转移电子组件的方法与流程

1.本发明涉及一种转移电子组件的方法，尤其涉及一种即使在设备精度及稳定度较差的条件下仍可达到较佳的转移良率的转移电子组件的方法。


背景技术：

2.随着电子组件的微型化，电子组件于不同基板之间的转移所需要设备精度以及稳定度越来越高，当设备精度以及稳定度的要求无法被满足时，两基板之间的未完全对位和/或未完全平行使得转移后的电子组件往往会有位置或角度偏移甚至翻转的情形，而无法正确地落在目标位置，为了避免上述情况发生，现有的解决方法大都是对设备进行改良，以确保设备精度以及稳定度的需求能被满足，但此解决方法不但成本高且效果不彰，因此如何在设备精度及稳定度较差的条件下仍可达到较佳的转移良率便成为业界所关注的课题。


技术实现要素：

3.本发明的目的在于提供一种即使在设备精度及稳定度较差的条件下仍可达到较佳的转移良率的转移电子组件的方法，以解决上述问题。
4.为了达成上述目的，本发明揭露一种转移电子组件的方法，其包括：提供转移基板，其包含有转移面，所述转移面上设置有多个电子组件；提供目标基板，其包含有目标面，所述目标基板与所述转移基板相对设置，且所述转移基板的设置有所述多个电子组件的所述转移面面对所述目标基板的所述目标面；提供导引掩模，其包含有至少一个导引结构，所述导引掩模置于相对设置的所述转移基板和所述目标基板之间；以及释放所述转移基板的所述转移面上的所述多个电子组件中的至少一个，使其通过所述导引掩模上的所述至少一个导引结构，被导引转移至所述目标基板的所述目标面上。
5.根据本发明其中一个实施例，所述导引掩模的两侧分别与所述转移基板及所述目标基板接触。
6.根据本发明其中一个实施例，所述导引掩模的厚度大于各电子组件的厚度，以使当所述导引掩模与所述转移基板及所述目标基板接触时，各电子组件未与所述目标基板接触。
7.根据本发明其中一个实施例，所述方法通过施以激光能量，以释放所述转移基板的所述转移面上的所述多个电子组件中的至少一个。
8.根据本发明其中一个实施例，所述转移基板的所述转移面上包含有粘合层，以使所述多个电子组件通过所述粘合层设置于所述转移基板的所述转移面上。
9.根据本发明其中一个实施例，所述目标基板的所述目标面上包含有粘合层，以粘合所述多个电子组件中被释放的至少一个。
10.根据本发明其中一个实施例，所述导引掩模上的所述至少一个导引结构为孔径大于对应的所述电子组件的宽度的通孔。
11.综上所述，于本发明中，被释放的电子组件可通过导引掩模上的导引结构，被正确
emitting diode,mini led)等，转移面11上可设置有粘合层12，以使电子组件20可通过粘合层12设置于转移基板10的转移面11上。然本发明并不局限于此，举例来说，在另一个实施例中，电子组件可为其他电子零组件且可通过其他机制(例如磁力吸附、静电吸附或负压吸附)设置于转移基板。
34.于步骤s2中，如图2所示，当目标基板30被提供时，目标基板30包含有目标面31，目标基板30与转移基板10相对设置，且转移基板10的设置有多个电子组件20的转移面11面对目标基板30的目标面31。其中目标基板30的目标面31上可设置有另一个粘合层32，藉以粘合被释放的电子组件20。然本发明并不局限于此，举例来说，在另一个实施例中，电子组件也可通过其他机制(例如磁力吸附、静电吸附或负压吸附)固定于目标基板。
35.于步骤s3中，如图2与图3所示，当导引掩模40被提供时，导引掩模40包含有至少一个导引结构41，导引掩模40置于相对设置的转移基板10和目标基板30之间。于步骤s4中，如图3至图5所示，当转移基板10、目标基板30、导引掩模40彼此对位后，可释放转移基板10的转移面11上的多个电子组件20中的至少一个，以使被释放的至少一个电子组件20可通过导引掩模40上的至少一个导引结构41，精准地被导引转移至目标基板30的目标面31上的指定位置。于此实施例中，转移基板10与目标基板30可分别设置在两个可移动平台上，且如图2与图3所示，当导引掩模40被提供时，导引掩模40可通过粘合层32与目标基板30对位黏合，接着，再通过两平台的相对移动，以使转移基板10、导引掩模40与目标基板30彼此对位，然本发明并不局限于此实施例。举例来说，请参阅图8与图9，图8与图9为本发明不同实施例转移电子组件的方法于提供导引掩模40时的示意图。在如图8所示的实施例中，导引掩模40可通过粘合层12设置在转移基板10的转移面11上。在如图9所示的实施例中，导引掩模40、转移基板10与目标基板30也可分别设置在三个不同的可移动平台上以使转移基板10、导引掩模40与目标基板30可通过三个平台之间的相对移动彼此对位。又或者，在另一个实施例中，当导引掩模被提供时，导引掩模也利用其他机制(例如磁力吸附、静电吸附或负压吸附)设置在目标面或转移面上。
36.另外，如图3所示，为了使导引结构41能够为各电子组件20提供较佳的导引定位效果以提升转移良率，于此实施例中，在转移基板10、目标基板30与导引掩模40彼此对位的过程中，两平台不但可沿水平方向移动也会彼此靠近，以使导引掩模40的两侧可于转移基板10、目标基板30与导引掩模40彼此对位完成之后，分别与转移基板10及目标基板30接触，其中导引掩模40的厚度大于各电子组件20的厚度，以使当导引掩模40与转移基板10及目标基板30接触时，各电子组件20未与目标基板30接触，上述设置可将各电子组件20的转移行程缩短至导引掩模40的厚度与各电子组件20的厚度的差值，以避免各电子组件20在转移过程中意外的偏移或翻转，从而提升转移良率，同时上述设置也解决了先前技术中两平台因设备精度以及稳定度不足而不完全对位和/或不完全平行所产生的偏移或翻转的问题，然本发明并不局限于此实施例。举例来说，在另一个实施例中，当转移基板、目标基板与导引掩模彼此对位后，导引掩模也可不接触转移基板和/或目标基板。
37.较佳地，导引掩模40的厚度与各电子组件20的厚度的差值可为0.5至20微米。
38.此外，于此实施例中，导引掩模40的两侧可分别设置有两个涂层(例如两个氟化物涂层)，以使导引掩模40于电子组件20转移完成后能轻易地分离于转移基板10及目标基板30，而有助于导引掩模40的重复使用。
39.另外，请参阅图3与图10，图10为本发明实施例导引掩模40的示意图。如图3与图10所示，于此实施例中，导引掩模40上的至少一个导引结构41可为孔径较相对应的电子组件20的宽度为大的通孔。较佳地，为了使导引结构41能够为电子组件20提供较佳的导引定位效果以提升转移良率，各通孔的孔径与相对应的电子组件20的宽度的差值可为2至10微米，且各通孔的靠近转移基板10的端部的孔径与靠近目标基板30的另一端部的孔径的面积比值可为0.9至1.1。
40.于步骤s4中，本发明可通过激光光源50对转移基板10的特定区域施以激光能量，以使对应特定区域的电子组件20脱离于粘合层12，从而达到电子组件20的释放，然本发明并不局限于此实施例。举例来说，在另一个实施例中，当电子组件通过其他机制(例如磁力吸附或静电吸附)设置于转移基板时，电子组件可通过相对应的释放机制(例如磁力排斥、静电排斥或超音波)脱离于转移基板。
41.最后，如图6与图7所示，当被释放的至少一个电子组件20转移完毕后，可再移动目标基板30、转移基板10和/或导引掩模40，使目标基板30远离转移基板10与导引掩模40，以利后续作业。
42.相较于先前技术，于本发明中，被释放的电子组件可通过导引掩模上的导引结构，被正确地、精准地导引转移至目标基板的目标面上，因此，本发明对设备精度以及稳定度的需求较低，也就是说，本发明即使在设备精度及稳定度较差的条件下仍可达到较佳的转移良率。此外，本发明的导引掩模可重复使用，故而具有较低的制造成本。
43.以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。