一种显示面板的制备方法及显示面板

1.本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制备方法及显示面板。


背景技术：

2.全面屏技术逐渐成为手机等手持设备的主流技术，目前采用goa(gatedriver on array，阵列基板栅极驱动)技术实现左右边框的窄型化，采用 cof(chip on film，薄膜覆晶封装)技术实现下边框的窄型化。但是无论是goa 还是cof，这种在显示屏边框焊接的技术依然无法实现无缝拼接。
3.基于上述背景，图1是基于现有技术的显示面板的制备方法形成的一种显示面板的结构，参考图1，目前的显示面板的制备方法包括先在玻璃基板一侧表面依次形成牺牲层，在牺牲层上涂覆一层聚酰亚胺材料形成柔性衬底3；在柔性衬底3上通过激光刻蚀形成连接过孔；在柔性衬底上形成金属层，并通过构图工艺形成导电层图案，导电层图案具有与连接过孔对应的导电层2；再次涂覆一层聚酰亚胺材料形成流平层5覆盖导电层图案；之后在流平层5上形成与所述连接过孔对一一对应的薄膜晶体管器件；在薄膜晶体管器件背离柔性衬底3一侧形成聚酰亚胺材料的平坦化层14；在平坦化层14背离柔性衬底3一侧形成与薄膜晶体管器件的源电极11通过焊盘15电连接的驱动芯片16；分离柔性衬底和牺牲层；在柔性衬底背离薄膜晶体管器件的表面形成与导电层电连接的micro led 17。其中，薄膜晶体管器件包括的源极14、漏极12、有源层7、栅极9、栅极绝缘层8以及层间介电层4的位置关系可以如图1所示，还可以包括避光层1。
4.micro led 17需依次通过柔性衬底3、流平层5、缓冲层6、栅极绝缘层8 以及层间介电层10与薄膜晶体管器件的漏极12，因此贯穿这些膜层的过孔的深度较深，存在过孔深度难以控制以及信号线容易断裂的问题，降低了显示面板的制备良率。而且制备过程中需多次涂覆聚酰亚胺材料，还存在制备工艺复杂的问题。


技术实现要素：

5.本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法及显示面板，以简化显示面板的制备工艺，提高显示面板的制备良率。
6.第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法，包括：
7.提供玻璃基板，并在所述玻璃基板的一侧形成牺牲层；
8.于所述牺牲层远离所述玻璃基板的一侧形成柔性衬底；
9.在所述柔性衬底远离所述玻璃基板的一侧形成薄膜晶体管器件层；所述薄膜晶体管器件层包括多个薄膜晶体管器件，以及与所述薄膜晶体管器件中的信号输入电极接触的正面金属搭接层；
10.于所述薄膜晶体管器件层远离所述玻璃基板的一侧形成平坦化层，并刻蚀所述平坦化层形成第一开口；所述第一开口暴露所述薄膜晶体管器件中的源极或漏极；
11.在所述平坦化层远离所述玻璃基板的一侧形成多个发光结构；每一所述发光结构通过所述第一开口与对应的薄膜晶体管器件中的源极或漏极电连接；
12.在发光结构远离所述玻璃基板的一侧形成透明封装保护层；
13.分离所述柔性衬底和所述牺牲层，并从所述柔性衬底远离所述薄膜晶体管器件层的一侧形成暴露所述正面金属搭接层的搭接孔；所述搭接孔用于连通外部驱动芯片与所述薄膜晶体管器件；其中，所述正面金属搭接层为叠层结构；叠层结构中至少靠近所述柔性衬底侧的膜层的熔点，高于所述薄膜晶体管器件中信号输入电极的熔点。
14.可选的，所述于所述牺牲层远离所述玻璃基板的一侧形成柔性衬底之前，还包括：
15.在所述牺牲层远离所述玻璃基板的一侧制作背面金属走线层。
16.可选的，所述背面金属走线层包括图形相同的解离层和导电层；相对于所述导电层，所述解离层较靠近于所述牺牲层；
17.其中，所述解离层的材料包括：ag纳米线、碳纳米管或石墨烯，厚度范围包括5nm～50nm；导电层的材料包括ag、cu、mo、ti、al、ni、au、pd、pt 或以以上元素为主体的合金材料，厚度范围包括：50nm～20000nm。
18.可选的，若所述解离层的材料包括ag纳米线；所述在led发光结构远离所述玻璃基板的一侧形成透明封装保护层之后，还包括：
19.通过ag刻蚀液腐蚀解离层，分离所述导电层和所述牺牲层；
20.若所述解离层的材料包括碳纳米管或石墨烯；所述在led发光结构远离所述玻璃基板的一侧形成透明封装保护层之后，还包括：
21.通过等离子体轰击所述解离层，分离所述导电层和所述牺牲层。
22.可选的，所述在所述柔性衬底远离所述玻璃基板的一侧形成薄膜晶体管器件层，包括：
23.于所述柔性衬底远离所述玻璃基板的一侧形成薄膜晶体管器件中的栅极；所述栅极覆盖部分的柔性衬底；
24.于所述栅极远离所述玻璃基板的一侧、所述栅极的侧壁以及所述栅极未覆盖的柔性衬底上形成栅极绝缘层；
25.在所述栅极绝缘层远离所述柔性衬底的一侧形成所述正面金属搭接层以及薄膜晶体管器件中的源极、漏极、有源层和辅助电极；
26.其中，所述有源层在所述柔性衬底上的垂直投影与所述栅极在所述柔性衬底上的垂直投影至少部分重合；所述源极和漏极位于所述有源层的两侧，并均与所述有源层接触；所述正面金属搭接层包括第一正面金属搭接层和第二正面金属搭接层；所述漏极或所述源极与所述第一正面金属搭接层接触，所述辅助电极与所述第二正面金属搭接层接触。
27.可选的，所述从所述柔性衬底远离所述薄膜晶体管器件层的一侧形成暴露金属搭接层的搭接孔，包括：
28.通过激光依次刻蚀所述柔性衬底和所述栅极绝缘层，形成暴露所述正面金属搭接层的搭接孔。
29.可选的，所述在所述玻璃基板的一侧形成牺牲层之前，还包括：
30.在所述玻璃基板形成所以牺牲层的一侧形成凸起结构；所述凸起结构在所述玻璃基板上的垂直投影与所述正面金属搭接层在所述玻璃基板上的垂直投影至少部分重合；
31.其中，所述凸起结构用于在通过涂敷pi溶液制备所述柔性衬底时，在柔性衬底中凸起结构对应的位置上形成第二开口；所述第二开口用于在分离所述柔性衬底和所述牺牲层后，暴露所述栅极绝缘层；或者，所述凸起结构用于在通过涂敷pi溶液制备所述柔性衬底时，在柔性衬底中凸起结构对应的位置上形成凹槽，所述凹槽用于在分离所述柔性衬底和所述牺牲层后，减小在形成搭接孔时刻蚀柔性衬底的厚度。
32.可选的，若在柔性衬底中凸起结构对应的位置上形成所述第二开口，则从所述柔性衬底远离所述薄膜晶体管器件层的一侧形成暴露所述正面金属搭接层的搭接孔，包括：
33.通过黄光制程刻蚀所述第二开口暴露出的栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层中形成第三开口，以暴露所述正面金属搭接层；其中，同一位置上的所述第二开口与所述第三开口组成一个所述搭接孔；
34.若在柔性衬底中凸起结构对应的位置上形成所述凹槽，则从所述柔性衬底远离所述薄膜晶体管器件层的一侧形成暴露所述正面金属搭接层的搭接孔，包括：
35.基于所述凹槽，刻蚀所述凹槽所在位置的柔性衬底，在柔性衬底中形成暴露出所述栅极绝缘层的第二开口；并继续刻蚀所述栅极绝缘层，直至暴露出所述正面金属搭接层；在栅极绝缘层中形成暴露出所述正面金属搭接层的第三开口；同一位置上的所述第二开口与所述第三开口组成一个所述搭接孔。
36.可选的，所述在所述玻璃基板形成所以牺牲层的一侧形成凸起结构，包括：
37.在所述玻璃基板的一侧形成光刻胶层，图形化所述光刻胶层形成所述凸起结构；
38.或者，在所述玻璃基板的一侧形成非晶硅层，图形化所述非晶硅层形成所述凸起结构；
39.或者，图形化所述玻璃基板一侧的表面，形成所述凸起结构。
40.第二方面，本发明实施例提供了一种显示面板，通过第一方面任意所述的显示面板的制备方法形成。
41.本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法及显示面板，其中显示面板的制备方法，包括：提供玻璃基板，并在玻璃基板的一侧形成牺牲层；于牺牲层远离玻璃基板的一侧形成柔性衬底；在柔性衬底远离玻璃基板的一侧形成薄膜晶体管器件层；薄膜晶体管器件层包括多个薄膜晶体管器件，以及与所述薄膜晶体管器件中的信号输入电极接触的正面金属搭接层；于薄膜晶体管器件层远离玻璃基板的一侧形成平坦化层，并刻蚀平坦化层形成第一开口；第一开口暴露薄膜晶体管器件中的源极或漏极；在平坦化层远离玻璃基板的一侧形成多个发光结构；每一发光结构通过第一开口与对应的薄膜晶体管器件中的源极或漏极电连接；在发光结构远离玻璃基板的一侧形成透明封装保护层；分离柔性衬底和所述牺牲层，并从柔性衬底远离薄膜晶体管器件层的一侧形成暴露正面金属搭接层的搭接孔；搭接孔用于连通外部驱动芯片与薄膜晶体管器件。本发明实施例提供的技术方案中，形成连通外部驱动芯片与薄膜晶体管器件的搭接孔只需贯穿柔性衬底以及栅极绝缘层即可，而且发光结构只需通过部分的平坦化层即可与薄膜晶体管器件连接，改善了过孔深度难以控制以及信号线容易断裂的问题，提高了显示面板的制备良率；而且，只需在形成柔性衬底时涂覆一次聚酰亚胺材料即可，无需制备现有技术中的流平层，简化了显示面板的制备工艺，降低了成本。
附图说明
42.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
43.图1是现有技术中提供的一种显示面板的结构示意图；
44.图2是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图；
45.图3是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s110对应的结构剖面图；
46.图4是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s120对应的结构剖面图；
47.图5是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s130对应的结构剖面图；
48.图6是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s140对应的结构剖面图；
49.图7是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s160对应的结构剖面图；
50.图8-图10是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s170对应的结构剖面图；
51.图11-图12是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s180 对应的结构剖面图；
52.图13是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程图；
53.图14是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s220对应的结构剖面图；
54.图15是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s230对应的结构剖面图；
55.图16是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s260对应的结构剖面图；
56.图17-图18是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s280 对应的结构剖面图；
57.图19是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s290对应的结构剖面图；
58.图20是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程图；
59.图21是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s310对应的结构剖面图；
60.图22是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s320对应的结构剖面图；
61.图23是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s330对应的结构剖面图；
62.图24是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s350对应的结构剖面图；
63.图25是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s380对应的结构剖面图；
64.图26是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s390对应的结构剖面图；
65.图27是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s3100对应的结构剖面图；
66.图28-29是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s3110对应的结构剖面图；
67.图30是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程图；
68.图31是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s410对应的结构剖面图；
69.图32是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤s420对应的结构剖面图。
具体实施方式
70.为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
71.本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法，图2是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图，参考图2，显示面板的制备方法包括：
72.s110、提供玻璃基板，并在玻璃基板的一侧形成牺牲层。
73.具体的，参考图3，玻璃基板10具有两个相对的表面，设定形成牺牲层20 的一侧为玻璃基板的第一表面。可以在玻璃基板10的第一表面形成一层非晶硅材料作为牺牲层20。
74.s120、于牺牲层远离玻璃基板的一侧形成柔性衬底。
75.具体的，参考图4，在玻璃基板10的第一表面形成牺牲层20后，再在牺牲层20背离玻璃基板10的一侧表面形成柔性衬底30。柔性衬底30能够为后续制备的显示器件乃至整个显示面板结构提供良好的支撑和保护效果，而牺牲层20设置于玻璃基板10与柔性衬底30之间，通过自柔性衬底30剥离牺牲层 20即可剥离玻璃基板10。并且，牺牲层20只与柔性衬底30接触，能够避免在后续激光剥离作业中剥离操作导致金属断裂的问题，保护了剥离后柔性衬底面向玻璃基板一侧表面的平整度和洁净度，无需进行表面处理，节省了能耗。此处的柔性衬底30的材料优选为pi，即聚酰亚胺。
76.s130、在柔性衬底远离玻璃基板的一侧形成薄膜晶体管器件层；薄膜晶体管器件层包括多个薄膜晶体管器件，以及与薄膜晶体管器件中的信号输入电极接触的正面金属搭接层。
77.具体的，参考图5，在pi薄膜(柔性衬底30)上制备tft器件、正面金属搭接层47形成
薄膜晶体管器件层。其中，正面金属搭接层47为叠层结构；叠层结构中至少靠近柔性衬底侧的膜层的熔点，高于薄膜晶体管器件中信号输入电极的熔点。例如靠近pi侧的材料使用高熔点的w，ta，mo，cr，ti或以其为主体材料的合金。
78.在步骤s130中，在柔性衬底远离玻璃基板的一侧形成薄膜晶体管器件层，包括：
79.于柔性衬底30远离玻璃基板10的一侧形成薄膜晶体管器件中的栅极41；栅极41覆盖部分的柔性衬底30；
80.于栅极41远离玻璃基板10的一侧、栅极41的侧壁以及栅极41未覆盖的柔性衬底30上形成栅极绝缘层42；
81.在栅极绝缘层42远离柔性衬底30的一侧形成正面金属搭接层47以及薄膜晶体管器件中的源极44、漏极45(或者源极45、漏极44)、有源层43和辅助电极46。
82.其中，有源层43在柔性衬底30上的垂直投影与栅极41在柔性衬底30上的垂直投影至少部分重合；源极44和漏极45位于有源层43的两侧，并均与有源层43接触；正面金属搭接层47包括第一正面金属搭接层471和第二正面金属搭接层472。图5中示例性的画出源极44与第一正面金属搭接层471接触，也可以为漏极45与第一正面金属搭接层471接触；辅助电极46与第二正面金属搭接层472接触。辅助电极46可以是像素电路里面诸如vss、vdd等tft 之外的走线。薄膜晶体管器件的信号输入电极即为源极44、漏极45、辅助电极 46。
83.s140、于薄膜晶体管器件层远离玻璃基板的一侧形成平坦化层，并刻蚀平坦化层形成第一开口；第一开口暴露薄膜晶体管器件中的源极或漏极。
84.具体的，参考图6，制作平坦化层50使得柔性衬底30背离玻璃基板10的一侧表面保持平坦，方便后续形成发光结构。平坦化层50的材料可以选择聚酰亚胺，也可以选择其他的有机平坦化材料。于薄膜晶体管器件层远离玻璃基板 10的一侧形成平坦化层50后，需对平坦化层50进行刻蚀处理，形成第一开口 51；第一开口51暴露薄膜晶体管器件中的源极44或漏极45，以便于发光结构的电极与薄膜晶体管器件的连接。图6示例性的画出第一开口51暴露薄膜晶体管器件中的漏极45。
85.s150、在平坦化层远离玻璃基板的一侧形成多个发光结构；每一发光结构通过第一开口与对应的薄膜晶体管器件中的源极或漏极电连接。
86.s160、在发光结构远离玻璃基板的一侧形成透明封装保护层。
87.具体的，参考图7，在tft和发光结构60之上制作透明封装保护层70；材料可以是环氧树脂，亚克力等透明有机材料；透明封装保护层70可以防止水氧对显示面板内部结构的损坏，还可以保证显示面板封装后的平整性。
88.s170、分离柔性衬底和牺牲层，并从柔性衬底远离薄膜晶体管器件层的一侧形成暴露正面金属搭接层的搭接孔；搭接孔用于连通外部驱动芯片与薄膜晶体管器件。
89.具体的，参考图8-图9，可以使用激光或是机械力的方式将柔性衬底30与牺牲层20分离，从而剥离了柔性衬底30和玻璃基板10，露出了柔性衬底30 背离薄膜晶体管器件层一侧的表面。将离型后的柔性衬底30反转，从柔性衬底 30远离薄膜晶体管器件层的一侧形成暴露正面金属搭接层47的搭接孔81。
90.s180、在搭接孔中形成导电引线，并在柔性衬底背离薄膜晶体管器件层一侧的表面制备连接焊盘，将驱动芯片与连接焊盘绑定。
91.具体的，参考图11-图12，形成暴露正面金属搭接层47的搭接孔之后，可以使用溅
射，真空蒸镀或者电镀工艺，在搭接孔中形成导电引线822，并在柔性衬底背离薄膜晶体管器件层一侧的表面制备连接焊盘821，将驱动芯片90与连接焊盘821绑定。也可以使用溶液加工法，将银浆，银纳米线对正面金属搭接层47进行导体化处理。驱动芯片90提供的电源信号经由连接焊盘821和搭接孔中的导电引线822，与正面金属搭接层47连接。薄膜晶体管器件中的信号输入电极与正面金属搭接层47连接，进而控制tft驱动板，实现发光结构的点亮。
92.其中，从柔性衬底远离薄膜晶体管器件层的一侧形成暴露正面金属搭接层 47的搭接孔可以使用飞秒激光将pi材料和栅绝缘层烧蚀，暴露出正面搭接金属层。正面金属搭接层47为叠层结构；叠层结构中至少靠近柔性衬底侧的膜层的熔点，高于薄膜晶体管器件中信号输入电极的熔点。利用正面搭接金属层47较高的熔点，保证在激光烧蚀的过程中，不损伤金属材料。
93.本发明实施例提供的显示面板的制备方法中，形成连通外部驱动芯片与薄膜晶体管器件的搭接孔只需贯穿柔性衬底以及栅极绝缘层即可，而且发光结构只需通过部分的平坦化层即可与薄膜晶体管器件连接，整体上改善了过孔深度难以控制以及信号线容易断裂的问题，提高了显示面板的制备良率；另外，在制备过程中，只需在形成柔性衬底时涂覆一次聚酰亚胺材料即可，无需制备现有技术中的流平层，简化了显示面板的制备工艺，降低了成本。
94.图13是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程图，参考图 13，显示面板的制备方法包括：
95.s210、提供玻璃基板，并在玻璃基板的一侧形成牺牲层。
96.s220、在牺牲层远离玻璃基板的一侧制作背面金属走线层。
97.具体的，参考图14，与上述实施例不同的是，本发明实施例中在牺牲层20 远离玻璃基板10的一侧制作背面金属走线层100。可以理解为，背面金属走线层100是否制备与控制整个显示面板所需的驱动芯片的数量相关。若控制整个显示面板所需的驱动芯片的数量较多，则可以在柔性衬底中制备背面金属走线层。例如显示面板为oled显示面板，其中的发光结构为oled发光结构，则可以选择不在柔性衬底中制备背面金属走线层，需要正面金属走线(正面金属搭接层)即可满足信号传输线的设置。例如显示面板为micro led显示面板，其中的发光结构为led发光结构。micro led的驱动对芯片的数量要求比较高，几个发光结构就需要对应一个驱动芯片，此时则需制备背面金属走线层100。
98.其中，背面金属走线层100包括图形相同的解离层和导电层(未画出)；相对于导电层，解离层较靠近于牺牲层。解离层为ag纳米线、碳纳米管、石墨烯等一维或二维纳米材料构成；或是溅射的碳膜，厚度在5nm～50nm厚；制备方法有旋涂，喷涂，喷墨打印；导电层由ag，cu，mo，ti，al，ni，au， pd，pt或以以上元素为主体的合金材料，制备方法溅射，蒸发，化学气相沉积，电镀；厚度范围50nm～20 000nm。可以使用同张掩模版依次图形化导电层和解离层，使得解离层和导电层的图形相同。
99.需要说明的是，若解离层的材料包括ag纳米线，在步骤s270即在led 发光结构远离玻璃基板的一侧形成透明封装保护层之后，还包括：通过ag刻蚀液腐蚀解离层，分离导电层和牺牲层20。若解离层的材料包括碳纳米管或石墨烯；在led发光结构远离玻璃基板的一侧形成透明封装保护层之后，还包括：通过等离子体轰击解离层，分离导电层和牺牲层20。
通过在导电层与牺牲层20 之间设置解离层，可以进一步的降低背面金属走线层100从牺牲层上剥离的难度。
100.s230、于背面金属走线层远离玻璃基板的一侧形成柔性衬底。
101.具体的，参考图15，可以涂敷pi溶液，制备pi薄膜形成柔性衬底30，柔性衬底30的厚度范围包括：10um-50um。柔性衬底的厚度大于背面金属走线层 100的厚度，在后续使用激光或是机械力的方式将柔性衬底30与玻璃基板10 分离时，可以保证柔性衬底30将背面金属导线固定在体内。其中，使用激光照射牺牲层时释放h气，可以改变牺牲层20与金属镀层的粘附力。
102.s240、在柔性衬底远离玻璃基板的一侧形成薄膜晶体管器件层；薄膜晶体管器件层包括多个薄膜晶体管器件，以及与薄膜晶体管器件中的信号输入电极接触的正面金属搭接层。
103.s250、于薄膜晶体管器件层远离玻璃基板的一侧形成平坦化层，并刻蚀平坦化层形成第一开口；第一开口暴露薄膜晶体管器件中的源极或漏极。
104.s260、在平坦化层远离玻璃基板的一侧形成多个led发光结构；每一led 发光结构通过第一开口与对应的薄膜晶体管器件中的源极或漏极电连接。
105.s270、在led发光结构远离玻璃基板的一侧形成透明封装保护层。
106.具体的，经过步骤s240～s270后，所形成的结构剖面图如图16所示。具体步骤可参考上述实施例，这里不再赘述。
107.s280、分离柔性衬底和牺牲层，并从柔性衬底远离薄膜晶体管器件层的一侧形成暴露正面金属搭接层的搭接孔；搭接孔用于连通外部驱动芯片与薄膜晶体管器件。
108.具体的，参考图17和图18，可以使用激光或是机械力的方式将柔性衬底 30与牺牲层20分离，从而剥离了柔性衬底30和玻璃基板10，露出了柔性衬底 30背离薄膜晶体管器件层一侧的表面。将离型后的柔性衬底30反转，从柔性衬底30远离薄膜晶体管器件层的一侧形成暴露正面金属搭接层47的搭接孔81。
109.s290、在搭接孔中形成导电引线，并在柔性衬底背离薄膜晶体管器件层一侧的表面制备连接焊盘，将驱动芯片与连接焊盘绑定。
110.参考图19，形成暴露正面金属搭接层47的搭接孔之后，在搭接孔中形成导电引线822，并在柔性衬底背离薄膜晶体管器件层一侧的表面制备连接焊盘 821，将驱动芯片90与连接焊盘821绑定。
111.本发明实施例提供的显示面板的制备方法中，形成连通外部驱动芯片与薄膜晶体管器件的搭接孔只需贯穿柔性衬底以及栅极绝缘层即可，而且发光结构只需通过部分的平坦化层即可与薄膜晶体管器件连接，整体上改善了过孔深度难以控制以及信号线容易断裂的问题，提高了显示面板的制备良率；另外，在制备过程中，只需在形成柔性衬底时涂覆一次聚酰亚胺材料即可，无需制备现有技术中的流平层，简化了显示面板的制备工艺，降低了成本。在此基础上，本发明实施例中在在牺牲层远离玻璃基板的一侧制作背面金属走线层。满足 micro led的驱动对芯片的数量要求比较高的需求。其中，背面金属走线层包括图形相同的解离层和导电层；相对于导电层，解离层较靠近于牺牲层。通过在导电层与牺牲层之间设置解离层，可以降低背面金属走线层从牺牲层上剥离的难度。
112.图20是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程图，参考图 20，显
示面板的制备方法包括：
113.s310、提供玻璃基板，在玻璃基板的一侧形成凸起结构，所述凸起结构的材料包括光刻胶或者非晶硅。
114.具体的，参考图21，在玻璃基板10形成牺牲层的一侧先形成凸起结构11。形成凸起结构可以包括：在玻璃基板10的一侧形成光刻胶层，图形化光刻胶层形成凸起结构11。或者，在玻璃基板10的一侧形成非晶硅层，图形化非晶硅层形成凸起结构11。凸起结构11远离玻璃基板10一侧的表面到玻璃基板之间的距离范围包括5-55um，即凸起结构11的高度范围包括5-55um。其中凸起结构 11在玻璃基板10上的垂直投影与后续制备的正面金属搭接层在玻璃基板上的垂直投影至少部分重合。凸起结构11用于在通过涂敷pi溶液制备柔性衬底时，在柔性衬底中凸起结构对应的位置上形成第二开口；第二开口用于在分离柔性衬底和牺牲层后，暴露栅极绝缘层。凸起结构11的剖面形状可以为三角形、长方形或者梯形。这里对凸起结构11的形状不进行限定，图21中示例性的画出凸起结构11的剖面形状为三角形。
115.s320、在玻璃基板的一侧形成牺牲层，牺牲层覆盖凸起结构。
116.具体的，参考图22，在玻璃基板10的一侧形成牺牲层20，牺牲层20覆盖凸起结构11。
117.s330、在牺牲层远离玻璃基板的一侧制作背面金属走线层。
118.具体的，参考图23，在牺牲层20远离玻璃基板10的一侧制作背面金属走线层100。背面金属走线层100的组成可参考上述实施例，这里不再赘述。
119.s340、于背面金属走线层远离玻璃基板的一侧形成柔性衬底。
120.具体的，参考图24，可以涂敷pi溶液，固化后形成柔性衬底30，柔性衬底30的厚度范围包括：10um-50um。在凸起结构11所在的位置，涂敷pi溶液的高度可以不超过凸起结构11的高度，在固化pi溶液形成柔性衬底30后，柔性衬底30可以形成通孔，即第二开口。无需再形成搭接孔过程中通过激光灼烧柔性衬底，进一步的简化了显示面板的制备工艺。需要说明的是，凸起结构11 和凸起结构11位置上的牺牲层20的高度和，需小于或等于后续形成的栅极绝缘层的高度，以防止在分离柔性衬底和牺牲层后形成的搭接孔过深，而影响到正面金属搭接层。
121.s350、在柔性衬底远离玻璃基板的一侧形成薄膜晶体管器件层；薄膜晶体管器件层包括多个薄膜晶体管器件，以及与薄膜晶体管器件中的信号输入电极接触的正面金属搭接层。
122.s360、于薄膜晶体管器件层远离玻璃基板的一侧形成平坦化层，并刻蚀平坦化层形成第一开口；第一开口暴露薄膜晶体管器件中的源极或漏极。
123.s370、在平坦化层远离玻璃基板的一侧形成多个led发光结构；每一led 发光结构通过第一开口与对应的薄膜晶体管器件中的源极或漏极电连接。
124.s380、在led发光结构远离玻璃基板的一侧形成透明封装保护层。
125.具体的，经过步骤s350～s380后，所形成的结构剖面图如图25所示。具体步骤可参考上述实施例，这里不再赘述。
126.s390、分离柔性衬底和牺牲层，暴露出柔性衬底的第二开口。
127.具体的，参考图26，可以使用激光或是机械力的方式将柔性衬底30与牺牲层20分离，从而剥离了柔性衬底30和玻璃基板10，露出了柔性衬底30背离薄膜晶体管器件层一侧
的表面。分离柔性衬底30和牺牲层20，从而暴露出柔性衬底30中的第二开口31。
128.s3100、通过黄光制程刻蚀第二开口暴露出的栅极绝缘层，在栅极绝缘层中形成第三开口，以暴露正面金属搭接层；其中，同一位置上的第二开口与第三开口组成一个搭接孔；搭接孔用于连通外部驱动芯片与薄膜晶体管器件。
129.具体的，将离型后的柔性衬底30反转，通过黄光制程刻蚀第二开口31暴露出的栅极绝缘层42，在栅极绝缘层42中形成第三开口421，以暴露正面金属搭接层47；其中，同一位置上的第二开口31与第三开口421组成一个搭接孔 81；搭接孔81用于连通外部驱动芯片与薄膜晶体管器件。
130.s3110、在搭接孔中形成导电引线，并在柔性衬底背离薄膜晶体管器件层一侧的表面制备连接焊盘，将驱动芯片与连接焊盘绑定。
131.具体的，参考图29，形成暴露正面金属搭接层的搭接孔之后，在搭接孔中形成导电引线822，并在柔性衬底背离薄膜晶体管器件层一侧的表面制备连接焊盘821，将驱动芯片90与连接焊盘821绑定。
132.本发明实施例提供的显示面板的制备方法，在上述实施例的基础上，通过在玻璃基板的一侧形成光刻胶层或非晶硅层，并图形化光刻胶层或者非晶硅层形成凸起结构。使得在制备柔性衬底过程中即可形成贯穿柔性衬底的通孔，因此不需要再用激光或者干法刻蚀工艺刻蚀柔性衬底。而仅需要采用普通黄光制程刻蚀栅极绝缘层(一般是siox、sinx、alox或者几者的叠层结构)形成贯通栅极绝缘层的第三开口，从而形成搭接孔。进一步的简化了显示面板中对搭接孔制备的难度，可有效的控制搭接孔的深度。
133.可选的，在本发明的另一个实施例中，在步骤s340于背面金属走线层远离玻璃基板的一侧形成柔性衬底时，涂敷pi溶液的高度可以不超过凸起结构11 的高度，在固化pi溶液形成柔性衬底30后，在柔性衬底中凸起结构对应的位置上形成凹槽，凹槽用于在分离柔性衬底和所述牺牲层后，减小在形成搭接孔时刻蚀柔性衬底的厚度。同样可以降低刻蚀柔性衬底通孔的难度。则在步骤s390 之后，还包括基于所述凹槽，通过激光刻蚀凹槽所在位置的柔性衬底，在柔性衬底中形成暴露出所述栅极绝缘层的第二开口。在s3100步骤中，可以通过黄光制程刻蚀第二开口暴露出的栅极绝缘层，在栅极绝缘层中形成第三开口，以暴露正面金属搭接层；其中，同一位置上的第二开口与第三开口组成一个搭接孔。或者，可以通过激光继续刻蚀所述栅极绝缘层，直至暴露出所述正面金属搭接层；在栅极绝缘层中形成暴露出所述正面金属搭接层的第三开口；从而形成搭接孔。
134.图30是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程图，参考图 31，显示面板的制备方法包括：
135.s410、提供玻璃基板，图形化玻璃基板一侧的表面，形成凸起结构。
136.具体的，参考图31，刻蚀玻璃基板10一侧的表面，形成凸起结构11。凸起结构11的高度范围包括5-55um，即刻蚀玻璃基板的深度的范围包括5-55um。其中凸起结构11在玻璃基板10上的垂直投影与后续制备的正面金属搭接层在玻璃基板上的垂直投影至少部分重合。凸起结构用于在通过涂敷pi溶液制备柔性衬底时，在柔性衬底中凸起结构对应的位置上形成第二开口；第二开口用于在分离柔性衬底和牺牲层后，暴露栅极绝缘层。
137.s420、在玻璃基板的一侧形成牺牲层，牺牲层覆盖凸起结构。
138.具体的，参考图2，在玻璃基板10的一侧形成牺牲层20，牺牲层20覆盖凸起结构11。
139.s430、在牺牲层远离玻璃基板的一侧制作背面金属走线层。
140.s440、于背面金属走线层远离玻璃基板的一侧形成柔性衬底。
141.s450、在柔性衬底远离玻璃基板的一侧形成薄膜晶体管器件层；薄膜晶体管器件层包括多个薄膜晶体管器件，以及与薄膜晶体管器件中的信号输入电极接触的正面金属搭接层。
142.s460、于薄膜晶体管器件层远离玻璃基板的一侧形成平坦化层，并刻蚀平坦化层形成第一开口；第一开口暴露薄膜晶体管器件中的源极或漏极。
143.s470、在平坦化层远离玻璃基板的一侧形成多个led发光结构；每一led 发光结构通过第一开口与对应的薄膜晶体管器件中的源极或漏极电连接。
144.s480、在led发光结构远离玻璃基板的一侧形成透明封装保护层。
145.s490、分离柔性衬底和牺牲层，暴露出柔性衬底的第二开口。
146.s4100、通过黄光制程刻蚀第二开口暴露出的栅极绝缘层，在栅极绝缘层中形成第三开口，以暴露正面金属搭接层；其中，同一位置上的第二开口与第三开口组成一个搭接孔；搭接孔用于连通外部驱动芯片与薄膜晶体管器件。
147.步骤s430～s4110可对应的参考s330～s3110，这里不再赘述。本发明实施例提供的显示面板的制备方法，在上述实施例的基础上，通过刻蚀玻璃基板形成pi通孔的凸起结构。无需在玻璃基板的一侧形成光刻胶层或非晶硅层，再图形化光刻胶层或者非晶硅层形成凸起结构。因此，在简化了显示面板中对搭接孔制备的难度，可有效的控制搭接孔的深度的同时，可以减少工艺步骤，进一步的提高显示面板的制备效率，降低了成本。
148.本发明实施例还提供了一种显示面板，通过上述任意实施例所述的显示面板的制备方法形成。
149.示例性的，参考图12，显示面板包括：柔性衬底30，在柔性衬底30的一侧形成有薄膜晶体管器件层；薄膜晶体管器件层包括多个薄膜晶体管器件，以及与薄膜晶体管器件中的信号输入电极接触的正面金属搭接层47。于薄膜晶体管器件层远离玻璃基板的一侧形成有平坦化层50，平坦化层50包括第一开口；第一开口暴露薄膜晶体管器件中的源极或漏极。在平坦化层50远离玻璃基板的一侧具有多个发光结构60；每一发光结构60通过第一开口与对应的薄膜晶体管器件中的源极或漏极电连接。在发光结构60远离玻璃基板的一侧设置有透明封装保护层70。从柔性衬底30远离薄膜晶体管器件层的一侧设置有暴露正面金属搭接层47的搭接孔，在搭接孔中具有导电引线822。并在柔性衬底背离薄膜晶体管器件层一侧的表面制备连接焊盘821，将驱动芯片90与连接焊盘绑定。
150.本发明实施例提供的显示面板中，连通外部驱动芯片与薄膜晶体管器件的搭接孔只需贯穿柔性衬底30以及栅极绝缘层42即可，而且发光结构60只需通过部分的平坦化层50即可与薄膜晶体管器件连接，整体上改善了过孔深度难以控制以及信号线容易断裂的问题，提高了显示面板的制备良率；另外，在制备过程中，只需在形成柔性衬底30时涂覆一次聚酰亚胺材料即可，无需制备现有技术中的流平层，简化了显示面板的制备工艺，降低了成本。
151.注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行
了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。