显示装置的制作方法

1.本公开涉及显示装置。


背景技术：

2.随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的需求已经增加并且多样化。显示装置可以是诸如液晶显示器(lcd)、场发射显示器(fed)或发光显示装置的平板显示器。发光显示装置可以包括有机发光显示装置、无机发光显示装置或微型发光二极管显示装置，有机发光显示装置包括有机发光二极管元件作为发光元件，无机发光显示装置包括无机半导体元件作为发光元件，微型发光二极管显示装置包括微型发光二极管元件作为发光元件。
3.近来，已经开发了包括发光显示装置的头戴式显示器(hmd)。头戴式显示器(hmd)是用于虚拟现实(vr)或增强现实(ar)的眼镜型监视器装置，头戴式显示器由使用者以眼镜或头盔的形式佩戴，并且在使用者的眼睛前方在靠近使用者的眼睛的距离处形成焦点。
4.包括微型发光二极管元件的高分辨率微型发光二极管显示面板应用于(或用于)头戴式显示器。因为微型发光二极管元件发射单色的光，所以微型发光二极管显示面板可以包括用于对从微型发光二极管元件发射的光的波长进行转换以显示各种颜色的波长转换层。


技术实现要素：

5.本公开的实施例的方面和特征提供了一种显示装置，该显示装置能够防止连接到显示面板的引线的连接故障。
6.然而，本公开的实施例不限于这里阐述的实施例。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的其他实施例对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
7.根据本公开的一个或更多个实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：显示面板，包括沿着多个行布置的第一面板垫，多个行中的每个行在平面图中在第一方向上延伸；引线，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，引线中的每条引线包括附着到第一面板垫中的对应的第一面板垫的第一接合部分；以及第一电路板，包括连接到引线的第一垫。在平面图中，多个行中的第一行中的第一面板垫在多个行中的与第一行相邻的第二行中的第一面板垫之间在第二方向上暴露。
8.第一行中的第一面板垫和第二行中的第一面板垫可以各自沿着第一方向以第一节距布置。
9.第一节距可以等于或小于第一面板垫中的一个第一面板垫在第一方向上的宽度的两倍。
10.第一节距可以等于或小于第一接合部分在第一方向上的宽度的两倍。
11.第一行中的第一面板垫和第二行中的最靠近第一行中的第一面板垫的第一面板垫可以沿着第一方向以小于第一节距的第二节距布置。
12.第一节距可以是第二节距的两倍。
13.第二节距可以等于或小于第一面板垫中的一个第一面板垫在第一方向上的宽度。
14.第一行中的第一面板垫之间在第一方向上的间隙和第二行中的第一面板垫之间在第一方向上的间隙可以等于或小于第一面板垫中的一个第一面板垫的宽度。
15.第一面板垫中的一个第一面板垫在第一方向上的宽度可以等于或大于第一接合部分在第一方向上的宽度。
16.第一面板垫中的一个第一面板垫可以在平面图中具有圆形形状。
17.第一面板垫中的一个第一面板垫可以在平面图中具有菱形形状。
18.第一面板垫可以沿着与第二行相邻的第三行布置，并且第二行可以位于第一行与第三行之间。
19.第一行中的第一面板垫和第三行中的第一面板垫可以以相同的节距布置。
20.第二行中的第一面板垫可以在第一行中的第一面板垫之间和/或第三行中的第一面板垫之间在第二方向上暴露。
21.引线中的每条引线可以包括连接到第一接合部分的连接部分，并且连接部分可以在剖面上具有环形状。
22.该显示面板可以包括：半导体电路基底，包括多个像素电路单元；发光元件层，位于半导体电路基底上，并且包括多个发光元件；以及波长转换基底，位于发光元件层上。
23.多个发光元件中的每个发光元件可以包括：第一半导体层；活性层，位于第一半导体层上；第二半导体层，位于活性层上；以及第三半导体层，位于第二半导体层上。
24.在第二方向上从第一行中的第一面板垫中的一个第一面板垫至第一垫中的对应的第一垫的距离可以与在第二方向上从第二行中的第一面板垫中的一个第一面板垫至第一垫中的对应的第一垫的距离不同。
25.在第二方向上从第一行中的第一面板垫中的一个第一面板垫至显示面板的边缘的距离可以与在第二方向上从第二行中的第一面板垫中的一个第一面板垫至显示面板的边缘的距离不同。
26.根据本公开的一些实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一垫，沿着第一方向布置；第一面板垫，在与第一方向交叉的第二方向上与第一垫叠置；以及引线，将第一面板垫和第一垫彼此连接。在平面图中，第一面板垫布置为使得第一面板垫中的至少一个第一面板垫的至少一部分不与在第一方向上最靠近所述至少一个第一面板垫的另一第一面板垫在第二方向上叠置。
27.根据本公开的实施例，可以防止连接到显示面板的引线的连接故障。
附图说明
28.通过参照附图描述本公开的实施例，本公开的以上和其他实施例及特征将变得更加明显，在附图中：
29.图1是根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的平面图；
30.图2是沿着图1的线q1-q1'截取的剖视图；
31.图3是图1的部分“p1”的放大平面图；
32.图4是沿着图3的线q2-q2'截取的剖视图；
33.图5是根据本公开的一个或更多个实施例的第一面板垫区域和第一垫区域的平面图；
34.图6是根据本公开的一个或更多个实施例的第一面板垫区域和第一垫区域的平面图；
35.图7是根据本公开的一个或更多个实施例的第一面板垫区域和第一垫区域的平面图；
36.图8是沿着图7的线q3-q3'截取的剖视图；
37.图9是根据本公开的一个或更多个实施例的第一面板垫区域和第一垫区域的平面图；
38.图10是沿着图9的线q4-q4'截取的剖视图；
39.图11是示出根据本公开的一个或更多个实施例的包括显示装置的虚拟现实装置的示意图；
40.图12是示出根据本公开的一个或更多个实施例的包括显示装置的智能装置的示意图；
41.图13是示出根据本公开的一个或更多个实施例的包括显示装置的车辆的示意图；并且
42.图14是示出根据本公开的一个或更多个实施例的包括显示装置的透明显示装置的示意图。
具体实施方式
43.通过参照实施例的详细描述和附图，可以更容易地理解本公开的一个或更多个实施例的方面和特征以及实现本公开的一个或更多个实施例的方法。在下文中，将参照附图更详细地描述实施例。然而，所描述的实施例可以以各种不同的形式实现，并且不应被解释为仅限于这里所示的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的方面。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员完全理解本公开的方面不是必需的工艺、元件和技术。
44.除非另外说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记、字符或其组合表示同样的元件，因此，将不重复其描述。此外，可能未示出与一些实施例的描述无关的部分以使描述清楚。
45.在附图中，为了清楚起见，可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。另外，通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用，以使相邻元件之间的边界清晰。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或表示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。
46.这里参照作为实施例和/或中间结构的示意图的剖视图描述了各种实施例。如此，将预期例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。此外，根据本公开的构思以及实施例的方面和特征，这里公开的具体结构或功能性描述仅仅是示例性的，以用于描述实施例的目的。因此，这里公开的实施例不应被解释为限于具体示出的区域的形状，而是将包括例如由制造引起的形状的偏差。
47.例如，示出为矩形的注入区域将通常在其边缘处具有圆形或弯曲特征和/或注入
浓度梯度，而非从注入区域到非注入区域的二元变化。同样地，通过注入形成的掩埋区域可以导致在掩埋区域与发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，在附图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出装置的区域的实际形状，也不旨在成为限制。另外，如本领域技术人员将认识到的，在全部不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
48.在详细描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种实施例的透彻理解。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种实施例。在其他情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要地模糊各种实施例。
49.为了易于解释，这里可以使用诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“下”、“在
……
下面”、“在
……
上方”、“上”等的空间相对术语，来描述如图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。将理解的是，除了图中所描绘的方位之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将被定向为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在
……
下方”和“在
……
下面”可以涵盖上方和下方两种方位。装置可以另外定向(例如，旋转90度或在其他方位处)，并且应当相应地解释这里使用的空间相对描述语。类似地，当第一部分被描述为布置“在”第二部分“上”时，这表示第一部分布置在第二部分的上侧处或下侧处，而不限于第二部分的基于重力方向的上侧。
50.此外，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面图”意味着从顶部观看目标部分，并且短语“在剖面上”意味着从侧面观看通过竖直切割目标部分而形成的剖面。
51.将理解的是，当元件、层、区域或组件被称为“形成在”另一元件、层、区域或组件“上”；“在”另一元件、层、区域或组件“上”；“连接到”或“结合到”另一元件、层、区域或组件时，该元件、层、区域或组件可以直接形成在所述另一元件、层、区域或组件上；直接在所述另一元件、层、区域或组件上；直接连接到或直接结合到所述另一元件、层、区域或组件，或者间接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、间接在所述另一元件、层、区域或组件上、间接连接到或间接结合到所述另一元件、层、区域或组件，使得可以存在一个或更多个居间元件、层、区域或组件。例如，当层、区域或组件被称为“电连接”或“电结合”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接电连接或直接电结合到所述另一层、区域和/或组件，或者可以存在居间层、区域或组件。然而，“直接连接/直接结合”指一个组件与另一组件直接连接或直接结合而没有居间组件。同时，可以类似地解释描述组件之间的关系的其他表述(诸如“在
……
之间”、“紧邻在
……
之间”或“与
……
相邻”和“直接与
……
相邻”)。另外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个居间元件或层。
52.出于本公开的目的，诸如
“……
中的至少一个(种/者)”的表述在一列元件之后时，该表述修饰整列元件，而不修饰所述列中的个别元件。例如，“x、y和z中的至少一个(种/者)”、“x、y或z中的至少一个(种/者)”和“从由x、y和z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以被解释为仅x、仅y、仅z、x、y和z中的两个或更多个的任何组合(诸如以xyz、xyy、yz和zz为例，或其任何变型)。类似地，诸如“a和b中的至少一个(种/者)”的表述可以包括a、b或者a和b。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有
组合。例如，诸如“a和/或b”的表述可以包括a、b或者a和b。
53.将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
54.在本公开的一个或更多个实施例中，x轴、y轴和/或z轴不限于直角坐标系的三个轴，而是可以以更广泛的意义解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。这同样适用于第一方向、第二方向和/或第三方向。
55.这里使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，并不旨在成为本公开的限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚说明，否则单数形式“一”和“一个(种/者)”也旨在包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“具有”、“包括”及其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
56.如这里所使用的，术语“基本上(基本)”、“约”、“大约(大致)”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。如这里所使用的，“约”或“大约”包括所陈述的值，并且意味着：考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即测量系统的局限性)，在如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或在陈述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。此外，在描述本公开的实施例时，“可以”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。
57.当可以不同地实现一个或更多个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
58.此外，这里公开和/或所述的任何数值范围旨在包括纳入在所述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所述最小值1.0与所述最大值10.0之间(并且包括所述最小值1.0和所述最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范围(诸如以2.4至7.6为例)。这里所述的任何最大数值限度旨在包括纳入在其中的所有较低数值限度，并且本说明书中所述的任何最小数值限度旨在包括纳入在其中的所有较高数值限度。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确叙述纳入在这里明确叙述的范围内的任何子范围。所有这样的范围旨在在本说明书中固有地描述，使得修改以明确叙述任何这样的子范围将符合要求。
59.根据这里描述的本公开的实施例的电子或电气装置以及/或者任何其他相关装置或组件可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实现。例如，这些装置的各种组件可以形成在一个集成电路(ic)芯片上或单独ic芯片上。此外，这些装置的各种组件可以在柔性印刷电路膜、载带封装(tcp)、印刷电路板(pcb)上实现，或者形成在一个基底上。
60.此外，这些装置的各种组件可以是在一个或更多个计算装置中的一个或更多个处
理器上运行的进程或线程，其执行计算机程序指令并且与其他系统组件交互以执行这里描述的各种功能。计算机程序指令被存储在存储器中，所述存储器可以在使用标准存储器装置(诸如，以随机存取存储器(ram)为例)的计算装置中实现。计算机程序指令也可以存储在其他非暂时性计算机可读介质(诸如，以cd-rom、闪存驱动器等为例)中。此外，本领域技术人员应当认识到，在不脱离本公开的实施例的精神和范围的情况下，各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以跨一个或更多个其他计算装置分布。
61.除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的背景下的含义一致的含义，而不应以理想化或过于形式化的含义来解释，除非这里明确地如此定义。
62.图1是根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的平面图。
63.在本公开中将主要描述显示装置1是包括微型发光二极管作为发光元件的微型发光二极管显示装置，但是本公开不限于此。
64.另外，在本公开中将主要描述显示装置1是其中发光二极管设置在使用半导体工艺形成的半导体电路基底110上的硅上发光二极管(ledos)，但是将注意的是，本公开不限于此。
65.在下文中，第一方向dr1指显示面板dp的水平方向，第二方向dr2指显示面板dp的竖直方向，第三方向dr3指显示面板dp的厚度方向。在这种情况下，“左”、“右”、“上”、“下”表示在平面图中观看显示面板dp时的方向。例如，“左”指在第一方向dr1上的一侧，“右”指在第一方向dr1上的另一侧，“上侧”指在第二方向dr2上的一侧，并且“下侧”指在第二方向dr2上的另一侧。另外，“上部”指在第三方向dr3上的一侧，“下部”指在第三方向dr3上的另一侧。
66.参照图1，根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置1包括显示面板dp，显示面板dp包括显示区域da和非显示区域nda。
67.显示面板dp在平面图中可以具有矩形形状，该矩形形状具有在第一方向dr1上的长边和在第二方向dr2上的短边。然而，显示面板dp在平面图中的形状不限于此，并且显示面板dp在平面图中可以具有除矩形形状以外的多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或不规则形状。
68.显示区域da可以是其中显示图像的区域，并且非显示区域nda可以是其中不显示图像的区域。显示区域da在平面图中的形状可以遵循显示面板dp在平面图中的形状。图1示出了显示区域da在平面图中的形状为矩形形状。显示区域da可以设置在显示面板dp的中心区域中。非显示区域nda可以沿着显示区域da的边缘(或外围)设置在显示区域da周围。非显示区域nda可以设置为围绕显示区域da。
69.显示面板dp的显示区域da可以包括多个像素px。像素px可以被限定为能够显示白光的最小发光单元。
70.多个像素px中的每个可以包括发射光的多个发射区域ea1、ea2和ea3。在本公开的一个或更多个实施例中已经示出，多个像素px中的每个包括三个发射区域ea1、ea2和ea3，但是本公开不限于此。例如，多个像素px中的每个可以包括四个发射区域。
71.多个发射区域ea1、ea2和ea3中的每个可以包括发射第一光的发光元件le。已经示出了发光元件le在平面图中具有矩形形状，但是本公开不限于此。例如，发光元件le可以具有除矩形形状之外的多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或不规则形状。
72.第一发射区域ea1中的每个指发射第一光的区域。第一发射区域ea1中的每个可以以原样发射从发光元件le发射的第一光。第一光可以是蓝色波段的光。蓝色波段可以是大约370nm至460nm，但是本公开不限于此。
73.第二发射区域ea2中的每个指发射第二光的区域。第二发射区域ea2中的每个可以将从发光元件le发射的第一光转换为第二光并且发射第二光。第二光可以是绿色波段的光。绿色波段可以是大约480nm至560nm，但是本公开不限于此。
74.第三发射区域ea3中的每个指用于发射第三光的区域。第三发射区域ea3中的每个可以将从发光元件le发射的第一光转换为第三光并且发射第三光。第三光可以是红色波段的光。红色波段可以是大约600nm至750nm，但是本公开的一个或更多个实施例不限于此。
75.第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3可以沿着第一方向dr1交替布置。例如，第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3可以沿着第一方向dr1以第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3的顺序设置。
76.第一发射区域ea1可以沿着第二方向dr2布置。第二发射区域ea2可以沿着第二方向dr2布置。第三发射区域ea3可以沿着第二方向dr2布置。
77.多个发射区域ea1、ea2和ea3可以由分隔壁pw分隔。分隔壁pw可以设置在发光元件le周围(例如，围绕发光元件le)。分隔壁pw可以设置为与发光元件le间隔开。分隔壁pw在平面图中可以具有网格形状、网形状或格子形状。
78.由分隔壁pw限定的多个发射区域ea1、ea2和ea3中的每个在平面图中可以具有矩形形状，但是本公开不限于此。例如，由分隔壁pw限定的多个发射区域ea1、ea2和ea3中的每个可以具有除矩形形状之外的多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或不规则形状。
79.非显示区域nda可以包括第一面板垫区域pda1和第二面板垫区域pda3。
80.第一面板垫区域pda1可以设置在非显示区域nda中。第一面板垫区域pda1可以在第二方向dr2上设置在显示面板dp的上部处。稍后将描述的第一面板垫pd1(见图2)可以设置在第一面板垫区域pda1中。
81.第二面板垫区域pda3可以设置在非显示区域nda中。在一个或更多个实施例中，第二面板垫区域pda3可以在第三方向dr3上设置在半导体电路基底(csub)110(例如，见例如图2)下方。第二面板垫可以设置在第二面板垫区域pda3中。在一个或更多个实施例中，第二面板垫区域pda3可以在第二方向dr2上设置在显示面板dp的下部处。
82.第二面板垫区域pda3和第二面板垫可以分别与第一面板垫区域pda1和第一面板垫pd1基本上相同或相似，但是本公开不限于此。在一个或更多个实施例中，可以省略第二面板垫区域pda3和第二面板垫。
83.非显示区域nda可以包括在显示区域da周围(例如，围绕显示区域da)的共电极连接区域cpa。
84.共电极连接区域cpa可以设置在非显示区域nda中，并且可以设置在第一面板垫区域pda1与显示区域da之间以及第二面板垫区域pda3与显示区域da之间。共电极连接区域cpa可以设置在显示区域da在第一方向dr1上的一侧和另一侧上，并且可以设置在显示区域
da在第二方向dr2上的一侧和另一侧上。共电极连接区域cpa可以包括用于连接到半导体电路基底110的多个连接电极ccp(见图3)。
85.共电极连接区域cpa可以设置为在平面图中在显示区域da的至少一部分周围(例如，围绕显示区域da的至少一部分)。例如，如图1中所示，共电极连接区域cpa可以设置为完全围绕显示区域da。然而，本公开不限于此，并且共电极连接区域cpa也可以设置在显示区域da的一侧、两侧或至少三侧上。
86.参照图1，显示装置1还可以包括第一电路板cb1和第二电路板cb2。
87.第一电路板cb1和第二电路板cb2可以是诸如柔性印刷电路板(fpcb)、印刷电路板(pcb)、柔性印刷电路(fpc)或膜上芯片(cof)的柔性膜。
88.第一电路板cb1和第二电路板cb2可以分别与显示面板dp的边缘相邻地设置。第一电路板cb1和第二电路板cb2可以设置为显示面板dp在平面图中置于第一电路板cb1与第二电路板cb2之间。
89.例如，在平面图中，第一电路板cb1可以设置为面对显示面板dp的在第一方向dr1上延伸的两侧中的任意一侧，并且第二电路板cb2可以设置为面对显示面板dp的所述两侧(例如，在第一方向dr1上延伸的两侧)中的另一侧。在这种情况下，如图1中所示，第一电路板cb1、显示面板dp和第二电路板cb2可以在平面图中沿着第二方向dr2顺序地布置。
90.然而，本公开不限于此，并且第一电路板cb1和第二电路板cb2中的任意一个可以设置为面对显示面板dp的在第一方向dr1上延伸的一侧，并且第一电路板cb1和第二电路板cb2中的另一个可以设置为面对显示面板dp的在第二方向dr2上延伸的一侧。也可以省略第二电路板cb2。
91.图2是沿着图1的线q1-q1'截取的剖视图。
92.参照图1和图2，显示面板dp可以包括半导体电路基底110、发光元件层120和波长转换基底200。
93.半导体电路基底110可以包括多个像素电路单元pxc、像素电极111、接触电极112、共接触电极113和电路绝缘层cins。在一个或更多个实施例中，半导体电路基底110可以包括缓冲层bl。
94.半导体电路基底110是使用半导体工艺形成的硅晶圆基底，并且可以是第一基底。半导体电路基底110的多个像素电路单元pxc可以使用半导体工艺形成。
95.多个像素电路单元pxc可以设置在显示区域da和非显示区域nda中。多个像素电路单元pxc中的每个可以连接到对应的像素电极111。也就是说，多个像素电路单元pxc与多个像素电极111可以彼此连接从而以一对一的方式彼此对应。多个像素电路单元pxc中的每个可以在第三方向dr3上与发光元件le叠置。
96.多个像素电路单元pxc中的每个可以包括通过半导体工艺形成的至少一个晶体管。另外，多个像素电路单元pxc中的每个还可以包括通过半导体工艺形成的至少一个电容器。多个像素电路单元pxc可以包括例如互补金属氧化物半导体(cmos)电路。多个像素电路单元pxc中的每个可以将像素电压或阳极电压施加到像素电极111。
97.电路绝缘层cins可以设置在多个像素电路单元pxc上。电路绝缘层cins可以保护多个像素电路单元pxc，并且可以使多个像素电路单元pxc之间的台阶平坦化。电路绝缘层cins可以使像素电极111中的每个暴露，使得像素电极111可以连接到发光元件层120。电路
绝缘层cins可以包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al
x
oy)或氮化铝(aln)的无机绝缘材料。
98.多个像素电极111可以设置在对应的像素电路单元pxc上。像素电极111中的每个可以是从像素电路单元pxc暴露的暴露电极。像素电极111中的每个可以与像素电路单元pxc一体地形成。像素电极111中的每个可以接收从像素电路单元pxc供应的像素电压或阳极电压。像素电极111可以包括诸如铝(al)的金属材料。
99.接触电极112可以设置在对应的像素电极111上。接触电极112可以包括用于将像素电极111接合到发光元件le的金属材料。例如，接触电极112可以包括金(au)、铜(cu)、铝(al)和锡(sn)中的至少一种。可选地，接触电极112可以包括第一层和第二层，第一层包括金(au)、铜(cu)、铝(al)和锡(sn)中的任意一种，第二层包括金(au)、铜(cu)、铝(al)和锡(sn)中的另一种。
100.共接触电极113可以设置在非显示区域nda的共电极连接区域cpa中。共接触电极113可以设置在显示区域da周围(例如，围绕显示区域da)。
101.共接触电极113可以包括与接触电极112的材料相同的材料。也就是说，共接触电极113和接触电极112可以通过同一工艺形成。
102.半导体电路基底110、第一电路板cb1和第二电路板cb2可以设置在基体基底bsub上。然而，本公开不限于此，并且可以省略基体基底bsub，或者可以用第一电路板cb1或第二电路板cb2代替基体基底bsub。
103.发光元件层120可以包括发光元件le、第一绝缘层ins1、连接电极125、共连接电极127和第一反射层rf1。
104.发光元件层120可以包括发光元件le，发光元件le各自与由波长转换基底200的分隔壁pw分隔的第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3对应。发光元件le可以设置在第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3中的每个中，从而以一对一的方式与第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3对应。
105.发光元件le可以在第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3中的每个中设置在接触电极112上。发光元件le可以是延伸为在第三方向dr3上伸长的竖直发光二极管元件。也就是说，发光元件le在第三方向dr3上的长度可以大于发光元件le在水平方向上的长度。水平方向上的长度指在第一方向dr1上的长度或在第二方向dr2上的长度。例如，发光元件le在第三方向dr3上的长度可以是大约1μm至5μm。
106.发光元件le包括第一半导体层sem1、电子阻挡层ebl、活性层mqw、超晶格层slt、第二半导体层sem2和第三半导体层sem3。连接电极125、第一半导体层sem1、电子阻挡层ebl、活性层mqw、超晶格层slt、第二半导体层sem2和第三半导体层sem3可以在第三方向dr3上顺序堆叠。发光元件le可以是微型发光二极管器件元件。
107.发光元件le可以具有宽度大于高度的圆柱形状、盘形状或棒形状。然而，本公开不限于此，并且发光元件le可以具有诸如棒形状、线形状或管形状的形状，或者诸如立方体形状、长方体形状或六角棱柱形状的多边形棱柱形状，或者可以具有诸如在一个方向上延伸且具有部分倾斜的外表面的形状的各种形状。
108.连接电极125可以设置在接触电极112上。连接电极125可以附着到接触电极112以将发光信号施加到发光元件le。连接电极125可以是欧姆连接电极。然而，本公开不限于此，
并且连接电极125也可以是肖特基连接电极。发光元件le可以连接到至少一个连接电极125。在图2中已经示出了发光元件le连接到一个连接电极125，但是本公开不限于此。在一些情况下，发光元件le可以连接到更多数量的连接电极125，或者可以省略连接电极125。即使连接电极125的数量改变或者发光元件le包括不同的结构，也可以同样地应用稍后将描述的发光元件le的描述。
109.在根据一个或更多个实施例的显示装置1中，当发光元件le电连接到接触电极112时，连接电极125可以减小发光元件le与接触电极112之间的电阻。连接电极125可以包括导电金属。例如，连接电极125可以包括金(au)、铜(cu)、锡(sn)、钛(ti)、铝(al)和银(ag)中的至少一种。例如，连接电极125可以包括其间比例为9:1、8:2或7:3的金和锡的合金，或者包括铜、银和锡的合金(sac305)。
110.第一半导体层sem1可以设置在连接电极125上。第一半导体层sem1可以是p型半导体，并且可以包括具有化学式：al
x
gayinzn(0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤z≤1)的半导体材料。例如，半导体材料可以是掺杂有p型掺杂剂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的一种或更多种。第一半导体层sem1可以掺杂有p型掺杂剂，p型掺杂剂可以是mg、zn、ca、sr、ba等。例如，第一半导体层sem1可以由掺杂有p型mg的p-gan制成。第一半导体层sem1的厚度可以在30nm至200nm的范围内，但不限于此。
111.电子阻挡层ebl可以设置在第一半导体层sem1上。电子阻挡层ebl可以是用于抑制或防止过多电子流入活性层mqw中的层。例如，电子阻挡层ebl可以由掺杂有p型mg的p-algan制成。电子阻挡层ebl的厚度可以在10nm至50nm的范围内，但不限于此。另外，可以省略电子阻挡层ebl。
112.活性层mqw可以设置在电子阻挡层ebl上。根据经由第一半导体层sem1和第二半导体层sem2施加的电信号，活性层mqw可以通过电子-空穴对的结合而发光。活性层mqw可以发射具有在450nm至495nm范围内的中心波段的第一光(即，蓝色波段的光)。
113.活性层mqw可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当活性层mqw包括具有多量子阱结构的材料时，多个阱层和势垒层可以交替堆叠。在这种情况下，阱层可以由ingan制成，并且势垒层可以由gan或algan制成，但是本公开不限于此。阱层的厚度可以是大约1nm至4nm，并且势垒层的厚度可以是3nm至10nm。
114.可选地，活性层mqw可以具有其中具有大带隙能量的半导体材料和具有小带隙能量的半导体材料交替堆叠的结构，并且可以根据发射光的波段而包括其他iii族至v族半导体材料。由活性层mqw发射的光不限于第一光，并且在一些情况下，活性层mqw可以发射第二光(绿色波段的光)或第三光(红色波段的光)。
115.超晶格层slt可以设置在活性层mqw上。超晶格层slt可以是用于使第二半导体层sem2与活性层mqw之间的应力松弛的层。例如，超晶格层slt可以由ingan或gan制成。超晶格层slt的厚度可以是大约50nm至200nm。在一个或更多个实施例中，可以省略超晶格层slt。
116.第二半导体层sem2可以设置在超晶格层slt上。第二半导体层sem2可以是n型半导体。第二半导体层sem2可以包括具有化学式：al
x
gayinzn(0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤z≤1)的半导体材料。例如，半导体材料可以是掺杂有n型掺杂剂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的一种或更多种。第二半导体层sem2可以掺杂有n型掺杂剂，n型掺杂剂可以是si、ge、sn等。例如，第二半导体层sem2可以由掺杂有n型si的n-gan制成。第二半导体层sem2
的厚度可以在2μm至4μm的范围内，但不限于此。
117.如图2中所示，第二半导体层sem2可以是公共地连接到多个发光元件le并且设置在多个发光元件le上的公共层。第二半导体层sem2在第三方向dr3上的至少一部分可以设置在相应的发光元件le中以形成图案化形状，并且第二半导体层sme2的剩余部分可以在第一方向dr1上连续延伸以公共地设置在多个发光元件le上。第二半导体层sem2可以允许通过共接触电极113施加的共电压被公共地施加到多个发光元件le。
118.稍后将描述的第三半导体层sem3可以与第二半导体层sem2一起设置为公共层，但是因为第三半导体层sem3不具有导电性，所以可以通过具有导电性的第二半导体层sem2施加信号。第二半导体层sem2和第三半导体层sem3可以设置为从显示区域da延伸到非显示区域nda。在第二半导体层sem2中，与发光元件le的第一半导体层sem1叠置的区域在第三方向dr3上的厚度可以大于不与第一半导体层sem1叠置的区域的厚度。
119.第三半导体层sem3可以设置在第二半导体层sem2上。第三半导体层sem3可以是未掺杂的半导体。第三半导体层sem3可以包括与第二半导体层sem2的材料相同的材料，但是不掺杂有n型或p型掺杂剂。在一个或更多个实施例中，第三半导体层sem3可以由未掺杂的inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种制成，但不限于此。
120.第三半导体层sem3可以是公共地连接到多个发光元件le的公共层。第三半导体层sem3可以在第一方向dr1上连续地延伸以公共地设置在多个发光元件le上。第三半导体层sem3可以用作多个发光元件le的基体层。在稍后将描述的制造发光元件层120的工艺中，在第三半导体层sem3上制造构成发光元件le的层，使得第三半导体层sem3用作基体层。第三半导体层sem3的厚度可以小于第二半导体层sem2的第一半导体区域的厚度(例如，第二半导体层sem2的与发光元件le的第一半导体层sem1叠置的区域的厚度)，并且可以大于第二半导体层sem2的第二半导体区域的厚度(例如，第二半导体层sem2的不与发光元件le的第一半导体层sem1叠置的区域的厚度)。
121.在一个或更多个实施例中，共连接电极127可以设置在非显示区域nda的共电极连接区域cpa中。共连接电极127可以设置在第二半导体层sem2的一个表面上。例如，共连接电极127可以设置在第二半导体层sem2的一个表面与共接触电极113之间。共连接电极127可以用于传输发光元件le的来自共接触电极113的共电压信号。共连接电极127可以由与连接电极125的材料相同的材料制成。共连接电极127在第三方向dr3上可以具有大的厚度(例如，可以相对厚)，以连接到共接触电极113。共连接电极127的在第三方向dr3上的厚度可以大于连接电极125在第三方向dr3上的厚度。
122.上述发光元件le可以接收通过连接电极125供应的像素电极111的像素电压或阳极电压，并且接收通过第二半导体层sem2供应的共电压。发光元件le可以根据像素电压与共电压之间的电压差而发射具有期望亮度(例如，预定亮度)的光。
123.第一绝缘层ins1可以设置在共连接电极127的侧表面、第二半导体层sem2的侧表面和另一表面(例如，上表面)、发光元件le中的每个的侧表面以及连接电极125的侧表面上。第一绝缘层ins1可以使共连接电极127、第二半导体层sem2、发光元件le和连接电极125与其他层绝缘。在一些实施例中，第一绝缘层ins1的仅一小部分设置在共连接电极127的侧表面和连接电极125的侧表面上。
124.如图2中所示，第一绝缘层ins1可以设置在发光元件le周围(例如，围绕发光元件
le)。第一绝缘层ins1可以包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al
x
oy)或氮化铝(aln)的无机绝缘材料。第一绝缘层ins1的厚度可以是大约0.1μm，但不限于此。
125.第一反射层rf1用于反射从发光元件le发射的光中的朝向侧表面行进而不是在向上方向(例如，显示面板dp的图像显示方向或第三方向dr3)上行进的光。第一反射层rf1可以设置在显示区域da和非显示区域nda中。第一反射层rf1可以设置为在显示区域da中与第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3叠置。
126.第一反射层rf1可以设置在共连接电极127的侧表面、连接电极125的侧表面和发光元件le中的每个的侧表面上。第一反射层rf1可以直接设置在第一绝缘层ins1上，并且可以设置在第一绝缘层ins1的侧表面上。第一反射层rf1可以设置为通过第一绝缘层ins1与共连接电极127、连接电极125和发光元件le间隔开。
127.如图2中所示，第一反射层rf1可以设置为在显示区域da中位于发光元件le周围(例如，围绕发光元件le)。发光元件le中的每个可以被第一绝缘层ins1围绕，并且第一绝缘层ins1可以被第一反射层rf1围绕。第一反射层rf1可以设置为彼此间隔开，并且可以设置为与相邻发光元件le的第一反射层rf1间隔开。也就是说，第一反射层rf1可以设置为在第一方向dr1和第二方向dr2上彼此间隔开。第一反射层rf1和第一绝缘层ins1在平面图中可以具有矩形闭环形状，但是本公开不限于此，并且在平面图中，第一反射层rf1和第一绝缘层ins1可以根据发光元件le的形状而具有各种形状。
128.第一反射层rf1可以包括诸如铝(al)的具有高反射率的金属材料。第一反射层rf1的厚度可以是大约0.1μm，但不限于此。
129.在一个或更多个实施例中，波长转换基底200可以设置在发光元件层120上。波长转换基底200可以包括上基底210、分隔壁pw、滤色器cf1、cf2和cf3、第二反射层rf2、波长转换层qdl以及第一保护层ptf1。
130.上基底210可以是面对第一基底(例如，与第一基底相对或相对于第一基底)的第二基底，第一基底是半导体电路基底110。上基底210可以是设置在波长转换基底200的最上部分处并且支撑波长转换基底200的基体基底。上基底210可以面对半导体电路基底110。上基底210可以包括诸如蓝宝石(al2o3)基底或玻璃基底的透明基底。然而，本公开不限于此，并且上基底210也可以形成为由gan、sic、zno、si、gap、gaas等制成的导电基底。在下文中，将通过示例的方式描述上基底210是蓝宝石(al2o3)基底的情况。上基底210的厚度没有特别限制，但是作为示例，上基底210可以具有在400μm至1500μm的范围内的厚度。
131.分隔壁pw可以设置在上基底210的一个表面上。如图1和图2中所示，分隔壁pw可以分隔并且限定第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3。分隔壁pw可以设置为在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸，并且可以在整个显示区域da中形成为网格图案。另外，分隔壁pw可以从显示区域da延伸到非显示区域nda，并且可以设置在整个非显示区域nda中。
132.分隔壁pw可以包括硅(si)。例如，分隔壁pw可以包括硅单晶层。包括硅的分隔壁pw可以使用深反应离子蚀刻(drie)方法进行蚀刻以具有高纵横比。结果，可以容易地制造具有高纵横比的分隔壁pw。因此，分隔壁pw可以形成具有超高分辨率的发射区域ea1、ea2和ea3，并且因此可以制造具有超高分辨率的显示装置1。
133.多个滤色器cf1、cf2和cf3可以在由分隔壁pw限定的多个开口中设置在上基底210上。多个滤色器cf1、cf2和cf3可以包括第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3。
134.第一滤色器cf1可以设置为与第一发射区域ea1叠置。第一滤色器cf1可以透射从发光元件le发射的第一光并且吸收或阻挡第二光和第三光。例如，第一滤色器cf1可以透射蓝色波段的光并且吸收或阻挡其他波段(诸如绿色波段和红色波段)的光。
135.第二滤色器cf2可以设置为与第二发射区域ea2叠置。第二滤色器cf2可以透射第二光并且吸收或阻挡第一光和第三光。例如，第二滤色器cf2可以透射绿色波段的光并且吸收或阻挡其他波段(诸如蓝色波段和红色波段)的光。
136.第三滤色器cf3可以设置为与第三发射区域ea3叠置。第三滤色器cf3可以透射第三光并且吸收或阻挡第一光和第二光。例如，第三滤色器cf3可以透射红色波段的光并且吸收或阻挡其他波段(诸如蓝色波段和绿色波段)的光。
137.多个滤色器cf1、cf2和cf3的上表面可以与分隔壁pw的上表面共面。然而，本公开不限于此，并且滤色器cf1、cf2和cf3中的至少一个的上表面可以高于其他滤色器的上表面或者高于分隔壁pw的上表面。
138.第二反射层rf2可以设置在由分隔壁pw限定的多个开口中。第二反射层rf2可以设置在分隔壁pw的侧表面上。在一个或更多个实施例中，第二反射层rf2可以设置在多个滤色器cf1、cf2和cf3中的每个的侧表面上。第二反射层rf2用于反射从发光元件le发射的光中的朝向左侧表面和右侧表面而不是在向上方向(例如，显示面板dp的图像显示方向或第三方向dr3)上行进的光。第二反射层rf2可以设置在显示区域da中，并且可以设置为与第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3叠置。
139.如图2中所示，第二反射层rf2可以设置为在显示区域da中位于多个滤色器cf1、cf2和cf3周围(例如，围绕多个滤色器cf1、cf2和cf3)。第二反射层rf2可以设置为彼此间隔开，并且可以设置为与相邻滤色器的第二反射层rf2间隔开。也就是说，第二反射层rf2可以设置为在第一方向dr1和第二方向dr2上彼此间隔开。第二反射层rf2在平面图中可以具有矩形闭环形状，但是本公开不限于此，并且在平面图中，第二反射层rf2可以根据分隔壁pw的开口的形状而具有各种形状。
140.第二反射层rf2可以包括与上述第一反射层rf1的材料相同的材料，并且可以包括例如具有高反射率的金属材料(诸如铝(al))。第二反射层rf2的厚度可以是大约0.1μm，但不限于此。
141.波长转换层qdl可以设置在多个滤色器cf1、cf2和cf3上。波长转换层qdl可以将入射光的峰值波长转换或移位为具有其他特定峰值波长的光，并且发射具有其他特定峰值波长的光。波长转换层qdl可以将从发光元件le发射的蓝色的第一光的一部分转换为黄色的第四光。波长转换层qdl可以将第一光与第四光混合以发射白色的第五光。第五光可以通过第一滤色器cf1转换为第一光，可以通过第二滤色器cf2转换为第二光，并且可以通过第三滤色器cf3转换为第三光。
142.波长转换层qdl可以设置为在第三方向dr3上与第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3中的每个叠置，并且可以设置为彼此间隔开。波长转换层qdl可以形成为彼此间隔开的岛图案。波长转换层qdl可以以一对一的方式与设置在分隔壁pw中的多个开口对应，并且可以与多个开口叠置。在一个或更多个实施例中，波长转换层qdl可以与多个开
口完全叠置。
143.波长转换层qdl可以包括第一基体树脂brs1和第一波长转换颗粒wcp1。第一基体树脂brs1可以包括透光有机材料。例如，第一基体树脂brs1可以包括环氧类树脂、丙烯酸类树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。
144.第一波长转换颗粒wcp1可以将从发光元件le入射的第一光转换为第四光。例如，第一波长转换颗粒wcp1可以将蓝色波段的光转换为黄色波段的光。第一波长转换颗粒wcp1可以是量子点(qd)、量子棒、荧光材料或磷光材料。例如，量子点可以是在电子从导带转变到价带时发射特定颜色的光的颗粒物质。
145.量子点可以是半导体纳米晶体材料。量子点可以根据其组成和尺寸而具有特定带隙，以吸收光，然后发射具有独特波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例可以包括iv族纳米晶体、ii-vi族化合物纳米晶体、iii-v族化合物纳米晶体、iv-vi族化合物纳米晶体或其组合。
146.ii-vi族化合物可以选自于由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组，所述二元化合物选自于由cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs及其混合物组成的组，所述三元化合物选自于由inznp、agins、cuins、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns及其混合物组成的组，所述四元化合物选自于由hgzntes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste及其混合物组成的组。
147.iii-v族化合物可以选自于由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组，所述二元化合物选自于由gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb及其混合物组成的组，所述三元化合物选自于由ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas、inpsb及其混合物组成的组，所述四元化合物选自于由gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb及其混合物组成的组。
148.iv-vi族化合物可以选自于由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组，所述二元化合物选自于由sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte及其混合物组成的组，所述三元化合物选自于由snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte及其混合物组成的组，所述四元化合物选自于由snpbsse、snpbsete、snpbste及其混合物组成的组。iv族元素可以选自于由si、ge及其混合物组成的组。iv族化合物可以是选自于由sic、sige及其混合物组成的组的二元化合物。
149.在这种情况下，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度分布的状态存在于相同的颗粒中。另外，量子点可以具有其中壳围绕核的核-壳结构。核和壳之间的界面可以具有浓度梯度，使得存在于壳中的元素的浓度朝向中心减小。
150.在一个或更多个实施例中，量子点可以具有核-壳结构，所述核-壳结构包括包含上述纳米晶体的核以及围绕核的壳。量子点的壳可以通过防止核的化学改性来用作用于保持半导体特性的保护层并且/或者用作用于赋予量子点电泳特性的充电层(荷电层)。壳可
以是单层或多层。量子点的壳的示例可以包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。
151.金属或非金属氧化物的示例可以包括诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio的二元化合物或者诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4的三元化合物，但是本公开不限于此。
152.此外，半导体化合物的示例可以包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb等，但是本公开不限于此。
153.波长转换层qdl还可以包括用于在随机方向上散射发光元件le的光的散射体。散射体可以具有与第一基体树脂brs1的折射率不同的折射率，并且与第一基体树脂brs1形成光学界面。例如，散射体可以是光散射颗粒。散射体没有具体限制，只要其是能够散射透射光中的至少一部分的材料即可，但可以是例如金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物颗粒的金属氧化物的示例可以包括氧化钛(tio2)、氧化锆(zro2)、氧化铝(al2o3)、氧化铟(in2o3)、氧化锌(zno)、氧化锡(sno2)等，并且有机颗粒的材料的示例可以包括丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂等。不管入射光的入射方向如何，散射体可以在随机方向上散射光而基本上不转换光的波长。
154.随着波长转换层qdl在第三方向dr3上的厚度增大，包括在波长转换层qdl中的第一波长转换颗粒wcp1的含量增加，波长转换层qdl的光转换效率因此可以增大。因此，考虑到波长转换层qdl的光转换效率来设定(例如，适当地设定)波长转换层qdl的厚度。
155.在上述波长转换基底200中，从发光元件le发射的第一光的一部分可以通过波长转换层qdl转换为第四光。波长转换层qdl可以将第一光与第四光混合以发射白色的第五光。第五光(其是从波长转换层qdl发射的白光)中的仅第一光可以透射通过第一滤色器cf1，第五光中的仅第二光可以透射通过第二滤色器cf2，并且第五光中的仅第三光可以透射通过第三滤色器cf3。因此，从波长转换基底200发射的光可以是蓝光的第一光、红光的第二光和绿光的第三光，通过第一光、第二光和第三光可以实现全色。
156.第一保护层ptf1可以设置在分隔壁pw和波长转换层qdl上，并且可以覆盖分隔壁pw和波长转换层qdl。第一保护层ptf1可以设置为遍及显示区域da和非显示区域nda。第一保护层ptf1可以在显示区域da中保护波长转换层qdl，并且使由于波长转换层qdl而形成的台阶平坦化。第一保护层ptf1的与发光元件le相邻的一个表面可以是平坦的。
157.第一保护层ptf1可以设置在发光元件le与波长转换层qdl之间，并且可以防止波长转换层qdl的第一波长转换颗粒wcp1由于发光元件le的发热而被损坏。第一保护层ptf1在最厚部分处的厚度可以是大约1μm至10μm。第一保护层ptf1可以包括有机绝缘材料，例如，环氧类树脂、丙烯酸类树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。
158.在一个或更多个实施例中，粘合层adl可以设置在发光元件层120与波长转换基底200之间。粘合层adl将其上形成有发光元件层120的半导体电路基底110和波长转换基底200彼此粘合，并且可以包括透明材料。粘合层adl可以包括例如丙烯酰类材料、硅类材料、氨基甲酸酯类材料等，并且可以包括可uv固化或可热固化的材料。
159.图3是图1的部分“p1”的放大平面图。图4是沿着图3的线q2-q2'截取的剖视图。
160.参照图1至图3，如上所述，第一面板垫区域pda1可以包括多个第一面板垫pd1。
161.多个第一面板垫pd1可以设置在第一面板垫区域pda1中。多个第一面板垫pd1可以设置在半导体电路基底110上。
162.在平面图中，多个第一面板垫pd1可以布置为形成在第一方向dr1上延伸的两行或更多行。例如，如图3中所示，多个第一面板垫pd1可以布置为形成在第一方向dr1上延伸的第一行r1和第二行r2。然而，本公开不限于此，并且多个第一面板垫pd1可以布置为形成三行或更多行。
163.第一行r1中的第一面板垫pd1可以设置为比第二行r2中的第一面板垫pd1更邻近显示面板dp的边缘、半导体电路基底110的边缘、第一垫区域pda2和第一垫cpd1。第二行r2中的第一面板垫pd1可以设置为比第一行r1中的第一面板垫pd1更邻近显示面板dp的显示区域da或共电极连接区域cpa。
164.多个第一面板垫pd1可以布置为在平面图中形成z字形(zigzag)图案。详细地，如图3中所示，第一行r1中的第一面板垫pd1可以沿着第一方向dr1以第一节距(pitch)p_pd1布置，并且第二行r2中的第一面板垫pd1也可以沿着第一方向dr1以第一节距p_pd1布置。在这种情况下，第一行r1中的第一面板垫pd1和第二行r2中的与第一行r1的第一面板垫pd1最邻近的第一面板垫pd1可以在第一方向dr1上以小于第一节距p_pd1的第二节距p_pd2布置。
165.第一节距p_pd1可以是第二节距p_pd2的大约两倍。第二节距p_pd2可以与多个发射区域ea1、ea2和ea3以其布置的参考节距p_ea基本上相同。然而，本公开不限于此，并且第二节距p_pd2可以大于或小于参考节距p_ea。
166.第一节距p_pd1可以等于或小于第一面板垫pd1的宽度w_pd1或第一接合部分wr_bd1的宽度w_wr_bd1的两倍。例如，当第一面板垫pd1的宽度w_pd1或第一接合部分wr_bd1的宽度w_wr_bd1为大约60μm至70μm时，第一节距p_pd1可以为大约120μm至140μm或更小。然而，本公开不限于此，并且第一节距p_pd1可以大于第一面板垫pd1的宽度w_pd1的两倍。
167.第二节距p_pd2可以小于第一面板垫pd1的宽度w_pd1。在这种情况下，第一行r1中的第一面板垫pd1之间在第一方向dr1上的间隙可以小于第一面板垫pd1的宽度w_pd1。第一面板垫pd1的宽度w_pd1可以是在第一方向dr1或第二方向dr2上的宽度。第一面板垫pd1的宽度w_pd1可以是第一方向dr1上的最大宽度或平均宽度。例如，第二节距p_pd2可以是大约60μm至70μm或更小。然而，本公开不限于此，并且第二节距p_pd2可以与第一面板垫pd1的宽度w_pd1基本上相同，或者可以大于第一面板垫pd1的宽度w_pd1。
168.第一行r1中的第一面板垫pd1和第二行r2中的第一面板垫pd1可以在第二方向dr2上以第三节距p_pd3布置。第三节距p_pd3可以与第二节距p_pd2基本上相同，但不限于此。第三节距p_pd3可以大于或小于第二节距p_pd2。
169.第一行r1中的第一面板垫pd1相对于第二行r2中的与第一行r1中的第一面板垫pd1最邻近的第一面板垫pd1可以在与第一方向dr1和第二方向dr2交叉的对角线方向上定位。
170.第一行r1中的第一面板垫pd1可以设置为在第二行r2中的第一面板垫pd1之间在第二方向dr2上暴露。第一行r1中的第一面板垫pd1可以在第二方向dr2上与第二行r2中的第一面板垫pd1仅部分地叠置。然而，本公开不限于此，并且根据第二节距p_pd2与第一面板垫pd1的宽度w_pd1之间的关系，第一行r1中的第一面板垫pd1可以在第二方向dr2上与第二行r2中的第一面板垫pd1不叠置。
171.第一面板垫pd1可以在第二方向dr2上与第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3中的至少一个叠置。第一面板垫pd1可以在第二方向dr2上与第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3中的至少一个对准。第一面板垫pd1可以在第二方向dr2上与连接电极ccp叠置。
172.由于多个第一面板垫pd1以z字形形状布置，因此多个第一面板垫pd1可以沿着第一方向dr1以小节距布置，但是每个第一面板垫pd1可以与相邻的第一面板垫pd1以及连接到相邻的第一面板垫pd1的引线wr尽可能地间隔开，从而可以防止在相邻的第一面板垫pd1与对应的引线wr之间可能发生的连接故障。
173.在平面图中，多个第一面板垫pd1中的每个可以具有为了与相邻的第一面板垫pd1以及连接到相邻的第一面板垫pd1的引线wr尽可能地间隔开的形状。因此，可以防止第一面板垫pd1或引线wr的连接故障。例如，如图3中所示，多个第一面板垫pd1中的每个在平面图中可以具有基本上圆形形状。在这种情况下，与其中多个第一面板垫pd1中的每个在平面图中具有矩形形状或正方形形状的情况相比，多个第一面板垫pd1可以以较小的节距布置。然而，本公开不限于此，并且多个第一面板垫pd1中的每个在平面图中可以具有诸如矩形形状、正方形形状、椭圆形形状和菱形形状的各种形状。
174.进一步参照图2，第一面板垫pd1可以由与像素电极111、接触电极112和共接触电极113中的至少一个的材料相同的材料制成。第一面板垫pd1可以与像素电极111、接触电极112和共接触电极113中的至少一个并行(或同时)形成。第一面板垫pd1可以由与稍后将描述的引线wr的导电材料不同的导电材料制成，但不限于此。
175.参照图3，第一垫区域pda2可以包括连接到多个第一面板垫pd1中的相应第一面板垫pd1的多个第一垫cpd1。
176.如图3中所示，多个第一垫cpd1可以布置为形成在第一方向dr1上延伸的行。多个第一垫cpd1可以以与第二节距p_pd2或参考节距p_ea基本上相同的节距布置。然而，本公开不限于此，并且多个第一垫cpd1可以布置为在平面图中形成多个行，或者可以以与多个第一面板垫pd1所布置的方式相同或相似的方式布置为形成z字形图案。
177.第一垫cpd1可以在第二方向dr2上与第一面板垫pd1和连接电极ccp中的至少一个叠置。然而，本公开不限于此，并且多个第一垫cpd1中的每个可以设置为在第二方向dr2上不与第一面板垫pd1叠置。
178.例如，如图3中所示，多个第一垫cpd1中的每个在平面图中可以具有基本上正方形形状，但不限于此。多个第一垫cpd1中的每个在平面图中可以具有诸如矩形形状、圆形形状、椭圆形形状和菱形形状的各种形状。
179.显示装置1可以包括将第一垫cpd1和第一面板垫pd1彼此电连接的引线wr。
180.引线wr的一端可以连接到第一面板垫pd1，并且引线wr的另一端可以连接到第一垫cpd1。引线wr可以包括导电金属材料。例如，引线wr可以包括金、铜、铝、锡及其合金中的至少一种，但不限于此。
181.引线wr可以通过例如将细金属引线接合到诸如第一垫cpd1或第一面板垫pd1的垫以将第一垫cpd1和第一面板垫pd1彼此电连接的引线接合工艺来形成。
182.引线接合工艺可以包括：向供应金属引线的毛细管的尖端施加电压或热以将引线制成球形状并用毛细管压制制成球形状的引线(即，球状引线金属)以将引线附着到加热垫
的热压接合方法；向用于压制金属引线的毛细管施加超声波以将金属引线粘附到垫的超声方法；以及使用热和超声波二者的复合方法(例如，热超声方法或热压超声方法)。
183.引线wr可以包括接合到第一面板垫pd1的第一接合部分wr_bd1、接合到第一垫cpd1的第二接合部分wr_bd2以及将第一接合部分wr_bd1和第二接合部分wr_bd2彼此连接的连接部分wr_cn。
184.如图2和图3中所示，第一接合部分wr_bd1在平面图中可以具有基本上圆形形状，并且第二接合部分wr_bd2在平面图中可以具有基本上椭圆形形状。第一接合部分wr_bd1的尺寸可以大于第二接合部分wr_bd2的尺寸，但是第一接合部分wr_bd1和第二接合部分wr_bd2的尺寸以及第一接合部分wr_bd1和第二接合部分wr_bd2在平面图中的形状不限于此。
185.连接部分wr_cn的一端可以连接到第一接合部分wr_bd1，并且连接部分wr_cn的另一端可以连接到第二接合部分wr_bd2。例如，连接部分wr_cn的直径可以为大约24μm至26μm，但不限于此。
186.如图2中所示，连接部分wr_cn可以设置为在剖面上具有基于第一面板垫pd1(或第一垫cpd1)的表面的合适的环高度hl(例如，预定环高度hl)的环形状。环高度hl可以指最大高度或者指平均高度。
187.参照图3和图4，第一接合部分wr_bd1可以设置在第一面板垫pd1上。如上所述，可以通过将通过热压接合工艺或复合工艺形成的球压制到第一面板垫pd1上来形成第一接合部分wr_bd1。因此，第一接合部分wr_bd1在剖面上可以具有大致平坦的椭圆形形状。
188.第一接合部分wr_bd1的宽度w_wr_bd1可以小于第一面板垫pd1的宽度w_pd1。第一接合部分wr_bd1的宽度w_wr_bd1可以是在第一方向dr1或第二方向dr2上的最大宽度(或平均宽度)。然而，本公开不限于此，并且第一接合部分wr_bd1的宽度w_wr_bd1可以与第一面板垫pd1的宽度w_pd1相同，或者可以大于第一面板垫pd1的宽度w_pd1。
189.如图4中所示，当第一接合部分wr_bd1的宽度w_wr_bd1小于第一面板垫pd1的宽度w_pd1时，第一接合部分wr_bd1的边缘可以在剖面上与第一面板垫pd1的边缘间隔开第一距离d1。例如，第一距离d1可以大于大约0μm并且为5μm或更小，但不限于此。
190.第一面板垫pd1的宽度w_pd1可以由第一接合部分wr_bd1的宽度w_wr_bd1确定。详细地，第一面板垫pd1的宽度w_pd1可以由显示装置1的分辨率、垫(例如，第一面板垫pd1或第一垫cpd1)的根据分辨率的节距以及可以通过引线接合工艺形成的第一接合部分wr_bd1的最小宽度来确定。例如，第一接合部分wr_bd1的宽度w_wr_bd1可以是大约60μm，并且第一面板垫pd1的宽度w_pd1可以是大约60μm至65μm。在这种情况下，第二节距p_pd2可以等于或小于第一接合部分wr_bd1的宽度w_wr_bd1或第一面板垫pd1的宽度w_pd1，并且显示装置1的分辨率可以为大约2000ppi或更大，例如，大约5000ppi至6000ppi。然而，第一接合部分wr_bd1的宽度w_wr_bd1、第一面板垫pd1的宽度w_pd1、分辨率等不限于上述示例，并且可以根据显示装置1的设计而变化。
191.参照图1至图3，与第一面板垫区域pda1和第一垫区域pda2类似，多个第二面板垫和多个第二垫可以分别设置在第二面板垫区域pda3和第二垫区域pda4中。第二面板垫、第二垫以及第二面板垫与第二垫之间的连接方式可以与第一面板垫pd1、第一垫cpd1以及第一面板垫pd1与第一垫cpd1的连接方式基本上相同或相似。
192.图5是根据一个或更多个实施例的第一面板垫区域和第一垫区域的平面图。
193.参照图5，多个第一面板垫pd1可以在平面图中以z字形图案布置。多个第一面板垫pd1以其布置的节距如上面所描述。
194.如图5中所示，与图3的实施例不同，第一面板垫pd1中的每个在平面图中可以具有基本上菱形(或钻石)形状。在这种情况下，与其中第一面板垫pd1在平面图中具有基本上圆形形状(例如，见图3)的情况相比，多个第一面板垫pd1之间的节距会保持，但是第一面板垫pd1的面积可以增大，使得对于第一接合部分wr_bd1在第一方向dr1或第二方向dr2上的粘附余量或第一接合部分wr_bd1的粘附面积可以增大。因此，可以防止相邻引线wr之间的连接故障，并且可以改善引线wr与第一面板垫pd1的粘附力。
195.除了第一面板垫pd1在平面图中的形状之外，图5的实施例与图1至图4的实施例基本上相同或相似，因此下面将省略重复描述。
196.图6是根据一个或更多个实施例的第一面板垫区域和第一垫区域的平面图。
197.参照图6，多个第一面板垫pd1可以布置为形成在第一方向dr1上延伸的三行。
198.第一行r1可以与显示面板dp的边缘相邻地设置，第三行r3可以与显示面板dp的显示区域da相邻地设置，并且第二行r2可以设置在第一行r1与第三行r3之间。第一行r1中的第一面板垫pd1、第二行r2中的第一面板垫pd1和第三行r3中的第一面板垫pd1可以分别沿着第一方向dr1布置。
199.第一行r1、第二行r2和第三行r3中的至少一行中的第一面板垫pd1可以布置为具有与其他行中的第一面板垫pd1的节距不同的节距。
200.例如，如图6中所示，第二行r2中的第一面板垫pd1可以以第一节距p_pd1布置，但是第一行r1中的第一面板垫pd1和第三行r3中的第一面板垫pd1可以以相同的第四节距p_pd4布置。第四节距p_pd4可以是第一节距p_pd1或参考节距p_ea的大约两倍。第一行r1中的第一面板垫pd1、第二行r2中的第一面板垫pd1和第三行r3中的第一面板垫pd1可以沿着第二方向dr2以与第一节距p_pd1相同的节距布置，但不限于此。
201.第一行r1中的第一面板垫pd1和第三行r3中的第一面板垫pd1可以在第二行r2中的第一面板垫pd1之间在第二方向dr2上暴露。例如，如图6中所示，第一行r1的第一面板垫pd1和第三行r3的第一面板垫pd1可以沿着第一方向dr1交替地布置在第二行r2的第一面板垫pd1之间。第一面板垫pd1和与该第一面板垫pd1最相邻的另一第一面板垫pd1可以在第一方向dr1上彼此不叠置或者可以彼此仅部分地叠置。
202.然而，本公开不限于此，并且第一行r1、第二行r2和第三行r3中的第一面板垫pd1可以以相同的节距布置，并且第一行r1、第二行r2和第三行r3中的第一面板垫pd1可以在第二方向dr2上彼此不叠置或者可以彼此仅部分地叠置。
203.除了多个第一面板垫pd1的布置之外，图6的实施例与图1至图4的实施例基本上相同或相似，因此下面将省略重复描述。
204.图7是根据一个或更多个实施例的第一面板垫区域和第一垫区域的平面图。图8是沿着图7的线q3-q3'截取的剖视图。
205.参照图7，多个第一面板垫pd1可以布置为形成三行。
206.与图6的实施例类似，第一行r1可以与显示面板dp的边缘相邻地设置，第三行r3可以与显示面板dp的显示区域da相邻地设置，并且第二行r2可以设置在第一行r1与第三行r3之间。第一行r1中的第一面板垫pd1、第二行r2中的第一面板垫pd1和第三行r3中的第一面
板垫pd1可以分别沿着第一方向dr1布置。
207.第一行r1中的第一面板垫pd1、第二行r2中的第一面板垫pd1和第三行r3中的第一面板垫pd1可以在第一方向dr1上以相同的第一节距p_pd1布置。第一节距p_pd1可以与参考节距p_ea相同或小于参考节距p_ea。
208.如图7中所示，第一行r1中的第一面板垫pd1和第三行r3中的第一面板垫pd1可以布置为在第二方向dr2上彼此叠置，但是第二行r2中的第一面板垫pd1可以设置为在第一行r1中的第一面板垫pd1之间和/或第三行r3中的第一面板垫pd1之间在第二方向dr2上暴露。也就是说，第二行r2中的第一面板垫pd1可以设置为在第二方向dr2上不与第一行r1中的第一面板垫pd1或第三行r3中的第一面板垫pd1叠置或部分叠置。
209.多个第一垫cpd1可以以与多个第一面板垫pd1所布置的方式基本上相同或相似的方式布置，但不限于此。
210.参照图7和图8，在剖面上，第一行r1中的第一面板垫pd1可以通过第一引线wr1连接到与第一电路板cb1的边缘最邻近的第一垫cpd1。第二行r2中的第一面板垫pd1可以通过第二引线wr2连接到与第一电路板cb1的边缘间隔开、比连接到第一引线wr1的第一垫cpd1远的第一垫cpd1。第三行r3中的第一面板垫pd1可以通过第三引线wr3连接到与第一电路板cb1的边缘间隔开、比连接到第二引线wr2的第一垫cpd1远的第一垫cpd1。
211.在平面图中，第一引线wr1和第三引线wr3可以在第三方向dr3上至少彼此部分叠置。在剖面上，第一引线wr1可以具有第一环高度hl1，并且第三引线wr3可以具有大于第一环高度hl1的第二环高度hl2。因此，可以防止第一引线wr1与第三引线wr3之间的短路。第二引线wr2可以具有等于或大于第一环高度hl1且小于第二环高度hl2的环高度，但不限于此。
212.除了多个第一面板垫pd1、多个第一垫cpd1和引线wr之外，图7的实施例与图1至图4的实施例基本上相同或相似，因此下面将省略重复描述。
213.图9是根据一个或更多个实施例的第一面板垫区域和第一垫区域的平面图。图10是沿着图9的线q4-q4'截取的剖视图。
214.参照图9和图10，多个第一面板垫pd1中的每个可以包括凹陷部分pd1_r。
215.如图9和图10中所示，凹陷部分pd1_r可以形成在第一面板垫pd1的中间部分处，并且可以与第一接合部分wr_bd1在第三方向dr3上叠置。凹陷部分pd1_r可以从第一面板垫pd1的第一接合部分wr_bd1所附着到的上部朝向第一面板垫pd1的下部凹陷。因此，第一面板垫pd1可以具有例如类似于井的形状，所述井的上部的中间部分是凹的。
216.第一接合部分wr_bd1可以附着到第一面板垫pd1的上部，以填充凹陷部分pd1_r。如图10中所示，第一接合部分wr_bd1的附着面积可以通过凹陷部分pd1_r增加，从而可以改善引线wr的粘附力。
217.图11是示出根据一个或更多个实施例的包括显示装置的虚拟现实装置的示意图。
218.图11示出了应用根据一个或更多个实施例的显示装置1的虚拟现实装置1000。
219.参照图11，根据一个或更多个实施例的虚拟现实装置1000可以是眼镜型装置。根据一个或更多个实施例的虚拟现实装置1000可以包括显示装置1、左眼透镜10a、右眼透镜10b、支撑框架20、眼镜框架腿30a和30b、反射构件40和显示装置容纳单元50。
220.在图11中已经示出了包括眼镜框架腿30a和30b的虚拟现实装置1000，但是根据一个或更多个实施例的虚拟现实装置也可以应用于包括可以安装在使用者的头部上的头戴
式带而不是眼镜框架腿30a和30b的头戴式显示器。也就是说，根据一个或更多个实施例的虚拟现实装置不限于图11中所示的虚拟现实装置1000，并且可以以各种形式应用于各种其他电子装置。
221.显示装置容纳单元50可以包括显示装置1和反射构件40。显示在显示装置1上的图像可以被反射构件40反射并且通过右眼透镜10b提供给使用者的右眼。因此，使用者可以通过他/她的右眼观看显示在显示装置1上的虚拟现实图像。
222.在图11中已经示出了显示装置容纳单元50设置在支撑框架20的右远端处，但是本公开的一个或更多个实施例不限于此。例如，显示装置容纳单元50可以设置在支撑框架20的左远端处。在这种情况下，显示在显示装置1上的图像可以被反射构件40反射并且通过左眼透镜10a提供给使用者的左眼。因此，使用者可以通过他/她的左眼观看显示在显示装置1上的虚拟现实图像。可选地，显示装置容纳单元50可以设置在支撑框架20的左远端和右远端两者处。在这种情况下，使用者可以通过他/她的左眼和右眼两者观看显示在显示装置1上的虚拟现实图像。
223.图12是示出根据一个或更多个实施例的包括显示装置的智能装置的示意图。
224.参照图12，根据一个或更多个实施例的显示装置1可以应用于作为智能装置中的一种的智能手表2000。
225.图13是示出根据一个或更多个实施例的包括显示装置的车辆的示意图。
226.在图13中示出了应用根据一个或更多个实施例的显示装置1的车辆。
227.参照图13，根据一个或更多个实施例的显示装置1可以应用于车辆的仪表板10_a，应用于车辆的中央仪表板(center fascia)10_b，或者应用于设置在车辆的仪表盘(dashboard)上的中央信息显示器(cid)10_c、10_d或10_e。另外，根据一个或更多个实施例的显示装置1可以应用于替代车辆的侧视镜的室内镜显示器。
228.图14是示出根据一个或更多个实施例的包括显示装置(例如，显示装置1)的透明显示装置的示意图。
229.参照图14，根据一个或更多个实施例的显示装置1可以应用于透明显示装置3000。透明显示装置3000可以在显示图像im的同时透射光。因此，定位在透明显示装置3000的前表面处的使用者不仅可以观看显示在显示装置1上的图像im，而且可以看到定位在透明显示装置3000的后表面处的对象rs或背景。当显示装置1应用于透明显示装置3000时，构成图2中所示的显示面板dp的至少一个层(或构件)可以包括能够透射光的透光部分，或者可以由能够透射光的材料制成。
230.然而，本公开的实施例的方面和特征不限于这里阐述的方面和特征。通过参照其功能等同物包括在其中的权利要求，本公开的实施例的以上和其他方面及特征对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。