显示设备的制作方法

1.本公开涉及显示设备。


背景技术：

2.随着多媒体技术的发展，显示设备变得越来越重要。因此，已经使用了各种显示设备，诸如有机发光二极管(oled)显示设备、液晶显示(lcd)设备等。
3.存在包括发光元件的自发光显示设备。自发光显示设备的示例包括使用有机材料作为发光材料的有机发光显示设备或使用无机材料作为发光材料的无机发光显示设备。


技术实现要素：

4.本公开的一个或多个实施方式提供了显示设备，其中，在电极的分离期间，可以减少或防止残余物的产生。
5.然而，本公开的一个或多个实施方式不限于本文所述的那些实施方式。通过参考以下给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其它实施方式对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。
6.根据本公开的上述和其它实施方式，由于绝缘层被设置成覆盖不分离的电极中的一些，因此在电极分离工艺期间可以减少或最小化对不分离的电极的损伤，并且可以根据绝缘层的布局来减少或最小化执行电极分离工艺的区域的尺寸。
7.根据以下的详细描述、附图和权利要求书，其它特征和实施方式可以是显而易见的。
8.根据本公开的一个或多个实施方式，显示设备包括：发射区域和在第一方向上位于发射区域的一侧的子区域；第一电极，在第一方向上延伸跨过发射区域和子区域；第二电极，在第二方向上与第一电极隔开，第二电极在第一方向上延伸；第一绝缘层，位于第一电极和第二电极上，第一绝缘层包括在子区域中的开口；多个发光元件，在发射区域中位于第一电极和第二电极上；以及第二绝缘层，在子区域中位于第一绝缘层上，其中，第一电极包括位于在第一接触孔处的子区域中的第一电极延伸部，其中，开口与第一接触孔重叠并且位于第一电极延伸部上方，并且第二绝缘层与开口重叠。
9.显示设备可以包括位于子区域中的分离部分，分离部分不具有设置在其中的第一绝缘层和第二绝缘层，其中，第一电极邻接子区域的分离部分和另一个子区域的分离部分。
10.第一绝缘层的开口的面积可以小于分离部分的面积。
11.显示设备还可以包括：第三电极，位于第一电极和第二电极之间，第三电极从分离部分起在第一方向上延伸；以及第四电极，在第二方向上与第三电极隔开，且第一电极插置于第四电极和第三电极之间，其中，发光元件可以包括位于第一电极和第四电极上的第一发光元件、以及位于第二电极和第三电极上的第二发光元件。
12.第三电极的在第一方向上的一个端部分可以邻接分离部分，并且第三电极的在第一方向上的另一个端部分可以位于发射区域中。
13.第四电极可以邻接子区域的分离部分的在第二方向上的一侧，并且在第一方向上延伸以邻接另一个子区域的分离部分的在第一方向上的一侧。
14.显示设备还可以包括在发射区域中的第一电极上的第一连接电极以及在发射区域中的第二电极上的第二连接电极，该第一连接电极与发光元件接触，该第二连接电极与发光元件接触，其中，第一绝缘层还可以包括在发射区域中与第一电极或第二电极重叠的多个接触部，其中，第一连接电极可以通过第一接触部与第一电极接触，并且第二连接电极可以通过第二接触部与第二电极接触。
15.显示设备还可以包括在第二绝缘层上的第三绝缘层，其中，第三绝缘层可以在子区域中与分离部分重叠。
16.显示设备还可以包括在第一绝缘层上的堤层，其中堤层围绕发射区域和子区域，其中，第二电极可以与堤层在第一方向上延伸的部分重叠。
17.第二电极可以包括在第二接触孔处的第二电极延伸部，以与堤层的在发射区域的下侧上的在第一方向上延伸的部分重叠。
18.根据本公开的一个或多个实施方式，显示设备包括：第一衬底，包括发射区域和在第一方向上位于发射区域的一侧的子区域；过孔层，设置在第一衬底上；第一电极，跨过发射区域和子区域在过孔层上在第一方向上延伸；多个第二电极，在第二方向上彼此隔开，且第一电极插置在它们之间；虚设图案，位于子区域中以与第一电极间隔开；第一绝缘层，位于第一电极和第二电极上并且包括在子区域中的虚设图案上方的开口；多个发光元件，在发射区域中位于第一电极和第二电极上；以及第二绝缘层，在发射区域中位于发光元件上以及位于子区域中的第一绝缘层上，其中，第二绝缘层被设置成与开口重叠并且与虚设图案直接接触。
19.显示设备可以包括位于子区域中的分离部分，分离部分中不具有设置在其中的第一绝缘层和第二绝缘层，其中，第一电极可以与虚设图案隔开，且分离部分插入在第一电极和虚设图案之间。
20.显示设备还可以包括在第一绝缘层上的堤层，该堤层围绕发射区域和子区域，其中，第一电极可以与堤层的在第二方向上延伸的部分重叠，并且在穿透过孔层的第一接触孔处，并且第二电极可以与堤层的在第一方向上延伸的部分重叠，并且在穿透过孔层的第二接触孔处。
21.虚设图案可以在穿透过孔层的第三接触孔处的子区域中，并且开口可以与第三接触孔重叠。
22.显示设备还可以包括位于第一衬底和过孔层之间的导电层，该导电层包括第一电压线、第二电压线和导电图案，其中，第一电极可以通过第一接触孔与导电图案接触，第二电极可以通过第二接触孔与第二电压线接触，并且虚设图案可以通过第三接触孔与第一电压线接触。
23.第二电极可以在子区域的第二方向上的一侧上与堤层重叠，并且可以与分离部分隔开。
24.第二电极包括在第一方向上延伸并位于子区域的在第二方向上彼此隔开的相应侧的电极杆、以及从电极杆分支以位于不同发射区域中的多个电极分支，第一电极可以在发射区域中与不同的第二电极的电极分支隔开并与之相对。
25.电极分支可以包括在第一电极的第二方向上的一侧处的第一电极分支、以及在第一电极的第二方向上的另一侧处的第二电极分支，并且发光元件可以包括在第一电极和第二电极分支上的第一发光元件、以及在第一电极和第一电极分支上的第二发光元件。
26.显示设备还可包括：第一连接电极，位于第一电极上并与第一发光元件接触；第二连接电极，位于第二电极上并与第二发光元件接触；以及第三连接电极，包括第一延伸部、第二延伸部和第一连接器，第一延伸部位于第二电极分支上并与第一发光元件接触，第二延伸部位于第一电极上并且与第二发光元件接触，并且第一连接器连接第一延伸部和第二延伸部。
27.第一绝缘层还可以在发射区域中包括与第一电极或第二电极重叠的多个接触部，第一连接电极可以通过第一接触部与第一电极接触，并且第二连接电极可以通过第二接触部与第二电极中的一个接触。
附图说明
28.通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它实施方式和特征将变得更加显而易见，其中：
29.图1是根据本公开的一个或多个实施方式的显示设备的平面图；
30.图2是图1的显示设备的像素的平面图；
31.图3是图2的第一子像素的平面图；
32.图4是示出图3的第一子像素中的电极、堤图案和发光元件的布置的平面图；
33.图5是沿着图3的线n1-n1'截取的剖视图；
34.图6是沿着图3的线n2-n2'和n3-n3'截取的剖视图；
35.图7是沿着图3的线n4-n4'和n5-n5'截取的剖视图；
36.图8是根据本公开的一个或多个实施方式的发光元件的透视图；
37.图9是图4的部分a的放大平面图；
38.图10是沿着图9的线n6-n6'截取的剖视图；
39.图11-图14是示出在图1的显示设备的制造期间在子区域中的电极的形状的平面图或剖视图；
40.图15是根据本公开的一个或多个实施方式的显示设备的像素的平面图；
41.图16是图15的第一子像素的平面图；
42.图17是沿着图16的线n7-n7'、n8-n8'和n9-n9'截取的剖视图；
43.图18是沿着图16的线n10-n10'、n11-n11'和n12-n12'截取的剖视图；
44.图19是图16的部分b的放大平面图；
45.图20是沿着图19的线n13-n13'截取的剖视图；以及
46.图21和图22是分别示出了在图15的显示设备的制造期间在子区域中的电极的形状的平面图和剖视图。
具体实施方式
47.现在将在下文中参考附图更全面地描述本公开，在附图中示出了本公开的一个或多个实施方式。然而，本公开可以以不同的形式来实现，并且不应被解释为限于在本文中阐
述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是彻底和完整的，并且将本公开的范围完全传达给本领域技术人员。
48.还应当理解，当一层被称为在另一层或衬底“上”时，它可以直接在另一层或衬底上，或者也可以存在介于中间的层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的部件。
49.应当理解，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导、精神和范围的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
50.为易于描述，可在本文中使用空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“下部”、“之下”、“上方”、“上部”等来描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。应当理解，除了附图中描绘的定向之外，这种空间相对术语旨在包含设备在使用或操作中的不同定向。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件将随之被定向在其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”和“之下”可以包含上方和下方两种定向。设备可具有另外的定向(例如，旋转90度或处于其他定向)，并且本文中使用的空间相对描述语应相应地进行解释。此外，还应当理解，当层被称为在两层“之间”时，它可以是两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个介于中间的层。
51.本文所用的术语仅出于描述特定实施方式的目的，而不旨在限制本公开。如本文所用，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。
52.如本文所用，单数形式“一个”和“一”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。如本文所用，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任何和所有组合。当在一列元件之前时，诸如
“……
中的至少一个”的表述修改整列元件，而不修改列中的单个元件。此外，当描述本公开的实施方式时“可以”的使用是指“本公开的一个或多个实施方式”。此外，术语“示例性的”旨在表示示例或说明。如本文所用，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可以分别被认为与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。
53.应当理解，当元件或层被称为在另一个元件或层“上”、“连接至”、“联接至”或“邻近于”另一个元件或层时，它可以直接在另一个元件或层上、直接连接至、直接联接至或直接邻近于另一个元件或层，或者可以存在一个或多个介于中间的元件或层。相反，当元件或层被称为“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接至”、“直接联接至”或“直接邻近于”另一个元件或层时，不存在介于中间的元件或层。
54.在下文中，将参考附图描述一个或多个实施方式。
55.图1是根据本公开的一个或多个实施方式的显示设备的平面图。
56.参照图1，显示设备10显示运动图像或静止图像。显示设备10可以指几乎所有类型的提供显示屏幕的电子设备。显示设备10的示例可以包括电视(tv)、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(iot)设备、移动电话、智能电话、平板个人计算机(pc)、电子手表、智能
手表、手表电话、头戴式显示器(hmd)、移动通信终端、电子记事本、电子书(e-book)、便携式多媒体播放器(pmp)、导航设备、游戏控制台、数码相机、可携式摄像机等。
57.显示设备10包括提供显示屏幕的显示面板。显示设备10的显示面板的示例包括无机发光二极管(iled)显示面板、有机发光二极管(oled)显示面板、量子点发光二极管(qled)显示面板、等离子体显示面板(pdp)、场发射显示(fed)面板等。在下文中，显示设备10的显示面板将被描述为例如iled显示面板，但是本公开不限于此。也就是说，各种其它显示面板也可应用于显示设备10的显示面板。
58.显示设备10的形状可以变化。在一个或多个实施方式中，显示设备10可以具有在水平方向上比在垂直方向上延伸更长的矩形形状、在垂直方向上比在水平方向上延伸更长的矩形形状、正方形形状、具有圆角的四边形形状、非四边形多边形形状或圆形形状。显示设备10的显示区域dpa的形状可以类似于显示设备10的形状。图1示出了显示设备10和显示区域dpa都具有在第二方向dr2上延伸的矩形形状。
59.显示设备10可以包括显示区域dpa和非显示区域nda。显示区域dpa可以是其中显示图像的区域，并且非显示区域nda可以是其中不显示图像的区域。显示区域dpa也可以被称为有效区域，并且非显示区域nda也可以被称为非有效区域。显示区域dpa可以占据显示设备10的中间部分。
60.显示区域dpa可以包括多个像素px。像素px可以在行方向和列方向上布置。例如，像素px可以沿着矩阵的行和列布置。像素px在平面图中可以具有矩形或正方形形状，但是本公开不限于此。可替代地，像素px可以具有菱形形状，菱形形状具有相对于特定方向倾斜的边。像素px可以布置成条纹或布置结构，但本公开不限于此。该布置结构可以被称为rgbg矩阵结构(例如，矩阵结构或rgbg结构(例如，结构))。是韩国三星显示有限公司的注册商标。像素px中的每一个可以包括发射特定波长范围的光的一个或多个发光元件，并且因此可以显示特定的颜色。
61.非显示区域nda可以设置在显示区域dpa周围。例如，非显示区域nda可以沿着显示区域dpa的边缘或周边设置。非显示区域nda可以环绕(或围绕)整个显示区域dpa或显示区域dpa的一部分。显示区域dpa可以具有矩形形状，并且非显示区域nda可以邻近显示区域dpa的四个边设置。非显示区域nda可以形成显示设备10的边框。包括在显示设备10中的线或电路驱动器可以设置在非显示区域nda中，或者外部设备可以安装在非显示区域nda中。
62.图2是图1的显示设备的像素的平面图。
63.参照图2，显示设备10的像素px可以包括多个子像素spxn(其中n是1至3的整数)。在一个或多个实施方式中，像素px可以包括第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3。第一子像素spx1可以发射第一颜色光，第二子像素spx2可以发射第二颜色光，并且第三子像素spx3可以发射第三颜色光。在一个或多个实施方式中，第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光可以分别是蓝光、绿光和红光，但本公开不限于此。可替代地，子像素spxn可以全部发射相同颜色的光。在一个或多个实施方式中，子像素spxn可以全部发射蓝光。图2示出了像素px可以包括三个子像素spxn，但本公开不限于此。可替代地，像素px可以包括多于三个子像素spxn。
64.子像素spxn中的每一个可以包括发射区域ema和非发射区域。发射区域ema可以是
由于发光元件ed设置在其中而输出特定波长范围的光的区域。非发射区域可以是不具有设置在其中的发光元件ed的区域，非发射区域不被由发光元件ed发射的光抵达，并且因此不输出光。
65.发射区域ema可以包括设置发光元件ed的区域和输出由发光元件ed发射的光的围绕发光元件ed的区域。然而，本公开不限于此。发射区域ema还可以包括输出由发光元件ed发射并且然后由其它构件反射或折射的光的区域。多个发光元件ed可以设置在子像素spxn中的每一个中，以形成发射区域ema，该发射区域ema包括其中设置有多个发光元件ed的区域以及其中设置有多个发光元件ed的区域的周边。
66.图2示出了第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的发射区域ema具有基本上相同的尺寸。在一些实施方式中，子像素spxn的发射区域ema可以根据由发光元件ed发射的光的颜色或波长而具有不同的尺寸。
67.子像素spxn中的每一个还可以包括子区域sa，子区域sa设置在相应子像素spxn的非发射区域中。子区域sa可以设置在相应子像素spxn的发射区域ema的在第一方向dr1上的第一侧上、在相应子像素spxn的发射区域ema和在第一方向上与相应子像素spxn相邻的相邻子像素spxn的发射区域ema之间。子像素spxn的发射区域ema或子区域sa可以沿着第一方向dr1彼此相邻地布置，但是子像素spxn中的一些可以使它们的发射区域ema和子区域sa沿着与其它子像素spxn不同的方向布置。也就是说，多个发射区域ema和多个子区域sa不仅可以沿第一方向dr1交替布置，而且可以在第二方向dr2上交替布置。
68.在一个或多个实施方式中，在第一子像素spx1和第三子像素spx3中的每一个中，子区域sa可以设置在发射区域ema的在第一方向dr1上的第一侧上，即，设置在发射区域ema的上侧上，并且在第二子像素spx2中，子区域sa可以设置在发射区域ema的在第一方向dr1上的第二侧上，即，在发射区域ema的下侧上。第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的发射区域ema可以不沿着第二方向dr2彼此布置成直线，而是可以布置成沿着第二方向dr2彼此交错的方式。第一子像素spx1和第三子像素spx3的发射区域ema可以沿着第二方向dr2彼此布置成直线，并且第二子像素spx2的子区域sa可以设置在第一子像素spx1和第三子像素spx3的发射区域ema之间。类似地，第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的子区域sa可以在第一方向dr1或第二方向dr2上彼此不相邻地布置，但是可以在对角线方向上彼此间隔开。因此，第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的发射区域ema可以被布置为岛状，并且可以在第一方向dr1和第二方向dr2之间的对角线方向上彼此隔开。然而，本公开不限于此。可替代地，多个发射区域ema或多个子区域sa可以沿着第二方向dr2重复布置，并且多个发射区域ema和多个子区域sa可以沿着第二方向dr2交替布置。
69.可以在子像素spxn的子区域sa之间、子像素spxn的发射区域ema之间、以及子像素spxn的子区域sa和发射区域ema之间设置堤层bnl，子像素spxn的子区域sa之间的距离、子像素spxn的发射区域ema之间的距离、以及子像素spxn的子区域sa和发射区域ema之间的距离可以根据堤层bnl的宽度而改变。由于没有发光元件ed设置在子像素spxn的子区域sa中，所以没有光可以从子像素spxn的子区域sa中输出，但是电极rme可以部分地设置在子像素spxn的子区域sa中。来自两个不同子像素spxn的两组电极rme可以在两个不同子像素spxn中的一个的子区域sa的分离部分rop(参见图3)中彼此分离。
70.在整个显示区域dpa中，堤层bnl可以包括在第一方向dr1上延伸的部分和在第二方向dr2上延伸的部分，并且在平面图中可以布置成网格图案。可以沿子像素spxn中的每一个的边界设置堤层bnl，以将子像素spxn彼此分开。此外，堤层bnl可以设置为环绕(或围绕)子像素spxn的发射区域ema中的每一个，以将子像素spxn的发射区域ema彼此分开。由于在第二方向dr2上的每对相邻子像素spxn具有不同的它们的发射区域ema和子区域sa的布置的图案，所以堤层bnl可以布置成网格图案，使得在第一方向dr1和第二方向dr2上由堤层bnl环绕(或围绕)的区域可以相对于彼此在对角线方向上布置。堤层bnl包括在第一方向dr1上延伸的部分和在第二方向dr2上延伸的部分，并且堤层bnl的在第二方向dr2上延伸的部分可以比堤层bnl的在第一方向dr1上延伸的部分短。发射区域ema可以位于堤层bnl的在第二方向dr2上延伸的部分之间。
71.图3是图2的第一子像素的平面图。图4是示出图3的第一子像素中的电极、堤图案和发光元件的布置的平面图。图5是沿着图3的线n1-n1'截取的剖视图。图6是沿着图3的线n2-n2'和n3-n3'截取的剖视图。图7是沿着图3的线n4-n4'和n5-n5'截取的剖视图。图4示出了第一子像素spx1中的堤图案bp、电极rme和发光元件ed相对于彼此的布置，并且图5示出了从第一子像素spx1中的第一发光元件ed1的一个端部分到另一个端部分以及从第一子像素spx1中的第二发光元件ed2的一个端部分到另一个端部分所截取的剖视图。图6示出了沿着第一接触孔ctd和第二接触孔cts截取的剖视图，并且图7示出了沿着图3的多个第一接触部ct1至第四接触部ct4截取的剖视图。
72.参照图3-图7并且进一步参照图2，显示设备10可以在第一子像素spx1中包括第一衬底sub并且还可以包括设置在第一衬底sub上的半导体层、多个导电层和多个绝缘层。半导体层、导电层和绝缘层可以形成显示设备10的电路层和显示元件层。
73.例如，第一衬底sub可以是绝缘衬底。第一衬底sub可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料形成。第一衬底sub可以是刚性衬底，或者可以是可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性衬底。第一衬底sub可以包括由堤层bnl包围的发射区域ema和子区域sa。
74.第一导电层可以设置在第一衬底sub上。第一导电层包括下部金属层cas，且下部金属层cas被设置成在第一衬底sub的厚度方向(例如，第三方向dr3)上与第一晶体管t1的有源层act1重叠。下部金属层cas可以包括能够阻挡光的透射的材料，并且可以防止光入射到第一晶体管t1的有源层act1上。在一个或多个实施方式中，可以不设置下部金属层cas。
75.缓冲层bl可以设置在下部金属层cas和第一衬底sub上。缓冲层bl可以形成在第一衬底sub上，以保护第一子像素spx1的晶体管免受可以穿透第一衬底sub的湿气的影响，第一衬底sub易受湿气渗透，并且缓冲层bl可以执行表面平坦化功能。
76.半导体层设置在缓冲层bl上。半导体层可以包括第一晶体管t1的有源层act1。有源层act1可以被设置成在第三方向dr3上与将在后面描述的第二导电层中的栅电极g1部分地重叠。
77.半导体层可以包括单晶硅或氧化物半导体。可替代地，半导体层可以包括多晶硅。氧化物半导体可以是包含铟(in)的氧化物半导体。在一个或多个实施方式中，氧化物半导体可以是铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、铟镓氧化物(igo)、铟锌锡氧化物(izto)、铟镓锡氧化物(igto)和铟镓锌锡氧化物(igzto)中的至少一种。
78.图3-图7示出第一子像素spx1仅包括一个第一晶体管t1，但本公开不限于此。也就
是说，第一子像素spx1可以包括多于一个的晶体管。
79.第一栅极绝缘层gi设置在半导体层和缓冲层bl上。第一栅极绝缘层gi可以用作用于第一晶体管t1的栅极绝缘膜。
80.第二导电层设置在第一栅极绝缘层gi上。第二导电层可以包括第一晶体管t1的栅电极g1。栅电极g1可以设置成在第一衬底sub的厚度方向上(即，在第三方向dr3上)与有源层act1的沟道区重叠。
81.第一层间绝缘层il1设置在第二导电层和第一栅极绝缘层gi上。第一层间绝缘层il1可以用作第二导电层和设置在第二导电层上的层之间的绝缘膜，并且可以保护第二导电层。
82.第三导电层设置在第一层间绝缘层il1上。第三导电层可以包括第一电压线vl1和第二电压线vl2以及多个导电图案(cdp1和cdp2)，第一电压线vl1和第二电压线vl2以及多个导电图案(cdp1和cdp2)都设置在显示区域dpa中。
83.将要被传递到发光元件ed的高电势电压(或第一电源电压)可以被施加到第一电压线vl1，并且将要被传递到发光元件ed的低电势电压(或第二电源电压)可以被施加到第二电压线vl2。第一电压线vl1可以通过第一晶体管t1和第一连接电极cne1向发光元件ed施加第一电源电压，并且第二电压线vl2可以通过第二连接电极cne2向发光元件ed施加第二电源电压。第一电压线vl1的一部分可以通过穿过第一层间绝缘层il1和第一栅极绝缘层gi的接触孔与第一晶体管t1的有源层act1接触。第一电压线vl1可以用作第一晶体管t1的第一漏电极d1。
84.第一导电图案cdp1可以通过穿过第一层间绝缘层il1和第一栅极绝缘层gi的接触孔与第一晶体管t1的有源层act1接触。此外，第一导电图案cdp1可以通过穿过第一层间绝缘层il1、第一栅极绝缘层gi和缓冲层bl的另一个接触孔与下部金属层cas接触。第一导电图案cdp1可以用作第一晶体管t1的第一源电极s1。
85.在一个或多个实施方式中，第二导电图案cdp2可以连接到第一连接电极cne1(例如参见图7，其中第一连接电极cne1连接到第一电极rme1，并且例如参见图6，其中第一电极rme1连接到第二导电图案cdp2)。第二导电图案cdp2可以经由第一导电图案cdp1电连接到第一晶体管t1。第一导电图案cdp1和第二导电图案cdp2被示出为彼此分离，但是可替代地，第二导电图案cdp2可以与第一导电图案cdp1整体形成，并且因此可以与第一导电图案cdp1一起形成单个图案。
86.第一导电图案cdp1和第二导电图案cdp2被示出为形成在同一层上，但是本公开不限于此。可替代地，第二导电图案cdp2可以形成在与第一导电图案cdp1不同的导电层中，例如，形成在第四导电层中，该第四导电层设置在第三导电层上，且许多绝缘层插置在第四导电层和第三导电层之间。在这种情况下，第一电压线vl1和第二电压线vl2可以形成在第四导电层中，而不是在第三导电层中，并且第一电压线vl1可以经由另一导电图案电连接到第一晶体管t1的漏电极d1。
87.第一钝化层pv1设置在第三导电层和第一层间绝缘层il1上。第一钝化层pv1可以用作第三导电层和其它层之间的绝缘膜，并且可以保护第三导电层。
88.缓冲层bl、第一栅极绝缘层gi、第一层间绝缘层il1和第一钝化层pv1中的每一个可以由交替堆叠的多个无机层组成。在一个或多个实施方式中，缓冲层bl、第一栅极绝缘层
gi、第一层间绝缘层il1和第一钝化层pv1中的每一个可以形成为双层或多层，其中交替堆叠氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一个的无机层，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，缓冲层bl、第一栅极绝缘层gi、第一层间绝缘层il1和第一钝化层pv1中的每一个可以形成为包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)的单个无机层。此外，在一个或多个实施方式中，第一层间绝缘层il1可以由诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料形成。
89.第二导电层和第三导电层可以形成为单层或多层，该单层或多层包括钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)、铜(cu)或其合金，但本公开不限于此。
90.在显示区dpa中，过孔层via设置在第一钝化层pv1上。过孔层via可以包括诸如例如pi的有机绝缘材料，并且可以执行表面平坦化功能。
91.作为显示元件层的部分，在过孔层via上设置有多个堤图案bp、多个电极rme、多个发光元件ed和多个连接电极cne。多个第一绝缘层pas1、第二绝缘层pas2和第三绝缘层pas3也可以设置在过孔层via上。
92.堤图案bp可以直接设置在过孔层via上。堤图案bp可以在第一方向dr1上延伸，并且可以在第二方向dr2上彼此隔开。在一个或多个实施方式中，堤图案bp可以包括第一堤图案bp1以及第二堤图案bp2和第三堤图案bp3，第一堤图案bp1在第一方向dr1上延伸跨过沿着第一方向dr1布置的包括第一子像素spx1的多个子像素spxn，第二堤图案bp2和第三堤图案bp3设置在第一子像素spx1的发射区域ema中并且与第一堤图案bp1隔开。
93.第一堤图案bp1可以在第一方向dr1上延伸，并且可以设置超过第一子像素spx1的发射区域ema和子区域sa。第一堤图案bp1可以包括设置在发射区域ema中的第一堤部分、设置在子区sa中的第二堤部分、以及连接第一堤部分和第二堤部分的第三堤部分。
94.第一堤图案bp1的第一堤部分可以设置在第二堤图案bp2和第三堤图案bp3之间，以形成其中布置发光元件ed的空间。第一堤部分可以具有比第三堤部分更大的宽度，使得电极rme可以设置在第一堤部分上。第二堤部分可以设置在子区域sa中，并且可以具有比第一堤部分和第三堤部分更大的宽度。第三电极rme3的第三电极延伸部ep3可以设置在第二堤部分上，并且第二堤部分可以在子区域sa中形成相对平坦的、高的表面。第三堤部分可以大体上在第一方向dr1上延伸并且可以部分地弯曲。第三堤部分是第一堤图案bp1的连接沿第一方向dr1布置的第一堤部分和第二堤部分的一部分。第三堤部分可以占据除了第一堤部分和第二堤部分之外的整个第一堤图案bp1。
95.第二堤图案bp2可以设置在发射区域ema的中心的在第二方向dr2上的一侧上(例如，在发射区域ema的中心的左侧上)，并且第三堤图案bp3可以设置在发射区域ema的中心的在第二方向dr2上的另一侧上(例如，在发射区域ema的中心的右侧上)。第二堤图案bp2和第三堤图案bp3可以在第一方向dr1上延伸，并且可以具有比发射区域ema在第一方向dr1上的长度更小的长度。第二堤图案bp2和第三堤图案bp3可以部分地与堤层bnl的在第一方向dr1上延伸的部分重叠。发光元件ed可以设置在第一堤图案bp1的第一堤部分和第二堤图案bp2之间以及第一堤图案bp1的第一堤部分和第三堤图案bp3之间。
96.堤图案bp可以至少部分地从过孔层via的顶表面突出。堤图案bp的突出部分中的每一个可以具有倾斜的侧表面，并且从发光元件ed发射的光可以从堤图案bp上的电极rme反射，以在过孔层via的向上方向(例如，显示设备10的图像显示方向，即，第三方向dr3)上
发射。然而，本公开不限于此。可替代地，堤图案bp可以具有带曲率的半圆形或半椭圆形形状。堤图案bp可以包括诸如pi的有机绝缘材料，但是本公开不限于此。
97.电极rme可以在一个方向上延伸，并且可以设置在每个子像素spxn中，例如设置在第一子像素spx1中。电极rme可以在第一方向dr1上延伸，可以设置在发射区域ema中，并且可以沿着第二方向dr2彼此隔开。电极rme可以通过连接电极cne电连接到发光元件ed，并且可以将施加到其上的电信号从下面的导电层传输到发光元件ed。
98.显示设备10可以包括第一电极rme1、第二电极rme2、第三电极rme3和第四电极rme4。第一电极rme1可以设置在发射区域ema的中间中，并且第二电极rme2可以沿着第二方向dr2与第一电极rme1隔开，并且可以设置在发射区域ema的左侧上。第三电极rme3可以设置在第一电极rme1和第二电极rme2之间，并且第四电极rme4可以在第二方向dr2上与第一电极rme1隔开，并且可以设置在发射区域ema的右侧上。
99.第一电极rme1可以设置在发射区域ema和子区域sa中并跨过发射区域ema和子区域sa。第一电极rme1的在第一方向dr1上的第一端部分可以设置在子区域sa的分离部分rop的边界处，并且在第一方向dr1上的第二端部分可以设置在下部相邻子像素spxn的子区域sa中。第一子像素spx1的电极rme可以通过子区域sa的分离部分rop与在第一方向dr1上的上部相邻子像素spxn的电极rme隔开。
100.第二电极rme2可以在第一方向dr1上延伸，并且可以设置在沿着第一方向dr1布置的包括第一子像素spx1的多个子像素spxn中。与第一电极rme1不同，第二电极rme2可以设置在沿第一方向dr1布置的多个子像素spxn中，并且可以与堤层bnl的在第一方向dr1上延伸的部分重叠。
101.第三电极rme3可以设置在发射区域ema和子区域sa中并跨过发射区域ema和子区域sa。第三电极rme3的在第一方向dr1上的第一端部分可以设置在子区域sa的分离部分rop的边界处，并且第三电极rme3的在第一方向dr1上的第二端部分可以设置在发射区域ema中。第三电极rme3可以包括在子区域sa中的设置在第一堤图案bp1的第二堤部分上的第三电极延伸部ep3。在一个或多个实施方式中，在电极rme上包括绝缘层或导电层的图案可以设置在第三电极延伸部ep3上。
102.与第一电极rme1类似，第四电极rme4可以在第一方向dr1上延伸，并且可以在子区域sa中与在第一方向dr1上的上部相邻子像素spxn的第四电极rme4隔开。第四电极rme4可以与堤层bnl的在第一方向dr1上延伸的部分重叠，并且可以与其它电极rme隔开。第一电极rme1可以与在第一方向dr1上的上部相邻子像素spxn的第一电极rme1隔开并对准，而第四电极rme4可以与在第一方向上的上部相邻子像素spxn的第四电极rme4隔开但不对准。第四电极rme4可以设置成邻接子区域sa的分离部分rop的在第二方向dr2上的一侧，可以在第一方向dr1上延伸，并且可以弯曲成邻接在第一方向dr1上的下部相邻子像素spxn的子区域sa的分离部分rop的在第一方向dr1上的一侧。
103.第一电极rme1、第三电极rme3和第四电极rme4是在第一方向dr1上具有设置在子区域sa中的其第一端部分的电极，第一电极rme1、第三电极rme3和第四电极rme4甚至可以设置在子区域sa的分离部分rop中。第一电极rme1和第四电极rme4的在第一方向dr1上的第二端部分甚至可以设置在第一方向dr1上的下部相邻子像素spxn的子区域sa的分离部分rop中。第一电极rme1、第三电极rme3和第四电极rme4可以最初形成为通过设置在子区域sa
的分离部分rop中的电极连接器cep(参见图11)彼此连接，并且随后可以通过在布置发光元件ed之后连接电极连接器cep而彼此分离。结果，第一电极rme1、第三电极rme3和第四电极rme4中的每一个的两个端部分可以与不同的子区域sa的分离部分rop接触。
104.电极连接器cep可以使用掩模通过蚀刻工艺从子区域sa去除，并且在蚀刻工艺期间，邻近于分离部分rop的电极rme可能被部分损坏，或者电极rme的材料的残留物可能保留。然而，由于显示设备10包括覆盖与分离部分rop相邻的电极rme的绝缘层，所以可以防止在用于去除电极连接器cep的蚀刻工艺期间损坏电极rme的与分离部分rop相邻的部分。用于去除电极连接器cep的蚀刻工艺可以在发光元件ed、第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2的形状之后执行。第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2可以被设置成覆盖除分离部分rop之外的整个子区域sa，并且可以因此能够防止电极rme在蚀刻工艺期间被损坏。这将在后面描述。
105.第一电极rme1和第三电极rme3的发射区域ema中的部分可以设置在第一堤图案bp1的第一堤部分的两侧，第二电极rme2的发射区域ema中的部分可以设置在第二堤图案bp2上，并且第四电极rme4的在发射区域ema中的部分可以设置在第三堤图案bp3上。电极rme大体上可以在第一方向dr1上延伸，但是可以形成为在堤图案bp上具有相对较大的宽度或者被弯曲，并且电极rme之间的距离可以小于堤图案bp之间的距离。在一个或多个实施方式中，第二电极rme2和第三电极rme3的堤图案bp上的部分之间的距离可以小于第一堤图案bp1和第二堤图案bp2之间的在第二方向dr2上的距离，并且第一电极rme1和第四电极rme4的在堤图案bp上的部分之间的距离可以小于第一堤图案bp1和第三堤图案bp3之间的在第二方向dr2上的距离。电极rme的至少部分可以直接设置在过孔层via上，并且因此可以设置在同一平面处。
106.电极rme可以设置在堤图案bp的至少倾斜的侧表面上。在一个或多个实施方式中，电极rme在堤图案bp上的部分可以在第二方向dr2上具有比堤图案bp更小的宽度。电极rme可以设置成覆盖堤图案bp中的每一个的至少一个侧表面。从在堤图案bp之间的发光元件ed发射的光可以被堤图案bp上的电极rme反射以向上发射。电极rme可以包括具有高反射率的导电材料，并且可以因此能够反射从发光元件ed发射的光。
107.第一电极rme1可以包括设置在子区域sa中的第一电极延伸部ep1，并且第一电极延伸部ep1可以通过第一接触孔ctd与第二导电图案cdp2接触，第一接触孔ctd穿透过孔层via和第一钝化层pv1。第二电极rme2可以包括第二电极延伸部ep2，该第二电极延伸部ep2设置在发射区域ema的下部部分中，并且第二电极延伸部ep2可以通过第二接触孔cts与第三导电层的第二电压线vl2接触，该第二接触孔cts穿透过孔层via和第一钝化层pv1。第一电极rme1可以通过第一电极图案cdp1和第二电极图案cdp2电连接到第一晶体管t1，并且因此可以接收第一电源电压，并且第二电极rme2可以电连接到第二电压线vl2，并且因此可以接收第二电源电压。
108.如以上已经提及的，由于第一子像素spx1和第三子像素spx3具有与第二子像素spx2不同的发射区域ema和子区域sa的布置的图案，因此电极rme的布置的图案可以根据子像素spxn的类型而变化。在第一子像素spx1和第三子像素spx3中的每一个中，子区域sa可以设置在发射区域ema上方，并且第三电极rme3可以从第三电极延伸部ep3向下延伸。相反，在第二子像素spx2中，子区域sa可以设置在发射区域ema下方，并且第三电极rme3可以从第
三电极延伸部ep3向上延伸。第一电极rme1、第二电极rme2和第四电极rme4的布置的图案也可以根据每个子像素spxn的配置而变化。
109.参照图2，当第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的子区域sa彼此对角地隔开时，第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的第一电极rme1的第一电极延伸部ep1和第一接触孔ctd可以彼此对角地布置。与第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的第一电极rme1接触的第二导电图案cdp2的位置可以根据第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的配置而变化。
110.参照图5-图7，第一绝缘层pas1大体上可以设置在整个显示区域dpa中、过孔层via和电极rme上。第一绝缘层pas1可以保护电极rme并且可以使电极rme彼此绝缘。如在堤层bnl的形成之前，第一绝缘层pas1设置成覆盖电极rme，可以防止电极rme在堤层bnl的形成期间被损坏。此外，第一绝缘层pas1可以防止发光元件ed被放置成与其它构件直接接触并被其它构件损坏。
111.第一绝缘层pas1可以形成为在其顶表面处在每对在第二方向dr2上彼此隔开的电极rme之间具有凹陷。发光元件ed可以设置在第一绝缘层pas1的顶表面的凹陷部分上，并且可以在第一绝缘层pas1和发光元件ed之间形成间隙。
112.第一绝缘层pas1可以设置成覆盖电极rme，并且可以包括多个开口，多个开口暴露电极rme的顶表面的部分。在一个或多个实施方式中，第一绝缘层pas1可以包括在发射区域ema中暴露电极rme的顶表面的部分的多个第一接触部ct1、第二接触部ct2、第三接触部ct3和第四接触部ct4。第一接触部ct1、第二接触部ct2、第三接触部ct3和第四接触部ct4可以分别设置在第一电极rme1、第二电极rme2、第三电极rme3和第四电极rme4上。连接电极cne可以与电极rme的通过第一接触部ct1、第二接触部ct2、第三接触部ct3和第四接触部ct4暴露的部分接触。第一接触部ct1、第二接触部ct2、第三接触部ct3和第四接触部ct4被示出为设置在发射区域ema中，但是本公开不限于此。可替代地，第一接触部ct1、第二接触部ct2、第三接触部ct3和第四接触部ct4可以设置在子区域sa中。
113.第一绝缘层pas1可以设置在子区域sa中，但不设置在暴露过孔层via的顶表面的部分的分离部分rop中，并且可以包括开口op，开口op暴露第一电极rme1的在第一接触孔ctd中的部分。如以上已经提及的，分离部分rop是其中电极rme中的一些与其它电极rme隔开并且其中电极rme在显示设备10的制造期间被分离的区域。开口op可以暴露第一电极rme1的在第一接触孔ctd中的部分。当开口op暴露第一电极rme1时，第一电极rme1的由开口op暴露的部分可能在用于在分离部分rop中分离电极rme的蚀刻工艺期间被损坏，或者可能在蚀刻工艺之后保留。这可以通过用第二绝缘层pas2覆盖开口op来解决。
114.堤层bnl可以设置在第一绝缘层pas1上。堤层bnl可以包括在第一方向dr1上延伸的部分和在第二方向dr2上延伸的部分，并且可以环绕(或围绕)每个子像素spxn。此外，堤层bnl可以环绕(或围绕)并分隔每个子像素spxn的发射区域ema和子区域sa，并且可以通过围绕显示区域dpa的最外部分来分隔显示区域dpa和非显示区域nda。可以在整个显示区域dpa中设置堤层bnl以形成网格图案，并且显示区域dpa的由堤层bnl打开的部分可以是每个子像素spxn的发射区域ema和子区域sa。
115.与堤图案bp一样，堤层bnl可以具有适当的高度(例如，预定的高度)。在一个或多个实施方式中，堤层bnl的顶表面可以在第三方向dr3上具有比堤图案bp更大的高度，并且
堤层bnl的厚度可以等于或大于堤图案bp的厚度。在显示设备10的制造期间中，在喷墨打印过程中，堤层bnl可以防止墨水在相邻子像素spxn之间溢出。与堤图案bp一样，堤层bnl可以包括有机绝缘材料，诸如pi。
116.发光元件ed可以设置在第一绝缘层pas1上。发光元件ed可以在一个方向上延伸，并且发光元件ed延伸的方向可以平行于第一衬底sub。如后面将要描述的，发光元件ed中的每一个可以包括在发光元件ed延伸的方向上布置的多个半导体层。半导体层可以在平行于第一衬底sub的顶表面的方向上顺序布置，但是本公开不限于此。可替代地，半导体层可以在垂直于第一衬底sub的方向上布置。
117.发光元件ed在堤图案bp之间可以设置在沿着第二方向dr2彼此隔开的每对电极rme之间。发光元件ed的长度可以大于电极rme之间的在第二方向dr2上的距离。发光元件ed中的每一个的至少一个端部分可以设置在电极rme中的一个上，或者发光元件ed中的每一个的相应的端部分可以设置在相应的电极rme上。在一个或多个实施方式中，发光元件ed可以包括在第一电极rme1和第四电极rme4上的设置在第一堤图案bp1和第三堤图案bp3之间的第一发光元件ed1、以及在第二电极rme2和第三电极rme3上的设置在第一堤图案bp1和第二堤图案bp2之间的第二发光元件ed2。发光元件ed可以布置成使得电极rme延伸的方向和发光元件ed延伸的方向可以基本上彼此形成直角。发光元件ed可以在电极rme延伸的方向上(即，在第一方向dr1上)彼此隔开，并且可以基本上平行于彼此地对准，但是本公开不限于此。可替代地，发光元件ed可以相对于电极rme延伸的方向以一倾斜角设置。
118.发光元件ed可以根据其半导体层的材料发射不同波长范围的光，但是本公开不限于此。可替代地，发光元件ed中的每一个的半导体层可以包括相同的材料，使得发光元件ed可以发射相同颜色的光。
119.第二绝缘层pas2可以设置在发光元件ed、第一绝缘层pas1和堤层bnl上。第二绝缘层pas2可以包括在堤图案bp之间在第一方向dr1上延伸并设置在发光元件ed上的图案部分。图案部分可以设置成环绕(或围绕)发光元件ed中的每一个的外表面的部分，并且可以不覆盖发光元件ed中的每一个的两侧或两端部分。在平面图中，图案部分可以在每个子像素spxn中形成线性或岛状图案。第二绝缘层pas2的图案部分可以在显示设备10的制造期间保护和固定发光元件ed。第二绝缘层pas2可以设置成填充第一绝缘层pas1和发光元件ed之间的间隙。
120.在发射区ema中，第二绝缘层pas2可以不设置在第一接触部ct1、第二接触部ct2、第三接触部ct3和第四接触部ct4上，而是暴露第一接触部ct1、第二接触部ct2、第三接触部ct3和第四接触部ct4。第二绝缘层pas2的一部分可以设置在子区域sa中。第二绝缘层pas2的在子区域sa中的一部分可以不设置在分离部分rop中，而是可以覆盖开口op。
121.连接电极cne可以设置在电极rme和发光元件ed上并与电极rme和发光元件ed接触。连接电极cne可以与发光元件ed中的每一个的一个端部分接触，并且通过穿透第一绝缘层pas1的第一接触部ct1、第二接触部ct2、第三接触部ct3和第四接触部ct4与电极rme中的至少一个接触。
122.第一连接电极cne1可以在第一方向dr1上延伸并且可以设置在第一电极rme1上。第一连接电极cne1可以与第一电极rme1的在第一堤图案bp1的第一堤部分上的一部分重叠。第一连接电极cne1可以在发射区域ema中通过第一接触部ct1与第一电极rme1接触。此
外，第一连接电极cne1可以与第一发光元件ed1的第一端部分接触，并且可以将施加到其上的电信号从第一晶体管t1传输到发光元件ed。
123.第二连接电极cne2可以在第一方向dr1上延伸并且可以设置在第二电极rme2上。第二连接电极cne2可以与第二电极rme2的在第二堤图案bp2上的一部分重叠。第二连接电极cne2可以在发射区域ema中通过第二接触部ct2与第二电极rme2接触。此外，第二连接电极cne2可以与第二发光元件ed2的第一端部分接触，并且可以将施加到其上的电信号从第二电压线vl2传输到发光元件ed。
124.第三连接电极cne3可以设置在第三电极rme3和第四电极rme4上。第三连接电极cne3可以包括在第一方向dr1上延伸的第一延伸部cn_e1和第二延伸部cn_e2、以及连接第一延伸部cn_e1和第二延伸部cn_e2的多个第一连接器cn_b1。第三连接电极cne3可以环绕(或围绕)第一连接电极cne1。
125.第一延伸部cn_e1可以与第四电极rme4的在第三堤图案bp3上的一部分重叠，并且第二延伸部cn_e2可以与第三电极rme3的在第一堤图案bp1上的一部分重叠。第一延伸部cn_e1可以与第一连接电极cne1隔开，并且与第一连接电极cne1相对(或面对)，并且第二延伸部cn_e2可以与第二连接电极cne2隔开，并且与第二连接电极cne2相对(或面对)。第一延伸部cn_e1可以与第四电极rme4的通过第四接触部ct4暴露的一部分接触，并且第二延伸部cn_e2可以与第三电极rme3的通过第三接触部ct3暴露的一部分接触。第一延伸部cn_e1可以与第一发光元件ed1接触，并且第二延伸部cn_e2可以与第二发光元件ed2接触。第三电极rme3和第四电极rme4可以通过第三连接电极cne3接收电信号。
126.第一连接器cn_b1可以设置在第一连接电极cne1的在第一方向dr1上的两侧上。在平面图中，第一延伸部cn_e1和第二延伸部cn_e2的在第一方向dr1上的长度可以大于第一连接电极cne1的在第一方向dr1上的长度，并且第三连接电极cne3可以具有环绕(或围绕)第一连接电极cne1的矩形形状。
127.第三绝缘层pas3可以设置在第三连接电极cne3和第二绝缘层pas2上。第三绝缘层pas3可以设置在第二绝缘层pas2的整个表面上以覆盖第三连接电极cne3，并且第一连接电极cne1和第二连接电极cne2可以设置在第三绝缘层pas3上。第三绝缘层pas3可以设置在过孔层via的除了设置第一连接电极cne1和第二连接电极cne2的区域之外的整个表面上。第三绝缘层pas3可以使第一连接电极cne1和第二连接电极cne2与第三连接电极cne3绝缘，使得第一连接电极cne1和第二连接电极cne2可以不与第三连接电极cne3直接接触。
128.第三绝缘层pas3可以设置在整个子区域sa中，并且可以覆盖分离部分rop。第三绝缘层pas3可以与过孔层via的顶表面的暴露在电极rme之间的部分直接接触，该部分在分离部分rop中彼此隔开。
129.在一个或多个实施方式中，还可以在第三绝缘层pas3和第一连接电极cne1上设置附加绝缘层。附加绝缘层可以保护设置在第一衬底sub上的元件免受外部环境的影响。
130.第一绝缘层pas1、第二绝缘层pas2和第三绝缘层pas3可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。
131.图8是根据本公开的一个或多个实施方式的发光元件的透视图。
132.参照图8，发光元件ed可以是发光二极管(led)，例如，具有几纳米或几微米的尺寸并且由无机材料形成的iled。如果在两个相对电极之间的特定方向上形成电场，则发光元
件ed可以在形成极性的两个电极之间对准。
133.发光元件ed可以具有在一个方向上延伸的形状。发光元件ed可以具有圆柱体、杆、线或管的形状，但是发光元件ed的形状没有特别限制。可替代地，发光元件ed可以具有多边形柱的形状，诸如规则的立方体、矩形的平行六面体或六边形柱，或者可以具有在一个方向上延伸但具有部分倾斜的外表面的形状。
134.发光元件ed可以包括掺杂有任意导电类型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可以从外部电源接收电信号以发射特定波长范围的光。发光元件ed可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37和绝缘膜38。
135.第一半导体层31可以包括n型半导体。第一半导体层31可以包括半导体材料，即，al
x
gayin
1-x-y
n(其中0≤x≤1,0≤y≤1，以及0≤x+y≤1)。在一个或多个实施方式中，第一半导体层31可以包括掺杂有n型掺杂剂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种。n型掺杂剂可以是si、ge、se或sn。
136.第二半导体层32可以设置在第一半导体层31上，且发光层36插置在它们之间。第二半导体层32可以包括p型半导体。第二半导体层32可以包括半导体材料，即，al
x
gayin
1-x-y
n(其中0≤x≤1,0≤y≤1，以及0≤x+y≤1)。在一个或多个实施方式中，第二半导体层32可以包括掺杂有p型掺杂剂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种。p型掺杂剂可以是mg、zn、ca或ba。
137.图8示出第一半导体层31和第二半导体层32形成为单层，但本公开不限于此。可替代地，取决于发光层36的材料，第一半导体层31和第二半导体层32中的每一个可以包括多于一个的层，诸如例如覆层或拉伸应变势垒减小(tsbr)层。
138.发光层36可以设置在第一半导体层31和第二半导体层32之间。发光层36可以包括单量子阱或多量子阱结构材料。在发光层36包括具有多量子阱结构的材料的情况下，发光层36可以具有其中多个量子层和多个阱层交替堆叠的结构。发光层36可以通过根据经由第一半导体层31和第二半导体层32施加到其的电信号使电子-空穴对结合来发射光。发光层36可以包括诸如algan或algainn的材料。例如，在发光层36具有其中多个量子层和多个阱层交替堆叠的多量子阱结构的情况下，量子层可以包括诸如algan或algainn的材料，并且阱层可以包括诸如gan或alinn的材料。
139.发光层36可以具有这样的结构，其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料交替堆叠，或者取决于要发射的光的波长，发光层36可以包括iii族或v族半导体材料。由发光层36发射的光的类型没有特别限制。发光层36可以根据需要发射红或绿波长范围的光，而不是蓝光。
140.电极层37可以设置在第二半导体层32上。电极层37可以是欧姆连接电极，但本公开不限于此。可替代地，电极层37可以是肖特基连接电极。发光元件ed可以包括至少一个电极层37。发光元件ed可以包括多于一个的电极层37，但是本公开不限于此。可替代地，可以不提供电极层37。
141.当发光元件ed电连接至电极rme(或连接电极cne)时，电极层37可以减小发光元件ed与电极rme(或连接电极cne)之间的电阻。电极层37可以包括导电金属。在一个或多个实施方式中，电极层37可以包括al、ti、in、金(au)、ag、ito、izo和itzo中的至少一种。
142.绝缘膜38可以设置成环绕(或围绕)第一半导体层31和第二半导体层32、发光层36
和电极层37的外表面(例如，外周边或圆周表面)。在一个或多个实施方式中，绝缘膜38可以设置成环绕(或围绕)发光层36的至少一个外表面(例如，外周边或圆周表面)，但是可以在暴露发光元件ed的在长度方向上的两个端部分。在与发光元件ed的至少一个端相邻的区域中，绝缘膜38可以在剖视图中形成为圆形。
143.绝缘膜38可以包括具有绝缘特性的材料，诸如例如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氮化铝(aln
x
)或氧化铝(alo
x
)。绝缘膜38被示出为单层膜，但是本公开不限于此。可替代地，在一个或多个实施方式中，绝缘膜38可以形成为其中堆叠有多个层的多层膜。
144.绝缘膜38可以保护发光元件ed的其它元件。在发光元件ed与电信号被施加至其的电极直接接触的情况下，绝缘膜38可以防止在发光元件36中可能发生的任何短路。此外，绝缘膜38可以防止发光元件ed的发射效率的降低。
145.绝缘膜38的外表面(例如，外周边或圆周表面)可以进行表面处理。发光元件ed可以在分散在墨水(例如，预定的墨水)中时被喷涂在电极上。此处，可以对绝缘膜38的表面进行疏水或亲水处理，以保持发光元件ed分散在墨水中，而不会与其它相邻的发光元件ed聚集。
146.图9是图4的部分a的放大平面图。图10是沿着图9的线n6-n6'截取的剖视图。图10示出了跨过第一绝缘层pas1的分离部分rop和开口op截取的剖视图。
147.参照图9和图10，电极rme的部分可以设置在子区域sa中，并且第一绝缘层pas1、第二绝缘层pas2和第三绝缘层pas3可以设置在电极rme的部分上。电极rme的至少部分可以设置在子区域sa中，并且第一电极rme1、第三电极rme3和第四电极rme4的在第一方向dr1上的第一端可以设置成邻接分离部分rop。第二电极rme2可以与子区域sa的分离部分rop隔开，并且可以跨过沿着第一方向dr1布置的包括第一子像素spx1的多个子像素spxn布置，而不在子区域sa中被分开。
148.执行电极连接器cep的去除，该电极连接器cep连接子区域sa的分离部分rop中的电极rme中的一些。第一电极rme1、第三电极rme3和第四电极rme4可以最初形成为通过子区域sa中的电极连接器cep彼此连接，并且可以在第二绝缘层pas2的形成之后通过去除电极连接器cep而随后彼此分离。因此，在子区域sa的分离部分rop中，可以不设置第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2，并且第三绝缘层pas3可以覆盖分离部分rop。在分离部分rop中，第三绝缘层pas3可以直接接触过孔层via的顶表面，并且第一电极rme1的端被分离部分rop分隔。由分离部分rop分隔的第一电极rme1可以是在第一方向dr1上彼此隔开的不同子像素spxn的第一电极rme1。
149.第一绝缘层pas1不设置在子区域sa的分离部分rop中，并且包括开口op，开口op暴露第一电极延伸部ep1的一部分。开口op可以设置成与第一接触孔ctd重叠，并且开口op的直径可以大于第一接触孔ctd的直径。没有设置第一绝缘层pas1的分离部分rop的面积可以大于开口op的面积。由于分离部分rop用于去除电极连接器cep并且开口op形成为与第一接触孔ctd相对应，所以分离部分rop和开口op具有不同的面积。如果使用第一电极延伸部ep1的由第一绝缘层pas1的开口op暴露的一部分来执行电极连接器cep的去除，则第一电极延伸部ep1的一部分可能被去除，或者电极连接器cep的一部分可能保留在开口op中，在第一子像素spx1中引起电连接错误。为了防止这种情况，第二绝缘层pas2可以设置成覆盖子区
域sa的除分离部分rop之外的一部分，例如第一绝缘层pas1的开口op。
150.如图9和图10中所示的，第二绝缘层pas2可以覆盖除分离部分rop之外的整个子区域sa。第二绝缘层pas2可以遍及发射区域ema和子区域sa设置，以暴露分离部分rop和发光元件ed中的每一个的两个端部分。第二绝缘层pas2可以覆盖开口op并且可以与第一电极延伸部ep1直接接触。从子区域sa去除电极连接器cep可以使用仅不设置在分离部分rop中的第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2来执行，并且除了分离部分rop之外的区域可以由第二绝缘层pas2来保护。因此，可以防止可能由任何残留物引起的对电极rme的损坏或连接错误，并且可以减小或最小化由第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2暴露的分离部分rop的尺寸。
151.图11-图14是示出在图1的显示设备的制造期间在子区域中的电极的形状的平面图或剖视图。图11和13是示出最初由电极连接器cep连接的一些电极rme如何在子区域sa中分开的平面图，以及图12和图14是分别沿着图11的线p1-p1'和图13的线p2-p2'截取的剖视图，并且示出了跨过分离部分rop和开口op截取的剖视图。
152.参照图11和图12，多个电极rme中的一些，即第一电极rme1和第三电极rme3，可以最初在每个子像素spxn中形成为通过电极连接器cep连接。电极连接器cep可以在第二方向dr2上延伸，可以设置在子区域sa中，并且可以连接在第二方向dr2上彼此隔开的电极rme中的一些。然而，第二电极rme2和第四电极rme4可以沿着第二方向dr2与电极连接器cep隔开，并且可以不连接至其它电极rme。当稍后去除电极连接器cep时，子区域sa的分离部分rop可以设定为电极连接器cep所设置的区域。
153.第一绝缘层pas1可以设置成覆盖电极rme，但暴露电极连接器cep和第一电极延伸部ep1的一部分。设置电极连接器cep的区域可以成为分离部分rop，并且第一绝缘层pas1可以不设置在分离部分rop中。第一绝缘层pas1可以包括开口op，开口op暴露第一电极延伸部ep1的与第一接触孔ctd重叠的一部分。
154.在第一绝缘层pas1的形成之后通过向电极rme施加电信号可以将发光元件ed布置在发射区域ema中。响应于施加到第二电极rme2和第四电极rme4以及施加到其它电极rme的电信号，发光元件ed可以被放置在沿着第二方向dr2彼此隔开的每对电极rme上。当第一电极rme1和第三电极rme3通过电极连接器cep连接时，可以同时将电信号施加到第一电极rme1和第三电极rme3。发光元件ed可以放置在电极rme上，接收来自形成在第一电极rme1和第四电极rme4之间的电场的力，并且放置在第二电极rme2和第三电极rme3上，但是本公开不限于此。可替代地，通过控制如何将电信号施加到电极rme，发光元件ed可以甚至设置在彼此连接的电极rme之间。
155.此后，第二绝缘层pas2可以设置成覆盖发光元件ed。第二绝缘层pas2可以覆盖发射区域ema和子区域sa，但是可以不设置在分离部分rop中。当在分离部分rop中执行电极连接器cep的去除时，第二绝缘层pas2可以暴露电极连接器cep。相反，在子区域sa中，由于第二绝缘层pas2覆盖第一绝缘层pas1的开口op，所以第一电极延伸部ep1可以不完全暴露。
156.在发射区域ema中，第二绝缘层pas2可以最初形成为完全覆盖发光元件ed中的每一个的两个端部分，并且可以稍后图案化以暴露发光元件ed中的每一个的两个端部分。
157.此后，参照图13和图14，电极连接器cep从分离部分rop去除，在分离部分rop中不设置第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2。电极连接器cep的去除可以通过使用与分离部分
rop的形状相匹配的掩模或者使用暴露电极连接器cep的第一绝缘层pas1作为掩模图案化来执行。
158.由于在电极连接器cep的去除期间，除了分离部分rop之外的整个子区域sa被第二绝缘层pas2覆盖，因此可以防止可能由来自图案化的残留物引起的对电极rme的损坏。例如，当第二绝缘层pas2覆盖开口op时，可以保护与第一接触孔ctd重叠的第一电极延伸部ep1。此外，最初形成为通过电极连接器cep彼此连接的第一电极rme1、第三电极rme3和第四电极rme4可以简单地通过去除电极连接器cep来分离。也就是说，即使分离部分rop仅与电极连接器cep一样大，第一电极rme1、第三电极rme3和第四电极rme4也可以通过分离部分rop适当地彼此分离。
159.由于第二绝缘层pas2被设置为覆盖除分离部分rop之外的整个子区域sa，因此在电极rme的分离期间可以防止第一电极rme1被损坏或留下任何残余物，第一电极rme1通过第一接触孔ctd连接至第三导电层。此外，根据第二绝缘层pas2的布局，由于待分离的电极rme(例如，第一电极rme1、第三电极rme3和第四电极rme4)最初形成为由电极连接器cep连接，所以可以减小或最小化用于分离电极rme的分离部分rop的尺寸，使得分离部分rop可以仅与电极连接器cep一样大。
160.除了图2中所示的那些配置和布局，显示设备10可以具有像素px和电极rme的各种配置和布局，并且在每个子像素spxn的子区域sa中的分离部分rop和开口op的布局可以相应地变化。
161.图15是根据本公开的一个或多个实施方式的显示设备的像素的平面图。图16是图15的第一子像素的平面图。图17是沿图16的线n7-n7'、n8-n8'和n9-n9'截取的剖视图。图18是沿图16的线n10-n10'、n11-n11'和n12-n12'截取的剖视图。图17示出了跨过图16的第一子像素spx1中的第一发光元件ed1和第二发光元件ed2以及第一接触部ct1和第二接触部ct2截取的剖视图。图18示出了跨过第一子像素spx1中的第一接触孔ctd、第二接触孔cts和第三接触孔cta截取的剖视图。
162.参照图15-图18，显示设备10_1的像素px具有与图2的像素px不同的配置，并且包括与图2的像素px不同的电极rme、堤图案bp、堤层bnl和连接电极cne的布局。
163.堤层bnl可以在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸，并且可以布置成晶格图案(例如，理想晶格图案)。由堤层bnl的在第一方向dr1上延伸的部分和堤层bnl的在第二方向dr2上延伸的部分包围的区域可以成为第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的发射区域ema和子区域sa。因此，第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3可以具有基本上相同的配置。在图15-图18的实施方式中，与在图2的实施方式中不同，子区域sa可以设置在发射区域ema的在第一方向dr1上的第一侧上，即，设置在发射区域ema的上侧上，并且发射区域ema或子区域sa可以沿着第二方向dr2并排布置。
164.堤图案bp可以在第一方向dr1上延伸，并且可以在第一方向dr1上比发射区域ema短。堤图案bp可以在第二方向dr2上具有不同的宽度，并且堤图案bp中的一些可以跨过在第二方向dr2上的两个相邻子像素spxn设置。在一个或多个实施方式中，堤图案bp可以包括第一堤图案bp1和第二堤图案bp2，第一堤图案bp1设置在发射区ema中，第二堤图案bp2各自设置在第二方向dr2上的两个不同的相邻子像素spxn中。
165.在第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3中的每一个中，第一堤图
案bp1可以设置在发射区域ema的中间中，并且第二堤图案bp2可以彼此隔开，且第一堤图案bp1插置在第二堤图案bp2之间。第一堤图案bp1和第二堤图案bp2可以沿着第二方向dr2跨过第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3交替布置。发光元件ed可以设置在第一堤图案bp1和第二堤图案bp2之间的间隙中。
166.第一堤图案bp1和第二堤图案bp2可以在第一方向dr1上具有相同的长度，但是可以在第二方向dr2上具有不同的宽度。堤层bnl的在第一方向dr1上延伸的部分可以在第一衬底sub的厚度方向(即，第三方向dr3)上与第二堤图案bp2重叠。堤图案bp可以在整个显示区域dpa中布置为岛状图案。
167.多个电极rme可以包括设置在第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的中间中的第一电极rme1、以及各自跨过在第二方向dr2上的两个不同子像素spxn设置的第二电极rme2。第一电极rme1和第二电极rme2大体上可以在第一方向dr1上延伸，并且可以在第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的发射区域ema中具有不同的形状。
168.第一电极rme1可以设置在第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的中间中，并且第一电极rme1的在发射区域ema中的部分可以设置在第一堤图案bp1上。与图2的对应部分一样，第一电极rme1可以在第一方向dr1上从子区域sa延伸到第一方向dr1上的其它相邻子像素spxn的子区域sa。第一电极rme1可以在第二方向dr2上从一部分到另一部分具有不同的宽度，并且第一电极rme1的在第一堤图案bp1上的部分可以至少在发射区域ema中在第二方向dr2上具有比第一堤图案bp1更大的宽度。第一电极rme1可以设置成覆盖第一堤图案bp1中的每一个的两个侧表面。
169.第二电极rme2可以包括在第一方向dr1上延伸的部分和靠近发射区域ema分支的部分。在一个或多个实施方式中，第二电极rme2可以包括在第一方向dr1上延伸的电极杆rm_s、以及从电极杆rm_s分支以在第二方向dr2上弯曲并且在第一方向dr1上延伸回来的电极分支rm_b1和rm_b2。电极杆rm_s可以设置在第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的子区域sa的在第二方向dr2上的第一侧上，以与堤层bnl的在第一方向dr1上延伸的部分重叠。电极分支rm_b1和rm_b2可以从设置在堤层bnl的在第一方向dr1上延伸的部分上和堤层bnl的在第二方向dr2上延伸的部分上的电极杆rm_s分支，并且可以从它们各自的电极杆rm_s的在第二方向dr2上的两侧弯曲。电极分支rm_b1和rm_b2可以沿着第一方向dr1布置在两个不同的发射区域ema中，并且然后可以被弯曲成并入到电极杆rm_s中并连接到电极杆rm_s。也就是说，电极分支rm_b1和rm_b2可以在发射区域ema上方从电极杆rm_s分支，并且可以在发射区域ema下方连接在一起。
170.第二电极rme2可以包括设置在第一电极rme1的左侧上的第一电极分支rm_b1和设置在第一电极rme1的右侧上的第二电极分支rm_b2。一个第二电极rme2的第一电极分支rm_b1和第二电极分支rm_b2可以设置在第二方向dr2上的两个相邻子像素spxn的发射区域ema中，并且两个不同的相邻第二电极rme2的第一电极分支rm_b1和第二电极分支rm_b2可以设置在相同的子像素spxn中。一个第二电极rme2的第一电极分支rm_b1可以设置在第一电极rme1的左侧上，并且另一个电极rme2的第二电极分支rm_b2可以设置在第一电极rme1的右侧上。
171.第二电极rme2的电极分支rm_b1和rm_b2可以设置在第二堤图案bp2的侧面上。第
一电极分支rm_b1可以设置在第一堤图案bp1的左侧上的第二堤图案bp2上，并且第二电极分支rm_b2可以设置在第一堤图案bp1的右侧上的第二堤图案bp2上。第一电极rme1中的每一个可以与两个不同的第二电极rme2的两个不同的电极分支rm_b1和rm_b2隔开，并且面对两个不同的第二电极rme2的两个不同的电极分支rm_b1和rm_b2，并且第一电极rme1与第二电极rme2的电极分支rm_b1和rm_b2之间的距离可以小于堤图案bp之间的距离。
172.此外，第一电极rme1的在第二方向dr2上的宽度可以大于第二电极rme2的电极杆rm_s和电极分支rm_b1和rm_b2的宽度。第一电极rme1可以覆盖它们各自的第一堤图案bp1的两个侧表面，而第二电极rme2可以形成为具有相对较小的宽度，并且因此可以用电极分支rm_b1和rm_b2仅覆盖它们各自的第二堤图案bp2的一个侧表面。
173.第一电极rme1可以通过第一接触孔ctd与第三导电层的第二导电图案cdp2在与堤层bnl的在第二方向dr2上延伸的部分重叠的区域中接触。在图15-图18的实施方式中，与图2的实施方式中不同，第一接触孔ctd可以设置在堤层bnl下方，但不设置在子区域sa中。第二电极rme2的电极杆rm_s可以通过第二接触孔cts与第三导电层的第二电压线vl2接触。第一绝缘层pas1的第一接触部ct1可以设置在第一电极rme1的设置在子区域sa中的部分中，并且可以与第一连接电极cne1接触。第二电极rme2可以包括在第二方向dr2上从电极杆rm_s突出的部分以设置在子区域sa中，并且第一绝缘层pas1的第二接触部ct2可以设置在第二电极rme2的突出的部分中并可以与第二连接电极cne2接触。
174.第一接触孔ctd的位置可以从像素px的一个子像素spxn到另一个子像素spxn变化。第一子像素spx1的第一接触孔ctd可以设置在第一子像素spx1的发射区域ema上方，并且第二子像素spx2和第三子像素spx3的第一接触孔ctd可以设置在第二子像素spx2和第三子像素spx3的发射区域ema下方。第一接触孔ctd的位置可以根据第三导电层的平面布局而变化。
175.第一电极rme1可以设置在子区域sa中以由分离部分rop分离，而第二电极rme2可以不在子区域sa中分离。第二电极rme2中的每一个可以包括多个电极杆rm_s和电极分支rm_b1和rm_b2，并且可以在第一方向dr1上延伸，并且第二电极rme2可以在第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的发射区域ema附近分支。第一电极rme1可以设置在子区域sa的分离部分rop之间，并且可以在第一方向dr1上跨过相邻子像素spxn的发射区域ema延伸。
176.显示设备10_1在不同子像素spxn的第一电极rme1之间还可以包括虚设图案dp，虚设图案dp设置在子区域sa中。虚设图案dp可以与第一电极rme1隔开，且分离部分rop插置在它们之间。可以在一个子像素spxn的子区域sa中设置两个分离部分rop，即上分离部分rop和下分离部分rop。在这种情况下，虚设图案dp可以设置成与子像素spxn的第一电极rme1隔开，且下分离部分rop插置在它们之间，并且虚设图案dp可以设置成与在第一方向dr1上的另一个子像素spxn的第一电极rme1隔开，且上分离部分rop插置在它们之间。像图2的每个子像素spxn的第一电极rme1、第三电极rme3和第四电极rme4一样，虚设图案dp可以被形成为通过电极连接器cep连接到第一电极rme1。由于第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2没有设置在分离部分rop中，所以可以执行电极连接器cep的去除，使得第一电极rme1可以与虚设图案dp断开和分离。
177.虚设图案dp可以通过第三接触孔cta连接到第三导电层的第一电压线vl1，第三接
触孔cta穿透过孔层via和第一钝化层pv1。第一电极rme1可以被形成为连接到虚设图案dp，并且用于布置发光元件ed的电信号可以从第一电压线vl1被施加到第一电极rme1。可以通过将信号施加到第一电压线vl1和第二电压线vl2来执行发光元件ed的布置，并且然后可以将信号传输到第一电极rme1和第二电极rme2。
178.发光元件ed可以在不同的堤图案bp之间设置在不同的电极rme上。发光元件ed可以包括第一发光元件ed1和第二发光元件ed2，第一发光元件ed1设置在第一堤图案bp1和第二堤图案bp2之间，并且具有设置在第一电极rme1和第二电极rme2的第二电极分支rm_b2上的相应端部分，第二发光元件ed2具有设置在第一电极rme1和第二电极rme2的第一电极分支rm_b1上的相应端部分。第一发光元件ed1可以设置在第一电极rme1的右侧上，并且第二发光元件ed2可以设置在第一电极rme1的左侧上。
179.连接电极cne可以包括作为第一类型连接电极的第一连接电极cne1和第二连接电极cne2、以及作为第二类型连接电极的第三连接电极cne3。
180.第一连接电极cne1可以在第一方向dr1上延伸并且可以设置在第一电极rme1上。第一连接电极cne1的在第一堤图案bp1上的部分可以与第一电极rme1重叠，并且可以在第一方向dr1上从那里延伸，以甚至设置在发射区域ema上方的子区域sa中，超过堤层bnl。在子区域sa中，第一连接电极cne1可以通过第一接触部ct1与第一电极rme1接触。
181.第二连接电极cne2可以在第一方向dr1上延伸并且可以设置在第二电极rme2上。第二连接电极cne2的在第二堤图案bp2上的部分可以与第二电极rme2重叠，并且可以在第一方向dr1上从那里延伸，以甚至设置在发射区域ema上方的子区域sa中，超过堤形层bnl。在子区域sa中，第二连接电极cne2可以通过第二接触部ct2与第二电极rme2接触。
182.第三连接电极cne3可以包括在第一方向dr1上延伸的延伸部(cn_e1和cn_e2)、以及连接延伸部(cn_e1和cn_e2)的第一连接器cn_b1。第一延伸部cn_e1可以在发射区域ema中与第一连接电极cne1相对(或面对)，并且可以设置在第二电极rme2的第二电极分支rm_b2上，并且第二延伸部cn_e2可以在发射区域ema中与第二连接电极cne2相对(或面对)，并且可以设置在第一电极rme1上。第一连接器cn_b1可以在堤层bnl的在发射区域ema下方的部分上在第二方向dr2上延伸。第三连接电极cne3可以设置在发射区域ema中和堤层bnl上，并且可以不直接连接到电极rme。设置在第一延伸部cn_e1下方的第二电极分支rm_b2可以电连接到第二电压线vl2，并且施加到第二电极分支rm_b2的第二电源电压可以不被传送到第三连接电极cne3。第一连接电极cne1和第二连接电极cne2可以是直接连接到电极rme的第一类型连接电极，并且第三连接电极cne3可以是不直接连接到电极rme的第二类型连接电极。
183.在图15-图18的实施方式中，进行电极rme的分离的分离部分rop设置在子区域sa中的每一个中，并且穿透过孔层via的第三接触孔cta设置在子区域sa中。第一绝缘层pas1可以不设置在子区域sa中的每一个的分离部分rop中，并且可以包括与第三接触孔cta重叠的开口op，并且第二绝缘层pas2可以不设置在子区域sa中的每一个的分离部分rop中，但是可以设置成覆盖开口op。
184.图19是图16的部分b的放大平面图。图20是沿图19的线n13-n13'截取的剖视图。图19示出了说明图16的第一子像素spx1的子区域sa的设置有虚设图案dp和分离部分rop的部分的平面图，并且图20示出了跨过图19的多个分离部分rop和开口op截取的剖视图。
185.参照图19和图20并且进一步参照图16，与第一电极rme1隔开的虚设图案dp可以设置在子区域sa中，并且多个第一绝缘层pas1、第二绝缘层pas2和第三绝缘层pas3可以设置在虚设图案dp上。在子区域sa中，可以形成多个分离部分rop，且在它们之间插置虚设图案dp，并且不同的子像素spxn的第一电极rme1可以设置成邻接(例如，接触)不同的分离部分rop。例如，第一子像素spx1的第一电极rme1被设置为邻接(例如，接触)虚设图案dp下方的下分离部分rop，并且在第一方向dr1上与第一子像素spx1相邻的子像素spxn的第一电极rme1被设置为邻接(例如，接触)虚设图案dp上方的上分离部分rop。在一个或多个实施方式中，第二电极rme2的电极杆rm_s可以设置成与堤层bnl重叠，并且可以与子区域sa的分离部分rop和虚设图案dp隔开。
186.虚设图案dp和第一电极rme1可以最初形成为被连接，并且可以稍后在子区域sa的分离部分rop中被分离。虚设图案dp和第一电极rme1可以通过去除电极连接器cep来分离，电极连接器cep连接电极rme中的一些。在子区域sa的分离部分rop中，可以不设置第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2，并且第三绝缘层pas3可以覆盖分离部分rop。在分离部分rop中，第三绝缘层pas3可以与过孔层via的顶表面直接接触，并且部分地与第一电极rme1和虚设图案dp直接接触。
187.第一绝缘层pas1可以不设置在子区域sa的分离部分rop中，并且可以包括开口op，该开口op暴露虚设图案dp的一部分。开口op可以设置成与第三接触孔cta重叠，并且开口op的直径可以大于第三接触孔cta的直径。没有设置第一绝缘层pas1的分离部分rop的面积可以大于开口op的面积。
188.在一个或多个实施方式中，第二绝缘层pas2可以覆盖除分离部分rop之外的整个子区域sa。第二绝缘层pas2可以覆盖开口op，并且可以与虚设图案dp直接接触。电极连接器cep的去除可以在第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2没有设置在分离部分rop中的情况下进行，并且子区域sa的其余部分可以由第二绝缘层pas2保护。
189.图21和图22是分别示出了在图15的显示设备的制造期间在子区域中的电极的形状的平面图和剖视图。图21示出了示出虚设图案dp和第一电极rme1如何通过子区域sa中的电极连接器cep连接的平面图，并且图22示出了跨过图21的分离部分rop和开口op的沿图21的线p3-p3'截取的剖视图。
190.参照图21和图22，第一电极rme1和虚设图案dp可以形成为由电极连接器cep连接。虚设图案dp可以通过电极连接器cep连接到第一电极rme1，第一电极rme1设置在虚设图案上方和下方。当稍后去除电极连接器cep时，子区域sa的分离部分rop可以设定为电极连接器cep所设置的区域。
191.第一绝缘层pas1可以设置成覆盖电极rme，但暴露电极连接器cep和虚设图案dp的一部分。连接虚设图案dp和第一电极rme1的电极连接器cep所位于的区域可以成为分离部分rop，并且第一绝缘层pas1可以不设置在分离部分rop中。第一绝缘层pas1可以包括开口op，开口op暴露虚设图案dp的与第三接触孔cta重叠的一部分。
192.发光元件ed可以通过将电信号施加到电极rme而被布置在发射区域ema中，且第一绝缘层pas1形成在电极rme上。可以将电信号施加到第一电压线vl1和第二电压线vl2，并且可以将施加到第一电压线vl1的电信号传输到虚设图案dp，虚设图案dp通过第三接触孔cta连接到第一电压线vl1。当虚设图案dp通过电极连接器cep连接到第一电极rme1时，电信号
可以被传输到第一电极rme1。
193.在发光元件ed的布置之后，第二绝缘层pas2可以设置成覆盖发光元件ed。第二绝缘层pas2可以覆盖发射区域ema和子区域sa，但是可以不设置在分离部分rop中。当在分离部分rop中执行电极连接器cep的去除时，第二绝缘层pas2可以暴露电极连接器cep。相反，第二绝缘层pas2可以在子区域sa中覆盖第一绝缘层pas1的开口op，从而使得虚设图案dp可以不被完全暴露。
194.此后，由于除了分离部分rop之外的整个子区域sa被第二绝缘层pas2覆盖，因此在电极连接器cep的去除期间，可以防止电极rme被任何来自图案化的残余物损坏。当第二绝缘层pas2覆盖开口op时，可以保护与第三接触孔cta重叠的虚设图案dp。
195.在结束详细描述时，本领域的技术人员将理解，在基本上不脱离本公开的原理、范围或精神的情况下，可以对本公开的实施方式进行许多变化和修改。因此，所公开的本公开的实施方式仅用于一般和描述性意义，而不是出于限制的目的。