的膜。例如，第一电极150可以具有其中叠置有ito层、ag层和另一ito层的三层结构。
90.堤部层bnl覆盖第一电极150的边缘，并且可以包括与第一电极150的中央部分重叠的第一堤部开口b-op1。堤部层bnl可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。
91.中间层160可以通过堤部层bnl的第一堤部开口b-op1接触第一电极150，并且第一电极150、中间层160和第二电极170可以通过第一堤部开口b-op1彼此电连接，从而发射有颜色的光。堤部层bnl的第一堤部开口b-op1可以与用于发射光的发光区域对应。例如，堤部层bnl的第一堤部开口b-op1的尺寸(或宽度)可以与发光区域的尺寸(或宽度)对应。
92.中间层160可以包括发射层162。发射层162可以包括发射有颜色的光的聚合物或低分子量有机材料。例如，如参考图1b所述，当发光面板1发射蓝色光时，发射层162可以包括发射蓝色光的聚合物或低分子量有机材料。
93.中间层160还可以包括至少一个功能层。如图4中所示，在实施方式中，中间层160
还可以包括在发射层162下方的第一功能层161和在发射层162上方的第二功能层163。第一功能层161可以位于第一电极150和发射层162之间，而第二功能层163可以位于发射层162和稍后将描述的第二电极170之间。
94.第一功能层161可以包括空穴传输层(htl)和/或空穴注入层(hil)。第二功能层163可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。
95.第二电极170可以包括具有低功函数的导电材料。例如，第二电极170可以包括具有ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca或其任何合金的(半)透明层。在一些实施方式中，第二电极170还可以在包括上述材料的(半)透明层上方包括诸如ito层、izo层、zno层或in2o3层的层。
96.参考图4中的沿着线b-b'截取的截面，第一辅助线al1可以布置在基板100上。同样地，参考图3描述的第二辅助线al2也可以布置在基板100上。
97.公共电压线vsl和驱动电压线vdl可以形成在相同层上，并且可以包括相同的材料。例如，公共电压线vsl可以形成在第三绝缘层il3上。如以上参考图3所述，公共电压线vsl可以电连接到第一辅助线al1和第二辅助线al2中的至少任何一条，并且关于此，图4示出了公共电压线vsl通过穿透第一绝缘层il1、第二绝缘层il2和第三绝缘层il3的第四接触孔ct4电连接到第一辅助线al1。在另一实施方式中，当第二绝缘层il2在相同的掩模工艺中图案化以具有与栅电极g1和第一电容器电极ce1相同的图案时，第四接触孔ct4可以穿透第一绝缘层il1和第三绝缘层il3，并且公共电压线vsl可以通过穿透第一绝缘层il1和第三绝缘层il3的第四接触孔ct4电连接到第一辅助线al1。
98.参考图3和图4，辅助电极180可以与公共电压线vsl重叠，并且第四绝缘层il4位于辅助电极180和公共电压线vsl之间。辅助电极180和发光二极管的第一电极150可以形成在相同层(例如，第四绝缘层il4)上，并且可以包括相同的材料。
99.绝缘图案层190可以布置在辅助电极180上。例如，绝缘图案层190可以与辅助电极180的上表面直接接触。绝缘图案层190可以包括无机材料，例如，诸如氮化硅、氧化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料。绝缘图案层190的厚度可以是约0.3μm至约3μm。绝缘图案层190可以包括第一开口190op。
100.辅助电极180的边缘可以用堤部层bnl覆盖。绝缘图案层190的边缘也可以用堤部层bnl覆盖。堤部层bnl可以包括与辅助电极180和绝缘图案层190重叠的第二堤部开口b-op2。第二堤部开口b-op2可以与绝缘图案层190的第一开口190op重叠，并且第二堤部开口b-op2的宽度w3可以大于绝缘图案层190的第一开口190op的宽度w1。
101.中间层160可以延伸到绝缘图案层190上。中间层160可以布置在第一电极150的上表面、堤部层bnl的上表面和绝缘图案层190的上表面上方，并且可以与它们中的每个直接接触。中间层160可以包括与绝缘图案层190的第一开口190op重叠的第二开口160op，并且第二电极170可以通过第一开口190op和第二开口160op接触辅助电极180。如以上参考图3所述，由于辅助电极180可以电连接到公共电压线vsl，因此第二电极170可以通过辅助电极180电连接到公共电压线vsl。
102.第二开口160op的宽度w2可以大于第一开口190op的宽度w1。换言之，第一开口190op的宽度w1可以小于第二开口160op的宽度w2。例如，第一开口190op的宽度w1可以是约5μm至约18μm、或约5μm至约15μm、或约5μm至约10μm。
103.中间层160的第二开口160op可以通过将激光束照射到中间层160并去除中间层160的一部分来形成。多个第二开口160op形成在显示区域da中，并且由于工艺误差，即使在使用相同的激光束形成第二开口160op中的每个时，也难以将第二开口160op的宽度形成为全部相等。
104.然而，根据实施方式，具有尺寸小于激光束的光束尺寸的第一开口190op的绝缘图案层190位于第二电极170和辅助电极180之间，并且因此，第二电极170和辅助电极180之间的接触面积可以由绝缘图案层190的第一开口190op限定。因此，即使当出现由激光束形成的第二开口160op的宽度的偏差时，第二开口160op的宽度偏差也不影响第二电极170和辅助电极180之间的接触面积。
105.在比较例中，当绝缘图案层190不存在时，第二电极170和辅助电极180之间的接触面积可以由中间层160的第二开口160op限定。由激光束形成的第二开口160op的宽度的偏差越大，发光二极管的第二电极170和辅助电极180之间的接触面积的偏差越大，并且因此，存在显示设备的显示质量劣化的问题。然而，根据本文中所述的实施方式，具有第一开口190op的绝缘图案层190设置在第二电极170和辅助电极180之间，从而防止或最小化上述问题。
106.在显示区域da中，发光二极管的第二电极170和辅助电极180之间的接触区域可以彼此间隔开，并且以预定规则布置。这里，发光二极管的第二电极170和辅助电极180之间的接触区域的面积与绝缘图案层190的第一开口190op的面积对应。由于布置在每个接触区域中的绝缘图案层190的第一开口190op具有相对恒定的尺寸，因此发光二极管的第二电极170和辅助电极180之间的接触区域的面积可以大体彼此相同。因此，如上所述，可以防止或最小化由于发光二极管的第二电极170和辅助电极180之间的接触面积的偏差而导致的上述显示质量的劣化的问题。
107.图5是沿着图3中的线c-c'截取的显示设备的截面图。
108.参考图5，辅助电极180可以布置在公共电压线vsl上，并且第四绝缘层il4位于辅助电极180和公共电压线vsl之间。如以上参考图4中的沿着线b-b'截取的截面所述，具有第一开口190op的绝缘图案层190布置在辅助电极180上，并且第二电极170和辅助电极180之间的接触面积由第一开口190op限定。
109.公共电压线vsl可以通过第四接触孔ct4电连接到第一辅助线al1。公共电压线vsl可以布置成与第一辅助线al1重叠，并且可以电连接到布置在与公共电压线vsl不同的层上的至少一个辅助图案。关于此，图5示出了第一辅助图案vsc1和第二辅助图案vsc2。
110.第一辅助图案vsc1可以布置在第三绝缘层il3下方。第一辅助图案vsc1可以通过第三绝缘层il3的第二接触孔ct2电连接到公共电压线vsl。例如，公共电压线vsl可以通过第三绝缘层il3的第二接触孔ct2与第一辅助图案vsc1接触。
111.第一辅助图案vsc1可以布置在与栅电极g1和/或第一电容器电极ce1的层相同的层上，并且可以包括与栅电极g1和/或第一电容器电极ce1的材料相同的材料。例如，第一辅助图案vsc1可以布置在第二绝缘层il2上，可以包括mo、cu、ti等，并且可以包括具有上述材料的单层结构或多层结构。
112.第二辅助图案vsc2可以通过形成在位于第二辅助图案vsc2和公共电压线vsl之间的第一绝缘层il1、第二绝缘层il2和第三绝缘层il3中的第三接触孔ct3电连接到公共电压
线vsl。例如，公共电压线vsl可以通过穿透第一绝缘层il1、第二绝缘层il2和第三绝缘层il3的第三接触孔ct3接触第二辅助图案vsc2。
113.第二辅助图案vsc2和第一辅助线al1可以布置在相同层上，并且可以包括相同的材料。在一些实施方式中，以上第二辅助图案vsc2可以和参考图4描述的第一子电容器电极ce2b布置在相同层上，并且可以包括相同的材料。第二辅助图案vsc2可以布置在基板100上，可以包括mo、cu、ti等，并且可以包括具有上述材料的单层结构或多层结构。
114.图6、图7、图8和图10是示意性地示出根据实施方式的形成显示设备的发光面板的工艺的截面图，并且图9是绝缘图案层及其外围区域的平面图。
115.参考图6，在基板100上形成发光二极管的第一电极150和辅助电极180。第一电极150和辅助电极180彼此电绝缘，并且可以彼此间隔开。在形成第一电极150和辅助电极180之前，可以在基板100上形成各种层。关于此，图6示出了像素电路pc和电连接到辅助电极180的公共电压线vsl。
116.如图6中所示，可以在基板100上形成第一辅助线al1和第一子电容器电极ce2b。第一辅助线al1和第一子电容器电极ce2b可以在相同的工艺中形成，并且可以包括相同的材料。如上所述，第一辅助线al1和第一子电容器电极ce2b可以包括mo、cu和/或ti。以上参考图3和图5描述的第二辅助线al2和第二辅助图案vsc2可以在与第一辅助线al1和第一子电容器电极ce2b的工艺相同的工艺中形成。第二辅助线al2和第二辅助图案vsc2中的每个可以包括与第一辅助线al1和第一子电容器电极ce2b中的每个的材料相同的材料。
117.第一绝缘层il1可以防止杂质渗透到半导体层a1中，并且可以包括诸如氮化硅、氧化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料。
118.可以在第一绝缘层il1上方设置半导体层a1，可以在半导体层a1上方设置第二绝缘层il2，并且可以在第二绝缘层il2上方设置栅电极g1和第一电容器电极ce1。以上参考图5描述的第一辅助图案vsc1、栅电极g1和第一电容器电极ce1可以在相同的工艺中形成，并且可以包括相同的材料。第一辅助图案vsc1、栅电极g1和第一电容器电极ce1可以包括mo、cu和/或ti。
119.在图6中，第二绝缘层il2形成为覆盖基板100的大部分，但是在另一实施方式中，第二绝缘层il2可以通过使用与直接设置在第二绝缘层il2上方的层(例如，第一辅助图案vsc1、栅电极g1和第一电容器电极ce1)的掩模相同的掩模来图案化。在这种情况下，可以去除第二绝缘层il2的一部分，例如，第二绝缘层il2的除了与第一辅助图案vsc1、栅电极g1和第一电容器电极ce1重叠的部分之外的部分。
120.此后，可以形成第三绝缘层il3，并且可以形成包括第四接触孔ct4的接触孔。此外，可以在第三绝缘层il3上形成驱动电压线vdl、第二子电容器电极ce2t和公共电压线vsl。第三绝缘层il3可以包括无机绝缘材料。驱动电压线vdl、第二子电容器电极ce2t和公共电压线vsl可以在相同的掩模工艺中形成，并且可以包括相同的材料。驱动电压线vdl、第二子电容器电极ce2t和公共电压线vsl可以包括mo、cu和/或ti。
121.此后，形成第四绝缘层il4。第四绝缘层il4可以包括有机绝缘材料，并且可以在第四绝缘层il4上形成第一电极150和辅助电极180。
122.第一电极150和辅助电极180可以在相同的工艺中形成，并且可以包括相同的材料。第一电极150和辅助电极180可以包括ito层、ag层和另一ito层的三层结构。
123.然后，可以在辅助电极180上形成绝缘图案层190。绝缘图案层190可以包括诸如氮化硅、氧化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料。绝缘图案层190可以具有约0.3μm至约3μm的厚度。可以蚀刻绝缘图案层190以具有与辅助电极180重叠的第一开口190op。辅助电极180的一部分可以通过第一开口190op暴露。在图6中，绝缘图案层190的宽度小于辅助电极180的宽度，但是在另一实施方式中，绝缘图案层190可以延伸到第四绝缘层il4上以覆盖辅助电极180的边缘，并且绝缘图案层190的边缘部分可以与第四绝缘层il4直接接触。
124.然后，形成堤部层bnl，使得第一电极150的一部分和第一开口190op暴露。堤部层bnl可以覆盖第一电极150的边缘和辅助电极180的边缘。堤部层bnl可以覆盖绝缘图案层190的边缘，例如，限定辅助电极180的平面形状的外部边缘。堤部层bnl可以包括第一堤部开口b-op1和第二堤部开口b-op2。
125.第一电极150的一部分可以通过第一堤部开口b-op1暴露。第一堤部开口b-op1的宽度形成为小于第一电极150的宽度，并且因此，第一电极150的边缘可以用堤部层bnl覆盖。
126.堤部层bnl的第二堤部开口b-op2可以形成为尺寸大于第一开口190op。因此，绝缘图案层190的第一开口190op和绝缘图案层190的围绕第一开口190op的部分的上表面可以通过堤部层bnl的第二堤部开口b-op2暴露。第二堤部开口b-op2的宽度w3(参见图8)可以大于第一开口190op的宽度w1(参见图8)，并且可以大于激光束的尺寸。第二堤部开口b-op2的宽度w3可以大于稍后将描述的中间层160的第二开口160op的宽度w2。
127.然后，如图7中所示，形成中间层160。例如，可以通过使用化学气相沉积方法形成第一功能层161、发射层162和第二功能层163。第一功能层161、发射层162和第二功能层163可以形成为完全覆盖显示区域da。
128.然后，如图7中所示，可以将激光束照射到中间层160上，从而形成第二开口160op(参见图8)。在实施方式中，可以使用具有约300nm至约400nm的中心波长带的紫外(uv)激光作为激光束。可以通过利用激光束去除包括在中间层160中的子层来形成第二开口160op。例如，通过激光束，可以同时形成第二功能层163的开口、发射层162的开口和第一功能层161的开口。第二功能层163的开口、发射层162的开口和第一功能层161的开口的叠置结构可以形成第二开口160op。换言之，第二开口160op可以具有与第二功能层163、发射层162和第一功能层161的厚度的总和对应的深度。
129.中间层160的第二开口160op的尺寸可以由激光束的尺寸确定。中间层160的第二开口160op可以形成为与设置在中间层160下方的绝缘图案层190的第一开口190op重叠。中间层160的第二开口160op可以形成为尺寸大于绝缘图案层190的第一开口190op，并且图8和图9中示出了第二开口160op的宽度w2大于第一开口190op的宽度w1。
130.中间层160的第二开口160op可以与设置在中间层160下方的绝缘图案层190的第一开口190op重叠，然而，在平面图中，绝缘图案层190的第一开口190op可以形成为位于中间层160的第二开口160op中。换言之，除了中间层160的第二开口160op的一部分之外，绝缘图案层190的第一开口190op可以与中间层160的第二开口160op完全重叠。
131.如图9中所示，在平面图中(或者当从垂直于基板100的方向观察时)，绝缘图案层190的第一开口190op的边缘190e可以布置在第二开口160op中。换言之，在平面图中，第一开口190op的边缘190e可以布置在第二开口160op的边缘160e内部。
132.由于第一开口190op通过蚀刻绝缘图案层190的一部分而形成，并且第二开口160op通过蚀刻中间层160的一部分而形成，因此第一开口190op的边缘190e可以视为限定第一开口190op的绝缘图案层190的边缘190e，并且第二开口160op的边缘160e可以视为限定第二开口160op的中间层160的边缘160e。
133.然后，如图10中所示，形成发光二极管的第二电极170。第二电极170可以形成为完全覆盖显示区域da。
134.第二电极170可以接触中间层160的上表面、绝缘图案层190的围绕边缘190e的部分的上表面以及辅助电极180的上表面。
135.第二电极170的与第一堤部开口b-op1对应的第一部分可以与中间层160的上表面接触。第一电极150、中间层160和第二电极170在第一堤部开口b-op1中彼此重叠的第一部分可以彼此电连接并形成发光二极管。
136.第二电极170的与第二堤部开口b-op2对应的第二部分可以通过中间层160的第二开口160op和绝缘图案层190的第一开口190op连接到辅助电极180。第二电极170可以与中间层160的上表面、绝缘图案层190的一部分的上表面以及辅助电极180的上表面接触。在这种情况下，第二电极170和辅助电极180之间的接触面积可以(大体)与绝缘图案层190的第一开口190op的面积相同。
137.根据本文中的上述实施方式，显示设备能够在电学特性等不发生劣化的情况下显示高质量图像。
138.尽管本文中已经描述了特定的实施方式和实现方式，但是根据该描述，其它实施方式和修改将是显而易见的。因此，本发明构思不限于这些实施方式，而是限于所附权利要求的更宽泛的范围以及对本领域中的普通技术人员将是显而易见的各种明显的修改和等效布置。