技术特征：
1.一种基于htcc的k波段射频微系统三维收发组件，其特征在于包括：金属底座（7），所述金属底座（7）的上表面固定有多层htcc基板（5），所述多层htcc基板（5）上形成有多个腔室，每个腔室内固定有一个射频芯片模块（3），所述金属底座（7）的背面形成有若干个与第一ssmp接头（1）相适配的梯形孔（8），所述第一ssmp接头（1）位于所述梯形孔（8）内，与所述梯形孔相对应的所述多层htcc基板（5）上形成有射频连接通孔（12），第一ssmp接头（1）插入到所述梯形孔内后经过所述射频连接通孔（12）与所述射频芯片模块（3）上的输入射频引脚连接；所述腔体之间的多层htcc基板（5）上形成有pin针组（4），所述射频芯片模块（3）的电源及控制引脚与所述pin针组（4）连接；所述多层htcc基板（5）的中间形成有阶梯型底座（11），用于安装第二ssmp接头，所述第二ssmp接头与所述射频芯片模块（3）上的输出射频引脚连接；所述多层htcc基板（5）的外侧固定有可伐围框（6），所述可伐围框（6）上在与所述腔体相对应的位置、以及与所述pin针组（4）相对应的位置以及与所述阶梯型底座（11）相对应的位置形成有开口。2.如权利要求1所述的基于htcc的k波段射频微系统三维收发组件，其特征在于：所述组件还包括平行封焊盖板（2），与所述腔体相对应的所述可伐围框（6）上的开口通过所述平行封焊盖板（2）进行封闭，所述pin针组（4）以及所述第二ssmp接头从所述可伐围框（6）上的相应通孔中伸出。3.如权利要求1所述的基于htcc的k波段射频微系统三维收发组件，其特征在于：所述金属底座（7）在对角线位置留有两个定位销（9），用于与上方的多层htcc基板（5）进行对位，保证第一ssmp接头（1）插入的位置与多层htcc基板（5）上留出的射频连接通孔（12）的位置对准。4.如权利要求1所述的基于htcc的k波段射频微系统三维收发组件，其特征在于：所述多层htcc基板（5）表面对称开设有4个腔室，每个腔室内形成有若干层台阶，每层台阶表面分布若干个共面波导状焊盘，所述焊盘用于将所述ssmp接头以及所述pin针组（4）与所述射频芯片模块（3）连接；腔室四角各形成有一个射频连接通孔（12），用于下方的第一ssmp接头（1）的信号引脚伸入。5.如权利要求1所述的基于htcc的k波段射频微系统三维收发组件，其特征在于：所述射频电路模块（3）所包括的芯片的供电与控制端口通过多层htcc基板（5）内的金属线连接到基板顶部与pin针组（4）焊接在一起，用于外部的连接与调试。6.如权利要求1所述的基于htcc的k波段射频微系统三维收发组件，其特征在于：所述pin针组（4）中的pin针与多层htcc基板（5）表面预留的焊盘（13）对准焊接。7.如权利要求1所述的基于htcc的k波段射频微系统三维收发组件，其特征在于：所述金属底座（7）、多层htcc基板（5）和可伐围框（6）四周的侧面形成有阶梯型半孔（10），用于多个三维收发组件组阵时用螺丝对位连接进行组阵。8.如权利要求1所述的基于htcc的k波段射频微系统三维收发组件，其特征在于：所述射频芯片模块（3）包括末级soc芯片和幅相控制芯片，其中末级soc芯片集成收发切换开关与接收低噪声放大器、发射末级放大器；幅相控制芯片包括一款基于硅基工艺高度集成的k波段四通道相控阵t/r多功能芯片。9.如权利要求8所述的基于htcc的k波段射频微系统三维收发组件，其特征在于：收发组件模块（3）在架构选择上采用一体化设计、整体封装，末级soc芯片和幅相控制芯片直接
粘接在htcc多层陶瓷板（5）上，16个通道单独实现射频信号的传输；各级芯片的控制信号、供电信号通过多层htcc基板（5）内部网络进行传输和互联；4路馈电网络集成在多层htcc基板内部，最终整个收发组件对外为一个射频接口。10.如权利要求1所述的基于htcc的k波段射频微系统三维收发组件，其特征在于：所有射频芯片模块通过导电胶粘贴在多层htcc基板（5）上的腔室内，并通过金丝键合到腔室内台阶表面的共面波导焊盘上，用于在多层htcc基板（5）上布线连接。
技术总结
本发明公开了一种基于HTCC的K波段射频微系统三维收发组件，涉及射频微系统封装技术领域。所述组件包括金属底座、多层HTCC基板、可伐围框、射频芯片模块和平行封焊盖板；所述射频芯片模块通过导电胶粘接在多层HTCC基板上的腔室内；所述可伐围框焊接在多层HTCC基板上方并在中心位置留有阶梯型底座用于安装焊接SSMP接头；所述可伐围框与平行封焊盖板平行封焊连接；所述多层HTCC基板放置在金属底座上通过共晶焊料焊接在一起；所述pin针焊接在多层HTCC基板上；本发明相比于传统的pcb构成的组件走线密度更高，同时具有良好的热导率，能够很好地散发大功率芯片产生的热量；一体化封装，具有很好的气密性和可靠性。具有很好的气密性和可靠性。具有很好的气密性和可靠性。
技术研发人员：疏世玮 李潇洒 赖丘亮
受保护的技术使用者：河北鼎瓷电子科技有限公司 石家庄烽瓷电子技术有限公司
技术研发日：2022.05.12
技术公布日：2022/8/5