一种显示面板及显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示术领域，特别是涉及一种显示面板及显示装置。


背景技术：

2.本部分提供的仅仅是与本技术相关的背景信息，其并不必然是现有技术。
3.随着科技的发展，光敏单元具有轻便化、广泛应用的发展趋势。光敏单元可以集成于显示面板内，以实现屏下指纹识别、光学触控、手势交互等用途。
4.相关技术中，光敏单元集成于显示面板时，多采用显示面板中的阳极层作为光敏单元的光敏信号线，而由于阳极层多采用银等光反射性较高的材料，光敏信号线使得显示面板的反射率增加，影响显示面板的显示效果及产品性能。


技术实现要素：

5.本技术实施例的目的在于提供一种显示面板及显示装置，以降低显示面板的反射率，提高显示面板的显示效果及产品性能。具体技术方案如下：
6.本技术第一方面的实施例提供了一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
7.衬底基板；
8.多个像素单元，所述多个像素单元位于所述衬底基板的一侧且呈阵列分布，像素单元包括第一晶体管以及与所述第一晶体管对应设置的发光单元，所述发光单元包括位于所述第一晶体管远离所述衬底基板的一侧，且沿远离所述第一晶体管的方向依次分布的阳极层、发光层及阴极层，所述阳极层与所述第一晶体管过孔连接；
9.第二晶体管及与所述第二晶体管电连接的光敏单元，所述阴极层与所述光敏单元过孔连接。
10.一些实施例中，所述显示面板还包括搭接层，所述搭接层与所述阳极层同层设置，所述阴极层与所述搭接层过孔连接，且所述搭接层与所述光敏单元过孔连接。
11.一些实施例中，所述第一晶体管包括位于所述衬底基板一侧的第一有源层、第一金属层和第二金属层，所述第一金属层包括第一栅极，所述第二金属层包括第一源极和第一漏极；
12.所述第二晶体管包括第二有源层、第三金属层和第四金属层，所述第三金属层包括第二栅极，所述第四金属层包括第二源极和第二漏极，所述光敏单元与所述第二源极或所述第二漏极电连接；
13.所述第一有源层与所述第二有源层同层设置，所述第一金属层与所述第三金属层同层设置，且所述第二金属层与所述第四金属层同层设置。
14.一些实施例中，所述光敏单元包括位于所述衬底基板一侧且沿远离所述衬底基板的方向依次分布的第一电极、光敏层和第二电极，所述第一电极与所述第二源极或所述第二漏极电连接，所述阴极层与所述第二电极过孔连接；
15.一些实施例中，所述光敏单元还包括：
16.第一半导体层，所述第一半导体层位于所述第一电极与所述光敏层之间；
17.第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第二电极与所述光敏层之间。
18.一些实施例中，所述第一晶体管还包括第五金属层，所述第五金属层位于所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧，所述第五金属层与所述第一源极或所述第一漏极过孔连接，所述阳极层与所述第五金属层过孔连接，所述第一电极与所述第五金属层同层设置。
19.一些实施例中，所述第一晶体管还包括第六金属层，所述第六金属层位于所述第一金属层远离所述第一有源层的一侧，所述第六金属层包括第三栅极，所述第三金属层与所述第一金属层同层设置，或所述第三金属层与所述第六金属层同层设置。
20.一些实施例中，所述显示面板还包括封装层，所述封装层位于所述多个像素单元远离所述衬底基板的一侧，且所述封装层覆盖所述多个像素单元。
21.一些实施例中，所述显示面板还包括：
22.黑矩阵层，所述黑矩阵层位于所述封装层远离所述衬底基板的一侧，所述黑矩阵层具有间隔设置的多个中空区，所述黑矩阵层还包括透光区，所述透光区在所述衬底基板上的正投影至少部分覆盖所述光敏单元在所述衬底基板上的正投影；
23.彩膜层，所述彩膜层位于所述封装层远离所述衬底基板的一侧，所述彩膜层包括覆盖所述多个中空区的多个色阻块，色阻块在所述衬底基板上的正投影至少部分覆盖所述发光单元在所述衬底基板上的正投影。
24.本技术第二方面的实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一所述的显示面板。
25.本技术实施例有益效果：
26.本技术实施例提供的一种显示面板及显示装置，显示面板包括衬底基板、位于衬底基板一侧的多个像素单元、第二晶体管及与第二晶体管电连接的光敏单元。其中，每一像素单元包括一个第一晶体管和与第一晶体管对应设置的一个发光单元，发光单元和与其对应设置的第一晶体管电连接，第一晶体管用于驱动发光单元，使得发光单元中的发光层复合发光。发光单元还包括位于发光层靠近衬底基板一侧的阳极层，以及位于发光层远离衬底基板一侧的阴极层。第二晶体管与光敏单元电连接，第二晶体管用于控制用于控制光敏单元中的电学信号是否导出，具体的，当第二晶体管开启时，能够读取由光敏单元所获取到的光信号所转换而成的电信号。本技术实施例中，阴极层与光敏单元过孔连接，阴极层用作光敏单元的光敏信号线，因此显示面板中无需采用阳极层作为光敏单元的光敏信号线，可以减小阳极层的面积，降低光敏信号线对显示面板反射率的影响，从而可以降低显示面板的反射率，提高显示面板的显示效果及产品性能。
27.当然，实施本技术的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
28.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
29.图1为相关技术中一种显示面板的一种结构示意图；
30.图2为本技术一些实施中一种显示面板的一种结构示意图；
31.图3为图2中b区域的一种放大图；
32.图4为图2中b区域的另一种放大图；
33.图5为图2中沿a-a方向的一种剖视图；
34.图6为图2中沿a-a方向的另一种剖视图；
35.图7为图2中沿a-a方向的又一种剖视图；
36.图8为图2中沿a-a方向的再一种剖视图。
具体实施方式
37.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员基于本技术所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
38.应理解的是，文中使用的术语仅出于描述特定示例实施方式的目的，而无意于进行限制。除非上下文另外明确地指出，否则如文中使用的单数形式“一”、“一个”以及“所述”也可以表示包括复数形式。术语“包括”、“包含”、“含有”以及“具有”是包含性的，并且因此指明所陈述的特征、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除存在或者添加一个或多个其它特征、步骤、操作、元件、部件、和/或它们的组合。文中描述的方法步骤、过程、以及操作不解释为必须要求它们以所描述或说明的特定顺序执行，除非明确指出执行顺序。还应当理解，可以使用另外或者替代的步骤。
39.尽管可以在文中使用术语第一、第二、第三等来描述多个元件、部件、区域、层和/或部段，但是，这些元件、部件、区域、层和/或部段不应被这些术语所限制。这些术语可以仅用来将一个元件、部件、区域、层或部段与另一区域、层或部段区分开。除非上下文明确地指出，否则诸如“第一”、“第二”之类的术语以及其它数字术语在文中使用时并不暗示顺序或者次序。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部段在不脱离示例实施方式的教导的情况下可以被称作第二元件、部件、区域、层或部段。
40.为了便于描述，可以在文中使用空间相对关系术语来描述如图中示出的一个元件或者特征相对于另一元件或者特征的关系，这些相对关系术语例如为“内部”、“外部”、“内侧”、“外侧”、“下面”、“下方”、“上面”、“上方”等。这种空间相对关系术语意于包括除图中描绘的方位之外的在使用或者操作中装置的不同方位。例如，如果在图中的装置翻转，那么描述为“在其它元件或者特征下面”或者“在其它元件或者特征下方”的元件将随后定向为“在其它元件或者特征上面”或者“在其它元件或者特征上方”。因此，示例术语“在
……
下方”可以包括在上和在下的方位。装置可以另外定向，例如旋转90度或者在其它方向，并且文中使用的空间相对关系描述符相应地进行解释。
41.需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为
在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
42.相关技术中，如图1所示，显示面板包括多个呈阵列分布的多个像素单元1’及位于多个像素单元1’之间的光敏单元2’。光敏单元2’通过光敏信号线3’与多个像素单元1’电连接。目前多采用像素单元1’中的阳极层作为光敏信号线3’。且为保证多个光敏单元2’具有等电势，增加显示面板的电学稳定性，部分或全部的光敏信号线3’连接为一体结构，如图1所示。由于采用阳极层作为像素单元1’中的光敏信号线3’，因此显示面板中阳极层的面积增加，又由于阳极层多采用银、钛等光反射率较高的金属，光敏信号线3’使得显示面板的反射率增加，影响显示面板的显示效果及产品性能。
43.为降低显示面板的反射率，提高显示面板的显示效果及产品性能，本技术实施例提供了一种显示面板及显示装置，下面将结合附图对本技术实施例提供的显示面板及显示装置进行详细说明。其中，显示面板包括但不限于lcd(liquid crystal display，液晶显示器)显示面板、tft-lcd(thin film transistor-liquid crystal display，薄膜晶体管液晶显示器)显示面板、oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示面板、qled(quantum dot light-emitting diodes，量子点电致发光二极管)显示面板、mini led(mini light-emitting diode，小型发光二极管)显示面板及micro led(micro light-emitting diode，微型发光二极管)显示面板等。
44.本技术第一方面的实施例提供了一种显示面板，如图2至图5所示，显示面板100包括衬底基板1及多个像素单元2。其中，多个像素单元2位于衬底基板1的一侧且呈阵列分布，像素单元2包括第一晶体管21以及与第一晶体管21对应设置的发光单元22，发光单元22包括位于第一晶体管21远离衬底基板1的一侧，且沿远离第一晶体管21的方向依次分布的阳极层221、发光层222及阴极层223，阳极层221与第一晶体管21过孔连接。显示面板100还包括第二晶体管及3及与第二晶体管3电连接的光敏单元4，阴极层223与光敏单元4过孔连接。
45.本技术实施例中，显示面板100包括多个像素单元2，每一像素单元2均可以包括一个第一晶体管21和与第一晶体管21电连接的发光单元22。每一发光单元22可以包括阳极层221、发光层222及阴极层223。阳极层221可以通过过孔结构与第一晶体管21电连接，以使第一晶体管21可以向发光单元22输入驱动信号，使得发光层222中的电子复合发光。其中，阳极层221可以为像素单元2的像素电极，或阳极层221用于与像素电极电连接。阴极层223可以为像素单元2的公共电极，或阴极层223用于与公共电极电连接。
46.进一步的，多个像素单元2中的部分或全部像素单元2的阴极层223可以连接为一体结构，以使部分或全部像素单元2具有等电势。
47.进一步的，阳极层221可以为金属层，例如，阳极层221的材料可以包括ag(银)、al(铝)、cu(铜)、mo(钼)、cr(铬)、ti(钛)等金属，或包含上述金属的合金。更进一步的，阳极层221可以为透明氧化物金属层，例如阳极层221的材料可以包括ito(indium tin oxides，氧化铟锡)、izo(indium zinc oxides，氧化铟锌)等。
48.进一步的，阴极层223可以为金属层，例如，阴极层223的材料可以包括ag(银)、al(铝)、cu(铜)、mo(钼)、cr(铬)、ti(钛)等金属，或包含上述金属的合金。更进一步的，阴极层223可以为透明氧化物金属层，例如阴极层223的材料可以包括ito(indium tin oxides，氧化铟锡)、izo(indium zinc oxides，氧化铟锌)等。阳极层221与阴极层223的材料可以相同
也可以不同，本技术对此不作限定。
49.本技术实施例中，第二晶体管3与光敏单元4电连接，第二晶体管3用于控制光敏单元中的电学信号是否导出。具体的，光敏单元4用于获取不同光照强度下的光信号，并能够将光信号转化为电信号。第二晶体管3开启时，光敏单元4中的电学信号能够导出，第二晶体管3能够由光敏单元4中读取电学信号，相对应的，第二晶体管4关闭时，光敏单元4中的电信号无法导出，第二晶体管3无法由光敏单元4中读取电信号。
50.进一步的，如图5所示，显示面板100还包括位于第一晶体管21及发光单元22之间的第一平坦化层5，第一平坦化层5上设有过孔结构，阳极层221过孔结构与第一晶体管21电连接，且阴极层223通过过孔结构52与光敏单元4电连接。其中，第一平坦化层5用于使第一晶体管21及第二晶体管3表面更加平坦，易于布置发光单元22等其他层结构。第一平坦化层5可以为具有绝缘性的树脂(resin)层，以增加第一平坦化层5的绝缘性。
51.本技术实施例提供的显示面板100中，如图3和图4所示，图3和图4为显示面板中具有光敏单元4的部分区域b的结构示意图，需要说明的是，区域b不表示显示面板100中包括光敏单元4的全部区域，显示面板100中具有光敏单元4的区域范围可以根据实际需求设定，例如，显示面板100中显示区域均可具有光敏单元4，或显示区域中至少1/2的区域具有光敏单元，本技术对此不作限定。阴极层223与光敏单元4过孔连接，阴极层223用作光敏单元4的光敏信号线，因此显示面板100中无需采用阳极层221作为光敏单元4的光敏信号线，可以减小阳极层221的面积，能够降低光敏信号线4对显示面板反射率的影响，从而可以降低显示面板100的反射率，提高显示面板100的显示效果及产品性能。需要说明的是，由于显示面板100中多个像素单元2的阴极层223可以连接为一体结构以具有等电势，采用阴极层223作为光敏单元4的光敏信号线，多个光敏单元4的光敏信号线也连接为一体结构，不需要额外增加阴极层223的面积，因此不会增加显示面板100的反射率。
52.其中，光敏单元4的数量，及光敏单元4的数量与多个像素单元2的数量之间的关系可以根据实际需求设定，例如根据光敏单元4的应用场景、显示面板100所需的像素密度及像素分辨率等确定，本技术对此不作限定。
53.一些实施例中，如图3、图4及图6所示，显示面板100还包括搭接层6，搭接层6与阳极层221同层设置，阴极层223与搭接层6过孔连接，且搭接层6与光敏单元4过孔连接。
54.本技术实施例中，搭接层6可以包括多个搭接块61，且多个搭接块61位于阴极层223及光敏单元4之间。每一光敏单元4均可以通过一个搭接块61与阴极层223过孔连接。其中，在阴极层223与光敏单元4之间设置搭接块61，在阴极层223与光敏单元4通过过孔结构电连接的过程中，搭接块61可以降低因刻蚀过孔结构而导致光敏单元4中的金属层出现过刻的概率，提高阴极层223与光敏单元4的连接稳定性。其中，搭接层6与阳极层221可以设置于同一层，且搭接层6与阳极层221可以同层制作，即搭接层6及阳极层221可以在制备工艺中同层形成，例如采用同一材料层通过构图工艺形成，降低工艺复杂度。
55.可选的，阴极层223也可以通过过孔结构与光敏单元4直接接触连接，如图5所示，本技术对此不作限定。
56.一些实施例中，如图5及图6所示，第一晶体管21包括位于衬底基板1一侧的第一有源层211、第一金属层212和第二金属层213，第一金属层212包括第一栅极2121，第二金属层213包括第一源极2131和第一漏极2132。第二晶体管3包括第二有源层31、第三金属层32和
第四金属层33，第三金属层32包括第二栅极321，第四金属层33包括第二源极331和第二漏极332，光敏单元4与第二源极331或第二漏极332电连接。第一有源层311与第二有源层31同层设置，第一金属层212与第三金属层32同层设置，且第二金属层213与第四金属层33同层设置。
57.本技术实施例中，第一有源层211及第二有源层31的材料可以包括半导体材料，如si、a-si等。第一有源层211及第二有源层31的材料还可以包括金属氧化物，如igzo(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)等，以提高第一有源层211及第二有源层31的电子迁移率。第一有源层211及第二有源层31可以在制备工艺中同层形成，例如采用同一材料层通过构图工艺形成，降低工艺复杂度。
58.第一金属层212和第三金属层31可以为栅极金属层，第一金属层213和第三金属层31的材料可以包括金属材料或者合金材料，例如铜、铝、银等金属材料或包含上述金属材料的合金材料。此外，第一金属层212和第三金属层31可以为金属单层结构或多层结构。第一金属层213和第三金属层31可以在制备工艺中同层形成，例如采用同一材料层通过构图工艺形成，降低工艺复杂度。
59.第二金属层213与第四金属层33可以为数据金属层，第二金属层213与第四金属层33的材料可以包括金属材料或者合金材料，例如铜、铝、银等金属材料或包含上述金属材料的合金材料。此外，第二金属层213与第四金属层33可以为金属单层结构或多层结构。第二金属层213与第四金属层33可以在制备工艺中同层形成，例如采用同一材料层通过构图工艺形成，降低工艺复杂度。
60.进一步的，如图5及图6所示，光敏单元4可以与第二源极331或第二漏极332直接接触连接。
61.进一步的，如图5及图6所示，第一晶体管21还包括第六金属层214，第六金属层214位于第一金属层212远离第一有源层211的一侧，第六金属层214包括第三栅极2141，第三金属层32与第一金属层212同层设置，或第三金属层32与第六金属层214同层设置。其中，第三栅极2141可以用于与第一栅极2121形成电容。
62.进一步的，如图5及图6所示，第一晶体管21还包括位于衬底基板1的上的第一绝缘层215、位于第一金属层212上的第二绝缘层216、位于第六金属层214上的层间介电层217、位于第二金属层213上的第一钝化层218，以及位于第一钝化层218上的第二钝化层219。其中，第一绝缘层215、第二绝缘层216、层间介电层217、第一钝化层218及第二钝化层219均延伸至第二晶体管3。
63.一些实施例中，如图5及图6所示，光敏单元4包括位于衬底基板1一侧且沿远离衬底基板1的方向依次分布的第一电极41、光敏层42和第二电极43，第一电极41与第二源极321或第二漏极322电连接，阴极层233与第二电极43过孔连接。
64.本技术实施例中，第一电极41为底电极，第二电极43为顶电极。光照强度会使光敏层42的电学性质会发生变化。其中，电学性质包括但不限于介电常数、电阻、光生载流子等。以电学性质为介电常数为例，光照强度与介电常数的变化关系可以为，随着光照强度增大，光敏层41的介电常数减小；或者随着光照强度增大，光敏层42的介电常数增大。因此在光敏单元4中设置光敏层42，当有光照射到光敏层42时，由于光敏层42电学性质的变化，会改变第一电极41和第二电极43之间输出的电流的大小，使得第二晶体管3能够有效区分不同光
线照射下输出信号端的电流信号的读取情况，使得光敏单元4具有较高的灵敏度。
65.其中，第二晶体管3可以控制光敏单元中的电学信号是否导出。例如，第二晶体管3作为控制开关，按一定的时间间隔进行导通和断开，第二晶体管3导通时，光敏单元4中的电流通过第二晶体管3能够被外部检测电路读取，外部检测电路根据读取到的电流值的变化即可准确判断出光敏单元4感应到的触发信号。通过光敏层42接受不同强度的光照射，导致其电学性质发生不同的变化，使得光敏单元4输出的电流相较于不接受光照射时有一个明显的变化量，然后通过检测电流的变化量有效区分不同光照情况下检测信号的不同。
66.进一步的，第二电极43的的材料可以为透明金属氧化物，如ito、izo等，使得第二电极43具有较高的透光率，从而降低第二电极43对光敏层42的遮挡及影响。
67.进一步的，光敏层42的材料可以包括a-si、p3ht(3-己基噻吩的聚合物)、pcbm(富勒烯衍生物)等光敏材料。
68.一些实施例中，如图8所示，第一电极41与阳极层221同层设置。具体的，如图8所示，第一电极41与阳极层221位于同一层，且可以通过同一次制备工艺同层形成，降低工艺复杂度。基于此，光敏单元4中的光敏层42可以位于阳极层221和阴极层223之间。其中，第一电极41与阳极层221同层设置，也可以理解为增加与阳极层221同层设置的搭接块61的面积，然后将搭接块61作为光敏单元4的第一电极41，即作为光敏层42的底电极。此外，第一电极41及光敏单元4的位置可根据实际需调整，例如第一电极41也可以第一晶体管21中第二金属层213同层设置，本技术对此不作限定。
69.一些实施例中，光敏单元4还包括第一半导体层44和第二半导体层45，第一半导体44层位于第一电极41与光敏层42之间，第二半导体层45位于第二电极43与光敏层42之间。第一半导体层44用于降低第一电极41与光敏层42之间的电阻，使得第一电极41与光敏层42之间实现较好的欧姆接触。类似的，第二半导体层45用于降低第二电极43与光敏层42之间的电阻，使得第二电极43与光敏层42之间实现较好的欧姆接触。
70.进一步的，第一半导体层44侧材料可以包括n
+
a-si，第二半导体层45的材料可以包括p
+
a-si。
71.一些实施例中，第一晶体管21还包括第五金属层210，第五金属层210位于第二金属层213远离衬底基板1的一侧，第五金属层210与第一源极2131或第一漏极2132过孔连接，阳极层221与第五金属层210过孔连接，第一电极41与第五金属层210同层设置。
72.本技术实施例中，如图5及图6所示，第一电极41与第五金属层210同层设置，使得光敏单元4和与第四金属层33电连接的其他走线及电学器件位于不同层，能够降低与第四金属层33电连接的其他走线及电学器件对光敏单元4的影响，使得光敏单元4的空间排布更加合理。阳极层221通过第五金属层210与第一源极2131或第一漏极2132电连接，且阳极层221通过过孔结构与第一源极2131或第一漏极2132电连接，因此第五金属层210能够降低因刻蚀过孔结构而导致第二金属层213出现过刻的概率，提高阳极层221与第二金属层213的连接稳定性。
73.一些实施例中，如图6所示，显示面板100还包括封装层7，封装层7位于多个像素单元2远离衬底基板1的一侧，且封装层7覆盖多个像素单元2。进一步的，封装层7还覆盖多个光敏单元4及第二晶体管3，封装层7用于将多个像素单元2、多个光敏单元4及第二晶体管3封装起来，降低水汽等杂质进入多个像素单元2、多个光敏单元4及第二晶体管3的概率，对
显示面板100进行保护，提高显示面板100的良率。
74.一些实施例中，如图7所示，显示面板100还包括黑矩阵层8和彩膜层9，黑矩阵层8位于封装层7远离衬底基板1的一侧，黑矩阵层8具有间隔设置的多个中空区81，黑矩阵层8还包括透光区82，透光区82在衬底基板1上的正投影至少部分覆盖光敏单元4在衬底基板1上的正投影。彩膜层9位于封装层7远离衬底基板1的一侧，彩膜层9包括覆盖多个中空区81的多个色阻块91，色阻块91在衬底基板1上的正投影至少部分覆盖发光单元22在衬底基板1上的正投影。
75.一些实施例中，黑矩阵层8的材料可以为对近红外光透过率较高的材料，或黑矩阵层8中与光敏单元4相对的区域的材料为对近红外光透过率较高的材料，近红外光能够经由黑矩阵层8到达下方的光敏单元，基于此，黑矩阵层8上无需设置透光区82。
76.本技术实施例中，每一像素单元2均包括一个发光单元22。多个发光单元22分别位于多个色阻块91在衬底基板1上的正投影内，也就是，每一发光单元22都与彩膜层9上的一个色阻块91对应。具体的，每一发光单元22都与一个色阻块91的位置相同、形状相同，基于此，每一发光单元22产生的光能够很好地经过与其位置及形状相同的色阻块91透出，使得显示面板100的透光性较好。其中，多个色阻块91的形状包括但不限于矩形、菱形及椭圆形等。
77.进一步的，多个色阻块91的颜色也可以包括红、绿、蓝三原色，相对应的，多个发光单元22的颜色也可以包括红、绿、蓝三原色。具体的，多个色阻块91包括多个红色阻块、蓝色阻块及绿色阻块，多个发光单元22包括多个红光发光单元、蓝光发光单元及绿光发光单元，多个红光发光单元分别位于多个红色阻块在衬底基板1上的正投影内，多个蓝光发光单元分别位于多个蓝色阻块在衬底基板1上的正投影内，多个绿光发光单元分别位于多个绿色阻块在衬底基板1上的正投影内，使得发光单元22产生的光能够很好地经过与其位置及形状相同的色阻块91透出，从而呈现与色阻块91相同的颜色，使得显示面板100的透光性较好。
78.其中，黑矩阵层8为不透光结构，黑矩阵层8用于降低相邻的发光单元22之间出现光学串扰。黑矩阵层8上设置有透光区82，光线能够经由透光区82到达其下方的光敏单元4。能够降低黑矩阵层8光敏单元4的遮挡，提高光线透过率。
79.进一步的，透光区82在衬底基板1上的正投影完全覆盖光敏单元4在衬底基板1上的正投影，进一步降低黑矩阵层8对光敏单元4的遮挡，提高光线透过率。
80.本技术第二方面的实施例提供了一种显示装置，显示装置包括上述任一实施例中的显示面板100。显示装置包括但不限于手机、平板电脑、显示器、电视机、画屏、广告屏、电子纸等。
81.本技术实施例提供的显示装置包括的显示面板100中，阴极层223与光敏单元4过孔连接，阴极层223用作光敏单元4的光敏信号线，因此显示面板100中无需采用阳极层221作为光敏单元4的光敏信号线，可以减小阳极层221的面积，降低光敏信号线4对显示面板100反射率的影响，从而可以降低显示面板100的反射率，提高显示面板100的显示效果及产品性能。需要说明的是，由于显示面板100中多个像素单元2的阴极层223可以连接为一体结构以具有等电势，采用阴极层223作为光敏单元4的光敏信号线，多个光敏单元4的光敏信号线也连接为一体结构，不需要额外增加阴极层223的面积，因此不会增加显示面板100的反
射率。
82.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本技术的权利要求和说明书的范围当中。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本技术并不局限于文中申请的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。