一种半导体封装结构及其制备方法与流程

1.本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种半导体封装结构及其制备方法。


背景技术：

2.引线框封装件一直半导体封装的常用封装结构，其需要利用引线框的基岛和电极端子结构进行电引出和承载芯片，而该结构电连接件是必须的，该连接件连接芯片的电极以及电极端子结构以实现芯片封装。而该种结构每个电连接件需要两次焊接，即电连接件与芯片的电极焊接以及电连接件与电极端子结构的电连接件，较为复杂，并且，对于焊料接合电连接件，接合位置容易因为接合焊料缺少，或电连接件接合不平，造成虚焊，或者焊接断开等风险。


技术实现要素：

3.本发明的目的之一在于克服现有技术中所述的缺陷，从而提供一种半导体封装结构，其包括：导电基岛，包括相对的第一表面和第二表面；半导体芯片，包括在其下表面的第一电极以及在其上表面的第二电极，所述第一电极接合于所述导电基岛的第一表面上；电连接件，电接合于所述第二电极；密封层，密封所述导电基岛、半导体芯片和电连接件，且所述导电基岛的第二表面与所述密封层的下表面齐平。
4.所述电连接件包括依次连接的端子部、连接部和焊接部，所述焊接部为长方形结构且包括一凹陷，所述凹陷为方形结构，且所述焊接部远离所述连接部的一边具有折弯的裙边。所述裙边与所述凹陷的第一侧壁构成一凹槽，所述第一侧壁为贯通结构，所述贯通结构连通所述凹陷和所述凹槽；所述凹槽内具有第一焊料，所述电连接件通过所述第一焊料电连接于所述第二电极。
5.根据本发明的实施例，所述凹陷内包括残留焊料，所述残留焊料与所述第一焊料为一体结构。
6.根据本发明的实施例，俯视观察时，所述凹陷的大部分位于所述半导体芯片的外侧。
7.根据本发明的实施例，所述端子部的下表面与所述密封层的下表面齐平。
8.本发明根据上述半导体封装结构，本发明还提供了一种半导体封装结构的制备方法，包括以下步骤：s1、提供导电基岛，所述导电基岛包括相对的第一表面和第二表面；s2、提供一半导体芯片，所述半导体芯片包括在其下表面的第一电极以及在其上表面的第二电极，将所述第一电极接合于所述导电基岛的第一表面上；s3、提供电连接件，所述电连接件包括依次连接的端子部、连接部和焊接部，所述焊接部为长方形结构且包括一凹陷，所述凹陷为方形结构，且所述焊接部远离所述连接部的一边具有折弯的裙边，所述裙边与所述凹陷的第一侧壁构成一凹槽，所述第一侧壁为贯通结构，所述贯通结构连通所述凹陷和所述凹槽；并将所述焊接部压合于所述第二电极上，
其中，所述凹槽对准所述第二电极；s4、在所述凹陷内设置焊料片，并热压，使得所述焊料片熔融形成第一焊料进入所述凹槽内，以实现所述电连接件与所述第二电极的接合；s5、形成密封层，所述密封层密封所述导电基岛、半导体芯片和电连接件，且所述导电基岛的第二表面与所述密封层的下表面齐平。
9.根据本发明的实施例，在s4中，所述热压包括利用压块按压所述焊料片，并加热使得所述焊料片熔融，进一步的使得熔融的焊料通过所述贯通结构填充所述凹槽内，实现所述电连接件与所述第二电极的焊接接合。
10.根据本发明的实施例，所述电连接件通过冲压模具一次性冲压形成，得到的所述电连接件为一体成型结构。
11.根据本发明的实施例，在步骤s3之后形成的电连接件，俯视观察时，所述凹陷的大部分位于所述半导体芯片的外侧。
12.根据本发明的实施例，步骤s4具体包括：利用热压头对焊料片进行局部加热熔融，实现焊料片的液态化，并使得熔融的焊料片通过所述贯通结构16进入所述凹槽内。
13.与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：本发明的电连接件的焊接部包括相互连通的凹陷和凹槽，其中所述凹陷朝上，所述凹槽朝下，在使用时，在凹陷内容置焊料片，并在热压状态下使得焊料片熔化为焊料进入凹槽内，实现电连接件与芯片的上部电极的直接电连接件。并且，焊料部分残留于所述凹陷内，凹陷内的焊料用于后期的电连接，凹陷可以用于后期电连接其他端子部的部位。
14.本发明的电连接件通过冲压模具一次冲压形成，其为一体结构，形成方法简单，且该电连接件的焊接部可以很容易的对准焊接位置，焊料也可以较多的容置于凹槽内用于电连接。并且，凹槽的裙边可以阻挡焊料向外侧溢出，实现焊料的隔断，保证电连接的可靠性。
附图说明
15.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
16.图1为本发明电连接件的示意图，（a）为剖面图，（b）为俯视图；图2为本发明利用冲压模具形成电连接件的示意图，（c）为冲压前的示意图，（d）为冲压后的示意图；图3为本发明半导体封装结构的剖视图；图4为在导电基岛上接合半导体芯片的示意图；图5为电连接件接合半导体芯片的示意图；图6为设置焊料片之后的示意图；图7为热压焊料片的示意图；图8为形成密封层之后的示意图。
17.附图标记说明：10、电连接件；11、端子部；12、连接部；13、焊接部；14、凹陷；15、凹槽；16、贯通结
构；17、裙边；20、半导体封装结构；21、基岛；22、半导体芯片；23、第一焊料；24、第一电极；25、第二焊料；26、残留焊料；27、密封层；28、底面；29、焊料片；30、冲压模具；40、冲压件；50、热压头。
具体实施方式
18.下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
19.本实施例提供了半导体封装结构，其包括：导电基岛，包括相对的第一表面和第二表面；半导体芯片，包括在其下表面的第一电极以及在其上表面的第二电极，所述第一电极接合于所述导电基岛的第一表面上；电连接件，电接合于所述第二电极；密封层，密封所述导电基岛、半导体芯片和电连接件，且所述导电基岛的第二表面与所述密封层的下表面齐平；所述电连接件包括依次连接的端子部、连接部和焊接部，所述焊接部为长方形结构且包括一凹陷，所述凹陷为方形结构，且所述焊接部远离所述连接部的一边具有折弯的裙边，所述裙边与所述凹陷的第一侧壁构成一凹槽，所述第一侧壁为贯通结构，所述贯通结构连通所述凹陷和所述凹槽；所述凹槽内具有第一焊料，所述电连接件通过所述第一焊料电连接于所述第二电极。
20.首先参见图1，本发明所述使用电连接件10包括一体成型的端子部11、连接部12和焊接部13。电连接件10为折形的铜材结构，其通过模具冲压形成。其中，端子部11位于底部，而焊接部13位于顶部，连接部12连接所述端子部11和焊接部13。端子部11呈方形结构，且用于电连接至外部。连接部12为倾斜结构，其一端接合于所述端子部11，另一端接合于焊接部13的一边上。
21.焊接部13俯视观察时呈长方形结构，在焊接部13上具有凹陷14，该凹陷14通过冲压形成，在凹陷14的一个侧壁上被冲压形成贯通结构16。在焊接部13的一边上具有裙边17，该裙边17通过折弯形成，与凹陷14的侧壁之间形成一凹槽15。凹槽15两侧为开放的结构，该裙边17用作焊料阻挡部位使用。裙边17的底部与凹陷14的底部齐平。
22.特别的，如图1的（a）所示，凹陷14通过其侧壁上的贯通结构16连通所述凹槽15，在实际使用该电连接件10时，凹陷14用于承载焊料片，而凹槽15用于容纳焊料形成电连接。此外，本发明的凹陷14还作为额外的连接点实现与其他连接件的电连接对准，并容纳焊料。
23.该电连接件10通过机械冲压方式形成，具体可以参见图2。其中，冲压模具30可以包括在其冲压面上的切割刀，其一切割刀用于与冲压件40进行切断，另一切割刀则用于形成贯通结构16。此外，冲压面上还包括一突起部，其对应的形成凹陷14。
24.参见图2的（d），电连接件10可以通过一次冲压直接形成，并且，为了保证凹陷14底部和裙边17底部的齐平，可以研磨并粗糙化凹陷底部，粗糙化的凹陷底部（底面）可以提高焊接的可靠性，保证接合处的焊料延展以及与后续密封层的接触。
25.作为本发明实施例的半导体封装结构20可以参见图3，其至少包括电连接件10、基岛21、半导体芯片22、密封层27。其中，基岛21的底面、密封层27的底面28与电连接件10的端
子部11的底面共面，即使得密封层27在其底面28露出基岛21和端子部11。基岛21的材质可以是铜，其作为其中一个端子使用，且充当散热件的功能部。该基岛21在其侧面具有阶梯形状，以保证与密封层27的接合和密封性。
26.具体的，形成本发明实施的半导体封装结构的方法，包括以下步骤：s1、提供导电基岛，所述导电基岛包括相对的第一表面和第二表面；s2、提供一半导体芯片，所述半导体芯片包括在其下表面的第一电极以及在其上表面的第二电极，将所述第一电极接合于所述导电基岛的第一表面上；s3、提供电连接件，所述电连接件包括依次连接的端子部、连接部和焊接部，所述焊接部为长方形结构且包括一凹陷，所述凹陷为方形结构，且所述焊接部远离所述连接部的一边具有折弯的裙边，所述裙边与所述凹陷的第一侧壁构成一凹槽，所述第一侧壁为贯通结构，所述贯通结构连通所述凹陷和所述凹槽；并将所述焊接部压合于所述第二电极上，其中，所述凹槽对准所述第二电极；s4、在所述凹陷内设置焊料片，并热压，使得所述焊料片熔融形成第一焊料进入所述凹槽内，以实现所述电连接件与所述第二电极的接合；s5、形成密封层，所述密封层密封所述导电基岛、半导体芯片和电连接件，且所述导电基岛的第二表面与所述密封层的下表面齐平。
27.其中，半导体芯片22可以是功率芯片，例如igbt、hbt、hemt等芯片，其上下均具有电极，例如包括下电极24和上电极23，其中上电极23可以是两个。下电极24通过第一焊料25接合于所述基岛21的上面，第一焊料25可以选自锡铅焊料、金锡焊料等。具体形成步骤可以参见图4，回流焊工艺可应用于该步骤。
28.接着，参见图5，电连接件10的焊接部13压合于上电极23上，其中凹陷14的底部以及裙边17的底部可以同时与半导体芯片22的上表面接触，且凹槽15对准于上电极23。此时，俯视观察时，所述凹陷14的大部分位于所述半导体芯片22的外侧，这样作为连接其他端子的凹陷14的位置，在进行焊接时，可以不影响凹槽15处的焊料电连接。
29.接着，参见图6，在凹陷14内放置焊料片29，该焊料片29可以是低熔点焊料形成，其为片状结构，且尺寸适用于凹陷14。
30.接着，参见图7，采用低温热压的形式，利用热压头50对焊料片29进行局部加热熔融，实现焊料片29的液态化，此时温度大致在150-220℃之间。由于压力的作用，熔融的焊料片29变为第二焊料26通过贯通结构16进入凹槽15内，同时接触上电极23和焊接部13，实现半导体芯片22和电连接件10的电连接件。在该步骤中，热压头50可以是加热压块，其局部加热的方式可以防止温度过高损毁半导体芯片22，保证电连接以及封装的可靠性。
31.在此步骤中，凹陷14内残留有部分焊料，残留的焊料可以作为后续更多端子的焊接材料，且凹陷14可以在连接其他端子时，保证焊料的容纳量，且可以作为对准部件使用。
32.最后，注塑形成密封层27，该密封层27可以通过常规的固化树脂材料形成，密封层27的底面与基岛21和端子部11的底部齐平。如此，得到如图8所示的半导体封装结构。
33.本发明的电连接件的焊接部包括相互连通的凹陷和凹槽，其中所述凹陷朝上，所述凹槽朝下，在使用时，在凹陷内容置焊料片，并在热压状态下使得焊料片熔化为焊料进入凹槽内，实现电连接件与芯片的上部电极的直接电连接件。并且，焊料部分残留于所述凹陷内，凹陷内的焊料用于后期的电连接，凹陷可以用于后期电连接其他端子部的部位。
34.本发明的电连接件通过冲压模具一次冲压形成，其为一体结构，形成方法简单，且该电连接件的焊接部可以很容易的对准焊接位置，焊料也可以较多的容置于凹槽内用于电连接。并且，凹槽的裙边可以阻挡焊料向外侧溢出，实现焊料的隔断，保证电连接的可靠性。
35.以上仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。