半导体装置的制造方法1.本技术以2021年9月1日提出申请的在先的日本专利申请第2021-142606号的优先权的利益为基础，并且，要求该利益，其内容整体通过引用而包含于此。
技术领域：
：2.本实施方式涉及半导体装置的制造方法。
背景技术：
：：3.在半导体装置的封装工序中，例如半导体芯片搭载在支承体(晶片)上的多个位置，由模制树脂覆盖。然后，与各个半导体芯片相应地进行单片化。但是，例如由于支承体与模制树脂之间的热膨胀率的差异，有可能在带模制树脂的支承体产生翘曲。带模制树脂的支承体的翘曲例如有可能影响到带模制树脂的支承体的运送或者加工等后续工序。技术实现要素：4.提供能够抑制支承体的翘曲的半导体装置的制造方法。5.本实施方式涉及的半导体装置的制造方法包括在具有第1面和与第1面相反侧的第2面的支承体的第1面上设置半导体芯片。在第1面上形成将半导体芯片覆盖的第1树脂层，并且，在第2面上形成第2树脂层。6.根据上述的构成，能够提供能抑制支承体的翘曲的半导体装置的制造方法。附图说明7.图1是表示第1实施方式涉及的半导体装置的结构的一个例子的剖视图。8.图2a是表示第1实施方式涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。9.图2b是接着图2a的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。10.图2c是接着图2b的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。11.图2d是接着图2c的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。12.图2e是接着图2d的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。13.图2f是接着图2e的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。14.图2g是接着图2f的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。15.图2h是接着图2g的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。16.图3是表示第1实施方式的第1变形例涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。17.图4是表示第1实施方式的第2变形例涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。18.图5a是表示第1实施方式的第3变形例涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。19.图5b是接着图5a的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。20.图6a是表示第1实施方式的第4变形例涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。21.图6b是接着图6a的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。22.图7是表示第2实施方式涉及的半导体装置的结构的一个例子的剖视图。23.图8是表示第2实施方式涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。24.图9a是表示第3实施方式涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。25.图9b是接着图9a的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。26.图9c是接着图9b的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。27.图9d是接着图9c的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。28.图9e是接着图9d的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。29.图10是表示第3实施方式涉及的凹部的结构的一个例子的俯视图。30.图11是表示第3实施方式的第1变形例涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。31.图12是表示第3实施方式的第1变形例涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。32.图13是表示第3实施方式的第2变形例涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。33.图14是表示第3实施方式的第2变形例涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。34.图15a是表示第4实施方式涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。35.图15b是接着图15a的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。36.图16是表示第4实施方式涉及的凹部和槽部的结构的一个例子的俯视图。37.图17是表示第4实施方式涉及的凹部和槽部的结构的一个例子的侧视图。38.图18是表示第4实施方式涉及的树脂层的形成方法的一个例子的剖视图。39.图19是表示第4实施方式的第1变形例涉及的凹部和槽部的结构的一个例子的俯视图。40.图20是表示第4实施方式的第1变形例涉及的凹部和槽部的结构的一个例子的俯视图。41.图21是表示第4实施方式的第2变形例涉及的凹部和槽部的结构的一个例子的俯视图。42.图22是表示第4实施方式的第2变形例涉及的凹部和槽部的结构的一个例子的剖视图。具体实施方式43.以下，参照附图对本发明涉及的实施方式进行说明。本实施方式并不限定本发明。在以下的实施方式中，上下方向表示将半导体芯片的层叠方向作为了上或者下的情况下的相对方向，有时与按照重力加速度的上下方向不同。附图是示意性的或者概念性的，各部分的比率等不限于必须与现实的相同。在说明书和附图中，对关于已经出现的附图描述过的元素同样的元素标注同一标号，并适当省略详细的说明。44.(第1实施方式)45.图1是表示第1实施方式涉及的半导体装置1的结构的一个例子的剖视图。半导体装置1具备半导体芯片40、连接柱41、树脂层70、再布线层(基板)100以及金属凸块(bump)150。半导体装置1例如为lsi(largescaleintegration，大规模集成电路)等的半导体封装。46.半导体芯片40例如是对图1所示的半导体装置1的外部的存储器芯片等进行控制的控制器芯片或者搭载了任意的lsi的半导体芯片。此外，半导体芯片40不限于控制器芯片，例如为能够以一个芯片进行动作的芯片。半导体芯片40具有面f40a和与面f40a相反侧的面f40b。晶体管、电容器等半导体元件(未图示)形成在各半导体芯片40的面f40a上。半导体芯片40的面f40a上的半导体元件由未图示的绝缘膜进行覆盖并保护。该绝缘膜例如可使用硅氧化膜或者硅氮化膜等无机系绝缘材料。另外，该绝缘膜也可以使用在无机系绝缘材料上形成了有机系绝缘材料而得的材料。作为有机系绝缘材料，例如可使用酚系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂、丙烯酸系树脂、环氧系树脂、pbo(p-phenylenebenzobisoxazole)系树脂、有机硅系树脂、苯并环丁烯系树脂等树脂、或者它们的混合材料、复合材料等有机系绝缘材料。47.另外，半导体芯片40具有在面f40a上露出的电极焊盘(未图示)。48.连接柱(电极)41与半导体芯片40的电极焊盘连接，在z方向上延伸。连接柱41的下端与半导体芯片40的电极焊盘连接。连接柱41的上端到达树脂层70的上表面，在其上表面露出。连接柱41的上端与再布线层100的电极焊盘(未图示)连接。连接柱41的材料例如可使用cu等导电性金属。49.树脂层70将半导体芯片40和连接柱41覆盖(密封)，在上表面中，连接柱41的前端露出。50.树脂层70例如可使用酚系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂、丙烯酸系树脂、环氧系树脂、pbo(p-phenylenebenzobisoxazole)系树脂、有机硅系树脂、苯并环丁烯系树脂等树脂、或者它们的混合材料、复合材料等有机系绝缘材料。51.再布线层(rdl(redistributionlayer))100设置在树脂层70上，与连接柱41电连接。再布线层100是使多个布线层和多个绝缘层层叠而得到的多层布线层，经由连接柱41将半导体芯片40电连接于金属凸块150。此外，图1示意性地表示再布线层100内的布线层。52.金属凸块150设置在再布线层100上，与再布线层100的布线层电连接。金属凸块150被使用于与外部装置(未图示)的连接。金属凸块150例如可使用sn、ag、cu、au、pd、bi、zn、ni、sb、in、ge的单质、它们中的两种以上的复合膜或者合金。53.接着，对半导体装置1的制造方法进行说明。54.图2a～图2h是表示第1实施方式涉及的半导体装置1的制造方法的一个例子的剖视图。55.首先，如图2a所示，准备支承体80。支承体80例如为晶片(wafer)状。支承体80具有面f1和面f2。面f1为半导体芯片搭载面。面f2为与面f1相反侧的面。支承体80的材料例如为玻璃。但是，支承体80的材料例如也可以为硅(si)、陶瓷、树脂或者金属等。56.接着，如图2b所示，在支承体80的面f1上形成标记91。标记91用于在之后的图2c的工序中用于搭载半导体芯片40的对位。57.接着，如图2c所示，在支承体80的面f1上设置半导体芯片40。更详细而言，按照标记91，在面f1上的多个位置分别设置多个半导体芯片40。此外，半导体芯片40使用未图示的粘合层而设置在面f1。另外，在半导体芯片40形成在面f1的法线方向上延伸的电极。电极例如为连接柱41。此外，连接柱41例如也可以在向支承体80搭载半导体芯片40之前预先形成于半导体芯片40。连接柱41例如通过镀敷法形成。连接柱41的材料例如可使用cu等导电性金属。58.接着，如图2d所示，在面f1上形成将半导体芯片40和连接柱41覆盖的树脂层71，并且，在面f2上形成树脂层72。在图2d所示的例子中，树脂层71和树脂层72并行地形成。即，树脂层71和树脂层72是一并同时形成的。树脂层71例如形成到越过连接柱41的高度。在图2d所示的例子中，树脂层71、72形成为彼此成为大致相同的厚度、另外形成为彼此成为大致相同的面积(宽度)。59.在图2d所示的例子中，在面f1和面f2这两方分别形成有树脂层71、72。将形成有树脂层71、72的支承体80作为带树脂层支承体a。树脂层72的厚度以及面积(大小)例如与树脂层71的厚度以及面积大致相同。即，树脂层72的体积与树脂层71的体积大致相同。另外，树脂层72的材料例如与树脂层71的材料大致相同。由此，树脂层71和树脂层72使带树脂层支承体a产生彼此相反方向且相同程度的翘曲。其结果，通过翘曲相互被抵消，带树脂层支承体a的翘曲得到抑制，能够更适当地进行后续的工序。60.另外，树脂层71、72例如使用模具形成在支承体80的两面。例如，通过在模具的空腔内配置支承体80和半导体芯片40，向空腔内供给(导入)熔融的树脂材料，而形成树脂层71、72。此外，也可以通过向模具内预先供给树脂材料，使树脂材料熔融，而形成树脂层71、72。61.树脂层71、72例如可使用环氧系、酚系、聚酰亚胺系、聚酰胺系、丙烯酸系、pbo系、有机硅系、苯并环丁烯系等的树脂、它们的混合材料、复合材料。作为环氧树脂的例子，不被特别地限定，例如可举出双酚a型、双酚f型、双酚ad型、双酚s型等的双酚型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型、甲酚酚醛清漆型等的酚醛清漆型环氧树脂、间苯二酚型环氧树脂、三酚基甲烷三缩水甘油醚等的芳香族环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、聚醚改性环氧树脂、二苯甲酮型环氧树脂、苯胺型环氧树脂、nbr改性环氧树脂、ctbn改性环氧树脂以及它们的氢化物等。它们之中，从与硅的贴合性良好出发，优选萘型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂。另外，从容易得到快速固化性出发，优选二苯甲酮型环氧树脂。这些环氧树脂既可以单独地使用，也可以并用两种以上。另外，也可以在树脂层71、72中包含二氧化硅等填料。62.在形成树脂层71、72之后，通过用烘箱等对树脂层71、72进行加热，或者向树脂层71、72照射uv(ultraviolet，紫外线)光，而使树脂层71、72固化。63.接着，如图2e所示，对树脂层71进行研磨，以使得连接柱41的上端露出。例如，使用cmp(chemicalmechanicalpolishing，化学机械研磨)法或者机械研磨法等，将树脂层71研磨到连接柱41露出。64.接着，如图2f所示，在树脂层71上形成与连接柱41电连接的再布线层100。再布线层100的绝缘层例如可使用环氧系、酚系、聚酰亚胺系、聚酰胺系、丙烯酸系、pbo系、有机硅系、苯并环丁烯系等的树脂、它们的混合材料、复合材料。再布线层100的布线层例如可使用cu、ni、w、au、ag、pd、sn、bi、zn、cr、al、ti、ta、tin、tan、crn等的单质、它们中的两种以上的复合材料或者它们中的两种以上的合金等。65.接着，如图2g所示，在再布线层100上形成金属凸块150。金属凸块150经由再布线层100的布线与连接柱41电连接。金属凸块150例如可以使用球搭载、镀敷法、印刷法来形成。金属凸块150例如可使用sn、ag、cu、au、pd、bi、zn、ni、sb、in、ge的单质、它们中的两种以上的复合膜或者合金。66.接着，如图2h所示，将支承体80与树脂层72一起剥离。支承体80例如使用热或者激光等光来进行剥离。或者，也可以研磨来除去支承体80和树脂层72。67.在图2h所示的工序之后，按各半导体芯片40对树脂层71进行单片化。由此，完成图1所示的半导体装置1。此外，单片化后的树脂层71与图1所示的树脂层70对应。68.此外，在图1所示的例子中，在单片化时，标记91被除去。但是，也可以在半导体装置1残留标记91。69.如上所述，根据第1实施方式，在面f1形成树脂层71，并且，在面f2形成树脂层72。即，以从两面夹着支承体80的方式配置树脂层71、72。由此，能够抑制对半导体芯片40进行了树脂密封时的带树脂层支承体a的翘曲。其结果，能够更适当地进行带树脂层支承体a的运送或者吸附，另外，能够更适当地进行再布线层100的形成等的带树脂层支承体a的加工。即，能够更适当地进行形成树脂层71、72后的工序。70.作为比较例，对仅形成有树脂层71而在面f2上不设置树脂层72的情况进行说明。此时，由于支承体80与树脂层71之间的线膨胀率(热膨胀率)之差，会容易发生支承体80的翘曲。当在带树脂层支承体a发生翘曲时，带树脂层支承体a的运送或者吸附有可能变得困难，另外，再布线层100的形成等的带树脂层支承体a的加工有可能变得困难。71.与此相对，在第1实施方式中，在面f2上设置有树脂层72，因此，能够使带树脂层支承体a产生与由树脂层71产生的翘曲相反方向的翘曲。由此，能够抑制带树脂层支承体a的翘曲。72.另外，从面f2的法线方向观察，更优选在至少包括设置有半导体芯片40的面f1上的区域的面f2上的区域形成树脂层72。由此，能够在搭载半导体芯片40的面f1上的区域中，抑制带树脂层支承体a的翘曲。73.另外，更优选形成具有树脂层72的面积以上的面积的树脂层71。在假如树脂层71的面积小的情况下，有时剥离了支承体80之后的树脂层71的运送会变得困难。于是，树脂层71的面积例如优选比树脂层72的面积大或者为同等的面积。74.另外，更优选形成具有与支承体80的面积大致相同的面积的树脂层71。由此，剥离支承体80后的树脂层71的外形与支承体80的外形成为大致相同。其结果，能够与支承体80的运送同样地进行树脂层71的运送。75.此外，由于配置在面f1上的半导体芯片40等，即使树脂层71、72的体积以及材料相同，有时也难以完全地抑制带树脂层支承体a的翘曲。这例如是由于在树脂层71及半导体芯片40与树脂层72之间，热膨胀率的平衡被破坏。在该情况下，树脂层72的材料也可以与树脂层71的材料不同。更详细而言，在树脂层72的材料与树脂层71的材料之间，热膨胀率或者收缩率(成形收缩率)等也可以不同。通过对树脂层71、72的材料进行变更，能够对带树脂层支承体a的翘曲量进行调整。因此，也可以形成具有使得带树脂层支承体a的翘曲量成为预定值以下的热膨胀率或者收缩率的树脂层72。带树脂层支承体a的翘曲量例如为带树脂层支承体a的中心部与外周端部之间的高度之差。另外，预定值例如大约为1mm。树脂层72的材料例如通过模拟来决定。76.(第1实施方式的第1变形例)77.图3是表示第1实施方式的第1变形例涉及的半导体装置1的制造方法的一个例子的剖视图。第1实施方式的第1变形例与第1实施方式相比，树脂层72的厚度不同。78.图3所示的工序在与图2a～2c同样的工序之后进行。79.在形成连接柱41之后(参照图2c)，如图3所示，在面f1上形成树脂层71，并且，在面f2上形成树脂层72。80.在图3所示的例子中，树脂层72形成为比树脂层71薄。将形成有树脂层71和比树脂层71薄的树脂层72的支承体80作为带树脂层支承体b。如上述的那样，即使树脂层71、72的体积以及材料相同，有时也因半导体芯片40等而热膨胀率的平衡被破坏，难以完全地抑制带树脂层支承体b的翘曲。因此，也可以形成具有使得带树脂层支承体b的翘曲量成为预定值以下的厚度的树脂层72。另外，预定值例如大约为1mm。树脂层72的厚度例如通过模拟来决定。81.图3所示的工序之后，进行与图2e～图2h同样的工序。82.如第1实施方式的第1变形例，为了调整带树脂层支承体b的翘曲，树脂层72的厚度也可以被变更。83.此外，图3所示的树脂层72比树脂层71薄，但也可以比树脂层71厚。另外，树脂层72的材料也可以与树脂层71的材料不同。84.第1实施方式的第1变形例涉及的半导体装置1能够得到与第1实施方式同样的效果。85.(第1实施方式的第2变形例)86.图4是表示第1实施方式的第2变形例涉及的半导体装置1的制造方法的一个例子的剖视图。第1实施方式的第2变形例与第1实施方式相比，树脂层72的面积不同。87.图4所示的工序在与图2a～2c同样的工序之后进行。88.在形成连接柱41之后(参照图2c)，如图4所示，在面f1上形成树脂层71，并且，在面f2上形成树脂层72。89.在图4所示的例子中，树脂层72形成在比树脂层71小的范围内。将形成有树脂层71和比树脂层71小的范围内的树脂层72的支承体80作为带树脂层支承体c。如上述的那样，即使树脂层71、72的体积以及材料相同，有时也因半导体芯片40等而热膨胀率的平衡被破坏，难以完全地抑制带树脂层支承体c的翘曲。因此，也可以形成具有使得带树脂层支承体c的翘曲量成为预定值以下的面积的树脂层72。另外，预定值例如大约为1mm。树脂层72的面积例如通过模拟来决定。90.在图4所示的工序之后，进行与图2e～图2h同样的工序。91.如第1实施方式的第2变形例那样，为了调整带树脂层支承体c的翘曲，树脂层72的面积也可以被变更。92.此外，树脂层72的材料也可以与树脂层71的材料不同。93.第1实施方式的第2变形例涉及的半导体装置1能够获得与第1实施方式同样的效果。另外，也可以对第1实施方式的第2变形例涉及的半导体装置1组合第1实施方式的第1变形例。94.(第1实施方式的第3变形例)95.图5a和图5b是表示第1实施方式的第3变形例涉及的半导体装置1的制造方法的一个例子的剖视图。对于第1实施方式的第3变形例，一侧一侧地依次形成两个树脂层71、72这点与第1实施方式不同。96.图5a和图5b所示的工序在与图2a～2c同样的工序之后进行。97.在形成连接柱41之后(参照图2c)，如图5a所示，在面f1上形成树脂层71。将仅形成有树脂层71的支承体80作为带树脂层支承体d。98.接着，如图5b所示，在面f2上形成树脂层72。将形成有树脂层71和树脂层72的支承体80作为带树脂层支承体e。即，在图5a的定时在带树脂层支承体d产生了翘曲的情况下，根据带树脂层支承体d的翘曲量形成树脂层72，以使得带树脂层支承体d向相反方向翘曲。99.此外，也可以先形成树脂层72，但更优选先形成树脂层71。这是由于能够先对连接柱41等的电极进行保护，在可靠性上优选。另外，有时如在第2实施方式中参照图7在后面进行说明的那样，使用柱状电极来作为电极。柱状电极比连接柱容易倾倒，因此，优选用树脂层71先对柱状电极进行保护。100.在图5b所示的工序之后，进行与图2e～图2h同样的工序。101.如第1实施方式的第3变形例那样，也可以一侧一侧地依次形成两个树脂层71、72。102.另外，也可以对形成树脂层71后的带树脂层支承体d的翘曲量进行检测，形成根据所检测出的翘曲量对厚度、面积或者材料等进行了变更的树脂层72，而形成带树脂层支承体e。103.第1实施方式的第3变形例涉及的半导体装置1能够获得与第1实施方式同样的效果。另外，也可以对第1实施方式的第3变形例涉及的半导体装置1组合第1实施方式的第1变形例和第2变形例。104.(第1实施方式的第4变形例)105.图6a和图6b是表示第1实施方式的第4变形例涉及的半导体装置1的制造方法的一个例子的剖视图。第1实施方式的第4变形例在支承体80形成有绝缘膜92这点与第1实施方式不同。106.图6a和图6b所示的工序在与图2a同样的工序之后进行。107.在准备支承体80之后(参照图2a)，如图6a所示，在面f1上形成绝缘膜92。另外，在面f1上形成标记91。108.接着，如图6b所示，在绝缘膜92上设置半导体芯片40。另外，在半导体芯片40形成电极。电极例如为连接柱41。109.在图6b所示的工序之后，进行与图2d～图2h同样的工序。110.如第1实施方式的第4变形例那样，也可以在面f1上形成有绝缘膜92。111.在设置有绝缘膜92的情况下，当剥离支承体80时，绝缘膜92露出。绝缘膜92设置为经由未图示的粘合层与图1所示的半导体芯片40的面f40b相接。由此，能够抑制因粘合层(例如daf(dieattachmentfilm，管芯附着膜))在封装表面露出而导致的不良影响。112.第1实施方式的第4变形例涉及的半导体装置1能够获得与第1实施方式同样的效果。另外，也可以对第1实施方式的第4变形例涉及的半导体装置1组合第1实施方式的第1变形例～第3变形例。113.(第2实施方式)114.图7是表示第2实施方式涉及的半导体装置1的结构的一个例子的剖视图。第2实施方式在半导体芯片以多级的方式层叠地搭载在支承体80上这一点与第1实施方式不同。115.半导体装置1具备层叠体s1、柱状电极30、树脂层70、绝缘膜92、再布线层100以及金属凸块150。半导体装置1例如为nand型闪速存储器等的半导体封装。116.在第2实施方式中，代替第1实施方式涉及的半导体芯片10和连接柱41，而设置有层叠体s1和柱状电极30。另外，在第2实施方式中，还设置有绝缘膜92。117.层叠体s1具有半导体芯片10和粘合层20。粘合层20例如为daf。层叠体s1是多个半导体芯片10向与层叠方向垂直的方向错开地层叠而成的层叠体。118.半导体芯片10例如为nand型闪速存储器的存储器芯片或者搭载了任意的lsi的半导体芯片。多个半导体芯片10分别具有面f10a和与面f10a相反侧的面f10b。存储单元阵列、晶体管或者电容器等的半导体元件(未图示)形成在各半导体芯片10的面f10a上。半导体芯片10的面f10a上的半导体元件由未图示的绝缘膜进行覆盖并保护。该绝缘膜例如可使用硅氧化膜或者硅氮化膜等的无机系绝缘材料。另外，该绝缘膜也可以使用在无机系绝缘材料上形成了有机系绝缘材料的材料。作为有机系绝缘材料，例如可使用酚系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂、丙烯酸系树脂、环氧系树脂、pbo(p-phenylenebenzobisoxazole)系树脂、有机硅系树脂、苯并环丁烯系树脂等的树脂、或者它们的混合材料、复合材料等的有机系绝缘材料。半导体芯片10也可以是彼此具有相同的结构的半导体芯片，但也可以是具有彼此不同的结构的半导体芯片。119.多个半导体芯片10被层叠，由粘合层20进行粘合。作为粘合层20，例如可使用酚系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂、丙烯酸系树脂、环氧系树脂、pbo(p-phenylenebenzobisoxazole)系树脂、有机硅系树脂、苯并环丁烯系树脂等的树脂或者它们的混合材料、复合材料等的有机系绝缘材料。多个半导体芯片10分别具有在面f10a上露出的电极焊盘(未图示)。层叠在半导体芯片10(下级半导体芯片10)上的其它半导体芯片10(上级半导体芯片10)向与下级半导体芯片10的设置有电极焊盘的边大致垂直的方向(x方向)错开地层叠，以使得不重叠在下级半导体芯片10的电极焊盘上。120.柱状电极(电极)30与半导体芯片10的电极焊盘连接，在多个半导体芯片10的层叠方向(z方向)上延伸。粘合层20被部分地除去，以使电极焊盘的一部分露出，柱状电极30成为能够与电极焊盘连接。或者，粘合层20粘贴于上级半导体芯片10的面f10b，设置为与下级半导体芯片10的电极焊盘不重叠。柱状电极30的下端例如通过引线键合法与电极焊盘连接。柱状电极30的上端到达树脂层70的上表面，在其上表面露出。柱状电极30的上端与再布线层100的电极焊盘连接。121.另外，层叠体s1的半导体芯片10被错开地层叠，以使电极焊盘露出。122.绝缘膜92设置为经由粘合层20与图1所示的半导体芯片10的面f10b相接。由此，如在第1实施方式的第4变形例中参照图6a和图6b说明过的那样，能够抑制由粘合层20在封装表面露出所导致的不良影响。此外，也可以不一定设置绝缘膜92。123.接着，对半导体装置1的制造方法进行说明。124.图8是表示第2实施方式涉及的半导体装置1的制造方法的一个例子的剖视图。125.图8所示的工序在与图2a以及图6a同样的工序之后进行。126.在面f1上形成了绝缘膜92之后(参照图6a)，如图8所示，在绝缘膜92(面f1)上设置层叠多个半导体芯片10而得到的层叠体s1。另外，在半导体芯片40形成电极。电极例如为柱状电极30。通过引线键合法在半导体芯片10的电极焊盘上键合金属线(导电性线)，将该金属线在与面f10a大致略垂直的方向上引出来形成柱状电极30。另外，柱状电极30在上端被切断，通过柱状电极30自身的刚性，状态不变地维持直立状态。127.柱状电极30例如可使用cu、ni、w、au、ag、pd、sn、bi、zn、cr、al、ti、ta的单质、它们中的两种以上的复合材料或者它们中的两种以上的合金等。优选使用au、ag、cu、pd的单质、它们中的两种以上的复合材料或者它们中的两种以上的合金等来作为柱状电极30的材料。进一步优选使用它们中的硬度高的材料、例如cu、cupd合金、在cu上覆盖pd而得到的材料来作为柱状电极30的材料。由此，柱状电极30在由树脂层70覆盖时不易弯曲，不易倒塌。128.在图8所示的工序之后进行与图2d～图2h同样的工序。129.如第2实施方式那样，也可以以多级的方式层叠地搭载半导体芯片。130.此外，在图7中，也可以代替绝缘膜92而设置支承体80的一部分。例如，代替剥离支承体80的工序，而从面f2侧将支承体80磨削到成为预定厚度。通过薄的支承体80，能够与绝缘膜92同样地抑制由粘合层20在封装表面露出所导致的不良影响。131.第2实施方式涉及的半导体装置1能够获得与第1实施方式同样的效果。132.(第3实施方式)133.图9a～图9e是表示第3实施方式涉及的半导体装置1的制造方法的一个例子的剖视图。第3实施方式在面f2形成有凹部81这一点与第2实施方式不同。134.图9a～图9e所示的工序在与图2a以及图6a同样的工序之后进行。135.在面f1上形成了绝缘膜92之后(参照图6a)，如图9a所示，在绝缘膜92(面f1)上粘贴保护带。136.接着，如图9b所示，在支承体80的面f2形成凹部81。凹部81例如使用磨削砂轮来形成。此外，凹部81例如也可以通过湿式蚀刻来形成。支承体80的材料为能够形成凹部81的材料即可。137.图10是表示第3实施方式涉及的凹部81的结构的一个例子的俯视图。图10是从图9b的上方观察面f2而得到的俯视图。此外，图10的a1-a1线表示与作为剖视图的图9b对应的截面。138.在图10所示的例子中，支承体80为圆盘状的板。从面f2的法线方向观察到的支承体80的外周形状例如为大致圆形。139.从面f2的法线方向观察到的凹部81例如在面f2的中心部形成为大致圆形。凹部81的形状例如也可以根据支承体80的外周形状来进行变更。140.接着，如图9c所示，剥离保护带。另外，在绝缘膜92上设置半导体芯片10的层叠体s1。另外，在半导体芯片40形成电极。电极例如为柱状电极30。支承体80例如由卡盘台(chucktable)支承。卡盘台例如具有与支承体80的凹部81对应的凸部。141.接着，如图9d所示，在面f1上形成将半导体芯片10的层叠体s1以及柱状电极30覆盖的树脂层71，并且，在面f2上形成树脂层72。将形成有树脂层71、72且具有凹部81的支承体80作为带树脂层支承体f。更详细而言，在形成于面f2的凹部81的内部形成树脂层72。在图9d所示的例子中，树脂层72形成在凹部81的内部，形成为与面f2大致共面。由此，支承体80和树脂层72的厚度与形成凹部81之前的支承体80的厚度大致相同。其结果，不使支承体80的厚度较大地增加，就能够在支承体80的面f2侧形成树脂层72。142.接着，如图9e所示，对树脂层71进行研磨，以使得柱状电极30露出。另外，与树脂层71的研磨量相应地对树脂层72进行研磨。即，也从面f2侧对支承体80以及凹部81的内部的树脂层72进行研磨。如果为了电极的露头而对树脂层71进行研磨，则有时带树脂层支承体f的翘曲的状态会变化。通过对树脂层72进行研磨，能够对带树脂层支承体f的翘曲进行调整以使变化了的翘曲的状态恢复。143.在图9e所示的工序之后，进行与图2f～图2h同样的工序。144.如第3实施方式那样，也可以在面f2形成凹部81，在凹部81的内部形成树脂层72。145.在第1实施方式中说明过的图2d中，没有设置凹部81，在支承体80的面f2上设置有树脂层72。这会导致支承体80的厚度增加与树脂层72的厚度相应的量。另外，通过形成树脂层72，带树脂层支承体的重量也会增加。有可能因带树脂层支承体的厚度或者重量的增加而对带树脂层支承体的搬送产生影响。146.与此相对，在第3实施方式中，在图9d中，支承体80和树脂层72的厚度与形成凹部81之前的支承体80的厚度大致相同。另外，通过形成凹部81，能够减少支承体80自身的重量。因此，能够在抑制对带树脂层支承体f的运送的影响的同时，抑制带树脂层支承体f的翘曲。147.另外，从面f2的法线方向观察，更优选在至少包含设置有半导体芯片10(层叠体s1)的面f1上的区域的面f2上的区域形成凹部81。树脂层72形成在凹部81的内部。由此，能够在搭载有半导体芯片10的面f1的区域中，对带树脂层支承体f的翘曲进行抑制。148.第3实施方式涉及的半导体装置1能够获得与第2实施方式同样的效果。另外，也可以对第3实施方式涉及的半导体装置1组合第1实施方式。149.(第3实施方式的第1变形例)150.图11和图12是表示第3实施方式的第1变形例涉及的半导体装置1的制造方法的一个例子的剖视图。第3实施方式的第1变形例在树脂层72与面f2不共面这一点与第3实施方式不同。151.如在第1实施方式的第1变形例中参照图3进行了说明的那样，为了对带树脂层支承体f的翘曲进行调整，树脂层72的厚度也可以被变更。152.图11所示的工序在与图2a、图6a以及图9a～9c同样的工序之后进行。153.在形成柱状电极30之后(参照图9c)，如图11所示，在面f1上形成树脂层71，并且，在面f2上形成树脂层72。154.在图11所示的例子中，树脂层72从凹部81的底面形成至越过了面f2的高度。155.在图11所示的工序之后，进行与图9e以及图2f～图2h同样的工序。156.另外，也可以代替图11所示的工序，而进行图12所示的工序。157.在图12所示的例子中，树脂层72从凹部81的底面形成至不越过面f2的高度。因此，凹部81不由树脂层72完全地填埋。158.如第3实施方式的第1变形例那样，为了调整带树脂层支承体f的翘曲，树脂层72的厚度也可以被变更。159.第3实施方式的第1变形例涉及的半导体装置1能够获得与第3实施方式同样的效果。另外，也可以对第3实施方式的第1变形例涉及的半导体装置1组合第1实施方式。160.(第3实施方式的第2变形例)161.图13和图14是表示第3实施方式的第2变形例涉及的半导体装置1的制造方法的一个例子的剖视图。第3实施方式的第2变形例与第3实施方式相比，凹部81的深度不同。162.图13所示的工序在与图2a、图6a以及图9a～9c同样的工序之后进行。在此，在图9b所示的凹部81的形成工序中，形成比第3实施方式涉及的凹部81深的凹部81。即，形成具有与之后形成的树脂层72的厚度相应的深度的凹部81。163.在形成柱状电极30之后(参照图9c)，如图13所示，在面f1上形成树脂层71，并且，在面f2上形成树脂层72。此外，树脂层72形成为与面f2大致共面。164.在图13所示的例子中，与在第3实施方式中说明过的图9d相比，形成了厚的树脂层72。即，通过减小支承体80的剩余厚度，能够在凹部81的内部形成厚的树脂层72。由此，与第3实施方式的第1变形例中的图11相比，能够在抑制因厚的树脂层72而带树脂层支承体f变厚的同时，对由树脂层72的厚度的调整而导致的带树脂层支承体f的翘曲进行调整。165.在图13所示的工序之后，进行与图9e以及图2f～图2h同样的工序。166.另外，也可以代替图13所示的工序，而进行图14所示的工序。在此，在图9b所示的凹部81的形成工序中，形成比第3实施方式涉及的凹部81浅的凹部81。即，形成具有与之后形成的树脂层72的厚度相应的深度的凹部81。167.在图14所示的例子中，与在第3实施方式中说明过的图9d相比，形成了薄的树脂层72。即，通过增大支承体80的剩余厚度，能够在凹部81的内部形成薄的树脂层72。由此，与第3实施方式的第1变形例中的图12相比，能够在抑制因薄的树脂层72而支承体80变薄的同时，对由树脂层72的厚度的调整而导致的带树脂层支承体f的翘曲进行调整。168.如第3实施方式的第2变形例那样，在将树脂层72形成为与面f2大致共面的情况下，也可以考虑带树脂层支承体f80的翘曲、即形成的树脂层72的厚度，来变更凹部81的深度。169.第3实施方式的第2变形例涉及的半导体装置1能够获得与第3实施方式同样的效果。另外，也可以对第3实施方式的第2变形例涉及的半导体装置1组合第1实施方式。170.(第4实施方式)171.图15a和图15b是表示第4实施方式涉及的半导体装置1的制造方法的一个例子的剖视图。第4实施方式在形成作为树脂材料的填充口发挥功能的槽部82这一点与第3实施方式不同。172.图15a和图15b所示的工序在与图2a、图6a以及图9a同样的工序之后进行。173.在绝缘膜92上粘贴了保护带之后(参照图9a)，如图15a所示，形成槽部82。槽部82在形成树脂层72时作为用于向凹部81的内部导入树脂材料的填充口发挥功能。槽部82例如可通过对面f2的外周端部的一部分进行刮削来形成。槽部82例如可与凹部81同样地通过磨削砂轮来形成。此外，槽部82例如也可以通过湿式蚀刻来形成。174.槽部82如参照图18在后面说明的那样，作为树脂材料的填充口发挥功能。另外，关于槽部82的结构的详细，将在后面参照图16和图17来进行说明。175.接着，如图15b所示，形成凹部81。176.图16是表示第4实施方式涉及的凹部81和槽部82的结构的一个例子的俯视图。图17是表示第4实施方式涉及的凹部81和槽部82的结构的一个例子的侧视图。图17是从图16所示的箭头a2的方向观察到的侧视图。177.如图16所示，在面f2的外周端部没有形成凹部81。如图16和图17所示，在面f2的外周端部的一部分设置有槽部82。槽部82例如从面f2形成至与凹部81大致相同的深度。槽部82例如从支承体80的外周侧面形成至凹部81的内周侧面。178.即，如图15a和图15b所示，在面f2形成凹部81，并且在面f2形成从支承体80的外周侧面设置到凹部81的内周侧面的至少一个槽部82。此外，在图15a和图15b所示的例子中，在形成槽部82之后形成了凹部81。但是，凹部81和槽部82既可以某一个先形成，也可以同时并行地形成。179.在图15b所示的工序之后，进行与图9c～图9e以及图2f～图2h同样的工序。180.另外，在图9d中，以通过槽部82的方式向凹部81的内部导入树脂材料，由此，在凹部81的内部形成树脂层72。181.接着，对使用了槽部82的树脂层71、72的形成方法进行说明。182.图18是表示第4实施方式涉及的树脂层71、72的形成方法的一个例子的剖视图。183.如图18所示，在模具201、202的空腔内配置支承体80、层叠体s1以及柱状电极30。在上部的模具201与支承体80之间形成有间隙g1。在下部的模具202与支承体80之间形成有间隙g2。184.接着，从模具201的两个通路201a、201b分别向间隙g1、g2导入树脂材料。此外，也可以在模具201设置有未图示的排气口。树脂材料通过通路201a被填充到间隙g1，形成树脂层71。树脂材料通过通路201b被填充到间隙g2，形成树脂层72。此外，模具201具有两个通路201a、201b，因此，能够用不同的材料形成树脂层71、72。185.在此，被填充到间隙g2的树脂材料通过槽部82被导入到凹部81。由此，能够从支承体80的侧面侧导入树脂材料来形成树脂层72，并且，能够将树脂层72形成为与面f2大致共面。186.作为向凹部81内导入树脂材料的方法，例如可考虑从支承体80的下方导入的情况和从支承体80的侧面侧导入的情况。187.在没有设置槽部82的情况下，如在第3实施方式中说明过的图9b和图10所示，凹部81的周围由凹部81的侧壁的凸部覆盖。在该情况下，难以从支承体80的侧面侧导入树脂材料。例如，可以考虑使用与图18相比间隙g2向支承体80的下方扩展的模具201、202，从间隙g2的侧方导入树脂材料。即，形成越过面f2那样的厚的树脂层72。但是，在该情况下，支承体80会变厚，因此，有可能对支承体80的运送产生影响。另外，有可能难以形成薄的树脂层72。188.于是，通过形成槽部82，例如能够以使得成为与面f2大致共面的方式在凹部81的内部形成树脂层72。其结果，即使在从支承体80的侧面侧导入树脂材料的情况下，也能够抑制支承体80变厚。189.如第4实施方式那样，也可以形成有作为树脂材料的填充口发挥功能的槽部82。190.第4实施方式涉及的半导体装置1能够获得与第3实施方式同样的效果。另外，也可以对第4实施方式涉及的半导体装置1组合第1实施方式。191.(第4实施方式的第1变形例)192.图19和图20是表示第4实施方式的第1变形例涉及的凹部81和槽部82的结构的一个例子的俯视图。第4实施方式的第1变形例与第4实施方式相比，槽部82的数量不同。193.在图19所示的例子中，设置有两个槽部82。两个槽部82例如隔着支承体80的中心而配置在相反侧。通过增加槽部82的数量，能够更适当地填充树脂材料。194.在图20所示的例子中，设置有4个槽部82。195.如第4实施方式的第1变形例那样，也可以形成有多个槽部82。196.第4实施方式的变形例1涉及的半导体装置1能够获得与第4实施方式同样的效果。197.(第4实施方式的第2变形例)198.图21是表示第4实施方式的第2变形例涉及的凹部81和槽部82的结构的一个例子的俯视图。图22是表示第4实施方式的第2变形例涉及的凹部81和槽部82的结构的一个例子的剖视图。此外，图21的a3-a3线表示与作为剖视图的图22对应的截面。第4实施方式的第2变形例与第4实施方式相比，槽部82的深度不同。199.在图22所示的例子中，槽部82比凹部81浅。200.如第4实施方式的第2变形例那样，也可以在树脂材料能够通过的范围内变更槽部82的深度。201.第4实施方式的第2变形例涉及的半导体装置1能够获得与第4实施方式同样的效果。202.以上对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。这些实施方式能够以其它各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和/或其变形包含在发明的范围、宗旨内，同样地，包含在权利要求书所记载的发明及其等同的范围内。当前第1页12当前第1页12