显示装置的制作方法

1.本公开涉及显示装置。


背景技术：

2.显示装置可以包括传感器、相机之类光学装置。为了避开与屏幕的干涉，光学装置可以配置于显示装置的边框区域(环绕屏幕的区域)。
3.若缩减显示装置的边框，则可以增加显示装置的屏幕比主体比率(screen-to-body ratio)，即当从正面观察显示装置时屏幕所占的比率。屏幕比主体比率在反映显示装置的技术水平的同时，在消费者选择产品之中起到重要作用。
4.随着缩减显示装置的边框，将光学装置配置于边框区域变难，由此在开发出将光学装置配置于屏幕内的技术。如此，当将光学装置配置于屏幕内时，需要防止光学装置的识别性因从光学装置周边进入的光而降低。


技术实现要素：

5.实施例用于提供在光学装置配置于屏幕内的显示装置中能够防止可能向光学装置周边进入的光引起的显示质量下降的显示装置。
6.本发明的目的不限于上述的目的，显而易见可以在不超出本发明的构思以及领域的范围内进行各种扩展。
7.根据一实施例的显示装置可以包括：基板，包括显示区域和透射区域；第一阻断层，位于所述基板的所述显示区域，并位于所述基板之上；第二阻断层，位于所述基板的所述显示区域，并位于所述基板之下；绝缘层，位于所述第一阻断层之上；晶体管，位于所述绝缘层之上；以及发光元件，连接于所述晶体管。
8.所述第一阻断层可以包括位于所述基板之上的第一层和位于所述第一层之上的第二层，所述第二阻断层可以包括位于所述基板之下的第三层和位于所述第三层之下的第四层。
9.所述第一阻断层可以包含金属，所述第二阻断层可以包含金属氧化物。
10.所述第一阻断层的所述第一层可以包含非晶硅，所述第一阻断层的所述第二层可以包括金属。
11.所述第二阻断层的所述第三层可以包含金属氧化物，所述第二阻断层的所述第四层可以包含氧化硅。
12.可以是，所述第二阻断层的所述第三层的所述金属氧化物是钼钽氧化物，所述金属氧化物中的钽含量是8wt％以上。
13.可以是，所述第二阻断层的所述第三层的折射率是2.2至2.6。
14.可以是，所述第二阻断层的所述第三层的折射率是2.46。
15.可以是，所述第二阻断层的所述第三层的消光系数是0.5至0.9。
16.可以是，所述第二阻断层的所述第三层的消光系数是0.67。
17.可以是，所述金属包括钼、铝、钛、铜中的至少一种。
18.可以是，所述第一阻断层的所述第一层的厚度大于且小于
19.可以是，所述第二阻断层的所述第四层的厚度在至的范围内。
20.依据根据实施例的显示装置，光学装置配置于屏幕内，能够防止因可能向光学装置周边进入的光引起的显示质量下降。
21.本发明的效果不限于上述的效果，显而易见可以在不脱离本发明的构思以及领域的范围进行各种扩展。
附图说明
22.图1是根据一实施例的显示装置的概要平面图。
23.图2是根据一实施例的显示装置的概要截面图。
24.图3是根据一实施例的显示装置的第一显示区域和第二显示区域的一部分的概要布置图。
25.图4是图3中a区域的概要放大图。
26.图5是根据另一实施例的显示装置中第二像素区域的概要平面图。
27.图6是根据另一实施例的显示装置中第二像素区域的概要平面图。
28.图7是根据一实施例的显示装置的第二显示区域的一部分的截面图。
29.图8以及图9是用于说明根据一实施例的显示装置的制造方法的截面图。
30.图10是用于说明根据一实施例的显示装置的制造工艺的一部分的概念图。
31.图11a至图11c是用于说明根据一实施例的显示装置的制造工艺的一部分的概念图。
32.图12以及图13是用于说明根据一实施例的显示装置的制造方法的截面图。
33.图14是根据另一实施例的显示装置的第二显示区域的一部分的截面图。
34.图15至图17是用于说明根据另一实施例的显示装置的制造方法的截面图。
35.图18是用于说明根据另一实施例的显示装置的制造工艺的一部分的概念图。
36.图19a至图19c是用于说明根据另一实施例的显示装置的制造工艺的一部分的概念图。
37.(附图标记说明)
38.1：显示装置1100、1101：阻挡层
39.111：缓冲层
40.bl1、bl2、bl11、bl12、bl21、bl22：阻断层
41.da1、da2：显示区域pa1、pa2：像素区域
42.px：像素sb：基板
43.ta：透射区域wa：布线区域
44.opn：开口部
具体实施方式
45.以下，以所附的附图作为参考，针对本发明的多个实施例进行详细说明，以使得在本发明所属的技术领域中具有通常知识的人能够容易地实施。本发明可以以各种不同的形
式实现，不限于在此说明的实施例。
46.为了明确地说明本发明，省略了与说明无关的部分，贯穿说明书全文，针对相同或相似的构成要件，标注相同的附图标记。
47.另外，为了便于说明，附图中出现的各结构的尺寸以及厚度任意地示出，因此本发明不是必须限于图示。在附图中，为了明确地呈现多个层以及区域，放大示出厚度。而且，在附图中，为了便于说明，夸张地示出一部分层以及区域的厚度。
48.另外，当说到层、膜、区域、板等部分在另一部分“之上”或“上”时，不仅包括其“直接”在另一部分“之上”的情况，还包括在其中间有又另一部分的情况。相反地，当说到某部分“直接”在另一部分“之上”时，表示在中间没有其它部分。另外，存在于成为基准的部分“之上”或“上”是位于成为基准的部分之上或之下，不意指必须位于向重力相反方向侧的“之上”或“上”。
49.另外，在说明书全文中，当说到某部分“包括”某构成要件时，在没有特别相反的记载的情况下，其不是将其它构成要件除外，意指可以还包括其它构成要件。
50.另外，在说明书全文中，当说到“平面上”时，其意指从上看对象部分的时候，当说到“截面上”时，其意指从旁边看垂直截取对象部分的截面。
51.另外，在整个说明书中，当说到“连接”时，其不是仅意指两个以上的构成要件直接连接，可以意指两个以上的构成要件通过其它构成要件间接连接，不仅是物理连接还有电连接，或者虽根据位置或功能指称为不同的名称但是一体。
52.在附图中，用于表示方向的符号x是第一方向，y是与第一方向垂直的第二方向，z是与第一方向以及第二方向垂直的第三方向。
53.参照附图，针对根据实施例的显示装置而举例说明发光显示装置。
54.图1是根据一实施例的显示装置1的概要平面图，图2是根据一实施例的显示装置1的概要截面图。
55.参照图1以及图2，显示装置1可以包括显示面板10、与显示面板10接通的柔性印刷电路膜20、包括集成电路芯片30等的驱动装置以及光学装置40。
56.显示面板10可以包括显示图像的显示区域(display area)da和配置成环绕显示区域da且不显示图像的非显示区域(non-display area)na。显示区域da可以对应于屏幕(screen)。显示面板10可以显示图像并感测触摸。
57.在显示区域da中设置多个像素px。在此，像素px作为显示图像的最小单位，各个像素px可以根据输入图像信号将特定颜色，例如红色、绿色、蓝色中的任一个颜色以各种亮度显示。
58.在非显示区域na中配置有用于生成及/或传送向显示区域da施加的各种信号的电路及/或信号线。可以是，在各个像素px连接栅极线、数据线、驱动电压线等信号线，像素px从这些信号线接收栅极信号、数据电压、驱动电压等。
59.显示区域da包括第一显示区域da1以及第二显示区域da2。第二显示区域da2具有比第一显示区域da1高的透射率以能够除显示图像的固有功能以外还发挥其它功能。在此，透射率意指将显示面板10向第三方向z透射的光的透射率。光可以是可见光及/或可见光以外波长的光(例如，红外光)。第二显示区域da2相比于第一显示区域da1而像素px的密度，即每单位面积的像素px的数量小。
60.在显示区域da中，第二显示区域da2可以进行各种配置。在图示的实施例中，第二显示区域da2位于第一显示区域da1内且被第一显示区域da1环绕。
61.第二显示区域da2可以与非显示区域na相接配置。第二显示区域da2可以在显示区域da的上端位于左侧、右侧及/或中心。第二显示区域da2可以分离设置为2个以上的区域。第二显示区域da2可以将显示区域da的上端完全横穿而沿着第一方向x设置。第二显示区域da2可以将显示区域da的左侧端及/或右侧端横穿而沿着第二方向y设置。第二显示区域da2可以具有四边形、三角形等多边形、圆形、椭圆形等各种形状。
62.在显示面板10的非显示区域na中可以设置生成及/或处理用于驱动显示面板10的各种信号的驱动装置(driving unit)。驱动装置可以包括向数据线施加数据电压的数据驱动部(data driver)、向栅极线施加栅极信号的栅极驱动部(gate driver)、控制数据驱动部以及栅极驱动部的信号控制部(signal controller)等。
63.驱动部可以集成于显示面板10，并可以设置于显示区域da的左右两侧或者一侧。数据驱动部以及信号控制部可以提供为集成电路芯片(还称为驱动ic芯片)30，集成电路芯片30可以安装于柔性印刷电路膜20而与显示面板10电连接。集成电路芯片30也可以安装于显示面板10的非显示区域na。
64.能够感测触摸的触摸感测区域可以与显示区域da大致重合。在触摸感测区域中排列有触摸电极te(参照图3)。一个触摸电极te可以跨多个像素px。触摸电极te可以感测用户的接触或者非接触触摸。可以是，各个触摸电极te以自电容(self-capacitor)方式感测触摸，或相邻的触摸电极te以互电容(mutual capacitor)方式感测触摸。显示面板10可以称为触摸屏面板。显示装置1可以包括生成用于驱动触摸电极te的信号并处理从触摸电极te接收的信号的触摸驱动部，触摸驱动部可以提供为集成电路芯片。
65.显示面板10可以包括基板sb，在基板sb之上可以形成多个像素px。基板sb可以跨第一显示区域da1和第二显示区域da2而连续设置。
66.显示面板10可以包括将像素px完全覆盖的封装层en。封装层en可以密封第一显示区域da1以及第二显示区域da2而阻挡水分或氧气向显示面板10内部渗透。
67.在封装层en之上可以设置排列有触摸电极te的触摸传感器层ts。触摸电极te可以由金属网格(metal mesh)构成。触摸电极te也可以由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)之类透明导电物质形成。触摸电极te由单层或者多层形成。
68.在触摸传感器层ts之上可以设置用于减少外部光反射的防反射层ar。防反射层ar可以包括偏光层及/或相位延迟层。防反射层ar可以包括遮光部件和滤色器。
69.光学装置40可以在显示面板10的背面与显示面板10重叠设置。光学装置40可以是相机、传感器、闪光灯等。当光学装置40为传感器时，光学装置40可以是接近传感器或者照度传感器。光学装置40所利用的波长的光可以通过第二显示区域da2以更高的透射率穿过显示面板10。在显示面板10的背面除光学装置40之外还设置各种电子装置。
70.光学装置40可以向位于显示面板10的前面的物体ob侧射出一定波长范围的光l或接收在物体ob反射的光l。这样的一定波长范围的光l是在光学装置40中能够处理的波长的光，可以是可见光及/或红外光。一定波长的光可以主要穿过位于第二显示区域da2的透射区域。当光学装置40使用红外光时，一定波长的光可以具有约900nm至1000nm的波长区域。光学装置40也可以接收照射到显示面板10的前面的一定波长的光。光学装置40可以与第二
显示区域da2整体相对应地配置，也可以仅与第二显示区域da2的一部分相对应地配置。在第二显示区域da2中也可以配置多个光学装置40。
71.那么，参照图3以及图4，更具体地说明根据一实施例的显示装置的第一显示区域和第二显示区域。图3是根据一实施例的显示装置的第一显示区域和第二显示区域的概要布置图，图4是图3中a区域的概要放大图。
72.第一像素区域pa1以及第二像素区域pa2可以各自包括一个以上的像素px。像素px可以包括像素电路以及发光部。像素电路作为用于驱动发光二极管(led)之类发光元件(light emitting element)的电路，可以包括晶体管(transistor)、电容器等。发光部是从发光元件发射的光发出的区域。
73.图3所示的像素px可以对应于发光部。发光部可以是菱形，但可以具有矩形、圆形等各种形状。像素px可以向一方向，即第三方向z发出光。在第一像素区域pa1以及第二像素区域pa2中可以设置触摸电极区tes。触摸电极区tes可以由金属线如网状那样交错的金属网格形成，金属网格可以设置成不遮挡发光部。多个触摸电极区tes可以彼此连接而构成一个触摸电极te。
74.透射区域ta不包括像素电路和发光部。在透射区域ta中，不存在或几乎不存在妨碍光的透射的像素电路、发光部、触摸电极te等，因此透射率高于第一以及第二像素区域pa1、pa2。
75.可以是，在第二像素区域pa2周边设置布线区域wa，多个信号线(例如，栅极线gl、数据线dl(参照图4))位于第一像素区域pa1、第二像素区域pa2以及布线区域wa。
76.根据图3所示的实施例，各个第一像素区域pa1包括1个红色像素r、2个绿色像素g以及1个蓝色像素b。各个第二像素区域pa2包括1个红色像素r、2个绿色像素g以及1个蓝色像素b。与图示不同，第一像素区域pa1的像素配置和第二像素区域pa2的像素配置可以不同。当将各个像素区域pa1、pa2所包括的像素r、g、b的集合称为单位像素时，第一像素区域pa1的单位像素的结构和第二像素区域pa2的单位像素的结构可以相同，也可以不同。单位像素可以包括1个红色像素r、1个绿色像素g以及1个蓝色像素b。单位像素可以包括红色像素r、绿色像素g以及蓝色像素b中的至少一个，也可以包括白色像素。
77.第一显示区域da1所包括的像素r、g、b向第一方向x形成像素行(pixel row)。第二显示区域da2所包括的像素r、g、b也向第一方向x形成像素行。
78.在第一显示区域da1中，在各个像素行中像素r、g、b向第一方向x呈大致一列排列。在各个像素行中，像素r、g、b可以向第一方向x以红色像素r、绿色像素g、蓝色像素b以及绿色像素g顺序重复排列。一个像素行所包括的像素r、g、b的配置可以进行各种变更。例如，像素r、g、b可以向第一方向x以蓝色像素b、绿色像素g、红色像素r以及绿色像素g顺序重复排列，或以红色像素r、蓝色像素b、绿色像素g以及蓝色像素b顺序重复排列。
79.在第二显示区域da2中，在各个像素行中像素r、g、b向第一方向x呈大致一列排列。在各个像素行中，像素r、g、b可以向第一方向x以红色像素r、绿色像素g、蓝色像素b以及绿色像素g顺序重复排列。一个像素行所包括的像素r、g、b的配置可以进行各种变更。
80.第一以及第二像素区域pa1、pa2的像素r、g、b还向第二方向y形成像素列(pixel column)。在各个像素列中，像素r、g、b向第二方向y呈大致一列排列。在各个像素列中，可以配置相同颜色的像素px，也可以向第二方向y交替配置2个颜色以上的像素px。一个像素列
所包括的像素r、g、b的配置可以进行各种变更。
81.第二像素区域pa2的像素r、g、b可以是端面发光型，例如向第三方向z发光的前面发光型。第二像素区域pa2的像素r、g、b也可以是背面发光型或两面发光型。
82.参照图4，在第二显示区域da2中，第二像素区域pa2和透射区域ta相邻，第二像素区域pa2包括像素r、g、b。向像素r、g、b传送栅极信号的栅极线gl可以向大致第一方向x延伸，传送数据信号的数据线dl可以向大致第二方向y延伸。在各个像素列中可以设置一个数据线dl。各个数据线dl可以跨第一显示区域da1以及第二显示区域da2延伸。向各个像素行可以传送彼此不同定时的栅极导通电压，在各个像素行中可以设置2个以上的栅极线gl。与图示不同，也可以是，在各个像素列提供多个数据线dl，或在多个像素列提供一个数据线dl。
83.栅极线gl以及数据线dl可以设置于位于相邻的透射区域ta的边界的布线区域wa，以使得透射区域ta的透射率不因栅极线gl以及数据线dl而下降。
84.在第二像素区域pa2中设置阻断层bl，阻断层bl具有位于透射区域ta的开口部opn。阻断层bl可以还配置于布线区域wa。阻断层bl还位于设置成环绕透射区域ta周边的布线区域wa，防止通过透射区域ta穿过的光在透射区域ta周边产生衍射，从而能够防止光学装置40的质量因周边的光而下降。
85.根据图4的实施例，可以是，阻断层bl的开口部opn具有大致十字形的平面形状，十字形的开口部opn的上凸出部、下凸出部、左凸出部、右凸出部的大小几乎相同。但是，与此不同地，十字形的开口部opn的上凸出部、下凸出部、左凸出部、右凸出部的大小可以彼此不同。
86.阻断层bl可以包含金属，能够防止从外部进入的光进入到第二像素区域pa2，防止通过透射区域ta穿过的光在透射区域ta周边产生衍射。
87.通过将阻断层bl的开口部opn形成为上凸出部、下凸出部、左凸出部、右凸出部的大小几乎相同的大致十字形，能够减少在阻断层bl的开口部opn周边可能产生的光的衍射的影响。
88.阻断层bl配置成与向第二像素区域pa2传送信号的信号线所在的布线区域wa重叠，能够防止光向配置于布线区域wa的信号线进入，防止光在信号线表面反射而被在透射区域ta侧看到。
89.那么，参照图5，说明根据另一实施例的显示装置的第二像素区域pa2的配置。图5是根据另一实施例的显示装置的第二像素区域的一部分的概要平面图。
90.根据图5的实施例，可以是，阻断层bl的开口部opn具有大致十字形的平面形状，十字形的开口部opn的上凸出部、下凸出部、左凸出部、右凸出部的大小几乎相同。另外，阻断层bl的开口部opn的边缘可以是凹部和凸部重复的凹凸形，而不是直线形。
91.阻断层bl可以包含金属，能够防止从外部进入的光进入到第二像素区域pa2，防止通过透射区域ta穿过的光在透射区域ta周边产生衍射。
92.阻断层bl的开口部opn形成为上凸出部、下凸出部、左凸出部、右凸出部的大小几乎相同的大致十字形，阻断层bl的开口部opn的边缘形成为凹部和凸部重复的凹凸形而不是直线形，从而能够减少在阻断层bl的开口部opn周边可能产生的光的衍射的影响。
93.阻断层bl配置成与向第二像素区域pa2传送信号的信号线所在的布线区域wa重
叠，能够防止光向配置于布线区域wa的信号线进入，防止光在信号线表面反射而被在透射区域ta侧看到。
94.那么，参照图6，说明根据另一实施例的显示装置的第二像素区域pa2的配置。图6是根据另一实施例的显示装置的第二像素区域的一部分的概要平面图。
95.根据图6的实施例，阻断层bl的开口部opn具有大致圆形的平面形状。阻断层bl的开口部opn可以具有椭圆形等的平面形状。
96.阻断层bl可以包含金属，能够防止从外部进入的光进入到第二像素区域pa2，防止通过透射区域ta穿过的光在透射区域ta周边产生衍射。
97.通过将阻断层bl的开口部opn形成为具有大致圆形的平面形状，能够减少在阻断层bl的开口部opn周边可能产生的光的衍射的影响。
98.阻断层bl配置成与向第二像素区域pa2传送信号的信号线所在的布线区域wa重叠，能够防止光向配置于布线区域wa的信号线进入，防止光在信号线表面反射而被在透射区域ta侧看到。
99.那么，参照图7，更详细说明根据一实施例的显示装置的层间结构。图7是根据一实施例的显示装置的第二显示区域的一部分的截面图。
100.根据图7所示的实施例，为了便于说明，主要示出第一晶体管tr1、第二晶体管tr2以及连接于第二晶体管tr2的发光二极管led，但不限于此，可以包括除第一晶体管tr1以及第二晶体管tr2之外的其它晶体管。第一晶体管tr1可以是开关晶体管，第二晶体管tr2可以是驱动晶体管，但不限于此。
101.根据本实施例的显示装置包括第一晶体管tr1、第二晶体管tr2以及发光二极管led，并包括可以显示图像的第二像素区域pa2以及位于透射区域ta、第二像素区域pa2周边的布线区域wa。
102.基板sb可以包含聚酰亚胺(polyimide)、聚酰胺(polyamide)之类聚合物或者玻璃等绝缘物质，可以光学上透明。
103.基板sb可以包括彼此重叠的第一层110a、第二层110b以及位于第一层110a和第二层110b之间的第一阻挡层(barrier layer)1100。
104.第一层110a和第二层110b可以透明。第一层110a和第二层110b可以包含聚酰亚胺(polyimide)、聚酰胺(polyamide)之类聚合物。第一层110a和第二层110b可以包含聚苯乙烯(polystyrene)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate)、聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯酸脂(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)、三醋酸纤维素(triacetate cellulose)、醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate)中的至少一种。
105.第一阻挡层1100可以防止水分等渗透，并可以包含例如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)以及氮氧化硅(sio
x
ny)之类无机绝缘物质。第一阻挡层1100可以包含非晶硅(si)。
106.在基板sb之上设置第二阻挡层1101。第二阻挡层1101起到防止杂质或者水分之类不必要的成分渗透的同时将表面平坦化的作用。第二阻挡层1101可以包含氧化硅、氮化硅、
氮氧化硅、非晶硅中的至少一种。
107.在第二阻挡层1101之上设置第一阻断层bl1，在基板sb之下设置第二阻断层bl2。第一阻断层bl1和第二阻断层bl2可以防止光从基板sb下方进入而被看到。尤其，第一阻断层bl1和第二阻断层bl2位于除透射区域ta之外的第二像素区域pa2和布线区域wa，能够防止透射区域ta周边的漏光，防止位于透射区域ta之下的电子设备因不必要的外部光而性能下降。第一阻断层bl1和第二阻断层bl2可以沿着上下方向、第三方向z彼此对齐。但是，第一阻断层bl1和第二阻断层bl2也可以不沿着上下方向，即第三方向z一列对齐。
108.第一阻断层bl1包括位于第二阻挡层1101之上的第一层bl11以及位于第一层bl11之上的第二层bl12，第二阻断层bl2包括位于基板sb之下的第三层bl21以及位于第三层bl21之下的第四层bl22。
109.第一阻断层bl1的第一层bl11可以包含非晶硅。第一阻断层bl1的第二层bl12可以包含金属。例如，第一阻断层bl1的第二层bl12可以包含钼(mo)、铝(al)、钛(ti)、铜(cu)等。
110.第一阻断层bl1的第一层bl11的厚度可以大于约且小于约
111.第一阻断层bl1的第二层bl12的吸收系数(k)可以大于第一阻断层bl1的第一层bl11的吸收系数(k)。第一层bl11和第二层bl12的吸收系数(k)可以以可见光区域，例如约380nm至约780nm的波长范围的光为基准进行测定。
112.如此，第一阻断层bl1包括吸收系数(k)的值小的第一层bl11和吸收系数(k)大的第二层bl12，从而吸收系数(k)大的第二层bl12可以吸收穿过第一阻断层bl1的第一层bl11的光，在第二层bl12表面反射的光的一部分与在第一层bl11反射的光彼此相消干涉，从而能够防止从显示装置的下方进入的光在第一阻断层bl1反射而进入到位于基板sb之下的光学装置侧。
113.第二阻断层bl2的第三层bl21可以是钼钽氧化物(molybdenum tantalum oxide；motao
x
)，第二阻断层bl2的第三层bl21中的钽含量可以是约8wt％以上。第二阻断层bl2的第三层bl21可以是钼钽氧化物(molybdenum tantalum oxide；motao
x
)，当第二阻断层bl2的第三层bl21中的钽含量为约8wt％以上时，可以在约450℃的高温工艺后也保持第一阻断层bl1的光学特性。
114.第二阻断层bl2的第三层bl21的厚度可以是约400nm至约700nm。第二阻断层bl2的第三层bl21的折射率(refractive index)可以是约2至约3，更具体地约2.2至约2.6，更具体地约2.46，第二阻断层bl2的第三层bl21的消光系数(extinction coefficient)可以是约0.5至约0.9，更具体地约0.67。
115.第二阻断层bl2的第四层bl22可以包含氧化硅，第二阻断层bl2的第四层bl22的厚度可以在约至约的范围内。
116.如此，第二阻断层bl2是第三层bl21的消光系数为约0.5至约0.9，更具体地约0.67，从显示装置的下方进入的光可以在第二阻断层bl2的第三层bl21被吸收，在第二阻断层bl2的第三层bl21没有被吸收而反射的光与在第二阻断层bl2的第四层bl22反射的光彼此相消干涉，从而能够防止从显示装置的下方进入的光在第二阻断层bl2反射而向位于基板sb之下的光学装置侧进入。
117.依据根据实施例的显示装置，包括位于基板sb之上的第一阻断层bl1和位于基板
sb之下的第二阻断层bl2，从而能够防止从显示装置的下方进入的光穿过基板sb而入射到发光部或光在透射区域ta周边被看到，同时防止从显示装置的下方进入的光在第一阻断层bl1以及第二阻断层bl2反射而向位于基板sb之下的光学装置侧进入，通过此，能够防止光学装置因不必要的外部光的进入而质量下降。
118.在第二阻挡层1101和第一阻断层bl1之上可以设置缓冲层111。缓冲层111可以具有单层或者多层结构。缓冲层111可以包含氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)等。
119.在缓冲层111之上可以设置第二半导体130。第二半导体130可以包含多晶硅物质。即，第二半导体130可以由多晶半导体形成。第二半导体130可以包括沟道区域132、位于沟道区域132的两边的源极区域131以及漏极区域133。
120.第二半导体130的源极区域131可以与第二源极电极se2连接，第二半导体130的漏极区域133可以与第二漏极电极de2连接。
121.在第二半导体130之上可以设置第一栅极绝缘膜141。第一栅极绝缘膜141可以是包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的单层或者多层结构。
122.在第一栅极绝缘膜141之上可以设置第二栅极下电极ge2-u。第二栅极下电极ge2-u可以包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)及/或钛(ti)，可以是包含其的单层或者多层结构。
123.在第二栅极下电极ge2-u之上可以设置第二栅极绝缘膜142。第二栅极绝缘膜142可以包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。第二栅极绝缘膜142可以是包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的单层或者多层结构。
124.在第二栅极绝缘膜142之上可以设置第二栅极上电极ge2-l和栅极线gl。第二栅极下电极ge2-u和第二栅极上电极ge2-l可以隔着第二栅极绝缘膜142而重叠。第二栅极上电极ge2-l和第二栅极下电极ge2-u形成第二栅极电极ge2。第二栅极电极ge2可以与第二半导体130的沟道区域132向垂直于基板sb的方向重叠。第二栅极上电极ge2-l和栅极线gl可以包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、银(ag)、铬(cr)、钽(ta)、钛(ti)等，可以是包含其的单层或者多层结构。
125.在第二栅极绝缘膜142之上可以设置第二栅极上电极ge2-l以及以与栅极线gl相同的层形成的金属阻断层bml，金属阻断层bml可以与将在后面说明的第一晶体管tr1重叠。
126.第二半导体130、第二栅极电极ge2、第二源极电极se2以及第二漏极电极de2可以形成第二晶体管tr2。第二晶体管tr2可以是与发光二极管led连接的驱动晶体管，可以由包括多晶半导体的晶体管形成。
127.在第二栅极电极ge2之上可以设置第一层间绝缘膜161。第一层间绝缘膜161可以包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。第一层间绝缘膜161可以由包含氮化硅的层和包含氧化硅的层层叠的多层形成。此时，在第一层间绝缘膜161中，包含氮化硅的层可以设置成比包含氧化硅的层靠近基板sb。
128.在第一层间绝缘膜161之上可以设置第一半导体135。第一半导体135可以与金属阻断层bml重叠。
129.第一半导体135可以包含氧化物半导体。氧化物半导体可以包括氧化铟(in)、氧化锡(sn)或者氧化锌(zn)等一元金属氧化物、in-zn系氧化物、sn-zn系氧化物、al-zn系氧化物、zn-mg系氧化物、sn-mg系氧化物、in-mg系氧化物或者in-ga系氧化物等二元金属氧化
物、in-ga-zn系氧化物、in-al-zn系氧化物、in-sn-zn系氧化物、sn-ga-zn系氧化物、al-ga-zn系氧化物、sn-al-zn系氧化物、in-hf-zn系氧化物、in-la-zn系氧化物、in-ce-zn系氧化物、in-pr-zn系氧化物、in-nd-zn系氧化物、in-sm-zn系氧化物、in-eu-zn系氧化物、in-gd-zn系氧化物、in-tb-zn系氧化物、in-dy-zn系氧化物、in-ho-zn系氧化物、in-er-zn系氧化物、in-tm-zn系氧化物、in-yb-zn系氧化物或者in-lu-zn系氧化物等三元金属氧化物以及in-sn-ga-zn系氧化物、in-hf-ga-zn系氧化物、in-al-ga-zn系氧化物、in-sn-al-zn系氧化物、in-sn-hf-zn系氧化物或者in-hf-al-zn系氧化物等四元金属氧化物中的至少一种。例如，第一半导体135可以包含所述in-ga-zn系氧化物中的igzo(indium-gallium-zinc oxide)。
130.第一半导体135可以包括沟道区域137以及位于沟道区域137的两边的源极区域136和漏极区域138。第一半导体135的源极区域136可以与第一源极电极se1连接，第一半导体135的漏极区域138可以与第一漏极电极de1连接。
131.在第一半导体135之上可以设置第三栅极绝缘膜143。第三栅极绝缘膜143可以包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。在图14的实施例中，第三栅极绝缘膜143可以位于第一半导体135以及第一层间绝缘膜161之上的整面。因此，第三栅极绝缘膜143覆盖第一半导体135的源极区域136、沟道区域137以及漏极区域138的上面以及侧面。
132.在实现高分辨率的过程中各个像素的大小会缩小，由此半导体的沟道的长度会缩小。此时，若第三栅极绝缘膜143没有覆盖源极区域136以及漏极区域138的上面，则第一半导体135的一部分物质也可能移动到第三栅极绝缘膜143的侧面。在本实施例中，第三栅极绝缘膜143位于第一半导体135以及第一层间绝缘膜161之上的整面，从而能够防止金属粒子的扩散导致的第一半导体135和第一栅极电极ge1的短路。
133.但是，实施例不限于此，第三栅极绝缘膜143也可以不位于第一半导体135以及第一层间绝缘膜161之上的整面。例如，第三栅极绝缘膜143也可以仅位于第一栅极电极ge1和第一半导体135之间。即，第三栅极绝缘膜143可以与第一半导体135的沟道区域137重叠，与源极区域136以及漏极区域138不重叠。
134.在第三栅极绝缘膜143之上可以设置第一栅极电极ge1。第一栅极电极ge1可以与第一半导体135的沟道区域137向垂直于基板sb的方向重叠。第一栅极电极ge1可以包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)及/或钛(ti)，可以是包含其的单层或者多层结构。例如，第一栅极电极ge1可以包括包含钛的下层和包含钼的上层，包含钛的下层可以防止当进行上层的干式蚀刻时蚀刻气体即氟(f)扩散。
135.第一半导体135、第一栅极电极ge1、第一源极电极se1以及第一漏极电极de1构成第一晶体管tr1。第一晶体管tr1可以是用于开关第二晶体管tr2的开关晶体管，可以由包含氧化物半导体的晶体管形成。
136.在第一栅极电极ge1之上可以设置第二层间绝缘膜162。第二层间绝缘膜162可以包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。第二层间绝缘膜162可以由包含氮化硅的层和包含氧化硅的层层叠的多层形成。
137.在第二层间绝缘膜162之上可以设置第一源极电极se1和第一漏极电极de1以及第二源极电极se2和第二漏极电极de2。第一源极电极se1、第一漏极电极de1、第二源极电极se2以及第二漏极电极de2可以包含铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍
(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)及/或铜(cu)等，可以是包含其的单层或者多层结构。例如，第一源极电极se1、第一漏极电极de1、第二源极电极se2以及第二漏极电极de2可以是包含钼、铬、钽以及钛等耐火性金属(refractory metal)或者它们的合金的下膜、包含电阻率低的铝系列金属、银系列金属、铜系列金属的中间膜、包含钼、铬、钽以及钛等耐火性金属的上膜的三重膜结构。
138.可以是，在第二层间绝缘膜162和第三栅极绝缘膜143形成第一开口op1、第二开口op2，在第二层间绝缘膜162、第三栅极绝缘膜143、第一层间绝缘膜161、第二栅极绝缘膜142、第一栅极绝缘膜141形成第三开口op3以及第四开口op4。第一开口op1可以与第一源极电极se1重叠，第二开口op2可以与第一漏极电极de1重叠。第三开口op3可以与第二源极电极se2重叠，第四开口op4可以与第二漏极电极de2重叠。
139.第一源极电极se1可以通过第一开口op1与第一半导体135的源极区域136连接。第一漏极电极de1可以通过第二开口op2与第一半导体135的漏极区域138连接。
140.第二源极电极se2可以通过第三开口op3与第二半导体130的源极区域131连接。第二漏极电极de2可以通过第四开口op4与第二半导体130的漏极区域133连接。
141.在第一源极电极se1、第一漏极电极de1、第二源极电极se2以及第二漏极电极de2之上可以设置第一平坦化膜170。第一平坦化膜170可以是有机膜。例如，第一平坦化膜170可以包含聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)之类通用高分子、具有酚类基的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物、硅氧烷类聚合物等有机绝缘物质。
142.在第一平坦化膜170之上可以设置连接电极ce和数据线dl。连接电极ce和数据线dl可以包含铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、镍(ni)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)及/或铜(cu)等，可以是包含其的单层或者多层结构。
143.在第一平坦化膜170形成第一接触口165，连接电极ce通过第一接触口165与第二漏极电极de2连接。
144.在第一平坦化膜170、连接电极ce和数据线dl之上可以设置第二平坦化膜180。第二平坦化膜180可以起到为了提高将在其之上形成的发光元件的发光效率而消除台阶并平坦化的作用。第二平坦化膜180可以包含聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)之类通用高分子、具有酚类基的高分子衍生物、丙烯类高分子、酰亚胺类高分子、聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物、硅氧烷类聚合物等有机绝缘物质。
145.在第二平坦化膜180可以形成第二接触口185。第二平坦化膜180的第二接触口185可以与第二漏极电极de2重叠。
146.在第二平坦化膜180之上可以设置阳极电极191。阳极电极191可以通过平坦化膜180的第二接触口185与第二漏极电极de2连接。
147.阳极电极191可以针对每个像素px单独提供。阳极电极191可以包含银(ag)、锂(li)、钙(ca)、铝(al)、镁(mg)、金(au)之类金属，也可以包含氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)之类透明导电氧化物(tco)。
148.在阳极电极191之上可以设置像素界定膜350。像素界定膜350可以包含聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)之类通用高分子、具有酚类基的高分子衍生物、丙烯类高
分子、酰亚胺类高分子、聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物、硅氧烷类聚合物等有机绝缘物质。
149.可以是，在像素界定膜350中形成有开口，像素界定膜350的开口与阳极电极191重叠。在像素界定膜350的开口中可以设置发光元件层370。
150.发光元件层370可以包括固有地发出红色、绿色以及蓝色等基本色的光的物质层。发光元件层370也可以具有发出彼此不同颜色的光的多个物质层层叠的构造。
151.在发光元件层370以及像素界定膜350之上可以设置阴极电极270。阴极电极270可以公共地提供于所有像素px，可以被施加公共电压。阴极电极270可以包含包括钙(ca)、钡(ba)、镁(mg)、铝(al)、银(ag)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)等的反射性金属或者氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)之类透明导电氧化物(tco)。
152.阴极电极270在透射区域ta中被去除，从而阴极电极270的末端部分即边缘271可以与第一阻断层bl1或者第二阻断层bl2的边缘沿着上下方向、第三方向z对齐。如此，通过在透射区域ta中去除阴极电极270，能够提升透射区域ta的透射率。
153.阳极电极191、发光元件层370以及阴极电极270形成发光二极管led。
154.根据实施例的显示装置的开关晶体管的一部分即第一晶体管tr1可以包含氧化物半导体，驱动晶体管即第二晶体管tr2可以包含多晶半导体。虽然为了高速驱动而将以往的约60hz的频率提高到约120hz，从而能够将视频的动作更自然地表现，但是由于此会增加驱动电压。为了补偿变高的驱动电压，可以降低驱动静态图像时的频率。例如，当驱动静态图像时，可以以约1hz驱动。当如此降低频率时，可能产生漏电流。在根据一实施例的显示装置中，通过使开关晶体管即第一晶体管tr1包含氧化物半导体，能够最小化漏电流。另外，通过使驱动晶体管即第二晶体管tr2包含多晶半导体，能够具有高的电子迁移率。即，通过使得开关晶体管和驱动晶体管包含彼此不同的半导体物质，能够更稳定地驱动，并具有高的可靠性。
155.位于第二像素区域pa2的第一阻断层bl1和第二阻断层bl2还位于布线区域wa。在布线区域wa中可以设置栅极线gl和数据线dl。
156.在透射区域ta中，可以去除位于第二像素区域pa2的第一栅极绝缘膜141、第二栅极绝缘膜142、第一层间绝缘膜161、第三栅极绝缘膜143、第二层间绝缘膜162。另外，在透射区域ta中，可以去除位于第二像素区域pa2的第二平坦化膜180以及像素界定膜350。但是，不限于此，位于第二像素区域pa2的第一栅极绝缘膜141、第二栅极绝缘膜142、第一层间绝缘膜161、第三栅极绝缘膜143、第二层间绝缘膜162中的至少一层可以在透射区域ta中去除，位于第二像素区域pa2的第二层间绝缘膜162以及第二平坦化膜180中的至少一部分可以在透射区域ta中不去除。
157.位于第二像素区域pa2的第一阻断层bl1的边缘或者第二阻断层bl2的边缘部分可以形成透射区域ta的开口部opn。与前面说明的根据实施例的阻断层bl和透射区域ta的开口部opn的形状相关的特征可以全部适用于本实施例。
158.如此，设置具有位于第二像素区域pa2的第一阻断层bl1以及第二阻断层bl2被去除的开口部opn的透射区域ta，可以通过可以位于基板sb的背面的光学装置(未图示)来透射光。光学装置可以是传感器、相机、闪光灯等。
159.在包括显示区域da的发光二极管led和像素界定膜350、透射区域ta的整个区域之
上可以设置覆盖基板sb整面的封装层600。
160.封装层600可以由一个以上的无机层和一个以上的有机层交替层叠形成，所述无机层或者所述有机层可以分别为多个。在图示的实施例中，封装层600包括第一无机封装层610、有机封装层620以及第二无机封装层630。有机封装层620可以位于第一无机封装层610和第二无机封装层630之间。
161.第一无机封装层610和第二无机封装层630可以包含氮化硅、氧化硅、氧化钛或者氧化铝等，有机封装层620可以包括丙烯酸系列有机层。但是，封装层600所包含的物质不限于此，可以包含其它物质。
162.封装层600起到将显示装置密封来保护的作用。在封装层600之上可以设置可以包含氮化硅、氧化硅之类无机绝缘物质的第一保护层710。
163.在第一保护层710之上可以设置触摸电极te。触摸电极te可以包含铝(al)、铜(cu)、钛(ti)、钼(mo)、银(ag)、铬(cr)、镍(ni)等金属。触摸电极te可以具有与发光部重叠的开口的网格形状。触摸电极te可以包含银纳米线(silver nanowire)、碳纳米管(carbon nanotube)等导电纳米物质。触摸电极te可以包含ito、tzo之类透明导电物质。
164.触摸电极te可以通过与触摸电极te位于相同层或者不同层的布线与触摸驱动部电连接。向第一方向x或者第二方向y相邻的触摸电极te可以通过与触摸电极te位于相同层或者不同层的电桥(bridge)电连接。
165.在触摸电极te之上可以设置第二保护层720来保护触摸电极te。
166.另一方面，第一显示区域da1的第一像素区域pa1的截面构造可以与第二像素区域pa2的截面构造相对应。
167.那么，参照图8至图13，说明根据一实施例的显示装置的制造方法。图8以及图9是用于说明根据一实施例的显示装置的制造方法的截面图。图10是用于说明根据一实施例的显示装置的制造工艺的一部分的概念图，图11a至图11c是用于说明根据一实施例的显示装置的制造工艺的一部分的概念图。图12以及图13是用于说明根据一实施例的显示装置的制造方法的截面图。
168.如图8所示，将基板sb中的第一阻挡层1100以及第二层110b附着到支承基板ss之后，在第二层110b之上形成第二阻挡层1101，在第二阻挡层1101之上形成包括第一层bl11和位于第一层bl11之上的第二层bl12的第一阻断层bl1，在第一阻断层bl1之上形成缓冲层111，在缓冲层111之上形成第一晶体管tr1以及第二晶体管tr2，形成阳极电极191、像素界定膜350以及发光元件层370。此时，在透射区域ta中，可以去除位于第二像素区域pa2的第一层间绝缘膜161、第三栅极绝缘膜143、第二层间绝缘膜162和第二平坦化膜180以及像素界定膜350。
169.如图9所示，在发光元件层370以及像素界定膜350之上形成阴极电极270。阴极电极270的末端部分即边缘271可以形成为与第一阻断层bl1的边缘沿上下方向、第三方向z对齐。
170.那么，参照图10，说明在发光元件层370以及像素界定膜350之上形成阴极电极270的一方法。
171.参照图10，在基板sb之上形成第一阻断层bl1，在其之上形成多个绝缘层和薄膜晶体管、阳极电极、有机发光层等元件层ll，在基板sb整面形成阴极电极270。之后，在基板sb
的背面将阻断层bl作为掩模，照射激光，去除阴极电极270的一部分，从而在透射区域ta中去除阴极电极270，能够防止透射区域ta的透射率下降。
172.参照图11a至图11c，说明在发光元件层370以及像素界定膜350之上形成阴极电极270的另一方法。
173.如图11a所示，利用精细金属掩模(fmm)而形成位于透射区域ta的隔壁层wl。隔壁层wl可以是弱粘接层(weak adhension layer)。
174.参照图11b，在形成有隔壁层wl的基板sb之上层叠形成阴极电极270的金属粒子p。金属粒子p层叠至隔壁层wl不存在的区域和隔壁层wl的侧面，从而如图11c所示，阴极电极270形成为隔壁层wl的边缘和阴极电极270的边缘271彼此对齐。
175.之后，如图12所示，在包括显示区域da的发光二极管led和像素界定膜350、透射区域ta的整个区域之上形成覆盖基板sb整面的封装层600，在封装层600之上形成第一保护层710，在第一保护层710之上形成触摸电极te，在触摸电极te之上形成第二保护层720，去除支承基板ss。
176.如图13所示，去除支承基板ss之后，在基板sb的第一阻挡层1100以及第二层110b之下附着包括第二阻断层bl2的第一层110a，形成图7所示的显示装置。此时，位于第一层110a之下的第二阻断层bl2和位于基板sb之上的第一阻断层bl1的边缘可以附着成沿着上下方向、第三方向z彼此对齐。但是，位于第一层110a之下的第二阻断层bl2和位于基板sb之上的第一阻断层bl1的边缘也可以不沿着上下方向、第三方向z彼此呈一列对齐。
177.那么，参照图14，说明根据另一实施例的显示装置。图14是根据另一实施例的显示装置的第二显示区域的一部分的截面图。
178.参照图14，根据本实施例的显示装置包括基板sb以及形成于其之上的各种层、布线、元件。元件可以包括晶体管tr、电容器cp、发光二极管led。
179.基板sb可以包含玻璃等绝缘物质，可以光学上透明。
180.在基板sb之上设置第二阻挡层1101。第二阻挡层1101起到防止杂质或者水分之类不必要的成分渗透的同时将表面平坦化的作用。例如，第二阻挡层1101可以包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅中的至少一种。
181.在第二阻挡层1101之上设置第一阻断层bl1，在基板sb之下设置第二阻断层bl2。
182.第一阻断层bl1和第二阻断层bl2可以防止光从基板sb下方进入而被看到。尤其，第一阻断层bl1和第二阻断层bl2位于除透射区域ta之外的第二像素区域pa2和布线区域wa，能够防止透射区域ta周边的漏光，防止位于透射区域ta之下的电子设备因不必要的外部光而性能下降。第一阻断层bl1和第二阻断层bl2可以沿着上下方向、第三方向z彼此对齐。
183.第一阻断层bl1包括位于第二阻挡层1101之上的第一层bl11以及位于第一层bl11之上的第二层bl12，第二阻断层bl2包括位于基板sb之下的第三层bl21以及位于第三层bl21之下的第四层bl22。
184.第一阻断层bl1的第一层bl11可以包含非晶硅。第一阻断层bl1的第二层bl12可以包含金属。例如，阻断层bl的第二阻断层bl2可以包含钼(mo)、铝(al)、钛(ti)、铜(cu)等。
185.第一阻断层bl1的第一层bl11的厚度可以大于约且小于约
186.第一阻断层bl1的第二层bl12的吸收系数(k)可以大于第一阻断层bl1的第一层
bl11的吸收系数(k)。第一层bl11和第二层bl12的吸收系数(k)可以以可见光区域，例如约380nm至约780nm的波长范围的光为基准进行测定。
187.如此，第一阻断层bl1包括吸收系数(k)的值小的第一层bl11和吸收系数(k)大的第二层bl12，从而吸收系数(k)大的第二层bl12可以吸收穿过第一阻断层bl1的第一层bl11的光，在第二层bl12表面反射的光的一部分与在第一层bl11反射的光彼此相消干涉，从而能够防止从显示装置的下方进入的光在第一阻断层bl1反射而进入到位于基板sb之下的光学装置侧。
188.第二阻断层bl2的第三层bl21可以是钼钽氧化物(molybdenum tantalum oxide)(motao
x
)，第二阻断层bl2的第三层bl21中的钽含量可以是约8wt％以上。第二阻断层bl2的第三层bl21可以是钼钽氧化物(molybdenum tantalum oxide)(motao
x
)，当第二阻断层bl2的第三层bl21中的钽含量为约8wt％以上时，可以在约450℃的高温工艺后也保持第一阻断层bl1的光学特性。
189.第二阻断层bl2的第三层bl21的厚度可以是约400nm至约700nm。第二阻断层bl2的第三层bl21的折射率(refractive index)可以是约2至约3，更具体地约2.2至约2.6，更具体地约2.46，第二阻断层bl2的第三层bl21的消光系数(extinction coefficient)可以是约0.5至约0.9，更具体地约0.67。
190.第二阻断层bl2的第四层bl22可以包含氧化硅，第二阻断层bl2的第四层bl22的厚度可以在约至约的范围内。
191.如此，第二阻断层bl2是第三层bl21的消光系数为约0.5至约0.9，更具体地约0.67，从显示装置的下方进入的光可以在第二阻断层bl2的第三层bl21被吸收，在第二阻断层bl2的第三层bl21没有被吸收而反射的光与在第二阻断层bl2的第四层bl22反射的光彼此相消干涉，从而能够防止从显示装置的下方进入的光在第二阻断层bl2反射而向位于基板sb之下的光学装置侧进入。
192.依据根据实施例的显示装置，包括位于基板sb之上的第一阻断层bl1和位于基板sb之下的第二阻断层bl2，从而能够防止从显示装置的下方进入的光穿过基板sb而入射到发光部或光在透射区域ta周边被看到，同时防止从显示装置的下方进入的光在第一阻断层bl1以及第二阻断层bl2反射而向位于基板sb之下的光学装置侧进入，通过此，能够防止光学装置因不必要的外部光的进入而质量下降。
193.在第二阻挡层1101和第一阻断层bl1之上可以设置缓冲层111。缓冲层111可以具有单层或者多层结构。缓冲层111可以包含氮化硅(sin
x
)，氧化硅(sio
x
)，氮氧化硅(sio
x
ny)等。
194.在缓冲层111之上可以设置晶体管tr的半导体层al。半导体层al可以包括沟道区域以及其两侧的源极区域和漏极区域。半导体层al可以包含多晶硅。除此之外，半导体层al也可以包含非晶硅、氧化物半导体之类半导体物质。
195.在半导体层al之上可以设置可以包含无机绝缘物质的栅极绝缘膜141。例如，栅极绝缘膜141可以是包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的单层或者多层结构。
196.在栅极绝缘膜141之上可以设置可以包括晶体管tr的第一栅极电极ge1、栅极线gl等的第一导电体。第一栅极电极ge1可以与半导体层al的沟道区域重叠。第一导电体可以是包含钼(mo)、铜(cu)、铝(al)、银(ag)、铬(cr)、钽(ta)、钛(ti)等金属的单层或者多层结构。
197.在第一导电体之上可以设置第一层间绝缘膜161。第一层间绝缘膜161可以包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
198.在第一层间绝缘膜161之上可以设置包括与第一栅极电极ge1重叠的第二栅极电极ge2的第二导电体。第二导电体可以包含钼(mo)、铜(cu)、铝(al)、银(ag)、铬(cr)、钽(ta)、钛(ti)等金属。
199.在第二导电体之上可以设置第二层间绝缘膜162。第二层间绝缘膜162可以包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。第二层间绝缘膜162可以由包含氮化硅的层和包含氧化硅的层层叠的多层形成。
200.在第二层间绝缘膜162之上可以设置可以包括晶体管tr的源极电极se以及漏极电极de、数据线dl、驱动电压线等的第三导电体。源极电极se以及漏极电极de可以通过形成于第一层间绝缘膜161以及第二层间绝缘膜162的接触口而分别连接于半导体层al的源极区域以及漏极区域。第三导电体可以包含铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、镍(ni)、钙(ca)、钼(mo)、钨(w)、钛(ti)、钽(ta)及/或铜(cu)等，可以是包含其的单层或者多层结构。例如，第三导电体可以是包含钼、铬、钽以及钛等耐火性金属(refractory metal)或者它们的合金的下膜、包含电阻率低的铝系列金属、银系列金属、铜系列金属的中间膜、包含钼、铬、钽以及钛等耐火性金属的上膜的三重膜结构。
201.栅极电极(第一栅极电极ge1、第二栅极电极ge2)、源极电极se以及漏极电极de与半导体层al一起形成晶体管tr。第一栅极电极ge1和第二栅极电极ge2可以与它们之间的第一层间绝缘膜161一起形成电容器cp。构成像素电路的这样的晶体管tr以及电容器cp可以位于第二像素区域pa2，而不位于透射区域ta。
202.在第二层间绝缘膜162以及第三导电体之上可以设置可以包含有机绝缘物质的平坦化膜180。平坦化膜180可以起到为了提高将在其之上形成的发光元件的发光效率而消除台阶并平坦化的作用。例如，平坦化膜180可以包含聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)之类通用高分子、具有酚类基的高分子衍生物、丙烯类高分子、酰亚胺类高分子、聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物、硅氧烷类聚合物等有机绝缘物质。
203.在平坦化膜180之上可以设置像素px的发光二极管led的阳极电极191。阳极电极191可以按照每个像素px单独地提供。阳极电极191可以包含银(ag)、锂(li)、钙(ca)、铝(al)、镁(mg)、金(au)之类金属，也可以包含氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)之类透明导电氧化物(tco)。
204.在阳极电极191之上可以设置像素界定膜350。像素界定膜350可以包含聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)之类通用高分子、具有酚类基的高分子衍生物、丙烯类高分子、酰亚胺类高分子、聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物、硅氧烷类聚合物等有机绝缘物质。
205.可以是，在像素界定膜350中形成有开口，像素界定膜350的开口与阳极电极191重叠。在像素界定膜350的开口中可以设置发光元件层370。
206.发光元件层370可以包括固有地发出红色、绿色以及蓝色等基本色的光的物质层。发光元件层370也可以具有发出彼此不同颜色的光的多个物质层层叠的构造。
207.在发光元件层370以及像素界定膜350之上可以设置阴极电极270。阴极电极270可以公共地提供于所有像素px，可以被施加公共电压。阴极电极270可以包含包括钙(ca)、钡(ba)、镁(mg)、铝(al)、银(ag)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂
tantalum oxide)(motao
x
)，第二阻断层bl2的第三层bl21中的钽含量可以是约8wt％以上，第二阻断层bl2的第四层bl22可以包含氧化硅。
222.如图16所示，在基板sb之上形成第二阻挡层1101，在第二阻挡层1101之上形成包括第一层bl11和位于第一层bl11之上的第二层bl12的第一阻断层bl1。可以形成为，第一阻断层bl1的第一层bl11包含非晶硅，第一阻断层bl1的第二层bl12包含金属。
223.第一阻断层bl1的第一层bl11的厚度可以大于约且小于约
224.第一阻断层bl1的第二层bl12的吸收系数(k)可以大于第一阻断层bl1的第一层bl11的吸收系数(k)。第一层bl11和第二层bl12的吸收系数(k)可以以可见光区域，例如约380nm至约780nm的波长范围的光为基准进行测定。
225.如图17所示，在第二阻挡层1101和第一阻断层bl1之上形成缓冲层111，在缓冲层111之上形成晶体管tr，在平坦化膜180之上形成发光二极管led的阳极电极191，在阳极电极191之上形成像素界定膜350，在像素界定膜350的开口中形成发光元件层370。
226.之后，在发光元件层370以及像素界定膜350之上形成阴极电极270。
227.那么，参照图18，说明在发光元件层370以及像素界定膜350之上形成阴极电极270的一方法。
228.参照图18，在基板sb之下形成第二阻断层bl2，在基板sb之上形成第一阻断层bl1之后，在其之上形成多个绝缘层和薄膜晶体管、阳极电极、有机发光层等元件层ll，在基板sb整面形成阴极电极270。之后，在基板sb的背面将第一阻断层bl1以及第二阻断层bl2作为掩模，照射激光，去除阴极电极270的一部分，从而在透射区域ta中去除阴极电极270，能够防止透射区域ta的透射率下降。
229.参照图19a至图19c，说明在发光元件层370以及像素界定膜350之上形成阴极电极270的另一方法。
230.如图19a所示，在基板sb之下形成第二阻断层bl2，在基板sb之上形成第一阻断层bl1之后，在其之上形成多个绝缘层和薄膜晶体管、阳极电极、有机发光层等元件层ll，利用精细金属掩模(fmm)而形成位于透射区域ta的隔壁层wl。隔壁层wl可以是弱粘接层(weak adhension layer)。
231.参照图19b，在形成有隔壁层wl的基板sb之上层叠形成阴极电极270的金属粒子p。金属粒子p层叠至隔壁层wl不存在的区域和隔壁层wl的侧面，从而如图19c所示，阴极电极270形成为隔壁层wl的边缘和阴极电极270的边缘271彼此对齐。
232.那么，参照表1，说明一实验例。在本实验例中，其它条件相同，并改变第一阻断层bl1的第一层bl11的厚度和第二阻断层bl2的第四层bl22的厚度的同时测定了基板sb表面上的光的反射率的值。模拟的值和实际产品的测定值分别示出于下面的表1。
233.【表1】
[0234][0235]
参照表1可知，如根据实施例的显示装置那样，当第一阻断层bl1的第一层bl11的厚度大于约且小于约第二阻断层bl2的第四层bl22的厚度在约至约的范围内时，入射的光的反射率可以具有小于12的值，由此可知能够防止从显示装置的下方进入的光在第一阻断层bl1以及第二阻断层bl2反射而进入到位于基板sb之下的光学装置侧。
[0236]
以上，针对本发明的实施例进行了详细说明，但是本发明的权利范围不限于此，利用在权利要求书中定义的本发明的基本概念的本领域技术人员的各种变形及改进形式也属于本发明的权利范围。