显示装置的制作方法

1.公开涉及一种显示装置。


背景技术：

2.显示装置随着多媒体技术的发展变得更加重要。因此，已经使用了诸如有机发光二极管(oled)显示装置和液晶显示(lcd)装置等的各种显示装置。
3.通常，显示图像的显示装置可以包括诸如oled显示面板或lcd面板的显示面板。显示面板(特别地，发光元件显示面板)可以包括发光元件。例如，发光二极管(led)可以包括使用有机材料作为发光材料的oled和使用无机材料作为发光材料的无机发光二极管(iled)。


技术实现要素：

4.公开的实施例提供了一种能够修复可能由断开的连接电极引起的暗点缺陷的显示装置。
5.然而，公开的实施例不受这里阐述的那些实施例的限制。通过参照下面给出的公开的详细描述，公开的以上和其他实施例对于公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
6.根据公开的实施例，显示装置可以包括：电极，设置在基底上，电极彼此间隔开并且在第一方向上延伸；第一绝缘层，设置在电极上；发光元件，在电极之间设置在第一绝缘层上；第二绝缘层，设置在发光元件上，第二绝缘层在第一方向上延伸；连接电极，设置在第二绝缘层和发光元件上，连接电极电接触发光元件中的每个的端部；以及第三绝缘层，设置在连接电极之间。连接电极中的至少一个连接电极的端部与连接电极中的另一个连接电极叠置。
7.在实施例中，电极可以包括：第一电极；第二电极；第三电极，设置在第一电极的一侧与第二电极的一侧之间；以及第四电极，面对第二电极的另一侧。
8.在实施例中，连接电极可以包括：第一连接电极，与第一电极叠置；第二连接电极，与第二电极叠置；第三连接电极，延伸以与第三电极叠置，并且部分地弯曲以与第一电极叠置；第四连接电极，延伸以与第四电极叠置，并且部分地弯曲以与第二电极叠置；以及第五连接电极，延伸以与第三电极叠置，并且部分地弯曲以与第四电极叠置。
9.在实施例中，第三连接电极可以包括：第一延伸部，与第三电极叠置；第二延伸部，与第一电极叠置；以及第一连接件，电连接第一延伸部和第二延伸部，第四连接电极可以包括：第三延伸部，与第四电极叠置；第四延伸部，与第二电极叠置；以及第二连接件，电连接第三延伸部和第四延伸部，并且第五连接电极可以包括：第五延伸部，与第三电极叠置；第六延伸部，与第四电极叠置；以及第三连接件，电连接第五延伸部和第六延伸部。
10.在实施例中，第一连接电极可以包括第一部分，第一部分设置在第一连接电极的端部处并且在与第一方向交叉的第二方向上具有比第一连接电极的其他部分的宽度大的
宽度，并且第一部分可以与第三连接电极的第二延伸部叠置。
11.在实施例中，第二连接电极可以包括第二部分，第二部分设置在第二连接电极的端部处并且在与第一方向交叉的第二方向上具有比第二连接电极的其他部分的宽度大的宽度，并且第二部分可以与第四连接电极的第四延伸部叠置。
12.在实施例中，第五连接电极可以包括：第三部分，设置在第五延伸部的端部处，并且在与第一方向交叉的第二方向上具有比第五延伸部的其他部分的宽度大的宽度；以及第四部分，设置在第六延伸部的端部处，并且在第二方向上具有比第六延伸部的其他部分的宽度大的宽度，第三部分可以与第三连接电极的第一延伸部叠置，并且第四部分可以与第四连接电极的第三延伸部叠置。
13.在实施例中，显示装置还可以包括：通孔，穿透第一部分和第三绝缘层，以暴露第三连接电极的第二延伸部；以及导电构件，电接触第一部分、第三绝缘层和第三连接电极的第二延伸部。
14.在实施例中，发光元件可以包括：第一发光元件，设置在第一连接电极与第三连接电极的第一延伸部之间；第二发光元件，设置在第二连接电极与第四连接电极的第三延伸部之间；第三发光元件，设置在第三连接电极的第二延伸部与第五连接电极的第五延伸部之间；以及第四发光元件，设置在第四连接电极的第四延伸部与第五连接电极的第六延伸部之间。
15.根据公开的实施例，显示装置可以包括：电极，设置在基底上，电极彼此间隔开并且在第一方向上延伸；第一绝缘层，设置在电极上；发光元件，在电极之间设置在第一绝缘层上；第二绝缘层，设置在发光元件上，第二绝缘层在第一方向上延伸；连接电极，设置在第二绝缘层和发光元件上，连接电极电接触发光元件中的每个的端部；第三绝缘层，设置在连接电极之间；通孔，穿透连接电极中的一个和第三绝缘层；以及导电构件，被设置为填充通孔。连接电极中的至少一个连接电极的端部可以与连接电极中的另一个连接电极叠置，通孔可以穿透连接电极中的所述至少一个连接电极的端部，以暴露与连接电极中的所述至少一个连接电极的端部叠置的连接电极中的另一个连接电极，并且导电构件通过通孔电接触连接电极中的所述至少一个连接电极的端部、第三绝缘层和与连接电极中的所述至少一个连接电极的端部叠置的连接电极中的另一个连接电极。
16.在实施例中，电极可以包括：第一电极；第二电极；第三电极，设置在第一电极的一侧与第二电极的一侧之间；以及第四电极，面对第二电极的另一侧，并且连接电极可以包括：第一连接电极，与第一电极叠置；第二连接电极，与第二电极叠置；第三连接电极，延伸以与第三电极叠置，并且部分地弯曲以与第一电极叠置；第四连接电极，延伸以与第四电极叠置，并且部分地弯曲以与第二电极叠置；以及第五连接电极，延伸以与第三电极叠置，并且部分地弯曲以与第四电极叠置。
17.在实施例中，第三连接电极可以包括：第一延伸部，与第三电极叠置；第二延伸部，与第一电极叠置；以及第一连接件，电连接第一延伸部和第二延伸部，第四连接电极可以包括：第三延伸部，与第四电极叠置；第四延伸部，与第二电极叠置；以及第二连接件，电连接第三延伸部和第四延伸部，并且第五连接电极可以包括：第五延伸部，与第三电极叠置；第六延伸部，与第四电极叠置；以及第三连接件，电连接第五延伸部和第六延伸部。
18.在实施例中，第一连接电极可以包括第一部分，第一部分设置在第一连接电极的
端部处并且在与第一方向交叉的第二方向上具有比第一连接电极的其他部分的宽度大的宽度，并且第一部分可以与第三连接电极的第二延伸部叠置。
19.在实施例中，第二连接电极可以包括第二部分，第二部分设置在第二连接电极的端部处并且在与第一方向交叉的第二方向上具有比第二连接电极的其他部分的宽度大的宽度，第二部分可以与第四连接电极的第四延伸部叠置，第五连接电极可以包括：第三部分，设置在第五延伸部的端部处，并且在第二方向上具有比第五延伸部的其他部分的宽度大的宽度；以及第四部分，设置在第六延伸部的端部处，并且在第二方向上具有比第六延伸部的其他部分的宽度大的宽度，第三部分可以与第三连接电极的第一延伸部叠置，并且第四部分可以与第四连接电极的第三延伸部叠置。
20.在实施例中，通孔可以穿透第一部分和第三绝缘层，以暴露第三连接电极的第二延伸部，并且导电构件可以电接触第一部分、第三绝缘层和第三连接电极的第二延伸部。
21.根据公开的实施例，显示装置可以包括：电极，设置在基底上，电极彼此间隔开并且在第一方向上延伸；第一绝缘层，设置在电极上；发光元件，在电极之间设置在第一绝缘层上；第二绝缘层，设置在发光元件上，第二绝缘层在第一方向上延伸；连接电极，设置在第二绝缘层和发光元件上，连接电极电接触发光元件中的每个的端部；以及第三绝缘层，设置在连接电极之间。连接电极中的至少两个连接电极中的每个可以包括突起，突起在与第一方向交叉的第二方向上突出，并且连接电极中的所述至少两个连接电极的突起中的一个突起与连接电极中的所述至少两个连接电极的突起中的另一个突起叠置。
22.在实施例中，电极可以包括：第一电极；第二电极；第三电极，设置在第一电极的一侧与第二电极的一侧之间；以及第四电极，面对第二电极的另一侧，并且连接电极可以包括：第一连接电极，与第一电极叠置；第二连接电极，与第二电极叠置；第三连接电极，延伸以与第三电极叠置，并且部分地弯曲以与第一电极叠置；第四连接电极，延伸以与第四电极叠置，并且部分地弯曲以与第二电极叠置；以及第五连接电极，延伸以与第三电极叠置，并且部分地弯曲以与第四电极叠置。
23.在实施例中，第三连接电极可以包括：第一延伸部，与第三电极叠置；第二延伸部，与第一电极叠置；以及第一连接件，电连接第一延伸部和第二延伸部，第四连接电极可以包括：第三延伸部，与第四电极叠置；第四延伸部，与第二电极叠置；以及第二连接件，电连接第三延伸部和第四延伸部，并且第五连接电极可以包括：第五延伸部，与第三电极叠置；第六延伸部，与第四电极叠置；以及第三连接件，电连接第五延伸部和第六延伸部。
24.在实施例中，第一连接电极可以包括第一突起，第一突起从第一连接电极的端部在第二方向上突出，第三连接电极可以包括第二突起，第二突起从第一连接件在第二方向上突出，并且第一突起和第二突起可以彼此叠置。
25.在实施例中，显示装置还可以包括：通孔，穿透第一突起和第三绝缘层，以暴露第二突起；以及导电构件，通过通孔电接触第一突起、第三绝缘层和第二突起。
26.根据公开的上述和其他实施例，当连接电极被设置为彼此部分地叠置时，可以通过在连接电极的叠置区域中形成通孔和导电构件来修复任何断开的连接电极。
27.此外，可以修复可能由任何断开的连接电极引起的暗点缺陷，结果，可以改善生产率。
28.通过权利要求、以下详细描述和附图，其他特征和实施例可以是明显的。
附图说明
29.通过参照附图详细描述公开的实施例，公开的以上和其他实施例和特征将变得更加明显，在附图中：
30.图1是根据公开的实施例的显示装置的示意性平面图；
31.图2是图1的显示装置的子像素的等效电路图；
32.图3是图1的显示装置的像素的示意性平面图；
33.图4是图3的第一子像素的示意性平面图；
34.图5是沿着图4的线q1-q1'截取的示意性剖视图；
35.图6是沿着图4的线q2-q2'截取的示意性剖视图；
36.图7是沿着图4的线q3-q3'截取的示意性剖视图；
37.图8是示出图4的第三连接电极和第四连接电极的示意性平面图；
38.图9是示出图4的第一连接电极、第二连接电极和第五连接电极的示意性平面图；
39.图10是示出图8和图9的第一连接电极至第五连接电极的布局的示意性平面图；
40.图11是根据公开的实施例的发光元件的示意性透视图；
41.图12至图16是示出根据公开的实施例的用于显示装置的修复工艺的示意性平面图或示意性剖视图；
42.图17是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的示意性平面图；
43.图18是示出图17的第一连接电极、第二连接电极和第五连接电极的示意性平面图；
44.图19是示出图17的第三连接电极和第四连接电极的示意性平面图；
45.图20是示出图18和图19的第一连接电极至第五连接电极的布局的示意性平面图；
46.图21是示出图20的第一连接电极至第五连接电极、通孔和导电构件的布局的示意性平面图；以及
47.图22是沿着图21的线q6-q6'截取的示意性剖视图。
具体实施方式
48.现在，将在下文中参照其中示出了公开的实施例的附图更充分地描述公开。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将向本领域的技术人员充分传达公开的范围。
49.还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间层。贯穿说明书，相同的附图标号表示相同的组件。
50.将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件而不脱离公开的教导。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
51.公开的各种实施例的特征中的每个可以(部分地或全部地)组合或彼此组合，并且技术上各种互锁和驱动是可能的。每个实施例可以彼此独立地实现，或者可以关联地一起实现。
52.将理解的是，术语“接触”、“连接到”和“结合到”可以包括物理和/或电接触、连接或结合。
53.短语
“……
中的至少一个(种/者)”出于其意思和解释的目的而旨在包括“选自
……
的组中的至少一个(种/者)”的含义。例如，“a和b中的至少一个(种/者)”可以被理解为意指“a、b或者a和b”。
54.除非这里另有定义或暗示，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用字典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域和公开的上下文中的含义一致的含义，而不应以理想化或者过于形式化的意义来解释，除非在这里如此明确地定义。
55.在下文中将参照附图描述公开的实施例。
56.图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图。
57.参照图1，显示装置10显示移动或静止图像。显示装置10可以指提供显示屏幕的所有类型的电子装置。显示装置10的示例可以包括电视(tv)、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网(iot)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(pc)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp)、导航装置、游戏控制台、数字相机和摄像机。
58.显示装置10可以包括提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例包括无机发光二极管(iled)显示面板、有机led(oled)显示面板、量子点发光二极管(qled)显示面板、等离子体显示面板(pdp)和场发射显示(fed)面板。显示装置10的显示面板在下文中将被描述为iled显示面板，但是公开不限于此。
59.第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3如附图中所限定。第一方向dr1和第二方向dr2可以是在单个平面中彼此垂直的方向。第三方向dr3可以是与由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面垂直的方向。第三方向dr3可以与第一方向dr1和第二方向dr2中的每个形成直角。第三方向dr3可以是显示装置10的厚度方向。
60.显示装置10的形状可以改变。在实施例中，显示装置10可以具有在平面图中在第一方向dr1上比在第二方向dr2上延伸得长的矩形形状。在实施例中，显示装置10可以具有在平面图中在第二方向dr2上比在第一方向dr1上延伸得长的矩形形状。然而，公开不限于这些示例。在实施例中，显示装置10可以具有正方形形状、具有圆角的矩形形状、另一多边形形状或圆形形状。显示装置10的显示区域dpa可以具有与显示装置10类似的形状。图1示出了具有在第一方向dr1上比在第二方向dr2上延伸得长的矩形形状的显示装置10和显示区域dpa。
61.显示装置10可以包括显示区域dpa和非显示区域nda。显示区域dpa是其中显示图像的区域，非显示区域nda是其中不显示图像的区域。显示区域dpa也可以被称为有效区域，非显示区域nda也可以被称为无效区域。显示区域dpa大体上可以占显示装置10的中间部分。
62.显示区域dpa可以包括像素px。像素px可以在行方向和列方向上布置。像素px在平面图中可以具有矩形形状或正方形形状，但是公开不限于此。作为另一示例，像素px可以具有相对于一个方向倾斜的菱形形状。像素px可以以条带方式或方式交替地布
置。像素px中的每个可以包括发射特定波长范围的光的一个或更多个发光元件，以发射预定的颜色的光。
63.非显示区域nda可以设置在显示区域dpa的外围上。非显示区域nda可以围绕整个显示区域dpa或显示区域dpa的部分。显示区域dpa可以具有矩形形状，非显示区域nda可以被设置为与显示区域dpa的四条边相邻。非显示区域nda可以形成显示装置10的边框。包括在显示装置10中的布线或电路驱动器可以设置在非显示区域nda中，或者外部装置可以安装在非显示区域nda中。
64.图2是图1的显示装置的子像素的等效电路的示意图。
65.参照图2，显示装置10的子像素spxn可以包括发光元件ed、三个晶体管(例如，第一晶体管t1、第二晶体管t2和第三晶体管t3)和存储电容器cst。
66.发光元件ed可以根据经由第一晶体管t1施加到其的电流发射光。发光元件ed可以根据从连接到发光元件ed的两端的第一电极和第二电极向其传输的电信号来发射特定波长范围的光。
67.发光元件ed的第一端可以连接到第一晶体管t1的源电极，发光元件ed的第二端可以电连接到第二电压线vl2，比高电位电压(在下文中称为第一电源电压)低的低电位电压(在下文中称为第二电源电压)供应到第二电压线vl2。
68.第一晶体管t1根据第一晶体管t1的栅电极与源电极之间的电压差来控制从第一电压线vl1流到发光元件ed的电流，第一电源电压供应到第一电压线vl1。在实施例中，第一晶体管t1可以是用于驱动发光元件ed的晶体管。第一晶体管t1的栅电极可以连接到第二晶体管t2的源电极，第一晶体管t1的源电极可以连接到发光元件ed的第一端，第一晶体管t1的漏电极可以连接到第一电源电压供应到其的第一电压线vl1。
69.第二晶体管t2由来自第一扫描线sl1的第一扫描信号而导通，以使数据线dtl连接到第一晶体管t1的栅电极。第二晶体管t2的栅电极可以连接到第一扫描线sl1，第二晶体管t2的源电极可以连接到第一晶体管t1的栅电极，第二晶体管t2的漏电极可以连接到数据线dtl。
70.第三晶体管t3由来自第二扫描线sl2的扫描信号而导通，以使初始化电压线vil连接到发光元件ed的第一端。第三晶体管t3的栅电极可以连接到第二扫描线sl2，第三晶体管t3的漏电极可以连接到初始化电压线vil，第三晶体管t3的源电极可以连接到发光元件ed的第一端和第一晶体管t1的源电极。图2示出了第一扫描线sl1和第二扫描线sl2是分离的线，但是公开不限于此。作为另一示例，在一些实施例中，第一扫描线sl1和第二扫描线sl2可以形成为单一扫描线，在此情况下，第二晶体管t2和第三晶体管t3可以由同一扫描信号导通。
71.第一晶体管t1、第二晶体管t2和第三晶体管t3的源电极和漏电极不限于上面的描述。第一晶体管t1、第二晶体管t2和第三晶体管t3可以形成为薄膜晶体管(tft)。图2示出了第一晶体管t1、第二晶体管t2和第三晶体管t3形成为n型金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，但是公开不限于此。在另一示例中，第一晶体管t1、第二晶体管t2和第三晶体管t3可以全部形成为p型mosfet。作为又一示例，第一晶体管t1、第二晶体管t2和第三晶体管t3中的一些可以形成为n型mosfet，而其他晶体管可以形成为p型mosfet。
72.存储电容器cst形成在第一晶体管t1的栅电极与源电极之间。存储电容器cst存储
与第一晶体管t1的栅电极和源电极之间的电压差对应的差分电压。
73.在下文中将进一步详细地描述显示装置10的像素px的结构。
74.图3是图1的显示装置的像素的示意性平面图。
75.参照图3，像素px可以包括子像素spxn(其中n是1至3的整数)。在实施例中，像素px可以包括第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3。第一子像素spx1可以发射第一颜色的光，第二子像素spx2可以发射第二颜色的光，第三子像素spx3可以发射第三颜色的光。在实施例中，第一颜色的光、第二颜色的光和第三颜色的光可以分别是蓝光、绿光和红光，但是公开不限于此。作为另一示例，子像素spxn可以全部发射相同颜色的光。在实施例中，子像素spxn可以发射蓝光。图3示出了像素px可以包括三个子像素spxn，但是公开不限于此。作为另一示例，像素px可以包括多于三个的子像素spxn。
76.子像素spxn中的每个可以包括发射区域ema和非发射区域。发射区域ema可以是从设置在其中的发光元件ed输出特定波长范围的光的区域，而非发射区域可以是其中未设置有发光元件ed、由发光元件ed发射的光不到达其并且因此不输出光的区域。发射区域ema可以包括设置有发光元件ed的区域和在发光元件ed周围的输出由发光元件ed发射的光的区域。
77.然而，公开不限于此。发射区域ema可以包括由发光元件ed发射的光通过其他构件从其反射或折射并输出的区域。发光元件ed可以设置在子像素spxn中的每个中以形成发射区域ema，发射区域ema包括其中设置有发光元件ed的区域和其中设置有发光元件ed的区域的周围。
78.图3示出了第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的发射区域ema具有基本上相同的尺寸。在一些实施例中，子像素spxn的发射区域ema可以根据由发光元件ed发射的光的颜色或波长而具有不同的尺寸。
79.子像素spxn中的每个还可以包括子区域sa，子区域sa设置在对应的子像素spxn的非发射区域中。子区域sa可以设置在对应的子像素spxn的发射区域ema的在第二方向dr2上的第一侧上(在对应的子像素spxn的发射区域ema和在第二方向dr2上与对应的子像素spxn相邻的邻近的子像素spxn的发射区域ema之间)。在实施例中，发射区域ema可以在第二方向dr2上一个接一个地布置，子区域sa可以在第二方向dr2上一个接一个地布置，发射区域ema和子区域sa可以交替地布置。然而，公开不限于此示例。子像素spxn的发射区域ema和子区域sa也可以具有与图3的布置不同的布置。如图3中所示，发射区域ema和设置在发射区域ema的在第二方向dr2上的一侧(或第一侧)上的子区域sa可以包括在子像素spxn中，邻近的子像素spxn的子区域sa可以设置在发射区域ema的在第二方向dr2上的另一侧(或第二侧)上。
80.堤bnl可以设置在子像素spxn的子区域sa之间、子像素spxn的发射区域ema之间以及子像素spxn的子区域sa与发射区域ema之间。子像素spxn的子区域sa之间的距离、子像素spxn的发射区域ema之间的距离以及子像素spxn的子区域sa与发射区域ema之间的距离可以根据堤bnl的宽度而改变。由于没有发光元件ed设置在子像素spxn的子区域sa中，因此不会从子像素spxn的子区域sa输出光，但是电极rme的一部分可以设置在子像素spxn的子区域sa中。来自两个不同子像素spxn的两组电极rme可以在所述两个不同子像素spxn中的一个的子区域sa的分离部分rop中彼此分离。
81.堤bnl可以包括在第一方向dr1上延伸的部分和在第二方向dr2上延伸的部分，并且可以在整个显示区域dpa中在平面图中以网格图案布置。堤bnl可以沿着子像素spxn中的每个的边界设置，以使子像素spxn彼此分离。堤bnl可以被设置为围绕子像素spxn的发射区域ema中的每个，以使子像素spxn的发射区域ema彼此分离。
82.显示装置10的像素px或子像素spxn可以包括像素驱动电路。线可以被设置为穿过显示装置10的像素px或子像素spxn或者经过显示装置10的像素px或子像素spxn，并且向像素驱动电路施加驱动信号。像素驱动电路中的每个可以包括晶体管和电容器。包括在像素驱动电路中的每个中的晶体管和电容器的数量可以改变。在实施例中，如图2中所示，像素驱动电路可以具有包括三个晶体管和电容器的“3t1c”结构。像素驱动电路在下文中将被描述为具有“3t1c”结构，但是公开不限于此。作为另一示例，诸如“2t1c”、“7t1c”或“6t1c”结构的其他各种结构也可以应用于像素驱动电路。
83.图4是图3的第一子像素的示意性平面图。图5是沿着图4的线q1-q1'截取的示意性剖视图。图6是沿着图4的线q2-q2'截取的示意性剖视图。图7是沿着图4的线q3-q3'截取的示意性剖视图。图8是示出图4的第三连接电极和第四连接电极的示意性平面图。图9是示出图4的第一连接电极、第二连接电极和第五连接电极的示意性平面图。图10是示出图8和图9的第一连接电极至第五连接电极的布局的示意性平面图。将简化上面已经参照图3描述的特征或元件的描述。
84.参照图4至图7并且进一步参照图3，显示装置10可以在第一子像素spx1中包括基底sub，并且还可以包括设置在基底sub上的半导体层、导电层和绝缘层。半导体层、导电层和绝缘层可以形成显示装置10的电路层(或电路元件层)和显示元件层。
85.基底sub可以是绝缘基底。基底sub可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料形成。基底sub可以是刚性基底，或者可以是可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基底。
86.第一导电层可以设置在基底sub上。第一导电层包括下金属层cas，下金属层cas被设置为与第一晶体管t1的有源层act叠置。下金属层cas可以包括能够阻挡光透射的材料，并且可以防止光入射在第一晶体管t1的有源层act上。可以不设置下金属层cas。
87.缓冲层bl可以设置在下金属层cas和基底sub上。缓冲层bl可以形成在基底sub上，以保护第一子像素spx1的晶体管免受可能渗透通过基底sub的湿气的影响，并且可以执行表面平坦化功能，其中，基底sub易受湿气渗透。
88.半导体层可以设置在缓冲层bl上。半导体层可以包括第一晶体管t1的有源层act。有源层act设置在缓冲层bl上。有源层act可以被设置为与将在下面描述的第二导电层的栅电极g1部分地叠置。
89.半导体层可以包括单晶硅或氧化物半导体。作为另一示例，半导体层可以包括多晶硅。氧化物半导体可以为包含铟(in)的氧化物半导体。在实施例中，氧化物半导体可以是氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟镓(igo)、氧化铟锌锡(izto)、氧化铟镓锡(igto)和氧化铟镓锌锡(igzto)中的至少一种。
90.图4至图7示出了第一子像素spx1包括晶体管(例如，第一晶体管t1)，但是公开不限于此。例如，第一子像素spx1可以包括多于一个的晶体管。
91.栅极绝缘层gi设置在有源层act和缓冲层bl上。栅极绝缘层gi可以用作针对第一晶体管t1的栅极绝缘膜。
92.第二导电层设置在栅极绝缘层gi上。第二导电层可以包括第一晶体管t1的栅电极g1。栅电极g1可以被设置为在厚度方向上(例如，在第三方向dr3上)与有源层act的沟道区叠置。
93.层间绝缘层il设置在第二导电层上。层间绝缘层il可以用作第二导电层与设置在第二导电层上的层之间的绝缘膜，并且可以保护第二导电层。
94.第三导电层设置在层间绝缘层il上。第三导电层可以包括第一电压线vl1和第二电压线vl2以及第一电极图案cdp1。
95.将要传输到第一电极rme1的高电位电压(或第一电源电压)可以施加到第一电压线vl1，将要传输到第二电极rme2的低电位电压(或第二电源电压)可以施加到第二电压线vl2。第一电压线vl1的一部分可以通过穿透层间绝缘层il和栅极绝缘层gi的接触孔接触第一晶体管t1的有源层act。第一电压线vl1可以用作第一晶体管t1的漏电极d1。第一电压线vl1可以直接连接到将在下面描述的第一连接电极cne1，第二电压线vl2可以直接连接到将在下面描述的第二连接电极cne2。
96.第一电极图案cdp1可以通过穿透层间绝缘层il和栅极绝缘层gi的接触孔接触第一晶体管t1的有源层act。第一电极图案cdp1可以通过另一接触孔接触下金属层cas。第一电极图案cdp1可以用作第一晶体管t1的源电极s1。
97.缓冲层bl、栅极绝缘层gi和层间绝缘层il中的每个可以包括交替堆叠的无机层。在实施例中，缓冲层bl、栅极绝缘层gi和层间绝缘层il中的每个可以形成为其中包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种的无机层交替堆叠的双层或多层，但是公开不限于此。在实施例中，缓冲层bl、栅极绝缘层gi和层间绝缘层il中的每个可以形成为包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)的单一无机层。在一些实施例中，层间绝缘层il可以由诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料形成。
98.第二导电层和第三导电层可以形成为包括钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)以及其合金中的至少一种的单层或多层，但是公开不限于此。
99.过孔层via设置在第三导电层和层间绝缘层il上。过孔层via可以包括有机绝缘材料(诸如pi)，并且可以执行表面平坦化功能。
100.电极rme(rme1至rme4)、堤图案bp(bp1至bp3)、发光元件ed和连接电极cne(cne1至cne5)被设置为过孔层via上的显示元件层。第一绝缘层pas1、第二绝缘层pas2和第三绝缘层pas3可以设置在过孔层via上。
101.堤图案bp可以直接设置在过孔层via上。堤图案bp可以包括第一堤图案bp1、第二堤图案bp2和设置在第一堤图案bp1与第二堤图案bp2之间的第三堤图案bp3。第一堤图案bp1可以设置在发射区域ema的中心的左侧上，第二堤图案bp2可以设置在发射区域ema的中心的右侧上，第三堤图案bp3可以设置在发射区域ema的中间。堤图案bp可以在第二方向dr2上延伸，并且可以在第一方向dr1上彼此间隔开。
102.第一堤图案bp1和第二堤图案bp2可以具有相同的宽度，但是公开不限于此。作为另一示例，第一堤图案bp1和第二堤图案bp2可以具有不同的宽度。第一堤图案bp1和第二堤图案bp2中的每个在第二方向dr2上的长度可以比发射区域ema在第二方向dr2上的长度小。
103.第三堤图案bp3可以设置在发射区域ema中，并且可以在第二方向dr2上延伸。第三
堤图案bp3可以在发射区域ema中具有相对大的宽度，并且可以具有在第二方向dr2上延伸的岛图案。第三堤图案bp3可以设置在发射区域ema的中间，第一堤图案bp1和第二堤图案bp2可以彼此间隔开且第三堤图案bp3设置在第一堤图案bp1与第二堤图案bp2之间。发光元件ed可以设置在第一堤图案bp1与第三堤图案bp3之间和第二堤图案bp2与第三堤图案bp3之间。
104.堤图案bp可以在第二方向dr2上具有相同的长度，但是可以在第一方向dr1上具有不同的宽度。第一堤图案bp1和第二堤图案bp2可以在第一方向dr1上具有相同的宽度，第三堤图案bp3在第一方向dr1上的宽度可以比第一堤图案bp1和第二堤图案bp2中的每个在第一方向dr1上的宽度大。在第一方向dr1上，堤图案bp之间的距离可以比电极rme之间的距离大。因此，电极rme可以被设置成至少部分地不与堤图案bp叠置。
105.堤图案bp可以至少部分地从过孔层via的顶表面突出。堤图案bp的突出部分中的每个可以具有倾斜或弯曲的侧表面。与图5中所示的不同，堤图案bp在剖视图中可以具有半圆形形状或半椭圆形形状。堤图案bp可以包括诸如pi的有机绝缘材料，但是公开不限于此。
106.电极rme可以设置在第一子像素spx1中，以在一个方向上延伸。电极rme可以在第二方向dr2上延伸以设置在第一子像素spx1的发射区域ema和子区域sa中并从第一子像素spx1的发射区域ema延伸到子区域sa中，并且可以在第一方向dr1上彼此间隔开。
107.电极rme可以包括第一电极rme1、第二电极rme2、第三电极rme3和第四电极rme4。第三电极rme3可以设置在第一电极rme1与第二电极rme2之间，第四电极rme4可以在第一方向dr1上与第三电极rme3间隔开且第二电极rme2设置在第三电极rme3与第四电极rme4之间。第一电极rme1、第三电极rme3、第二电极rme2和第四电极rme4可以在从左到右的方向上顺序地布置。
108.第一电极rme1可以设置在发射区域ema的中心的左侧上，以放置在第一堤图案bp1上。第三电极rme3可以设置在第三堤图案bp3的靠近第一电极rme1的左侧部分上，以面对第一电极rme1。第四电极rme4可以设置在发射区域ema的中心的右侧上，以放置在第二堤图案bp2上。第二电极rme2可以设置在第三堤图案bp3的右侧部分上，以放置在第三电极rme3与第四电极rme4之间。第一电极rme1和第三电极rme3可以彼此面对，发光元件ed中的一些可以设置在第一电极rme1与第三电极rme3之间。第二电极rme2和第四电极rme4可以彼此面对，其他发光元件ed可以设置在第二电极rme2与第四电极rme4之间。
109.电极rme可以至少设置在堤图案bp中的每个的倾斜侧表面上。电极rme可以被设置为至少覆盖堤图案bp中的每个的倾斜侧表面，以反射从发光元件ed发射的光。电极rme之间在第一方向dr1上的距离可以比堤图案bp之间在第一方向dr1上的距离小。电极rme的至少一部分可以直接设置在过孔层via上，并且可以因此设置在同一平面上。
110.第一电极rme1和第二电极rme2可以分别通过第一电极接触孔ctd和第二电极接触孔cts连接到第三导电层，第一电极接触孔ctd和第二电极接触孔cts形成在第一电极rme1和第二电极rme2的与堤bnl叠置的区域中。第一电极rme1可以通过穿透过孔层via的第一电极接触孔ctd接触第一电极图案cdp1。第二电极rme2可以通过穿透过孔层via的第二电极接触孔cts接触第二电压线vl2。第一电极rme1可以经由第一电极图案cdp1电连接到第一晶体管t1并且可以因此接收第一电源电压，第二电极rme2可以电连接到第二电压线vl2并且可以因此接收第二电源电压。第一电极接触孔ctd和第二电极接触孔cts被示出为设置在堤
bnl下方，但是公开不限于此。作为另一示例，第一电极接触孔ctd和第二电极接触孔cts可以设置在发射区域ema中或子区域sa中。
111.第三电极rme3和第四电极rme4可以不直接连接到第三导电层，并且可以经由发光元件ed和连接电极cne电连接到第一电极rme1和第二电极rme2。第一电极rme1和第二电极rme2可以是通过第一电极接触孔ctd和第二电极接触孔cts直接连接到第三导电层的第一类型电极，第三电极rme3和第四电极rme4可以是不直接连接到第三导电层的第二类型电极。第二类型电极可以与连接电极cne一起为发光元件ed提供电连接。
112.在第二方向dr2上或在第二方向dr2的相反方向上的两个相邻的子像素spxn的两组电极rme可以在所述两个相邻的子像素spxn中的一个的子区域sa的分离部分rop中彼此分离。通过将电极rme中的每个形成为在第二方向dr2上延伸的单一电极线，并且在发光元件ed的对准之后切断(或分离)每个子像素spxn中的每条电极线，可以获得电极rme的这种布置。电极线可以用于在每个子像素spxn中形成电场，以使发光元件ed对准。
113.具体地，在第一子像素spx1中的发光元件ed的对准之后，可以在第一子像素spx1的分离部分rop中切割电极线，可以形成与在第二方向dr2上同第一子像素spx1相邻的邻近的子像素spxn的电极rme分离的电极rme。该工艺可以在形成第二绝缘层pas2之后执行，第二绝缘层pas2可以不设置在第一子像素spx1的分离部分rop中。第二绝缘层pas2可以在切断电极线期间用作掩模图案。
114.电极rme可以电连接到发光元件ed。电极rme可以经由连接电极cne连接到发光元件ed，并且可以向发光元件ed传输从过孔层via下方的导电层施加到其的电信号。
115.电极rme可以包括具有高反射率的导电材料。在实施例中，电极rme可以包括具有高反射率的材料(例如，诸如银(ag)、cu或al的金属，或者al、ni或镧(la)的合金)。电极rme可以向上反射由发光元件ed发射并朝向堤图案bp的侧表面行进的光。
116.然而，公开不限于此。作为另一示例，电极rme还可以包括透明导电材料。在实施例中，电极rme可以包括诸如ito、izo或itzo的材料。在一些实施例中，电极rme可以形成为由透明导电材料形成的多于一个的层和具有高反射率的多于一个的金属层的堆叠件，或者形成为包括透明导电材料的单层且包括具有高反射率的金属的单层。在实施例中，电极rme可以具有ito/ag/ito、ito/ag/izo或ito/ag/itzo/izo的堆叠件。
117.第一绝缘层pas1可以设置在过孔层via、堤图案bp和电极rme上。第一绝缘层pas1可以设置在过孔层via上，以覆盖电极rme和堤图案bp(或与电极rme和堤图案bp叠置)。第一绝缘层pas1可以不设置在第一子像素spx1的电极rme和邻近的子像素spxn的电极rme在其中分离的分离部分rop中。第一绝缘层pas1可以保护电极rme，并且可以使电极rme彼此绝缘。第一绝缘层pas1可以防止发光元件ed因直接接触其他元件而被损坏。
118.在实施例中，第一绝缘层pas1可以形成为在沿第一方向dr1彼此间隔开的电极rme之间部分地凹陷。发光元件ed可以设置在第一绝缘层pas1的凹陷的部分的顶表面上，并且可以在发光元件ed与第一绝缘层pas1之间形成空间。
119.第一绝缘层pas1可以包括暴露电极rme的顶表面的部分的接触件(或称为接触孔)ct。接触件ct可以穿透第一绝缘层pas1，下面将描述的连接电极cne可以接触电极rme的被接触件ct暴露的部分。接触件ct可以包括分别与第一电极rme1、第二电极rme2、第三电极rme3和第四电极rme4叠置的第一接触件ct1、第二接触件ct2、第三接触件ct3和第四接触件
ct4。第一电极rme1和第一连接电极cne1可以通过第一接触件ct1彼此连接，第二电极rme2和第二连接电极cne2可以通过第二接触件ct2彼此连接。第三电极rme3和第三连接电极cne3可以通过第三接触件ct3彼此连接，第四电极rme4和第四连接电极cne4可以通过第四接触件ct4彼此连接。
120.堤bnl可以设置在第一绝缘层pas1上。堤bnl可以包括在第一方向dr1上延伸的部分和在第二方向dr2上延伸的部分，并且可以因此在平面图中以网格图案布置。堤bnl可以沿着第一子像素spx1的边界设置，以使第一子像素spx1与其他邻近的子像素spxn分离。堤bnl可以被设置为围绕第一子像素spx1的发射区域ema和子区域sa，并且由堤bnl限定并开口的区域可以是第一子像素spx1的发射区域ema和子区域sa。
121.堤bnl可以具有预定的高度。在一些实施例中，堤bnl的高度可以比堤图案bp的高度大，并且堤bnl的厚度可以大于或等于堤图案bp的厚度。然而，公开不限于此。作为另一示例，堤bnl的高度可以小于或等于堤图案bp的高度。在制造显示装置10期间，堤bnl可以防止墨在喷墨印刷期间溢出到邻近的子像素spxn中。堤bnl可以防止针对不同的子像素spxn而具有不同的组的发光元件ed的墨彼此混合。类似于堤图案bp，堤bnl可以包括pi(聚酰亚胺)，但是公开不限于此。
122.发光元件ed可以设置在第一绝缘层pas1上。发光元件ed中的每个可以包括在与基底sub的顶表面平行的方向上布置的层。发光元件ed可以被布置为使得发光元件ed延伸所沿的方向可以与基底sub平行，并且包括在发光元件ed中的每个中的半导体层可以在与基底sub的顶表面平行的方向上顺序地布置。然而，公开不限于此。作为另一示例，包括在发光元件ed中的每个中的层可以布置在与基底sub垂直的方向上。
123.发光元件ed可以设置在堤图案bp之间或电极rme之间。发光元件ed中的一些可以设置在第一堤图案bp1与第三堤图案bp3之间，而其他发光元件ed可以设置在第二堤图案bp2与第三堤图案bp3之间。在实施例中，发光元件ed可以包括设置在第一堤图案bp1与第三堤图案bp3之间的第一发光元件ed1和第三发光元件ed3以及设置在第二堤图案bp2与第三堤图案bp3之间的第二发光元件ed2和第四发光元件ed4。第一发光元件ed1和第三发光元件ed3可以设置在第一电极rme1和第三电极rme3上，第二发光元件ed2和第四发光元件ed4可以设置在第二电极rme2和第四电极rme4上。第一发光元件ed1和第二发光元件ed2可以设置在发射区域ema的上部中或子区域sa附近，第三发光元件ed3和第四发光元件ed4可以设置在发射区域ema的下部中。发光元件ed可以不通过它们在发射区域ema中的位置来分类，而是通过它们如何连接到连接电极cne来分类。根据下面将要描述的连接电极cne的布置，发光元件ed中的每个的端部可以接触不同的连接电极cne，发光元件ed可以根据发光元件ed连接到其的连接电极cne的类型而被分类为不同类型的发光元件ed。
124.发光元件ed可以接触连接电极cne，从而电连接到连接电极cne。当发光元件ed中的每个的半导体层中的一些在发光元件ed中的每个的两个端表面上被暴露时，暴露的半导体层可以接触连接电极cne。第一连接电极cne1可以接触第一发光元件ed1的第一端部，第三连接电极cne3的一部分可以接触第一发光元件ed1的第二端部。第二连接电极cne2可以接触第二发光元件ed2的第一端部，第四连接电极cne4的一部分可以接触第二发光元件ed2的第二端部。第三连接电极cne3可以接触第三发光元件ed3的第一端部，第五连接电极cne5的一部分可以接触第三发光元件ed3的第二端部。第四连接电极cne4的一部分可以接触第
四发光元件ed4的第一端部，第五连接电极cne5的一部分可以接触第四发光元件ed4的第二端部。发光元件ed可以通过连接电极cne电连接到电极rme和在过孔层via下方的导电层。当电信号施加到发光元件ed时，发光元件ed可以发射特定波长范围的光。
125.第二绝缘层pas2可以设置在发光元件ed和第一绝缘层pas1上。第二绝缘层pas2可以在堤图案bp之间在第二方向dr2上延伸，并且可以设置在发光元件ed上。第二绝缘层pas2可以被设置为围绕发光元件ed中的每个的外表面的部分，但不覆盖发光元件ed中的每个的两侧或两端部。第二绝缘层pas2可以在平面图中在第一子像素spx1中形成线型图案或岛图案。在制造显示装置10期间，第二绝缘层pas2可以保护发光元件ed并且可以固定发光元件ed。第二绝缘层pas2可以填充发光元件ed与设置在发光元件ed下方的第一绝缘层pas1之间的空间。第二绝缘层pas2的部分可以设置在堤bnl上和子区域sa中，但是公开不限于此。第二绝缘层pas2可以设置在子区域sa中，但不设置在第一接触件ct1和第二接触件ct2以及分离部分rop中。
126.连接电极cne可以设置在发光元件ed、电极rme和堤图案bp上。连接电极cne可以接触发光元件ed和电极rme。连接电极cne可以直接接触在发光元件ed中的每个的两个端表面上暴露的半导体层，并且可以通过接触件ct接触电极rme中的至少一个，接触件ct穿透第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2。发光元件ed中的每个的两个端部可以经由连接电极cne电连接到电极rme。
127.第一连接电极cne1可以在第二方向dr2上延伸，并且可以设置在第一电极rme1和第一堤图案bp1上。第一连接电极cne1的部分可以与第一电极rme1和第一堤图案bp1叠置，并且可以从第一电极rme1和第一堤图案bp1在第一方向dr1上延伸。第一连接电极cne1可以设置在发射区域ema和子区域sa中并且设置为从发射区域ema跨过堤bnl而延伸到子区域sa中。第一连接电极cne1可以通过暴露第一电极rme1的第一接触件ct1接触第一电极rme1。第一连接电极cne1可以接触发光元件ed和第一电极rme1，并且可以因此向发光元件ed传输从第一晶体管t1施加到其的电信号。
128.第二连接电极cne2可以在第二方向dr2上延伸，并且可以设置在第二电极rme2上。第二连接电极cne2的部分可以与第三堤图案bp3叠置，并且可以从第三堤图案bp3在第一方向dr1上延伸。第二连接电极cne2可以设置在发射区域ema和子区域sa中并且设置为从发射区域ema跨过堤bnl而延伸到子区域sa中。第二连接电极cne2可以通过暴露第二电极rme2的第二接触件ct2接触第二电极rme2。第二连接电极cne2可以接触发光元件ed和第二电极rme2，并且可以因此向发光元件ed传输从第二电压线vl2施加到其的电信号。
129.第一连接电极cne1和第二连接电极cne2的长度可以比其他连接电极cne的长度小。第一连接电极cne1和第二连接电极cne2可以设置在发射区域ema的中心的上侧上，但是公开不限于此。作为另一示例，在子区域sa设置在发射区域ema下方的情况下，第一连接电极cne1和第二连接电极cne2可以设置在发射区域ema的中心的下侧上。
130.第三连接电极cne3可以包括设置在第三电极rme3上的第一延伸部cn_e1、设置在第一电极rme1上的第二延伸部cn_e2以及连接第一延伸部cn_e1和第二延伸部cn_e2的第一连接件cn_b1。第一延伸部cn_e1可以在第一方向dr1上与第一连接电极cne1间隔开并面对第一连接电极cne1，第二延伸部cn_e2可以至少部分地与第一连接电极cne1叠置。第一延伸部cn_e1可以设置在发射区域ema的上部中，第二延伸部cn_e2可以设置在发射区域ema的下
部中。第一延伸部cn_e1可以设置在发射区域ema和子区域sa中并被设置为从发射区域ema越过堤bnl而延伸到子区域sa中，并且可以通过形成在子区域sa中的第三接触件ct3连接到第三电极rme3。第一连接件cn_b1可以在发射区域ema的中间设置在第一电极rme1和第三电极rme3之上。第三连接电极cne3可以大体上在第二方向dr2上延伸。第三连接电极cne3可以在第一方向dr1上弯曲，并且可以在第二方向dr2上延伸。
131.第四连接电极cne4可以包括设置在第四电极rme4上的第三延伸部cn_e3、设置在第二电极rme2上的第四延伸部cn_e4以及连接第三延伸部cn_e3和第四延伸部cn_e4的第二连接件cn_b2。第三延伸部cn_e3可以在第一方向dr1上与第二连接电极cne2间隔开并面对第二连接电极cne2，第四延伸部cn_e4可以至少部分地与第二连接电极cne2叠置。第三延伸部cn_e3可以设置在发射区域ema的上部中，第四延伸部cn_e4可以设置在发射区域ema的下部中。第三延伸部cn_e3可以设置在发射区域ema和子区域sa中并被设置为从发射区域ema越过堤bnl而延伸到子区域sa中，并且可以通过第四接触件ct4连接到第四电极rme4。第二连接件cn_b2可以靠近发射区域ema的中心设置在第二电极rme2和第四电极rme4之上。第四连接电极cne4可以大体上在第二方向dr2上延伸。第四连接电极cne4可以在第一方向dr1上弯曲，并且可以在第二方向dr2上延伸。
132.第五连接电极cne5可以包括设置在第三电极rme3上的第五延伸部cn_e5、设置在第四电极rme4上的第六延伸部cn_e6以及连接第五延伸部cn_e5和第六延伸部cn_e6的第三连接件cn_b3。第五延伸部cn_e5可以在第一方向dr1上与第三连接电极cne3的第二延伸部cn_e2间隔开并面对第三连接电极cne3的第二延伸部cn_e2，第六延伸部cn_e6可以在第一方向dr1上与第四连接电极cne4的第四延伸部cn_e4间隔开并面对第四连接电极cne4的第四延伸部cn_e4。第五延伸部cn_e5和第六延伸部cn_e6可以设置在发射区域ema的下部中，第三连接件cn_b3可以设置在第二电极rme2、第三电极rme3和第四电极rme4之上。第五连接电极cne5可以在平面图中被设置为围绕第四连接电极cne4的第四延伸部cn_e4。
133.第一连接电极cne1和第二连接电极cne2可以是接触第一电极rme1和第二电极rme2的第一类型连接电极，第一电极rme1和第二电极rme2直接连接到第三导电层，第三连接电极cne3和第四连接电极cne4可以是接触第三电极rme3和第四电极rme4的第二类型连接电极，第三电极rme3和第四电极rme4不直接连接到第三导电层，第五连接电极cne5可以是不接触电极rme的第三类型连接电极。
134.如上所述，发光元件ed可以根据与其连接的连接电极cne而被分类为不同类型的发光元件。
135.第一发光元件ed1的第一端部和第二发光元件ed2的第一端部可以接触第一类型连接电极，第一发光元件ed1的第二端部和第二发光元件ed2的第二端部可以接触第二类型连接电极。第一发光元件ed1可以接触第一连接电极cne1和第三连接电极cne3，第二发光元件ed2可以接触第二连接电极cne2和第四连接电极cne4。第三发光元件ed3的第一端部和第四发光元件ed4的第一端部可以接触第二类型连接电极，第三发光元件ed3的第二端部和第四发光元件ed4的第二端部可以接触第三类型连接电极。第三发光元件ed3可以接触第三连接电极cne3和第五连接电极cne5，第四发光元件ed4可以接触第四连接电极cne4和第五连接电极cne5。
136.发光元件ed可以通过连接电极cne串联连接。由于显示装置10在每个子像素spxn
中包括多个发光元件ed，并且可以形成发光元件ed之间的串联连接，可以因此进一步增大每单位面积发射的光的量。
137.第一连接电极cne1、第二连接电极cne2和第五连接电极cne5中的每个的至少一个端部可以与其他连接电极cne叠置。
138.参照图7至图10并且进一步参照图4，第一连接电极cne1可以包括第一部分wb1，第一部分wb1具有在第一方向dr1上比第一连接电极cne1的其他部分的宽度大的宽度。第一部分wb1可以是第一连接电极cne1的在发射区域ema中的端部。第一部分wb1可以与第三连接电极cne3的部分(特别地，第三连接电极cne3的第二延伸部cn_e2)叠置。第一连接电极cne1和第三连接电极cne3可以在第三方向dr3上彼此间隔开，且第三绝缘层pas3设置在第一连接电极cne1与第三连接电极cne3之间。第一连接电极cne1的除了第一部分wb1之外的一部分可以与第三连接电极cne3的第一连接件cn_b1叠置。第一连接电极cne1的第一部分wb1可以在第二方向dr2上与第三连接电极cne3的第一连接件cn_b1间隔开，并且可以因此不与第三连接电极cne3的第一连接件cn_b1叠置。
139.第二连接电极cne2可以包括第二部分wb2，第二部分wb2在第一方向dr1上具有相对大的宽度。第二部分wb2可以是第二连接电极cne2的在发射区域ema中的端部。第二部分wb2可以与第四连接电极cne4的一部分(特别地，第四连接电极cne4的第四延伸部cn_e4)叠置。第二连接电极cne2和第四连接电极cne4可以在第三方向dr3上彼此间隔开，且第三绝缘层pas3设置在第二连接电极cne2与第四连接电极cne4之间。第二连接电极cne2的除了第二部分wb2之外的一部分可以与第四连接电极cne4的第二连接件cn_b2叠置。第二连接电极cne2的第二部分wb2可以在第二方向dr2上与第四连接电极cne4的第二连接件cn_b2间隔开，并且可以因此不与第四连接电极cne4的第二连接件cn_b2叠置。
140.第五连接电极cne5的在第二方向dr2上延伸的第五延伸部cn_e5和第六延伸部cn_e6可以分别包括第三部分wb3和第四部分wb4，第三部分wb3和第四部分wb4在第一方向dr1上具有比第五延伸部cn_e5和第六延伸部cn_e6的其他部分的宽度大的宽度。第三部分wb3和第四部分wb4可以具有相同的宽度。第三部分wb3可以是第五连接电极cne5的第五延伸部cn_e5的在发射区域ema中的端部。第四部分wb4可以是第五连接电极cne5的第六延伸部cn_e6的在发射区域ema中的端部。
141.第三部分wb3可以与第三连接电极cne3的一部分(特别地，第三连接电极cne3的第一延伸部cn_e1)叠置。第五连接电极cne5的除了第三部分wb3之外的一部分可以与第三连接电极cne3的第一连接件cn_b1叠置。第五连接电极cne5的第三部分wb3可以在第二方向dr2上与第三连接电极cne3的第一连接件cn_b1间隔开，并且可以因此不与第三连接电极cne3的第一连接件cn_b1叠置。
142.第四部分wb4可以与第四连接电极cne4的一部分(特别地，第四连接电极cne4的第三延伸部cn_e3)叠置。第五连接电极cne5的除了第四部分wb4之外的一部分可以与第四连接电极cne4的第二连接件cn_b2叠置。第五连接电极cne5的第四部分wb4可以在第二方向dr2上与第四连接电极cne4的第二连接件cn_b2间隔开，并且可以因此不与第四连接电极cne4的第二连接件cn_b2叠置。第三连接电极cne3和第五连接电极cne5可以在第三方向dr3上彼此间隔开，且第三绝缘层pas3设置在第三连接电极cne3与第五连接电极cne5之间。第四连接电极cne4和第五连接电极cne5可以在第三方向dr3上彼此间隔开，且第三绝缘层
pas3设置在第四连接电极cne4与第五连接电极cne5之间。
143.在实施例中，在第三连接电极cne3的第一连接件cn_b1电断开的情况下，可以通过将第一连接电极cne1的第一部分wb1和第三连接电极cne3的与第一连接电极cne1的第一部分wb1叠置的第二延伸部cn_e2连接来修复第三连接电极cne3。如下面将描述的，可以通过将激光施加到第一部分wb1和第二延伸部cn_e2的叠置区域以形成孔并用导电墨填充所述孔，以将第一连接电极cne1的第一部分wb1和第三连接电极cne3的第二延伸部cn_e2电连接来修复第三连接电极cne3。在另一示例中，在第三连接电极cne3的第一连接件cn_b1电断开的情况下，可以通过将第五连接电极cne5的第三部分wb3和第三连接电极cne3的与第五连接电极cne5的第三部分wb3叠置的第一延伸部cn_e1连接来修复第三连接电极cne3。
144.在实施例中，在第四连接电极cne4的第二连接件cn_b2电断开的情况下，可以通过将第二连接电极cne2的第二部分wb2和第四连接电极cne4的与第二连接电极cne2的第二部分wb2叠置的第四延伸部cn_e4连接来修复第四连接电极cne4。在实施例中，在第四连接电极cne4的第二连接件cn_b2电断开的情况下，可以通过将第五连接电极cne5的第四部分wb4和第四连接电极cne4的与第五连接电极cne5的第四部分wb4叠置的第三延伸部cn_e3连接来修复第四连接电极cne4。
145.如上所述，由于第三绝缘层pas3置于其间的每对连接电极cne被设置为彼此部分地叠置，所以可以修复由第三连接电极cne3或第四连接电极cne4的断开的连接件而引起的任何暗点。
146.图11是根据实施例的发光元件的示意性透视图。
147.参照图11，发光元件ed可以是发光二极管(led)(特别地，具有几纳米或几微米的尺寸并且由无机材料形成的iled)。如果在两个相对的电极之间在特定方向上形成电场，则发光元件ed可以在形成极性的两个电极之间对准。
148.发光元件ed可以具有在一个方向上延伸的形状。发光元件ed可以具有圆柱形、杆形、线形或管形的形状，但是发光元件ed的形状没有特别地限制。作为另一示例，发光元件ed可以具有多边形柱(诸如正方体、长方体或六边形柱)的形状，或者可以在一个方向上延伸且具有部分地倾斜的外表面。
149.发光元件ed可以包括掺杂有任意导电类型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可以从外部电源接收电信号，以发射特定波长范围的光。发光元件ed可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37和绝缘膜38。
150.第一半导体层31可以包括n型半导体。第一半导体层31可以包括半导体材料(例如，al
x
gayin
1-x-y
n(其中0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1))。在实施例中，第一半导体层31可以包括掺杂有n型掺杂剂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种。n型掺杂剂可以是si、ge、se或sn。
151.第二半导体层32可以设置在第一半导体层31上，且发光层36置于第二半导体层32与第一半导体层31之间。第二半导体层32可以包括p型半导体。第二半导体层32可以包括半导体材料(例如，al
x
gayin
1-x-y
n(其中0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1))。在实施例中，第二半导体层32可以包括掺杂有p型掺杂剂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种。p型掺杂剂可以是mg、zn、ca或ba。
152.图11示出了第一半导体层31和第二半导体层32形成为单层，但是公开不限于此。
作为另一示例，根据发光层36的材料，第一半导体层31和第二半导体层32中的每个可以包括多于一个的层(诸如盖层或拉伸应变势垒减小(tsbr)层)。
153.发光层36可以设置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。发光层36可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。在发光层36包括具有多量子阱结构的材料的情况下，发光层36可以具有其中多个量子层和多个阱层交替地堆叠的结构。发光层36可以根据经由第一半导体层31和第二半导体层32施加到其的电信号通过使电子-空穴对结合来发射光。发光层36可以包括诸如algan或algainn的材料。特别地，在发光层36具有其中多个量子层和多个阱层交替地堆叠的多量子阱结构的情况下，量子层可以包括诸如algan或algainn的材料，阱层可以包括诸如gan或alinn的材料。
154.根据将要发射的光的波长，发光层36可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料交替地堆叠的结构，或者可以包括iii族至v族半导体材料。由发光层36发射的光的类型没有特别地限制。发光层36可以根据需要发射红色波长范围或绿色波长范围的光，而不是蓝光。
155.电极层37可以是欧姆连接电极，但是公开不限于此。作为另一示例，电极层37可以是肖特基连接电极。发光元件ed可以包括至少一个电极层37。发光元件ed可以包括多于一个的电极层37，但是公开不限于此。作为另一示例，可以不设置电极层37。
156.在发光元件ed电连接到连接电极cne的情况下，电极层37可以减小发光元件ed与连接电极cne之间的电阻。电极层37可以包括导电金属。在实施例中，电极层37可以包括al、ti、in、au、ag、ito、izo和itzo中的至少一种。
157.绝缘膜38可以被设置为围绕第一半导体层31和第二半导体层32以及电极层37。在实施例中，绝缘膜38可以被设置为至少围绕发光层36，但是暴露发光元件ed的在长度方向上的两个端部。绝缘膜38可以被形成为在剖视图中在与发光元件ed的至少一端相邻的区域中为圆形的。
158.绝缘膜38可以包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氮化铝(aln
x
)或氧化铝(alo
x
)的具有绝缘性质的材料。绝缘膜38被示出为单层膜，但是公开不限于此。作为另一示例，在一些实施例中，绝缘膜38可以形成为其中堆叠有多个层的多层膜。
159.绝缘膜38可以保护发光元件ed的其他元件(例如，第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36和电极层37)。在发光元件ed直接接触电信号施加到其的电极的情况下，绝缘膜38可以防止在发光元件ed中可能发生的任何短路。绝缘膜38可以防止发光元件ed的发射效率的劣化。
160.绝缘膜38的外表面可以经受表面处理。发光元件ed可以在分散在预定的墨中的同时喷射在电极上。这里，绝缘膜38的表面可以被疏水处理或亲水处理以使发光元件ed保持分散在墨中，而不与其他邻近的发光元件ed聚集。
161.图12至图16是示出根据实施例的用于显示装置的修复工艺的示意性平面图或示意性剖视图。图12示出了连接电极cne和发光元件ed以示出断开的第三连接电极cne3。图13和图14是沿着图12的线q4-q4'截取的示意性剖视图。图15示出了如何在图12的连接电极cne的阵列中形成通孔和导电构件。图16是沿着图15的线q5-q5'截取的示意性剖视图。
162.参照图12和图13，在制造连接电极cne之后，对每个子像素spxn执行点亮检查。在点亮检查期间，一些子像素spxn可能被检测为不能适当地导通(即，可能检测到暗点缺陷)。
暗点缺陷可能由断开的第三连接电极cne3或第四连接电极cne4(特别地，断开的第一连接件cn_b1或断开的第二连接件cn_b2)引起。
163.如图12和图13中所示，第三连接电极cne3的第一连接件cn_b1可能电断开。在这种情况下，从第一连接电极cne1施加的信号可以通过第一发光元件ed1进行传输，但是由于第三连接电极cne3因第三连接电极cne3的断开的第一连接件cn_b1而浮置，因此信号会断开。结果，可能发生整个子像素spxn中的发光元件ed不能发射光(即，暗点缺陷)。
164.如图13中所示，第一电极rme1和第三电极rme3设置在过孔层via上，第一绝缘层pas1设置在第一电极rme1和第三电极rme3上。第二绝缘层pas2和第三连接电极cne3设置在第一绝缘层pas1上。假设连续地覆盖第二绝缘层pas2(或与第二绝缘层pas2叠置)的第三连接电极cne3可能因其断开而被划分为多个区域。第三绝缘层pas3设置在第三连接电极cne3和第二绝缘层pas2上。在第三绝缘层pas3上，第五连接电极cne5的第五延伸部cn_e5和第三部分wb3设置在第三连接电极cne3和第三电极rme3的叠置区域中，第一连接电极cne1的第一部分wb1设置在第三连接电极cne3和第一电极rme1的叠置区域中。
165.在实施例中，第一连接电极cne1的与第三连接电极cne3叠置的第一部分wb1可以被连接到第三连接电极cne3。
166.参照图14，激光被施加到第一连接电极cne1的与第三连接电极cne3叠置的第一部分wb1。当激光施加到第一连接电极cne1的第一部分wb1时，在第一连接电极cne1的第一部分wb1和第三绝缘层pas3中形成通孔vh。通过激光进一步去除第三连接电极cne3的表面，从而可以形成相对薄的凹槽gr，但是公开不限于此。例如，凹槽gr可以不形成在第三连接电极cne3的表面上。第一连接电极cne1的第一部分wb1的侧表面、第三绝缘层pas3的侧表面和第三连接电极cne3的顶表面可以暴露在通孔vh中。
167.参照图15和图16，通过将导电墨施用到通孔vh来形成导电构件cui。导电墨可以是包括导电颗粒的墨。在实施例中，导电墨可以是包括银(ag)颗粒的墨，或者可以包括ag点。为了提高将导电墨施用到通孔vh的精度，可以通过喷墨印刷来施用导电墨，但是公开不限于此。
168.导电构件cui可以填充通孔vh以从通孔vh上方突出。导电构件cui的顶表面可以突出，或者可以突起超过第一连接电极cne1的第一部分wb1的顶表面，但是公开不限于此。作为另一示例，导电构件cui的顶表面可以与第一连接电极cne1的第一部分wb1的顶表面共面。导电构件cui可以直接接触第一连接电极cne1的第一部分wb1的侧表面、第三绝缘层pas3的侧表面和第三连接电极cne3的顶表面。结果，第一连接电极cne1和第三连接电极cne3可以经由导电构件cui电连接。
169.通孔vh和导电构件cui设置在第一连接电极cne1的第一部分wb1和第三连接电极cne3的第二延伸部cn_e2的叠置区域中。从第一连接电极cne1施加的信号可以通过导电构件cui从第一连接电极cne1的第一部分wb1传输到第三连接电极cne3的第二延伸部cn_e2。该信号也可以传输到设置在第三连接电极cne3的第二延伸部cn_e2与第五连接电极cne5的第五延伸部cn_e5之间的第三发光元件ed3，使得第三发光元件ed3可以发射光。该信号也可以通过第五连接电极cne5的第五延伸部cn_e5传输到第二发光元件ed2和第四发光元件ed4，使得第二发光元件ed2和第四发光元件ed4也可以发射光。相反，由于第三连接电极cne3的第一延伸部cn_e1被浮置，所以第一发光元件ed1不发射光。作为修复工艺的结果，除
了第一发光元件ed1以外的所有发光元件ed都可以发射光，因此，可以解决暗点缺陷。
170.图12至图16示出了响应于第三连接电极cne3的第一连接件cn_b1的断开，通过在第一连接电极cne1的第一部分wb1和第三连接电极cne3的第二延伸部cn_e2的叠置区域中形成通孔vh和导电构件cui来修复第三连接电极cne3。作为另一示例，可以通过在第三连接电极cne3的第一延伸部cn_e1和第五连接电极cne5的第三部分wb3的叠置区域中形成通孔和导电构件来使第三连接电极cne3和第五连接电极cne5连接。第三发光元件ed3可以不发射光，但是第一发光元件ed1、第二发光元件ed2和第四发光元件ed4可以串联连接并且可以因此能够发射光。
171.尽管未具体示出，但是第四连接电极cne4的第二连接件cn_b2可能电断开。在这种情况下，可以通过在第二连接电极cne2的第二部分wb2和第四连接电极cne4的第四延伸部cn_e4的叠置区域中形成通孔和导电构件来使第二连接电极cne2和第四连接电极cne4连接。第二发光元件ed2可以不发射光，但是第一发光元件ed1、第三发光元件ed3和第四发光元件ed4可以串联连接并且可以因此能够发射光。作为另一示例，可以通过在第五连接电极cne5的第四部分wb4和第四连接电极cne4的第三延伸部cn_e3的叠置区域中形成通孔和导电构件来使第四连接电极cne4和第五连接电极cne5连接。第四发光元件ed4可以不发射光，但是第一发光元件ed1、第二发光元件ed2和第三发光元件ed3可以串联连接并且可以因此能够发射光。
172.显示装置10的连接电极cne的结构可以改变。在下文中将描述根据其他实施例的显示装置10。
173.图17是根据实施例的显示装置的子像素的示意性平面图。图18是示出图17的第一连接电极、第二连接电极和第五连接电极的示意性平面图。图19是示出图17的第三连接电极和第四连接电极的示意性平面图。图20是示出图18和图19的第一连接电极至第五连接电极的布局的示意性平面图。图21是示出图20的第一连接电极至第五连接电极、通孔和导电构件的布局的示意性平面图。图22是沿着图21的线q6-q6'截取的示意性剖视图。
174.图17至图22的显示装置10与图3至图16的显示装置10的不同之处在于连接电极cne的结构。因此，将在下文中聚焦于与图3至图16的显示装置10的差异来描述图17至图20的显示装置10。
175.参照图17至图22，第一连接电极cne1可以包括第一突起pb1，第一突起pb1在与第一连接电极cne1延伸所沿的方向(例如，第二方向dr2)交叉的第四方向dr4上突出。第一突起pb1可以是第一连接电极cne1的从第一连接电极cne1的在子像素spxn的发射区域ema中的端部在第四方向dr4上突出的一部分。第一突起pb1可以与第三连接电极cne3的一部分(特别地，第二突起pb2)叠置，第二突起pb2从第三连接电极cne3的第二延伸部cn_e2在第四方向dr4上突出。第三绝缘层pas3可以置于第一连接电极cne1与第三连接电极cne3之间，使得第一连接电极cne1和第三连接电极cne3可以在第三方向dr3上彼此间隔开。第一连接电极cne1的除了第一突起pb1之外的另一部分可以与第三连接电极cne3的第一连接件cn_b1叠置。第一连接电极cne1的第一突起pb1可以在第四方向dr4上与第三连接电极cne3的第一连接件cn_b1间隔开，并且因此可以不与第三连接电极cne3的第一连接件cn_b1叠置。
176.第三连接电极cne3可以包括从第一连接件cn_b1在第四方向dr4上突出的第二突起pb2。第二突起pb2可以与第一连接电极cne1的一部分(特别地，第一连接电极cne1的第一
突起pb1)叠置。第三绝缘层pas3可以置于第一连接电极cne1与第三连接电极cne3之间，使得第一连接电极cne1和第三连接电极cne3可以在第三方向dr3上彼此间隔开。第三连接电极cne3的第一连接件cn_b1可以与第一连接电极cne1和第五连接电极cne5的第五延伸部cn_e5叠置。第三连接电极cne3的第二延伸部cn_e2可以在第二方向dr2上与第一连接电极cne1间隔开，并且可以因此不与第一连接电极cne1叠置。
177.第四连接电极cne4可以包括从第二连接件cn_b2在第一方向dr1上突出的第三突起pb3。第三突起pb3可以与第五连接电极cne5的一部分(特别地，第五连接电极cne5的第四突起pb4)叠置。第三绝缘层pas3可以置于第四连接电极cne4与第五连接电极cne5之间，使得第四连接电极cne4和第五连接电极cne5可以在第三方向dr3上彼此间隔开。第四连接电极cne4的第二连接件cn_b2可以与第二连接电极cne2和第五连接电极cne5的第六延伸部cn_e6叠置。第四连接电极cne4的第四延伸部cn_e4可以在第二方向dr2上与第二连接电极cne2间隔开，并且可以因此不与第二连接电极cne2叠置。
178.第五连接电极cne5可以包括从第六延伸部cn_e6在第一方向dr1上突出的第四突起pb4。第四突起pb4可以是第五连接电极cne5的从第六延伸部cn_e6的在子像素spxn的发射区域ema中的端部在第一方向dr1上突出的一部分。第四突起pb4可以与第四连接电极cne4的一部分(特别地，第四连接电极cne4的第三突起pb3)叠置。第五连接电极cne5的第六延伸部cn_e6可以在第二方向dr2上与第四连接电极cne4间隔开，并且可以因此不与第四连接电极cne4叠置。第三绝缘层pas3可以置于第四连接电极cne4与第五连接电极cne5之间，使得第四连接电极cne4和第五连接电极cne5可以在第三方向dr3上彼此间隔开。
179.在实施例中，在第三连接电极cne3的第一连接件cn_b1电断开的情况下，可以通过使第一连接电极cne1的第一突起pb1和第三连接电极cne3的与第一连接电极cne1的第一突起pb1叠置的第二突起pb2连接来修复第三连接电极cne3。如上面已经描述的，可以通过使用激光形成通孔并使用导电构件填充通孔来使第一连接电极cne1和第三连接电极cne3连接。具体地，可以通过将激光施加到第一连接电极cne1的第一突起pb1和第三连接电极cne3的第二突起pb2的叠置区域中来形成通孔，并且可以用导电墨来填充通孔，从而使第一连接电极cne1的第一突起pb1和第三连接电极cne3的第二突起pb2连接。在第四连接电极cne4的第二连接件cn_b2电断开的情况下，可以通过使第四连接电极cne4的第三突起pb3连接到第五连接电极cne5的与第四连接电极cne4的第三突起pb3叠置的第四突起pb4来修复第四连接电极cne4。
180.参照图21和图22，在第三连接电极cne3的第一连接件cn_b1电断开的情况下，可以通过使第一连接电极cne1的第一突起pb1和第三连接电极cne3的与第一连接电极cne1的第一突起pb1叠置的第二突起pb2连接来修复第三连接电极cne3。
181.通过将激光施加到第一连接电极cne1的与第三连接电极cne3的第二突起pb2叠置的第一突起pb1来形成通孔vh，并且通过在通孔vh之上施用导电墨来形成导电构件cui。通过激光进一步去除第三连接电极cne3的第二突起pb2的表面，从而可以形成相对薄的凹槽gr。第一连接电极cne1的第一突起pb1的侧表面、第三绝缘层pas3的侧表面和第三连接电极cne3的第二突起pb2的顶表面暴露在通孔vh中。
182.导电构件cui可以填充通孔vh以从通孔vh上方突出。导电构件cui的顶表面可以突起超过第一连接电极cne1的第一突起pb1的顶表面，但是公开不限于此。作为另一示例，导
电构件cui的顶表面可以与第一连接电极cne1的第一突起pb1共面。导电构件cui可以直接接触第一连接电极cne1的第一突起pb1的侧表面、第三绝缘层pas3的侧表面和第三连接电极cne3的第二突起pb2的顶表面。结果，第一连接电极cne1和第三连接电极cne3可以经由导电构件cui电连接。
183.从第一连接电极cne1施加的信号可以通过导电构件cui从第一连接电极cne1的第一突起pb1传输到第三连接电极cne3的第二突起pb2。该信号也可以传输到设置在第三连接电极cne3的第二延伸部cn_e2与第五连接电极cne5的第五延伸部cn_e5之间的第三发光元件ed3，使得第三发光元件ed3可以发射光。该信号也可以通过第五连接电极cne5的第五延伸部cn_e5传输到第二发光元件ed2和第四发光元件ed4，使得第二发光元件ed2和第四发光元件ed4也可以发射光。相反，由于第三连接电极cne3的第一延伸部cn_e1被浮置，所以第一发光元件ed1不发射光。作为修复工艺的结果，可以使除了第一发光元件ed1以外的所有发光元件ed发射光，因此，可以解决暗点缺陷。
184.尽管未具体地示出，但是第四连接电极cne4的第二连接件cn_b2可能电断开。在这种情况下，可以通过在第四连接电极cne4的第三突起pb3和第五连接电极cne5的第四突起pb4的叠置区域中形成通孔和导电构件来使第四连接电极cne4和第五连接电极cne5连接。第四发光元件ed4可以不发射光，但是第一发光元件ed1、第二发光元件ed2和第三发光元件ed3可以串联连接，并且可以因此能够发射光。
185.如上所述，当连接电极被设置为至少部分地彼此叠置时，可以通过在连接电极的叠置区域中形成通孔和导电构件来修复任何断开的连接电极。此外，可以修复可能由任何断开的连接电极引起的暗点缺陷，结果，可以改善生产率。
186.在总结详细描述时，本领域技术人员将领会的是，在基本上不脱离公开的原理的情况下，可以对实施例进行许多变化和修改。因此，公开的所公开的实施例仅在一般性和描述性意义上使用，而不是为了限制的目的。