等离子体处理装置和等离子体处理方法与流程

1.本公开的各种方面和实施方式涉及一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。


背景技术：

2.例如，下述专利文献1中公开了一种在电极与直流电源之间设置有开关的等离子体处理装置，该电极设置于对作为处理对象的基板进行吸附保持的静电吸盘，该直流电源向该电极施加直流电压。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2019-46997号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的问题
7.本公开提供一种能够在确认基板吸附于静电吸盘之后开始等离子体处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。
8.用于解决问题的方案
9.本公开的一个方面是等离子体处理装置，具备静电吸盘、第一开关、第二开关以及控制部。静电吸盘设置于腔室内，在静电吸盘的内部具有电极，该静电吸盘利用施加于电极的电压来吸附使用等离子体进行处理的基板。第一开关设置于向电极供给电压的电源与电极之间的布线。第二开关设置于检测电极的电压的检测器与电极之间的布线。控制部执行在将第一开关和第二开关控制为闭合状态、控制电源以从电源输出预先决定的大小的第一电压、并由检测器检测出第一电压的情况下判定为第一开关和第二开关处于闭合状态的第一判定处理。另外，控制部在判定为第一开关和第二开关处于闭合状态之后，在将第一开关和第二开关控制为断开状态来将电极控制为浮置状态的状态下，开始使用等离子体的基板的处理。
10.发明的效果
11.根据本公开的各种方面和实施方式，能够在确认基板吸附于静电吸盘之后开始等离子体处理。
附图说明
12.图1是示出本公开的一个实施方式中的等离子体处理系统的一例的图。
13.图2是示出本公开的一个实施方式中的等离子体处理方法的一例的流程图。
14.图3是示出本公开的一个实施方式中的等离子体处理方法的一例的流程图。
15.图4是示出控制的过程的一例的时序图。
16.图5是示出第一开关和第二开关的状态的一例的图。
17.图6是示出第一开关和第二开关的状态的一例的图。
18.图7是示出第一开关和第二开关的状态的一例的图。
19.图8是示出控制的过程的其它例子的时序图。
20.图9是示出控制的过程的其它例子的时序图。
具体实施方式
21.下面，基于附图来详细说明所公开的等离子体处理装置和等离子体处理方法的实施方式。此外，不通过以下的实施方式来对所公开的等离子体处理装置和等离子体处理方法进行限定。
22.另外，在设置于静电吸盘内的电极与向电极施加电压的电源之间的布线的开关保持断开状态而发生了故障的情况下，不会向电极施加期望的大小的电压。在未向电极施加期望的大小的电压的情况下，在电极不产生期望的大小的静电力，基板不被吸附于静电吸盘。由此，在使用等离子体进行基板的处理的情况下有时基板相对于静电吸盘移动，有时对基板的处理的精度下降。
23.因此，本公开提供一种能够在确认基板吸附于静电吸盘之后开始等离子体处理的技术。
24.[等离子体处理系统100的结构]
[0025]
下面说明等离子体处理系统100的结构例。图1是示出本公开的一个实施方式中的等离子体处理系统100的一例的图。等离子体处理系统100包括电容耦合型的等离子体处理装置1和控制部2。等离子体处理装置1包括等离子体处理腔室10、气体供给部20、电源30以及排气系统40。另外，等离子体处理装置1包括基板支承部11和气体导入部。气体导入部构成为将至少一种处理气体导入到等离子体处理腔室10内。气体导入部包括喷淋头13。基板支承部11配置于等离子体处理腔室10内。喷淋头13配置于基板支承部11的上方。在一个实施方式中，喷淋头13构成等离子体处理腔室10的顶部(ceiling)的至少一部分。
[0026]
等离子体处理腔室10具有由喷淋头13、等离子体处理腔室10的侧壁10a以及基板支承部11规定的等离子体处理空间10s。等离子体处理腔室10具有：至少一个气体供给口，其用于将至少一种处理气体供给到等离子体处理空间10s；以及至少一个气体排出口，其用于从等离子体处理空间10s排出气体。侧壁10a接地。喷淋头13及基板支承部11与等离子体处理腔室10的壳体电绝缘。
[0027]
基板支承部11包括主体部111和环组件112。主体部111具有用于支承基板w的中央区域即基板支承面111a以及用于支承环组件112的环状区域即环支承面111b。基板w有时也被称为晶圆。主体部111的环支承面111b在俯视时包围主体部111的基板支承面111a。基板w配置于主体部111的基板支承面111a上，环组件112以包围主体部111的基板支承面111a上的基板w的方式配置于主体部111的环支承面111b上。
[0028]
在一个实施方式中，主体部111包括静电吸盘1110和基座1111。基座1111包括导电性构件。基座1111的导电性构件作为下部电极来发挥功能。静电吸盘1110配置于基座1111上。静电吸盘1110的上表面是基板支承面111a。在静电吸盘1110设置有电极1110a。电极1110a经由布线113来与可变直流电源115连接。在布线113设置有第一开关114。电极1110a通过第一开关114成为闭合状态而从可变直流电源115施加的直流电压，由此使基板支承面111a产生静电力。由此，静电吸盘1110吸附配置于基板支承面111a上的基板w。在要使静电
吸盘1110吸附基板w的情况下，从可变直流电源115向电极1110a施加预先决定的大小的第一电压(以下有时记载为h电压)。
[0029]
另外，在本实施方式中，在基板w被吸附于静电吸盘1110之后，由于第一开关114被控制为断开状态，而电极1110a成为浮置的状态。在浮置的状态下，在电极1110a中，维持在即将成为浮置的状态之前积存在电极1110a中的电荷。而且，在电极1110a成为了浮置状态之后，执行使用等离子体的基板w的等离子体处理。通过在电极1110a为浮置的状态下执行等离子体处理，能够抑制在等离子体处理中基板w的过量的带电。另外，通过在电极1110a为浮置的状态下执行等离子体处理，能够抑制在等离子体处理中基板w与静电吸盘1110之间的过量的吸附力。
[0030]
另外，电极1110a经由布线116来与检测器118连接。在布线116设置有第二开关117。在第二开关117处于闭合状态的情况下，检测器118经由布线116来检测电极1110a的电压的大小。例如，在针对基板w的等离子体处理后进行了电极1110a的除电之后，检测器118检测电极1110a的电压。控制部2在由检测器118检测出的电极1110a的电压的大小是低于第一电压的第二电压(以下有时记载为l电压)的情况下，判定为除电已完成，并开始搬出已结束等离子体处理的基板w。
[0031]
在此，如果没有设置第二开关117而是经由布线116将电极1110a与检测器118始终连接，则积存于浮置状态下的电极1110a的电荷会经由布线116及检测器118泄漏。当积存于电极1110a的电荷经由布线116及检测器118泄漏时，积存于电极1110a的电荷减少，因此，在等离子体处理中，基板w与静电吸盘1110之间的吸附力减少。由此，难以将基板w相对于静电吸盘1110的位置维持在预先决定的位置。
[0032]
因此，在本实施方式中，在布线116设置第二开关117，并仅在需要检测电极1110a的电压的情况下将第二开关117控制为闭合状态。特别是，在等离子体处理中，将第二开关117控制为断开状态。由此，在等离子体处理中，能够抑制积存于浮置状态的电极1110a的电荷的减少，从而能够抑制基板w与静电吸盘1110之间的吸附力的减少。由此，能够将基板w相对于静电吸盘1110的位置维持在预先决定的位置。
[0033]
但是，在第一开关114在断开状态下发生故障的情况下，即使控制部2将第一开关114控制为闭合状态，第一开关114也不成为闭合状态。以下，将尽管控制为闭合状态但仍保持断开状态的开关的状态记录为开路故障。在第一开关114处于开路故障的情况下，电压不被施加到电极1110a，基板w不被吸附于静电吸盘1110。为了使基板w被吸附于静电吸盘1110，需要确认第一开关114不是开路故障，并在第一开关114是开路故障的情况下进行中止等离子体处理等的应对。因此，在本实施方式中，在开始等离子体处理之前，要确认第一开关114不是开路故障。
[0034]
另外，在第一开关114在闭合状态下发生故障的情况下，即使控制部2将第一开关114控制为断开状态，第一开关114也不成为断开状态。以下，将尽管控制为断开状态但仍保持闭合状态的开关的状态记载为闭路故障。在第一开关114处于闭路故障的情况下，无法使电极1110a成为浮置的状态，有时在等离子体处理中基板w会过量地带电，或者在基板w与静电吸盘1110之间会产生过量的吸附力。当在基板w与静电吸盘1110之间产生过量的吸附力时，由于基板w与静电吸盘1110之间的摩擦而产生微粒。另外，当基板w过量地带电时，微粒变得容易附着于基板w。因此，需要确认第一开关114不是闭路故障。而且，在第一开关114是
闭路故障的情况下，需要进行中止等离子体处理等应对。因此，在本实施方式中，要确认第一开关114不是闭路故障。
[0035]
环组件112包括一个或多个环状构件。一个或多个环状构件中的至少一个是边缘环。另外，虽然省略了图示，但基板支承部11也可以包括调温模块，该调温模块构成为将静电吸盘1110、环组件112以及基板w中的至少一方调节为目标温度。调温模块也可以包括加热器、传热介质、流路或者它们的组合。在流路如盐水、气体那样的传热流体流动。另外，基板支承部11也可以包括传热气体供给部，该传热气体供给部构成为向基板w与基板支承面111a之间供给传热气体。
[0036]
喷淋头13构成为将来自气体供给部20的至少一种处理气体导入到等离子体处理空间10s内。喷淋头13具有至少一个气体供给口13a、至少一个气体扩散室13b以及多个气体导入口13c。供给到气体供给口13a的处理气体通过气体扩散室13b后从多个气体导入口13c导入到等离子体处理空间10s内。另外，喷淋头13包括导电性构件。喷淋头13的导电性构件作为上部电极来发挥功能。此外，气体导入部除了包括喷淋头13之外还可以包括一个或多个侧置气体注入部(sgi：side gas injector)，该一个或多个侧置气体注入部安装于形成在侧壁10a的一个或多个开口部。
[0037]
气体供给部20也可以包括至少一个气体源21以及至少一个流量控制器22。在一个实施方式中，气体供给部20构成为将至少一种处理气体从对应的气体源21经由对应的流量控制器22供给到喷淋头13。各流量控制器22例如也可以包括质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。并且，气体供给部20也可以包括对至少一种处理气体的流量进行调制或脉冲化的一个或一个以上的流量调制设备。
[0038]
电源30包括通过至少一个阻抗匹配电路来与等离子体处理腔室10耦合的rf(radio frequency：射频)电源31。rf电源31构成为向基板支承部11的导电性构件、喷淋头13的导电性构件、或者这两者供给如源rf信号及偏置rf信号那样的至少一种rf信号。由此，从供给到等离子体处理空间10s的至少一种处理气体形成等离子体。因而，rf电源31能够作为等离子体生成部的至少一部分来发挥功能，该等离子体生成部构成为在等离子体处理腔室10中从一个或一个以上的处理气体生成等离子体。另外，能够通过将偏置rf信号供给到基板支承部11的导电性构件，来在基板w产生偏置电位，并将所形成的等离子体中的离子成分吸引到基板w。
[0039]
在一个实施方式中，rf电源31包括第一rf生成部31a和第二rf生成部31b。第一rf生成部31a构成为经由至少一个阻抗匹配电路来与基板支承部11的导电性构件、喷淋头13的导电性构件、或者这两者耦合，并生成用于生成等离子体的源rf信号。源rf信号也可以称为源rf功率。在一个实施方式中，源rf信号具有在13mhz～150mhz的范围内的频率的信号。在一个实施方式中，第一rf生成部31a也可以构成为生成具有不同频率的多个源rf信号。向基板支承部11的导电性构件、喷淋头13的导电性构件、或者这两者供给所生成的一个或多个源rf信号。
[0040]
第二rf生成部31b构成为经由至少一个阻抗匹配电路来与基板支承部11的导电性构件耦合，并生成偏置rf信号。偏置rf信号也可以称为偏置rf功率。在一个实施方式中，偏置rf信号具有比源rf信号低的频率。在一个实施方式中，偏置rf信号具有在400khz～13.56mhz的范围内的频率的信号。在一个实施方式中，第二rf生成部31b也可以构成为生成
具有不同频率的多个偏置rf信号。向基板支承部11的导电性构件供给所生成的一个或多个偏置rf信号。另外，在各种实施方式中，也可以是，将源rf信号和偏置rf信号中的至少一方脉冲化。
[0041]
另外，电源30也可以包括与等离子体处理腔室10耦合的dc(direct current：直流)电源32。dc电源32包括第一dc生成部32a和第二dc生成部32b。在一个实施方式中，第一dc生成部32a构成为与基板支承部11的导电性构件连接，并生成第一dc信号。将所生成的第一dc信号施加于基板支承部11的导电性构件。在其它的实施方式中，也可以将第一dc信号施加于如静电吸盘1110内的电极1110a的其它电极。在一个实施方式中，第二dc生成部32b构成为与喷淋头13的导电性构件连接，并生成第二dc信号。将所生成的第二dc信号施加于喷淋头13的导电性构件。在各种实施方式中，也可以是，将第一dc信号和第二dc信号中的至少一方脉冲化。此外，可以是除了rf电源31之外还设置有第一dc生成部32a和第二dc生成部32b，也可以是，设置第一dc生成部32a来替代第二rf生成部31b。
[0042]
排气系统40例如可以与设置于等离子体处理腔室10的底部的气体排出口10e连接。排气系统40可以包括压力调整阀和真空泵。利用压力调整阀来调整等离子体处理空间10s内的压力。真空泵可以包括涡轮分子泵、干泵、或者它们的组合。
[0043]
控制部2处理用于使等离子体处理装置1执行在本公开中描述的各种工序的计算机能够执行的命令。控制部2可以构成为控制等离子体处理装置1的各要素，以执行在此描述的各种工序。在一个实施方式中，控制部2的一部分或全部也可以包括在等离子体处理装置1中。控制部2例如也可以包括计算机2a。计算机2a例如也可以包括处理部2a1、存储部2a2以及通信接口2a3。处理部2a1可以构成为基于存储部2a2中保存的程序来进行各种控制动作。处理部2a1可以包括cpu(central processing unit：中央处理单元)。存储部2a2可以包括ram(random access memory：随机存取存储器)、rom(read only memory：只读存储器)、hdd(hard disk drive：硬盘驱动器)、ssd(solid state drive：固态硬盘)、或者它们的组合。通信接口2a3经由lan(local area network：局域网)等通信线路来进行与等离子体处理装置1之间的通信。
[0044]
[等离子体处理方法]
[0045]
图2和图3是示出本公开的一个实施方式中的等离子体处理方法的一例的流程图。图2和图3中例示的各处理是通过控制部2控制等离子体处理装置1的各部分而实现的。下面，参照图4中例示的时序图来进行说明。
[0046]
此外，在图2和图3所例示的等离子体处理方法中，在初始状态(图4中例示的期间(a1))下，将第一开关114控制为闭合状态，将第二开关117控制为断开状态，从可变直流电源115输出l电压。因此，如图4中例示的期间(a1)所示，静电吸盘1110内的电极1110a的电压是l电压，由检测器118检测的电压也是l电压。此外，在图4的例子中，将各开关的闭合状态记载为“接通”，将断开状态记载为“断开”。
[0047]
首先，控制部2控制未图示的输送装置，开始向等离子体处理腔室10内搬入基板w(s100)。
[0048]
接着，控制部2将可变直流电源115的输出电压控制为h电压(s101)。步骤s101的处理是工序(a)的一例。由此，在图4所例示的期间(a2)，来自可变直流电源115的输出电压成为h电压。在此，如果第一开关114处于闭合状态，则在图4所例示的期间(a2)，静电吸盘1110
内的电极1110a的电压成为h电压，而由检测器118检测的电压成为l电压。另一方面，如果第一开关114处于断开状态，则在图4所例示的期间(a2)，电极1110a的电压仍为l电压，由检测器118检测的电压也仍为l电压。
[0049]
接着，控制部2判定由检测器118检测出的电压是否为l电压(s102)。例如，在即使将第一开关114控制为闭合状态、并且将第二开关117控制为断开状态也如图5所示那样第一开关114和第二开关117处于闭合状态的情况下，由检测器118检测的电压成为h电压。在图5的例子中，尽管将第二开关117控制为断开状态但第二开关117处于闭合状态，因此第二开关117是闭路故障的状态。
[0050]
在由检测器118检测出的电压是h电压的情况下(在s102中为“否”)，第二开关117是闭路故障，因此，不开始等离子体处理，图2和图3所例示的等离子体处理方法结束。
[0051]
另一方面，在由检测器118检测出的电压是l电压的情况下(在s102中为“是”)，控制部2将第二开关117控制为闭合状态(s103)。由此，在图4所例示的期间(a3)，第二开关117被控制为闭合状态。步骤s103的处理是工序(b)的一例。此外，即使在步骤s102中由检测器118检测出的电压是l电压的情况下，也例如图6所示那样有时第一开关114处于开路故障。或者，即使在由检测器118检测出的电压是l电压的情况下，也例如图7所示那样有时第一开关114处于开路故障、并且第二开关117处于闭路故障。
[0052]
接着，控制部2判定由检测器118检测出的电压是否为h电压(s104)。在由检测器118检测出的电压是l电压的情况下(在s104中为“否”)，第一开关114和第二开关117中的至少任一方处于开路故障。因此，不开始等离子体处理，图2和图3所例示的等离子体处理方法结束。
[0053]
另一方面，在由检测器118检测出的电压是h电压的情况下(在s104中为“是”)，在图4所例示的期间(a3)，按照来自控制部2的控制，第一开关114和第二开关117成为闭合状态。由此，确认了第一开关114和第二开关117至少不是开路故障。如果第一开关114不是开路故障，则从可变直流电源115输出的电压经由第一开关114施加于电极1110a，基板w被吸附于静电吸盘1110。能够通过确认第一开关114至少不是开路故障来确认基板w吸附于静电吸盘1110。因而，能够在确认基板w吸附于静电吸盘1110之后开始等离子体处理。步骤s104的处理是第一判定处理及工序(c)的一例。
[0054]
接着，控制部2将第二开关117控制为断开状态(s105)。在步骤s105中，在图4所例示的期间(a4)，第二开关117被控制为断开状态。
[0055]
接着，控制部2判定由检测器118检测出的电压是否为l电压(s106)。在由检测器118检测出的电压是h电压的情况下(在s106中为“否”)，第二开关117是闭路故障，因此，不开始等离子体处理，图2和图3所例示的等离子体处理方法结束。由此，能够防止在等离子体处理中，积存于浮置状态的电极1110a的电荷经由布线116及检测器118泄漏，基板w与静电吸盘1110之间的吸附力减少。
[0056]
另一方面，在由检测器118检测出的电压是l电压的情况下(在s106中为“是”)，在步骤s104中确认出第一开关114不是开路故障，因此，确认出第二开关117不是闭路故障。步骤s106的处理是第二判定处理的一例。
[0057]
接着，控制部2将第一开关114控制为断开状态(s107)。在步骤s107中，在图4所例示的期间(a5)，第一开关114被控制为断开状态。第一开关114成为断开状态，由此静电吸盘
1110的电极1110a成为浮置状态。此外，步骤s101～步骤s107的处理是在等离子体处理之前的进行基板w的搬入的期间执行的。
[0058]
接着，控制部2对基板w执行等离子体处理(s108)。在步骤s108中，在图4所例示的期间(a6)，执行等离子体处理。然后，在图4所例示的期间(a7)，等离子体处理结束。步骤s108的处理是工序(d)的一例。
[0059]
接着，控制部2将第一开关114控制为闭合状态(s109)。在步骤s104中确认出第一开关114不是开路故障，因此，在步骤s109中，在图4所例示的期间(a8)，第一开关114成为闭合状态。
[0060]
接着，控制部2将可变直流电源115的输出电压控制为l电压(s110)。在步骤s110中，在图4所例示的期间(a9)，可变直流电源115的输出电压被控制为l电压。由此，积存于电极1110a的电荷经由可变直流电源115流动，电极1110a被除电。在本实施方式中，当电极1110a被除电时，电极1110a的电压成为与可变直流电源115的输出电压相同的l电压。
[0061]
接着，控制部2将第二开关117控制为闭合状态(s111)。在步骤s111中，在图4所例示的期间(a10)，第二开关117被控制为闭合状态。在步骤s104中确认出第一开关114和第二开关117不是开路故障。因此，在期间(a10)，通过将第二开关117控制为闭合状态，检测器118能够检测电极1110a的电压。
[0062]
此外，在所施加的电压低的状态下切换开关，开关的寿命会变长。在图4所例示的期间(a9)至期间(a10)，第二开关117被从断开状态切换为闭合状态，但是此时，设置有第二开关117的布线116的电压是l电压。由此，能够延长第二开关117的寿命。
[0063]
接着，控制部2判定由检测器118检测出的电压是否为l电压(图3的s112)。步骤s112的处理是第三判定处理的一例。在由检测器118检测出的电压是h电压的情况下(在s112中为“否”)，电极1110a的除电未充分进行。当电极1110a的除电未充分进行时，在通过未图示的升降销等使处理后的基板w与静电吸盘1110分离的情况下，有时基板w会跳起或破裂。因此，控制部2中止搬出等离子体处理后的基板w，结束图2和图3所例示的等离子体处理方法。
[0064]
另一方面，在由检测器118检测出的电压是l电压的情况下(在s112中为“是”)，电极1110a的除电已充分进行，因此，控制部2开始搬出等离子体处理后的基板w(s113)。在步骤s113中，通过控制部2控制用于驱动升降销的未图示的驱动部，以通过升降销抬起基板w。
[0065]
接着，控制部2将第一开关114和第二开关117控制为断开状态(s114)。在步骤s114中，在图4所例示的期间(a11)，第一开关114和第二开关117被控制为断开状态。
[0066]
接着，控制部2将可变直流电源115的输出电压控制为h电压(s115)。在步骤s115中，在图4所例示的期间(a12)，可变直流电源115的输出电压被控制为h电压。
[0067]
接着，控制部2将第二开关117控制为闭合状态(s116)。在步骤s116中，在图4所例示的期间(a13)，第二开关117被控制为闭合状态。在步骤s104中确认出第二开关117不是开路故障，因此，在期间(a13)，通过将第二开关117控制为闭合状态，检测器118能够检测电极1110a的电压。
[0068]
接着，控制部2判定由检测器118检测出的电压是否为l电压(s117)。在由检测器118检测出的电压是h电压的情况下(在s117中为“否”)，第一开关114是闭路故障，因此，中止针对下一个基板w的等离子体处理，结束图2和图3所例示的等离子体处理方法。
[0069]
另一方面，在由检测器118检测出的电压是l电压的情况下(在s117中为“是”)，在步骤s104中确认出第二开关117不是开路故障，因此，确认出第一开关114不是闭路故障。步骤s117的处理是第四判定处理的一例。
[0070]
接着，控制部2将第二开关117控制为断开状态(s118)。在步骤s118中，在图4所例示的期间(a14)，第二开关117被控制为断开状态。
[0071]
接着，控制部2将可变直流电源115的输出电压控制为l电压(s119)。在步骤s119中，在图4所例示的期间(a15)，可变直流电源115的输出电压被控制为l电压。
[0072]
接着，控制部2将第一开关114控制为闭合状态(s120)。在步骤s120中，在图4所例示的期间(a16)，第一开关114被控制为闭合状态。步骤s114～步骤s120的处理是在等离子体处理后的进行基板w的搬出的期间内执行的。此外，在图4的例子中，在期间(a14)至期间(a15)，可变直流电源115的输出电压被从h电压切换为l电压之后，在期间(a15)至期间(a16)，第一开关114被从断开状态切换为闭合状态。由此，能够延长第一开关114的寿命。
[0073]
接着，控制部2判定是否要对其它基板w执行等离子体处理(s121)。在要对其它基板w执行等离子体处理的情况下(在s121中为“是”)，控制部2再次执行图2的步骤s100所示的处理。另一方面，在不对其它基板w执行等离子体处理的情况下(在s121中为“否”)，控制部2结束图2和图3所例示的等离子体处理方法。
[0074]
以上，说明了第一个实施方式。如上所述，本实施方式中的等离子体处理装置1具备静电吸盘1110、第一开关114、第二开关117以及控制部2。静电吸盘1110设置于等离子体处理腔室10内，在静电吸盘1110的内部具有电极1110a，该静电吸盘1110利用施加于电极1110a的电压来吸附使用等离子体进行处理的基板w。第一开关114设置于向电极1110a供给电压的可变直流电源115与电极1110a之间的布线113。第二开关117设置于检测电极1110a的电压的检测器118与电极1110a之间的布线116。控制部2执行在将第一开关114和第二开关117控制为闭合状态、控制可变直流电源115以从可变直流电源115输出预先决定的大小的h电压、并由检测器118检测出h电压的情况下判定为第一开关114和第二开关117处于闭合状态的第一判定处理。另外，控制部2在判定为第一开关114和第二开关117被控制为闭合状态之后，在将第一开关114和第二开关117控制为断开状态来将电极1110a控制为浮置状态的状态下，开始使用等离子体的基板w的处理。由此，能够在确认基板w吸附于静电吸盘1110之后开始等离子体处理。另外，能够确认第一开关114和第二开关117不是开路故障。
[0075]
另外，在上述的实施方式中，控制部2执行第二判定处理。在第二判定处理中，在将第一开关114控制为闭合状态、将第二开关117控制为断开状态，控制可变直流电源115以从可变直流电源115输出h电压、并由检测器118检测出低于h电压的l电压的情况下判定为第二开关117处于断开状态。由此，能够确认第二开关117不是闭路故障。
[0076]
另外，在上述的实施方式中，控制部2执行第三判定处理。在第三判定处理中，在使用等离子体的基板w的处理结束之后，在将第一开关114和第二开关117控制为闭合状态、控制可变直流电源115以从可变直流电源115输出l电压、并由检测器118检测出l电压的情况下判定为电极1110a的除电已完成。控制部2在判定为电极1110a的除电已完成之后，控制用于驱动升降销的驱动部，以通过升降销抬起基板w。由此，能够防止等离子体处理后的基板w的跳起、破裂。
[0077]
另外，在上述的实施方式中，控制部2执行第四判定处理。在第四判定处理中，在将
第一开关114控制为闭合状态并控制可变直流电源115以从可变直流电源115输出l电压之后将第一开关114控制为断开状态、将第二开关117控制为闭合状态、控制可变直流电源115以从可变直流电源115输出h电压、并由检测器118检测出l电压的情况下判定为第一开关114处于断开状态。由此，能够确认第一开关114不是闭路故障。
[0078]
另外，在上述的实施方式中，在进行使用等离子体的处理之前的将基板w搬入到等离子体处理腔室10内的期间，控制部2执行所述第一判定处理和所述第二判定处理。由此，能够提高在对多个基板w进行等离子体处理时的处理的生产率。
[0079]
另外，在上述的实施方式中，在结束了使用等离子体的处理的将基板w从等离子体处理腔室10搬出的期间，控制部2执行第四判定处理。由此，能够提高在对多个基板w进行等离子体处理时的处理的生产率。
[0080]
另外，上述的实施方式中的等离子体处理方法包括工序(a)、工序(b)、工序(c)以及工序(d)。在工序(a)中，控制向设置于静电吸盘1110的内部的电极1110a供给电压的可变直流电源115以从可变直流电源115输出预先决定的大小的h电压，该静电吸盘1110用于吸附使用等离子体进行处理的基板w。在工序(b)中，将设置于电极1110a与可变直流电源115之间的布线113的第一开关114以及设置于电极1110a与检测电极1110a的电压的检测器118之间的布线116的第二开关117控制为闭合状态。在工序(c)中，在由检测器118检测出h电压的情况下判定为第一开关114和第二开关117处于闭合状态。在工序(d)中，在判定为第一开关114和第二开关117处于闭合状态之后，在将第一开关114和第二开关117控制为断开状态来将电极1110a控制为浮置状态的状态下，开始使用等离子体的基板w的处理。由此，能够在确认基板w吸附于静电吸盘1110之后开始等离子体处理。另外，能够确认第一开关114和第二开关117不是开路故障。
[0081]
[其它]
[0082]
此外，本技术所公开的技术不限定于上述的实施方式，而是能够在其主旨的范围内进行多种变形。
[0083]
例如，在上述的实施方式中，在等离子体处理结束后的期间(a13)，将第一开关114控制为断开状态，将第二开关117控制为闭合状态，将可变直流电源115的输出电压控制为h电压。然后，根据是否由检测器118检测出l电压，来对第一开关114的闭路故障进行判定。但是，公开的技术不限于此。
[0084]
图8是示出控制的过程的其它例子的时序图。例如，如图8所示，在期间(a3)之后的期间(b1)，第二开关117仍维持为闭合状态，可变直流电源115的输出电压被控制为l电压。由此，电极1110a被除电。然后，在期间(b2)，第一开关114被控制为断开状态，在期间(b3)，可变直流电源115的输出电压再次被控制为h电压。而且，在期间(b3)，也可以根据是否由检测器118检测出l电压，来对第一开关114的闭路故障进行判定。由此，在开始等离子体处理之前对第一开关114的闭路故障进行判定，因此，能够在开始等离子体处理之前的期间(a5)将电极1110a可靠地控制为浮置状态。由此，能够防止等离子体处理后的基板w的跳起、破裂。
[0085]
此外，在判定是否由检测器118检测出l电压之后的期间(b4)，第二开关117再次被控制为断开状态。然后，在期间(b5)，第一开关114再次被控制为闭合状态，从可变直流电源115输出的电压经由第一开关114施加于电极1110a。另外，当在期间(a10)确认了对电极
1110a的除电之后，在期间(b6)，第二开关117再次被控制为断开状态，并返回到初始状态。优选的是，在进行等离子体处理之前的将基板w搬入到等离子体处理腔室10内的期间，执行在期间(b1)至期间(b5)实施的处理。
[0086]
另外，在上述的实施方式中，在期间(a2)将可变直流电源115的输出电压从l电压控制为h电压，在之后的期间(a3)，将第二开关117从断开状态控制为闭合状态。但是，公开的技术不限于此。例如，也可以是，如图9所示，在期间(c2)将第二开关117从断开状态控制为闭合状态，在之后的期间(c3)将可变直流电源115的输出电压从l电压控制为h电压。由此，能够延长第二开关117的寿命。
[0087]
另外，也可以是，在图9所例示的期间(c5)，将可变直流电源115的输出电压从h电压控制为l电压，由此，在等离子体处理中将可变直流电源115的输出电压维持为l电压。
[0088]
另外，在图9的例子中，在等离子体处理后的期间(c8)，进行电极1110a的除电，在期间(c9)，由检测器118来进行除电的确认。然后，也可以在进行了除电的确认之后，在期间(c10)在使第二开关117仍为闭合状态的状态下将第一开关114控制为断开状态，在期间(c11)，对第一开关114的闭路故障进行判定。
[0089]
另外，在上述的实施方式中，作为等离子体源的一例，说明了使用电容耦合型等离子体(ccp)来进行处理的等离子体处理系统100，但是等离子体源不限于此。作为电容耦合型等离子体以外的等离子体源，例如，能够列出电感耦合等离子体(icp)、微波激发表面波等离子体(swp)、电子回旋共振等离子体(ecp)以及螺旋波激发等离子体(hwp)等。
[0090]
此外，应当认为的是，本次公开的实施方式在所有方面均为例示，而非限制性的。实际上，上述的实施方式能够以多种方式实现。另外，上述的实施方式也可以不脱离所附的权利要求书及其主旨地以各种方式进行省略、置换、变更。
[0091]
附图标记说明
[0092]
w：基板；100：等离子体处理系统；1：等离子体处理装置；2：控制部；2a：计算机；10：等离子体处理腔室；10s：等离子体处理空间；11：基板支承部；111：主体部；111a：基板支承面；111b：环支承面；1110：静电吸盘；1110a：电极；1111：基座；112：环组件；113：布线；114：第一开关；115：可变直流电源；116：布线；117：第二开关；118：检测器；20：气体供给部；30：电源；31：rf电源；32：dc电源；40：排气系统。