显示面板及移动终端的制作方法

1.本技术涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及移动终端。


背景技术：

2.随着面板产业的迅猛发展，人们除了对显示器高分辨、宽视角、低功耗等要求外，也对显示面板提出了其它要求。丰富面板功能，增加人机互动，提高显示面板的竞争力，是目前显示面板的主要发展方向之一。其中环境光检测功能可以根据外部环境的亮度自动调节屏幕亮度，也可以根据外界的环境，在拍照时自动打开闪光灯或者进行补光。
3.然而，现有的环境光传感器基本都采用外挂方式，这样无法避免地增加了制作的成本。因此，如何以较少的光罩数量，将环境光传感器集成于阵列基板内部，从而实现低成本坏境光检测的集成，已成为各面板厂商和终端厂商所面临的技术难点。
4.因此，亟需一种显示面板及移动终端以解决上述技术问题。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供一种显示面板及移动终端，可以改善当前的显示面板难以实现对环境光低成本检测的技术问题。
6.本技术实施例提供一种显示面板，包括多个子像素单元，至少一所述子像素单元包括开关晶体管和至少一个感光传感器；其中，所述感光传感器包括遮光层、设置于所述遮光层上的第一绝缘层、设置于所述第一绝缘层上的吸光层、以及设置于所述吸光层上的感光电极层；
7.其中，所述吸光层在所述遮光层上的正投影位于所述遮光层内，所述感光电极层包括分离设置的第一感光电极和第二感光电极，所述第一感光电极与所述吸光层的第一端电连接，所述第二感光电极与所述吸光层的第二端电连接。
8.可选的，在本技术的一些实施例中，所述感光传感器还包括第二金属层，所述第二金属层与所述开关晶体管内的源漏极金属层同层且绝缘设置，所述第二金属层包括第一金属块以及与所述第一金属块绝缘设置的第二金属块；
9.其中，所述第一感光电极通过所述第一金属块与所述显示面板的驱动芯片电性连接，所述第二感光电极通过所述第二金属块与所述驱动芯片电性连接。
10.可选的，在本技术的一些实施例中，所述遮光层包括第一子遮光层、第二子遮光层以及第三子遮光层中的至少两种；
11.其中，所述第一子遮光层与所述开关晶体管内的遮光金属层同层且绝缘设置，所述第二子遮光层与所述开关晶体管内的栅极金属层同层且绝缘设置，所述第三子遮光层与所述第二金属层同层且绝缘设置。
12.可选的，在本技术的一些实施例中，所述感光传感器还包括设置于所述吸光层上的欧姆接触层，所述欧姆接触层包括第一子欧姆接触层以及与所述第一子欧姆接触层绝缘设置的第二子欧姆接触层；
13.其中，所述第一感光电极通过所述第一子欧姆接触层与所述吸光层电性连接，所述第二感光电极通过所述第二子欧姆接触层与所述吸光层电性连接。
14.可选的，在本技术的一些实施例中，所述欧姆接触层的材料为磷离子重掺杂的非晶硅层，所述吸光层的材料为非晶硅层。
15.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一感光电极层以及所述第二感光电极层均包括第一子电极以及设置于所述第一子电极上的第二子电极，所述第一子电极通过所述欧姆接触层与所述吸光层电性连接，所述第二子电极与所述第二金属层电性连接；
16.其中，所述第一子电极与所述开关晶体管内的公共电极同层且绝缘设置，所述第二子电极与所述开关晶体管内的像素电极同层且绝缘设置。
17.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一感光电极层以及所述第二感光电极层均包括第三子电极，所述第三子电极的一端与所述吸光层直接电性连接，所述第三子电极的另一端与所述第二金属层电性连接；
18.其中，所述第三子电极与所述开关晶体管内的像素电极同层且绝缘设置。
19.可选的，在本技术的一些实施例中，所述开关晶体管还包括平坦化层、设置于所述平坦化层上的第一钝化层、设置于所述第一钝化层上的所述公共电极、设置于所述第一钝化层上并覆盖所述公共电极的第二钝化层以及设置于所述第二钝化层上的所述像素电极；
20.其中，所述第一绝缘层包括所述第一钝化层或者由所述平坦化层与所述第一钝化层构成的叠层。
21.可选的，在本技术的一些实施例中，所述平坦化层对应于所述感光传感器的部分具有开口，部分所述第一钝化层设置于所述开口内；
22.其中，所述吸光层设置于所述第一钝化层上且位于所述开口内。
23.相应的，本技术实施例还提供一种移动终端，包括终端主体以及如上任一项所述的显示面板，所述终端主体与所述拼接显示面板组合为一体。
24.本技术实施例提供一种显示面板及移动终端；该显示面板包括多个子像素单元，至少一所述子像素单元包括开关晶体管和至少一个感光传感器，所述感光传感器包括遮光层、设置于所述遮光层上的第一绝缘层、设置于所述第一绝缘层上的吸光层、以及设置于所述吸光层上的感光电极层，其中，所述吸光层在所述遮光层上的正投影位于所述遮光层内，所述感光电极层包括分离设置的第一感光电极和第二感光电极，所述第一感光电极与所述吸光层的第一端电连接，所述第二感光电极与所述吸光层的第二端电连接；上述显示面板通过在至少一个所述子像素单元内设置至少一个感光传感器，所述感光传感器包括吸光层以及与所述吸光层电性连接的感光电极层，仅需增加一道非晶硅工序将所述感光传感器集成于所述子像素单元的内部，从而实现了低成本地对环境光进行检测。
附图说明
25.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
26.图1为本技术实施例提供的显示面板的第一种截面结构示意图；
27.图2为本技术实施例提供的显示面板的第二种截面结构示意图；
28.图3为本技术实施例提供的显示面板的第三种截面结构示意图；
29.图4是本技术提供的制备第一种显示面板的制作方法的流程示意图；
30.图5a-图5e是本技术提供的显示面板的制作方法的具体过程。
具体实施方式
31.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
32.本技术实施例针对当前的显示面板难以实现对环境光低成本检测的技术问题，本技术实施例可以改善上述技术问题。
33.现结合具体实施例对本技术的技术方案进行描述。
34.请参阅图1至图5e，本技术实施例提供一种显示面板10，包括多个子像素单元，至少一所述子像素单元包括开关晶体管t1和至少一个感光传感器s1；其中，所述感光传感器s1包括遮光层201、设置于所述遮光层201上的第一绝缘层、设置于所述第一绝缘层上的吸光层203、以及设置于所述吸光层203上的感光电极层；
35.其中，所述吸光层203在所述遮光层201上的正投影位于所述遮光层201内，所述感光电极层包括分离设置的第一感光电极205和第二感光电极206，所述第一感光电极205与所述吸光层203的第一端电连接，所述第二感光电极206与所述吸光层203的第二端电连接。
36.本技术实施例提供的上述显示面板10通过在至少一个所述子像素单元内设置至少一个感光传感器s1，所述感光传感器s1包括吸光层203以及与所述吸光层203电性连接的感光电极层，仅需增加一道非晶硅工序将所述感光传感器s1集成于所述子像素单元的内部，从而实现了低成本地对环境光进行检测。
37.现结合具体实施例对本技术的技术方案进行描述。
38.实施例一
39.如图1所示，为本技术实施例提供的显示面板10的第一种截面结构示意图；其中，所述显示面板10包括多个子像素单元，至少一所述子像素单元包括开关晶体管t1和至少一个感光传感器s1；其中，所述感光传感器s1包括遮光层201、设置于所述遮光层201上的第一绝缘层、设置于所述第一绝缘层上的吸光层203、以及设置于所述吸光层203上的感光电极层；
40.其中，所述吸光层203在所述遮光层201上的正投影位于所述遮光层201内，所述感光电极层包括分离设置的第一感光电极205和第二感光电极206，所述第一感光电极205与所述吸光层203的第一端电连接，所述第二感光电极206与所述吸光层203的第二端电连接。
41.在本技术实施例中，所述子像素单元对应于所述开关晶体管t1的部分包括衬底101、设置于所述衬底101上的遮光金属层102、设置于所述衬底101上并覆盖所述遮光金属层102的缓冲层103、设置于所述缓冲层103上的有源层104、设置于所述缓冲层103上并覆盖
所述有源层104的栅极绝缘层105、设置于所述栅极绝缘层105上的栅极金属层106、设置于所述栅极绝缘层105上并完全覆盖所述栅极金属层106的层间绝缘层107、设置于所述层间绝缘层107上的源漏极金属层108、设置于所述层间绝缘层107上并完全覆盖所述源漏极金属层108的平坦化层109、设置于所述平坦化层109上的第一钝化层110、设置于所述第一钝化层110上的公共电极111、设置于所述第一钝化层110上并覆盖所述公共电极111的第二钝化层112以及设置于所述第二钝化层112上的像素电极113；
42.其中，在所述显示面板10的俯视图方向，所述有源层104在所述衬底101上的正投影位于所述遮光金属层102内，所述栅极金属层106在所述衬底101上的正投影位于所述遮光金属层102内。
43.进一步地，所述层间绝缘层107上设置有第一过孔1071以及第二过孔1072，所述源漏极金属层108的源极1081通过所述第一过孔1071与所述有源层104的一端电性连接，所述源漏极金属层108的漏极1082通过所述第二过孔1072与所述有源层104的另一端电性连接。
44.进一步地，所述第二钝化层112上设置有第六过孔1123，所述像素电极113通过所述第六过孔1123与所述源漏极金属层108的所述源极1081电性连接。
45.在本技术实施例中，所述子像素单元对应于所述感光传感器s1的部分包括所述衬底101、设置于所述衬底101上的第一子遮光层2011、设置于所述衬底101上并覆盖所述第一子遮光层2011的所述缓冲层103、设置于所述缓冲层103上的栅极绝缘层105、设置于所述栅极绝缘层105上的第二子遮光层2012、设置于所述栅极绝缘层105上并完全覆盖所述第二子遮光层2012的所述层间绝缘层107、同层设置于所述层间绝缘层107上的第三子遮光层2013以及第二金属层202、以及设置于所述层间绝缘层107上的所述平坦化层109；
46.其中，所述第二金属层202与所述第三子遮光层2013绝缘设置；所述平坦化层109对应于所述感光传感器s1的部分具有开口1091，部分所述第一钝化层110设置于所述开口1091内，所述吸光层203设置于所述第一钝化层110上且位于所述开口1091内。
47.在本技术实施例中，所述第一绝缘层为所述第一钝化层110；所述遮光层201包括所述第一子遮光层2011、所述第二子遮光层2012以及所述第三子遮光层2013。所述第一子遮光层2011与所述开关晶体管t1内的所述遮光金属层102同层且绝缘设置，所述第二子遮光层2012与所述开关晶体管t1内的所述栅极金属层106同层且绝缘设置，所述第三子遮光层2013与所述第二金属层202同层且绝缘设置。
48.在本技术实施例中，所述感光传感器s1还包括设置于所述吸光层203上的感光电极层，所述感光电极层包括分离设置的第一感光电极205和第二感光电极206，所述第一感光电极205与所述吸光层203的第一端电连接，所述第二感光电极206与所述吸光层203的第二端电连接。
49.在本技术实施例中，所述感光传感器s1还包括第二金属层202，所述第二金属层202与所述开关晶体管t1内的源漏极金属层108同层且绝缘设置，所述第二金属层202包括第一金属块2021以及与所述第一金属块2021绝缘设置的第二金属块2022；
50.其中，所述第一感光电极205通过所述第一金属块2021与所述显示面板10的驱动芯片电性连接，所述第二感光电极206通过所述第二金属块2022与所述驱动芯片电性连接。
51.在本技术实施例中，所述感光传感器s1还包括设置于所述吸光层203上的欧姆接触层204，所述欧姆接触层204包括第一子欧姆接触层2041以及与所述第一子欧姆接触层
2041绝缘设置的第二子欧姆接触层2042；
52.其中，所述第一感光电极205通过所述第一子欧姆接触层2041与所述吸光层203电性连接，所述第二感光电极206通过所述第二子欧姆接触层2042与所述吸光层203电性连接。
53.进一步地，所述欧姆接触层204的材料为磷离子重掺杂的非晶硅层，所述吸光层203的材料为非晶硅层。
54.具体地，所述吸光层203的材料为非晶硅，所述感光电极层的材料为氧化铟锡；由于非晶硅材料与氧化铟锡材料的功函数相差较大，当所述吸光层203与所述感光电极层之间接触时会存在接触势垒。因此，在所述吸光层203与所述感光电极层之间增加一层电阻率较低的所述欧姆接触层204，即可降低接触势垒，使所述吸光层203与所述感光电极层更容易导通。
55.在本技术实施例中，所述第一感光电极205层以及所述第二感光电极206层均包括第一子电极以及设置于所述第一子电极上的第二子电极，所述第二子电极与所述第一子电极直接电性连接；所述第一子电极通过所述欧姆接触层204与所述吸光层203电性连接，所述第二子电极与所述第二金属层202电性连接；
56.其中，所述第一子电极与所述开关晶体管t1内的所述公共电极111同层且绝缘设置，所述第二子电极与所述开关晶体管t1内的所述像素电极113同层且绝缘设置。
57.进一步地，所述第一子电极包括第一子电极块2051以及与所述第一子电极块2051绝缘设置的第二子电极块2061；所述第二子电极包括第三子电极块2052以及与所述第三子电极块2052绝缘设置的第四子电极块2062。
58.进一步地，所述感光传感器s1还包括所述第二钝化层112，所述第二钝化层112完全覆盖所述吸光层203、所述欧姆接触层204以及所述第一子电极，所述第二钝化层112上设置有第三过孔1121以及第四过孔1122，所述第一感光电极205通过所述第三过孔1121与所述第一金属块2021电性连接，所述第二感光电极206通过所述第四过孔1122与所述第二金属块2022电性连接。
59.在本技术实施例中，由于所述平坦化层109对应于所述感光传感器s1的部分设置有所述开口1091，使得所述吸光层203与所述第三子遮光层2013之间的间距等于所述第一钝化层110的厚度(所述第一钝化层110的厚度一般为2000埃米左右)，从而使得所述吸光层203与所述第三子遮光层2013之间的间距远远小于1um；此时所述第三子遮光层2013复用为所述感光传感器s1的底栅结构，进而使得所述第三子遮光层2013对所述吸光层203的导电通道具有调控作用。当对所述第三子遮光层2013加一个正电压时，所述感光传感器s1开启，当对所述第三子遮光层2013加一个负电压时，所述感光传感器s1关闭。
60.进一步地，所述层间绝缘层107上设置有第五过孔1073，所述第三子遮光层2013通过所述第五过孔1073与所述第二子遮光层2012电性连接；这样设置可以将所述第二子遮光层2012接入所述感光传感器s1的电信号，更容易使所述感光传感器s1的电信号达到饱和状态。
61.在本技术实施例中，所述衬底101可以是聚酰亚胺薄膜，所述衬底101可以由一层或多层聚酰亚胺薄膜构成。所述有源层104包括导体化部分以及非导体化部分，所述有源层104的非导体化部分的材料为多晶硅，所述有源层104的导体化部分的材料为掺杂有磷离子
的多晶硅。所述缓冲层103、所述第一钝化层110以及所述第二钝化层112的材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或二氧化硅等无机材料中的一种或多种，起到隔绝水氧的作用。所述栅极绝缘层105的材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或二氧化硅等无机材料中的一种或多种，以起到绝缘保护的作用。所述遮光金属层102、所述第二金属层202、所述第一子遮光层2011、所述第二子遮光层2012、所述第三子遮光层2013、以及所述源漏极金属层108的材料可以是钼、铜以及铝等具有优异导电性的金属材料。
62.在本技术实施例中，所述层间绝缘层107的材料可以是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等无机材料中的一种或多种，用于隔绝水氧，起到绝缘并保护其他功能膜层的作用。所述平坦化层109的材料可以是丙烯酸树脂、聚碳酸脂以及聚苯乙烯等有机材料中的一种或多种，用于缓释所述显示面板10产生的应力，进而增强所述显示面板10的耐弯折性，避免裂纹产生。
63.在本技术实施例中，所述公共电极111、所述像素电极113以及所述感光电极的材料为氧化铟锡以及氧化铟镓锡中的至少一种。
64.在本技术实施例中，所述平坦化层109的厚度为1000纳米至1500纳米，厚度很厚，使得所述源漏极金属层108和所述公共电极111之间保持一定的距离，避免所述源漏极金属层108和所述公共电极111之间产生静电干扰或信号串扰。
65.在本技术实施例中，所述显示面板10上的所述开关晶体管t1为顶栅结构，可以在很大程度上改善由于所述源漏极金属层108与所述栅极金属层106在垂直方向上面积重叠导致的寄生电容问题。
66.具体地，本技术实施例一制备的所述显示面板10的方法步骤如下：
67.首先在所述衬底101上分别制备所述遮光金属层102以及与所述遮光金属层102同层且绝缘设置的第一子遮光层2011，所述遮光金属层102用于对所述开关晶体管t1器件的底部进行遮光，所述第一子遮光层2011对所述感光传感器s1的底部进行遮光；之后，在所述衬底101上制备所述缓冲层103以及一层非晶硅层，通过准分子激光退火(ela)，将所述非晶硅层变成多晶硅层，并对所述多晶硅层的边缘两端进行磷离子掺杂形成所述有源层104的导体化部分；之后，在所述栅极绝缘层105上形成所述栅极金属层106以及与栅极金属层106同层且绝缘设置的所述第二子遮光层2012，所述第二子遮光层2012作为所述感光传感器s1的栅极走线，同时也复用为所述感光传感器s1的遮光层201；之后，在所述栅极绝缘层105上沉积层间绝缘层107，并通过曝光蚀刻工艺将所述层间绝缘层107的所述第一过孔1071、所述第二过孔1072以及所述第五过孔1073蚀刻出来；之后，在所述层间绝缘层107上制备所述源漏极金属层108、所述第二金属层202以及所述第三子遮光层2013，所述源漏极金属层108的所述源极1081通过所述第一过孔1071与所述有源层104电性连接，所述源漏极金属层108的所述漏极1082通过所述第二过孔1072与所述有源层104电性连接，所述第三子遮光层2013通过所述第五过孔1073与所述第二子遮光层2012电性连接。
68.之后，在所述层间绝缘层107上沉积所述平坦化层109，所述平坦化层109对应于所述感光传感器s1的部分具有所述开口1091；其中，所述平坦化层109可以使用有机平坦化材料，也可使用sinx/siox等绝缘层材料。之后，在所述平坦化层109上沉积一层所述第一钝化层110；然后，沉积一层非晶硅作为所述感光传感器s1的所述吸光层203。之后，在所述非晶硅层上沉积一层磷离子重掺杂的非晶层。
69.之后，在所述第一钝化层110上沉积一层底部氧化铟锡层，所述底部氧化铟锡层在所述开关晶体管t1的区域作为所述公共电极111，在所述感光传感器s1的区域作为所述感光传感器s1的第一子电极；之后，在所述感光传感器s1的区域采用所述底部氧化铟锡层的图案遮挡，对磷离子重掺杂的非晶层进行蚀刻，制成所述欧姆接触层204。
70.之后，在所述第一钝化层110上沉积所述第二钝化层112，并通过曝光蚀刻将像素电极113孔和所述感光传感器s1的区域的所述感光电极层的桥接孔蚀刻出来；最后，在所述第二钝化层112上沉积一层顶部氧化铟锡层，并通过曝光蚀刻在所述开口1091晶体管的区域形成所述像素电极113，在所述感光传感器s1的区域形成所述感光传感器s1的第二子电极，所述第二子电极通过所述第一钝化层110上的桥接孔与所述吸光层203电性连接，所述第二子电极的另一端通过所述第二钝化层112上的所述第三过孔1121或者所述第四过孔1122与所述第二金属层202(源漏极1082走线)电性连接。
71.本技术实施例制备的所述显示面板10具有以下优势：
72.首先，将所述感光传感器s1的所述吸收层成设置到了所述平坦化层109的上方，使得所述吸收层更接近环境光，干扰较小；
73.其次，所述感光传感器s1的所述吸收层下方的所述遮光层201可以选择遮光金属材料、栅极金属材料、以及源漏极1082金属材料的三种金属遮光，可以至少采用2种或2种以上的金属材料进行重复挡光，从而降低背光入射到所述吸光层203的干扰光，提高环境光检测精度；
74.最后，本技术实施例仅需增加一道非晶硅工艺制备所述吸光层203，即可将环境光功能集成于阵列基板上，其中所述欧姆接触层204的图案可以通过底部氧化铟锡层的光罩进行定义，底部氧化铟锡层曝光后先进行湿法蚀刻将底部氧化铟锡层图案制作出来，然后进行干法蚀刻将所述欧姆接触层204的图案制作出来。
75.因此，本技术实施例将性能优异的非晶硅型感光传感器s1集成到面板内部，实现对环境光功能的实现，将工艺制程尽量简单化，将所述吸光层203设置到了所述平坦化层109的上方，更接近环境光，干扰较小；此外，所述吸光层203下方的所述遮光层201可以选择遮光金属材料、栅极金属材料、以及源漏极1082金属材料的三种金属遮光，可以至少采用2种或2种以上的金属材料进行重复挡光，从而降低背光入射到所述吸光层203的干扰光，提高环境光检测精度。
76.针对当前的显示面板10难以实现对环境光低成本检测的技术问题，本技术实施例提供一种显示面板10；该显示面板10包括多个子像素单元，至少一所述子像素单元包括开关晶体管t1和至少一个感光传感器s1，所述感光传感器s1包括遮光层201、设置于所述遮光层201上的第一绝缘层、设置于所述第一绝缘层上的吸光层203、以及设置于所述吸光层203上的感光电极层，所述吸光层203在所述遮光层201上的正投影位于所述遮光层201内，所述感光电极层包括分离设置的第一感光电极205和第二感光电极206，所述第一感光电极205与所述吸光层203的第一端电连接，所述第二感光电极206与所述吸光层203的第二端电连接，其中，所述显示面板10还包括所述平坦化层109，所述平坦化层109具有所述开口1091，所述吸光层203设置于所述开口1091内；上述显示面板10通过在至少一个所述子像素单元内设置至少一个感光传感器s1，所述感光传感器s1包括吸光层203以及与所述吸光层203电性连接的感光电极层，仅需增加一道非晶硅工序将所述感光传感器s1集成于所述子像素单
元的内部，从而实现了低成本地对环境光进行检测。另外，由于所述吸光层203设置于所述开口1091内，使得所述吸光层203下方的所述第三子遮光层2013可以复用为所述感光传感器s1的底栅，从而对所述吸光层203的导电通道进行调控。
77.实施例二
78.如图2所示，为本技术实施例提供的显示面板10的第二种截面结构示意图；其中，本技术实施例二中的显示面板10的结构与本技术实施例一中的显示面板10的结构相同或相似，不同之处仅在于，所述平坦化层109对应于所述感光传感器s1的区域未设置所述开口1091，所述第一绝缘层包括所述平坦化层109以及所述第一钝化层110。由于所述平坦化层109的膜层较厚，一般超过1um，从而导致所述吸光层203与所述第三子遮光层2013的间距太大，使得所述第三子遮光层2013无法复用为所述感光传感器s1的底栅结构，进而使得所述第三子遮光层2013无法对所述吸光层203的导电通道进行调控。此时，所述吸光层203相当于光敏电阻。
79.相比于本技术实施例一，本技术实施例二由于所述平坦化层109未设置所述开口1091，使得所述第三子遮光层2013无法对所述吸光层203进行调控，使得所述显示面板10难以在不需要感测外界环境光的情况下关闭所述感光传感器s1，进而导致所述显示面板10的耗电量增加。
80.针对当前的显示面板10难以实现对环境光低成本检测的技术问题，本技术实施例提供一种显示面板10；该显示面板10包括多个子像素单元，至少一所述子像素单元包括开关晶体管t1和至少一个感光传感器s1，所述感光传感器s1包括遮光层201、设置于所述遮光层201上的第一绝缘层、设置于所述第一绝缘层上的吸光层203、以及设置于所述吸光层203上的感光电极层，所述吸光层203在所述遮光层201上的正投影位于所述遮光层201内，所述感光电极层包括分离设置的第一感光电极205和第二感光电极206，所述第一感光电极205与所述吸光层203的第一端电连接，所述第二感光电极206与所述吸光层203的第二端电连接；上述显示面板10通过在至少一个所述子像素单元内设置至少一个感光传感器s1，所述感光传感器s1包括吸光层203以及与所述吸光层203电性连接的感光电极层，仅需增加一道非晶硅工序将所述感光传感器s1集成于所述子像素单元的内部，从而实现了低成本地对环境光进行检测。
81.实施例三
82.如图3所示，为本技术实施例提供的显示面板10的第三种截面结构示意图；其中，本技术实施例三中的显示面板10的结构与本技术实施例二中的显示面板10的结构相同或相似，不同之处仅在于，所述第一感光电极205层以及所述第二感光电极206层均包括第三子电极，所述第三子电极的一端与所述吸光层203直接电性连接，所述第三子电极的另一端与所述第二金属层202电性连接；
83.具体地，所述第三子电极包括同层且绝缘设置的第五电极块2053以及第六电极块2063，所述第五电极块2053的一端与所述吸光层203直接电性连接，所述第五电极块2053的另一端与所述第一金属块2021电性连接；所述第六电极块2063的一端与所述吸光层203直接电性连接，所述第六电极块2063的另一端与所述第二金属块2022电性连接；
84.其中，所述第五电极块2053以及所述第六电极块2063均与所述开关晶体管t1内的所述像素电极113同层且绝缘设置。
85.相比于本技术实施例二，本技术实施例三由于氧化铟锡材料与非晶硅材料直接接触，存在着接触势垒；但是存在接触势垒也不是完全不导通，也会有一定电流通过，方案三中为了省去磷离子重掺杂非晶硅的镀膜工艺，不得已使用氧化铟锡材料与非晶硅材料直接接触。因此，本技术实施例三相对于本技术实施例二可以省去磷离子重掺杂非晶硅的镀膜工艺，但是会增加所述感光电极层与所述吸收层之间存在的接触势垒，从而导致所述感光传感器s1的灵敏度降低。
86.针对当前的显示面板10难以实现对环境光低成本检测的技术问题，本技术实施例提供一种显示面板10；该显示面板10包括多个子像素单元，至少一所述子像素单元包括开关晶体管t1和至少一个感光传感器s1，所述感光传感器s1包括遮光层201、设置于所述遮光层201上的第一绝缘层、设置于所述第一绝缘层上的吸光层203、以及设置于所述吸光层203上的感光电极层，所述吸光层203在所述遮光层201上的正投影位于所述遮光层201内，所述感光电极层包括分离设置的第一感光电极205和第二感光电极206，所述第一感光电极205与所述吸光层203的第一端电连接，所述第二感光电极206与所述吸光层203的第二端电连接；上述显示面板10通过在至少一个所述子像素单元内设置至少一个感光传感器s1，所述感光传感器s1包括吸光层203以及与所述吸光层203电性连接的感光电极层，仅需增加一道非晶硅工序将所述感光传感器s1集成于所述子像素单元的内部，从而实现了低成本地对环境光进行检测。
87.如图4所示，本技术实施例提供的所述显示面板10的制备方法流程图，具体包括(以制备本技术实施例一的所述显示面板10为例)：
88.s10，在一衬底101上依次制备遮光金属图案、缓冲层103、有源层104、栅极金属图案以及层间绝缘层107。
89.具体地，所述s10还包括：
90.step1：在一衬底101上制备一层金属图案，并采用曝光蚀刻等方式将其图案化，形成遮光金属层102以及第一子遮光层2011；
91.step2：在所述衬底101上依次制备缓冲层103和一层非晶硅层，所述非晶硅层经过准分子激光退火之后转变为多晶硅层，并采用曝光蚀刻方法形成有源层104；
92.step3：对所述多晶硅层的两端进行磷离子掺杂，形成所述有源层104的源漏极掺杂区；
93.step4：在所述缓冲层103上沉积栅极金属图案，形成栅极金属层106以及第二子遮光层2012；之后，通过所述栅极金属层106对所述有源层104进行遮挡，对所述有源层104进行n-离子植入；其中，所述栅极金属层106作为所述开关晶体管t1的顶栅结构，所述第二子遮光层2012作为所述感光传感器s1的栅极走线；
94.step5：在所述栅极绝缘层105上沉积一层层间绝缘层107，可用sinx/siox叠层结构，然后通过曝光蚀刻形成第一过孔1071、第二过孔1072以及第五过孔1073，如图5a所示。
95.s20，在所述层间绝缘层107上制备源漏极金属层108、第二金属层202以及第三子遮光层2013。
96.具体地，所述s20还包括：
97.step6：沉积一层金属层，并采用曝光蚀刻方法进行图案化，形成源漏极金属层108、第二金属层202以及第三子遮光层2013；所述源漏极金属层108的源极1081通过所述第
一过孔1071与所述有源层104的一端电性连接，所述源漏极金属层108的漏极1082通过所述第二过孔1072与所述有源层104的另一端电性连接，所述第三子遮光层2013通过所述第五过孔1073与所述第二子遮光层2012电性连接，如图5b所示。
98.s30，在所述层间绝缘层107上制备平坦化层109，所述平坦化层109对应于所述第三子遮光层2013的区域具有开口1091。
99.具体地，所述s30还包括：
100.step7：在所述层间绝缘层107上制备平坦化层109，所述平坦化层109对应于所述第三子遮光层2013的区域具有开口1091；之后，对所述平坦化层109进行开孔处理，形成第三过孔1121、第四过孔1122以及第六过孔1123，如图5c所示。
101.s40，在所述平坦化层109上依次制备第一钝化层110、吸光层203以及磷离子重掺杂的非晶硅层，所述吸光层203以及所述磷离子重掺杂的非晶硅层设置于所述开口1091内。
102.具体地，所述s40还包括：
103.step8：沉积一层无机绝缘层，该层仅镀膜形成所述第一钝化层110，然后在所述第一钝化层110对应于所述开口1091的部分沉积一层非晶硅层以及一层磷离子重掺杂的非晶硅层，并通过曝光蚀刻将所述非晶硅层图案化为所述感光传感器s1的吸光层203，所述吸光层203以及所述磷离子重掺杂的非晶硅层设置于所述开口1091内，如图5d所示。
104.s50，在所述第一钝化层110依次制备底部电极图案、第二钝化层112以及顶部电极图案。
105.具体地，所述s40还包括：
106.step9：在所述第一钝化层110上沉积一层底部电极层，所述底部电极层经图案化后形成所述开关晶体管t1的公共电极111以及所述感光传感器s1的第一子电极；之后，通过所述第一子电极遮挡，刻蚀掉部分磷离子重掺杂的非晶硅层，形成欧姆接触层204；
107.step10：在所述第一钝化层110上沉积第二钝化层112，并将所述第三过孔1121、所述第四过孔1122以及所述第六过孔1123打开(刻蚀掉上述接触孔中的部分所述第一钝化层110)；
108.step11：在所述第二钝化层112上沉积顶部电极层，所述顶部电极层经图案化后形成所述开关晶体管t1的像素电极113以及所述感光传感器s1的第二子电极；其中，所述像素电极113通过所述第六过孔1123与所述源漏极金属层108的所述源极1081相接触，所述第二子电极分别通过所述第三过孔1121以及所述第四过孔1122与所述第二金属层202电性连接，如图5e所示。
109.相应地，本技术实施例还提供一种移动终端，所述移动终端包括终端主体以及如上任一项所述的显示面板10，所述终端主体与所述显示面板10组合为一体。其中，所述移动终端可以为手机、电脑和智能穿戴显示设备等，本实施例对此不作特殊限定。
110.本技术实施例提供一种显示面板10及移动终端；该显示面板10包括多个子像素单元，至少一所述子像素单元包括开关晶体管t1和至少一个感光传感器s1，所述感光传感器s1包括遮光层201、设置于所述遮光层201上的第一绝缘层、设置于所述第一绝缘层上的吸光层203、以及设置于所述吸光层203上的感光电极层，其中，所述吸光层203在所述遮光层201上的正投影位于所述遮光层201内，所述感光电极层包括分离设置的第一感光电极205和第二感光电极206，所述第一感光电极205与所述吸光层203的第一端电连接，所述第二感
光电极206与所述吸光层203的第二端电连接；上述显示面板10通过在至少一个所述子像素单元内设置至少一个感光传感器s1，所述感光传感器s1包括吸光层203以及与所述吸光层203电性连接的感光电极层，仅需增加一道非晶硅工序将所述感光传感器s1集成于所述子像素单元的内部，从而实现了低成本地对环境光进行检测。
111.以上对本技术实施例所提供的一种显示面板10及移动终端进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。