控制半导体处理系统中气流的系统和方法与流程

1.本发明总体涉及控制半导体处理系统中的气流，更具体地说，涉及控制半导体处理系统中的有害处理气流。


背景技术：

2.用于制造半导体器件的处理工具在半导体器件的制造过程中采用处理气体来执行各种处理操作，比如在超大规模集成电路器件、太阳能电池和显示器的制造期间将膜沉积到衬底上。处理气体通常通过计量装置从处理气体源流到处理工具，计量装置根据采用处理气体的处理工具的处理要求来调节处理气体的流量。在处理期间，处理工具通常排放排气流，其可能包括残留的处理气体和/或各种处理气体产物。由于残余处理气体和/或各种处理气体产物可能是危险的，例如易燃和/或有毒的，惰性气体可以与残余处理气体产物和/或处理气体产物混合，以限制(或消除)与处理工具排出的残余处理气体和/或处理气体产物相关的潜在危险。
3.将惰性气体混合到排气流中的一个挑战是与某些惰性气体相关的成本。例如，为了确保排气流中潜在危险化合物的浓度足够低，提供给处理工具的惰性气体的流量(例如质量流量或体积流量)可以根据提供给处理工具的处理气体的最大流量来确定大小，例如在处理气体供应阀被无意中驱动到全开位置的情况下。虽然通常令人满意的是惰性气体的流量足以减少与残余处理气体和/或处理气体产物的相对高流量相关的危险，但该策略也意味着惰性气体流量通常大于处理工具所采用的过程所需的流量。由于惰性气体消耗，这增加了处理工具的操作成本。它还要求某些处理工具附件比如通风系统和/或排气减排系统比其他可能的要大。
4.限制与惰性气体相关的成本的一种方法是在处理气体供应管线中使用限流器或流量调节器。当尺寸小于处理气体阀的流量额定值并且大于处理工具所需的处理流量时，可以使用限流器和流量调节器来限制处理气体从源侧(例如从处理气体的壳体或批量供应源)流到处理工具。然而，尽管在限制处理工具的惰性气体需求方面是有效的，但限流器和流量调节器相对于处理工具所需的处理气体流量来说通常也是过大的。因此，提供给处理工具的惰性气体的流量仍高于处理工具所要求的流量，由于惰性气体要求高于其他要求，所以处理工具的操作成本更高。
5.这种系统和方法对于它们的预期目的来说通常是可接受的。然而，仍需要改进的气体系统、具有气体系统的半导体处理系统以及控制半导体处理系统中的处理气体流量的方法。本公开提供了对这种需求的解决方案。


技术实现要素：

6.提供了一种气体系统。气体系统包括外壳、处理气体计量阀、截止阀和流量开关。处理气体计量阀布置在外壳内，并且配置为将处理气体流动到半导体处理系统的处理室。截止阀连接到处理气体计量阀，并配置为将处理气体计量阀与处理气体源流体分离。流量
开关可操作地连接到截止阀，并配置为根据穿过流量开关的气体流量，使用截止阀来停止处理气体到半导体处理系统的处理室的流动。
7.除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，进一步的示例可以包括截止阀和流量开关中的至少一个布置在外壳的外部。
8.除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，进一步的示例可以包括流量开关流体联接到截止阀和处理气体计量阀。
9.除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，进一步的示例可以包括流量开关与截止阀流体隔离。
10.除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，进一步的示例可以包括流量开关具有截止触发，处理气体计量阀具有流量额定值，并且流量开关的截止触发小于处理气体计量阀的流量额定值。
11.除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，进一步的示例可以包括将流量开关连接到截止阀的继电器。
12.除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，进一步的示例可以包括将流量开关连接到截止阀的控制器。
13.除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，进一步的示例可以包括流量开关是连接到截止阀的处理气体流量开关，并且气体系统还包括连接到处理气体流量开关的处理气体源和连接到处理气体计量阀的处理室。处理气体流量开关可以将处理气体源流体联接到处理室。
14.除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，进一步的示例可以包括处理气体源包括含硅气体。
15.除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，进一步的示例可以包括：处理气体源是第一处理气体源，处理气体流量开关是第一处理气体流量开关，以及截止阀是第一截止阀。气体系统还可以包括第二处理气体源、连接到第二处理气体源的第二处理气体流量开关以及连接到第二处理气体流量开关的第二截止阀。第二截止阀可以将第二处理气体源流体联接到处理室。第二处理气体流量开关可以可操作地连接到第二截止阀。
16.除了上述一个或多个特征之外，或者作为替代，进一步的示例可以包括前级管线、真空泵、惰性气体流量开关和惰性气体源。前级管线可以连接到处理室，真空泵可以连接到前级管线，惰性气体流量开关可以连接到真空泵。惰性气体源可以连接到惰性气体流量开关并通过其流体联接到真空泵，惰性气体流量开关可以可操作地连接到截止阀。
17.除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，进一步的示例可以包括流量开关是惰性气体流量开关，并且气体系统还包括连接到截止阀的处理气体源、连接到处理气体计量阀并通过其流体联接到处理气体源的处理室、连接到处理室的真空泵以及连接到惰性气体流量开关并通过其流体联接到真空泵的惰性气体源。
18.除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，进一步的示例可以包括：惰性气体流量开关具有惰性气体截止触发，并且配置为当穿过惰性气体流量开关并到达真空泵的惰性气体流量小于惰性气体截止触发时关闭截止阀。
19.除了上述一个或多个特征之外，或者作为替代，进一步的示例可以包括流量开关是处理气体流量开关，并且气体系统还包括流体联接到处理气体计量阀的前级管线、连接
到前级管线的真空泵以及流体联接到真空泵并通过其联接到前级管线的惰性气体流量开关。惰性气体开关可以可操作地连接到截止阀。
20.除了上述一个或多个特征之外，或者作为替代，进一步的示例可以包括惰性气体流量开关具有惰性气体截止触发，并且惰性气体流量开关配置为当穿过惰性气体流量开关的惰性气体流量小于惰性气体截止触发时关闭截止阀。
21.除了上述一个或多个特征之外，或者作为替代，进一步的示例可以包括惰性气体流量开关是第一惰性气体流量开关，并且气体系统还包括排气导管和第二惰性气体流量开关。排气导管可以连接到真空泵。第二惰性气体流量开关可以流体联接到排气导管并通过其联接到真空泵。第二惰性气体流量开关可以可操作地连接到流量开关。
22.提供了一种半导体处理系统。半导体处理系统包括如上所述的气体系统、处理气体源、处理室和衬底支撑件。处理气体源连接到处理气体流量开关。处理室通过处理气体计量阀和截止阀流体联接到流量开关。衬底支撑件布置在处理室内，并且配置为在使用由处理气体源提供的处理气体将膜沉积到衬底上期间，将衬底安置在其上。流量开关是具有处理气体截止触发的处理气体流量开关，处理气体计量阀具有流量额定值，并且处理气体流量开关的处理气体截止触发小于处理气体计量阀的流量额定值。
23.提供了一种气体流量控制方法。该方法包括，在如上所述的气体系统处，向流量开关提供处理气体，将处理气体的流量与流量开关的截止触发进行比较，以及当处理气体的流量小于流量开关的截止触发时，使处理气体通过截止阀流到处理气体计量阀，并通过其流到半导体处理系统的处理室。当处理气体的流量大于流量开关的截止触发时，停止处理气体流过截止阀并通过其流到半导体处理系统的处理室。
24.除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，进一步的示例可以包括使处理气体流过截止阀还包括使用处理气体将膜沉积到衬底上。
25.除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，进一步的示例可以包括停止处理气体的流动包括停止将膜沉积到衬底上。
26.提供了另一种气体控制方法。该气体控制方法包括，在如上所述的气体系统处，向流量开关提供惰性气体，将惰性气体的流量与流量开关的截止触发进行比较，以及当惰性气体的流量大于流量开关的截止触发时，使处理气体通过截止阀流到处理气体计量阀，并通过其流到半导体处理系统的处理室。当惰性气体的流量小于流量开关的截止触发时，停止处理气体流过截止阀并通过其流到半导体处理系统的处理室。
27.除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，进一步的示例可以包括流量开关是惰性气体流量开关，气体系统还包括处理气体流量开关，并且该方法还包括向处理气体流量开关提供处理气体，将处理气体的流量与处理气体流量开关的处理气体截止触发进行比较，以及当处理气体的流量小于处理气体流量开关的处理气体截止触发时，使处理气体通过截止阀流到处理气体计量阀。当处理气体的流量大于处理气体流量开关的处理气体截止触发时，停止使处理气体流过截止阀。
28.提供本发明内容是为了以简化的形式介绍一些概念。这些概念在以下公开的示例的详细描述中被进一步详细描述。本发明内容不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。
附图说明
29.下面参照某些实施例的附图描述这里公开的本发明的这些和其他特征、方面和优点，这些实施例旨在说明而不是限制本发明。
30.图1是根据本公开的半导体处理系统的示意图，示出了将处理气体源和惰性气体源流体联接到处理室的气体系统；
31.图2是图1的气体系统的示意图，示出了气体系统的流量开关，该流量开关可操作地连接到气体系统的截止阀，以根据穿过流量开关的气体流量来停止处理气体到处理室的流动；
32.图3是根据一示例的图1的半导体处理系统的示意图，示出了气体系统通过处理气体流量开关将处理气体源流体联接到处理室；
33.图4是根据另一示例的图1的半导体处理系统的示意图，示出了气体系统通过第一和第二处理气体流量开关将第一和第二处理气体源流体联接到处理室；
34.图5是根据另一示例的图1的半导体处理系统的示意图，示出了气体系统通过惰性气体流量开关将惰性气体源流体联接到排气源和排气导管；
35.图6是根据另一示例的图1的半导体处理系统的示意图，示出了气体系统通过第一和第二惰性气体流量开关将惰性气体源流体联接到排气源和排气导管；
36.图7是根据另一示例的图1的气体系统和半导体处理系统的示意图，示出了气体系统通过处理气体流量开关和惰性气体流量开关将处理气体源和惰性气体源流体联接到处理室；
37.图8是控制半导体处理系统中的气流的方法的框图，示出了使用穿过流量开关的气流来停止处理气体到处理室的流动的操作；
38.图9是控制半导体处理系统中的气流的另一种方法的框图，示出了使用穿过处理气体流量开关的处理气体流量来停止处理气体到处理室的流动的操作；
39.图10是控制半导体处理系统中的气流的另一种方法的框图，示出了使用穿过惰性气体流量开关的惰性气体流量来停止处理气体到处理室的流动的操作；
40.图11是控制半导体处理系统中的气流的又一方法的框图，示出了使用穿过处理气体流量开关和惰性气体流量开关的处理气体和惰性气体的流量来停止处理气体到处理室的流动的操作；以及
41.图12是根据本公开的用于半导体处理系统的气体控制套件的示意图，示出了该套件的元件。
42.应当理解，附图中的元件是为了简单和清楚而示出的，并不一定是按比例绘制的。例如，图中一些元件的相对尺寸可能相对于其他元件被夸大，以帮助提高对本公开的所示实施例的理解。
具体实施方式
43.现在将参考附图，其中相同的附图标记表示本主题公开的相似的结构特征或方面。出于解释和说明而非限制的目的，图1中示出了根据本公开的具有气体系统的半导体处理系统的示例的局部视图，并且通常由附图标记100表示。在图2-12中提供了根据本公开的气体系统、半导体处理系统和控制半导体处理系统中的气流的方法或其方面的其他示例，
如将所述。本公开的系统和方法可以用于限制半导体处理系统所需的惰性气体的质量流量和/或增强半导体处理系统的安全性，比如在将膜沉积到衬底上期间使用潜在危险的处理气体的半导体处理系统，尽管本公开一般不限于任何特定类型的半导体处理系统或处理气体。
44.参考图1，根据示例示出了半导体处理系统100。如图1所示，半导体处理系统100包括处理室102和气体系统104。半导体处理系统100还包括处理气体源106、惰性气体源110、通风源108和真空源112。半导体处理系统100还包括处理气体源导管114、处理气体供应导管116、惰性气体导管118、通风导管120、前级管线122和排气导管124。
45.处理室102包括衬底支撑件126、注入凸缘128和排气凸缘130。衬底支撑件126布置在处理室102的内部内，并且配置为在使用处理气体14将膜12沉积到衬底10上期间支撑衬底10。注入凸缘128连接到处理气体源导管114，并且流体联接到处理室102的内部，以使处理气体14流过处理室102的内部。排气凸缘130连接到前级管线122，并且流体联接到处理室102的内部，以将残余处理气体和/或处理气体产物16流动到前级管线122。处理室102可以如2019年1月1日授权给hawkins等人的美国专利号10167557中所示和所述，该专利的内容通过引用整体结合于此。
46.气体系统104连接到处理气体源导管114，并通过其流体联接到处理室102。气体系统104也连接到处理气体源导管114，并通过其流体联接到处理气体源106。气体系统104进一步到通风导管120，并通过其流体联接到通风源108。在某些示例中，气体系统104可以沿着惰性气体导管118布置，并且通过其流体联接到惰性气体源110和真空源112。
47.处理气体源106连接到处理气体源导管114，并通过其流体联接到处理室102。设想处理气体源106配置为通过处理气体源导管114和处理气体供应导管116向处理室102提供处理气体14。在某些示例中，处理气体源106可以包括含硅气体。合适的含硅气体的示例包括硅烷(sih4)、二氯硅烷(dcs)和三氯硅烷(tcs)。根据某些示例，处理气体源106可以包括含卤化物的气体。合适的卤化物的示例包括氯(cl)、氟(f)和盐酸(hcl)。还可以设想，根据某些示例，处理气体源106可以包括含锗气体或含掺杂剂气体。合适的含锗气体的示例包括锗烷(geh4)。合适的掺杂剂的示例包括硼(b)、砷(ar)和磷(ph)。
48.通风源108连接到通风导管120，并通过其流体联接到气体系统104。设想通风源108与处理室102流体分离，并配置为向气体系统104的一个或多个处理气体输送结构提供通风。在某些示例中，通风源108可以包括鼓风机或风扇132。鼓风机或风扇132可布置成通过气体系统104抽取排出气体28。鼓风机或风扇132也可以布置成驱动排出气体28通过气体系统104，这适合于半导体处理系统100的布置。
49.惰性气体源110连接到惰性气体导管118，并通过其流体联接到真空源112。在某些示例中，惰性气体源110可以通过气体系统104流体联接到真空源112。根据某些示例，惰性气体源110可以与气体系统104流体分离。设想惰性气体源110包括惰性气体20。在某些示例中，惰性气体20可以包括氮气(n2)，例如高纯度氮气(hpn)。根据某些示例，惰性气体20可以包括稀有气体。合适的稀有气体的示例还包括氩(ar)、氦(he)、氪(kr)及其混合物。
50.真空源112连接到前级管线122，并通过其流体联接到处理室102。真空源112也连接到惰性气体导管118，并通过其流体联接到惰性气体源110。真空源112进一步连接到排气导管124，并通过其流体联接到外部环境22。在某些示例中，真空源112可以通过减排装置
134(例如洗涤器和/或氮氧化物减排装置)流体联接到外部环境22。根据某些示例，排气导管124也可以连接到惰性气体导管118，使得惰性气体源110连接到真空源112和排气导管124。根据某些示例，设想真空源112可以包括真空源112，该真空源112配置成在膜12沉积到衬底10上期间维持处理室102内的预定沉积压力。
51.在将膜12沉积到衬底10上期间，衬底10支撑在处理室102内和衬底支撑件126上，惰性气体源110向真空源112提供惰性气体20，处理气体源106向处理室102提供处理气体14。处理室102使处理气体14以预定流量(例如质量或体积流量)流过衬底10，流量被选择成将膜12沉积到衬底10上，然后将残余处理气体和/或处理气体产物16排放到前级管线122。前级管线122使残余处理气体和/或处理气体产物16流到真空源112，真空源112将从惰性气体源110接收的惰性气体20与残余处理气体和/或处理气体产物16混合，以形成废气18。在这方面，惰性气体20限制(或消除)了与残余处理气体和/或处理气体产物16相关的危害，例如通过将毒性和/或浓度降低到燃烧所需的水平以下，使得残余处理气体和/或处理气体产物16对于传送到排气导管124是安全的。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，考虑到可能提供给处理室102的处理气体14的最大流量，选择使残余处理气体和/或处理气体产物16安全所需的惰性气体20的流量。通常，惰性气体20的流量对应于沿着处理气体源导管114布置的处理气体计量阀138(图2所示)和/或孔板140(图2所示)的流量额定值136(图2所示),而不是在膜12沉积到衬底10上期间通常提供给处理室102的处理气体14的较小流量，以确保废气18在处理气体计量阀138移动到(或固定在)全开位置的不太可能的情况下变得安全。鉴于本公开，本领域技术人员还将理解，这通常意味着在将膜12沉积到衬底10上期间，惰性气体20到真空源112的流量大于处理室102所需的流量。如本领域技术人员还将理解，这使得半导体处理系统100的运行成本高于其他必要成本，和/或导致半导体处理系统100的某些元件(例如通风源108和/或减排装置134)大于其他需要。为了限制半导体处理系统100的这种操作成本和/或增强半导体处理系统100的安全性，气体系统104包括流量开关142。
52.参考图2，示出了气体系统104。气体系统104包括处理气体计量阀138、流量开关142、外壳144和截止阀146。处理气体计量阀138布置在外壳144内，并且配置为将处理气体14流动到半导体处理系统100(图1中示出)的处理室102(图1中示出)。截止阀146连接到处理气体计量阀138，并配置为将处理气体计量阀138与处理气体源106(图1所示)流体分离。流量开关142可操作地连接到截止阀146，并配置为根据穿过流量开关142的气体(例如处理气体14或惰性气体20(图1中所示))的流量，使用截止阀146来停止处理气体14到半导体处理系统100的处理室102的流动。
53.在某些示例中，外壳144可以连接到通风导管120(图1所示),使得外壳144的内部流体联接到通风源108。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，与通风源108的流体联接允许通风源108对布置在外壳144内部内的气体输送结构(例如处理气体计量阀138)进行通风。在这方面，通风源108可以驱动(或抽吸)排出气体28(如图1所示)通过外壳144的内部。在某些示例中，外壳144可以包括气体柜结构。合适的气体柜结构的示例包括气体柜，气可从纽约central islip的cvd设备公司获得。
54.处理气体计量阀138连接到处理气体供应导管116，并将处理室102(图1所示)流体联接到处理气体源106(图1所示)。在某些示例中，处理气体计量阀138的流量额定值136对应于处理气体计量阀138可以流到处理室102的处理气体14的最大流量(例如质量或体积流
量)。设想处理气体计量阀138的流量额定值136大于将膜12(图1所示)沉积到衬底10(图1所示)上所需的处理气体14的标称沉积流量。例如，流量额定值136可以是标称沉积流量的2至5倍，或者是标称沉积流量的1.5至10倍，或者甚至是用于将膜12沉积到衬底10上的过程的标称沉积流量的1.25至20倍。
55.在某些示例中，处理气体计量阀138可以包括质量流量控制器(mfc)148。在这样的示例中，mfc148可以包括质量流量计(mfm)150和伺服控制阀152。伺服控制阀152可以将mfm150流体联接到处理气体供应导管116，并且布置成改变处理气体14(图1所示)到处理室102(图1所示)的质量流量。mfm150又可以将伺服控制阀152流体联接到处理室102，以监控到处理室102的处理气体14的流量，将该流量与预定沉积流量进行比较，并且在将膜12(衬底10)沉积到衬底10上(如图1所示)期间将处理气体14的流量驱动到预定沉积流量。合适的mfc装置的示例包括fma-lp2600a mfc装置，其可从康涅狄格州诺沃克的omega工程公司获得。合适的mfm装置的示例包括fmc-5501la mfm装置，其可从康涅狄格州诺沃克的omega工程公司获得。尽管图2中示出了处理气体计量阀138的特定布置，但应当理解和明白，可以采用其他类型的处理气体计量阀，例如手动阀和不同致动的阀，并且仍在本公开的范围内。
56.截止阀146配置为在处理气体源106(图1所示)和处理气体计量阀138之间提供选择性流体连通。在这方面，截止阀146可以连接到处理气体源导管114，并通过其流体联接到处理气体源106。在另一方面，设想截止阀146具有常开布置，截止阀146由此将处理气体源106流体联接到处理气体计量阀138。在某些示例中，截止阀146可以布置在外壳144内。根据某些示例，截止阀146可以布置在外壳144的外部。还可以设想，根据某些示例，截止阀146可以布置在壳体154中，例如设备壳体，以根据处理室102(图1所示)采用的沉积过程将截止阀146与流量开关142配套。合适的截止阀的示例包括930系列超高纯度阀，其可从俄亥俄州克利夫兰的parker-hannifin公司获得。
57.流量开关142流体联接到气体源，以根据通过流量开关142的气体的流量来控制处理气体14到处理室102(图1所示)的流动。在这方面，设想流量开关142具有截止触发156，流量开关142配置为将穿过流量开关142的气体的流量与截止触发156进行比较，并且流量开关142还配置为基于穿过流量开关142的气体的流量(例如质量或体积流量)与截止触发156的比较来提供截止信号158。还可以设想，流量开关142与截止阀146的操作关联使得当流量开关142提供截止信号158时截止阀146关闭。合适的流量开关的示例包括v8f系列流量开关，其可从康涅狄格州米尔福德的precision传感器公司获得。
58.在某些示例中，流量开关142可以流体联接到处理气体源106(图1中示出),并且配置为当穿过流量开关142的处理气体14的流量大于截止触发156时提供截止触发156。根据某些示例，截止触发156可以小于处理气体计量阀138的流量额定值136。有利地，流量开关142的截止触发156小于处理气体计量阀138的流量额定值136的气体系统104的示例可以限制半导体处理系统100所需的惰性气体20的流量，相应地限制与半导体处理系统100的操作相关的成本。限制半导体处理系统100所需的惰性气体20的流量也可以降低半导体处理系统100的成本，例如通过限制所需的通风和/或减排，限制与通风源108(图1所示)和/或减排装置134(图1所示)相关的成本。根据某些实施例，流量开关142可以流体联接到惰性气体源110(图1所示),并配置为提供截止触发156，惰性气体20的流量小于截止触发156。有利地，在这样的示例中，流量开关142通过在惰性气体20的流量小于使由处理室102排放的残余处
理气体和/或处理气体产物16的流动惰性化所需的流量的不太可能的情况下关闭截止阀146来增强半导体处理系统100的安全性。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，这降低(或消除)了在惰性气体20到真空源112的流动被中断的不太可能的情况下处理气体14继续流到处理室102的可能性。
59.根据某些示例，气体系统104可以包括继电器160。在这样的示例中，继电器160可以可操作地将流量开关142连接到截止阀146。继电器160可以配置为当流量开关142提供截止信号158时关闭截止阀146。继电器160可以布置例如共同定位在外壳144的内部内。继电器160可以布置在外壳144的外部。还可以设想，继电器160可以布置在壳体154内。有利地，在采用两个或更多流量开关的气体系统104的示例中，继电器160的采用允许响应于监控气体流量的多个流量开关中的任何一个来关闭截止阀146。例如，流量开关142可以布置成提供24伏dc输出，该输出基于穿过流量开关142的气体的流量与截止触发156的比较而下降到0伏，当施加到继电器160的24伏dc输出中的一个(或多个)下降到0伏时，继电器160关闭截止阀146。合适的继电器的示例包括g9sa安全继电器单元，其可从日本京都的omron公司获得。
60.还可以设想，根据某些示例，气体系统104可以包括控制器162。控制器162可以可操作地将流量开关142连接到截止阀146，并且配置为当流量开关142提供截止信号158时关闭截止阀146。在某些示例中，控制器162可以布置在外壳144的内部内。根据某些示例，控制器162可以布置在外壳144的外部。还可以设想，根据某些示例，控制器162可以布置在壳体154内。有利地，控制器162的使用允许气体系统104提供与截止阀146的关闭相关的附加功能，比如操作者警报和/或记录，比如作为非限制性示例的流量开关输出电压的监控。合适的控制器的示例包括ek1960 twinsafe安全控制器，其可从德国verl的beckhoff自动化公司获得。
61.参考图3，根据包括气体系统204的示例，示出了半导体处理系统100。气体系统204类似于气体系统104(如图1所示),并且还包括处理气体流量开关242。处理气体流量开关242具有处理气体截止触发256，连接到处理气体源106，并将处理气体源106流体联接到截止阀146。设想处理气体流量开关242配置成当通过处理气体流量开关242的处理气体14的流量大于处理气体截止触发256时，例如当处理气体14的流量上升到处理气体截止触发256之上时，提供处理气体截止信号258，处理气体截止信号258在处理气体流量大于处理气体截止触发256时促使截止阀146关闭。
62.在将膜12沉积到衬底10上期间，处理气体源106向处理气体流量开关242提供处理气体14，通风源108用排出气体28使外壳144的内部通风，惰性气体源110向真空源112提供惰性气体20。当处理气体14穿过处理气体流量开关242时，处理气体流量开关242将处理气体14的流量与处理气体截止触发256进行比较。当处理气体14的流量小于处理气体截止触发256时，截止阀146保持打开，并且处理气体14通过截止阀146和处理气体计量阀138流到处理室102。当处理气体14的流量大于处理气体截止触发256时，处理气体流量开关242提供处理气体截止信号258。当存在处理气体截止信号258时，其导致截止阀146关闭。截止阀146的关闭又导致处理气体14停止流到处理室102，停止从处理室102排放残余处理气体和/或处理气体产物16。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，根据处理气体流量开关242的处理气体截止触发256和处理气体计量阀138的流量额定值136之间的差异，这可以限制残余处
理气体和/或处理气体产物16到真空泵的流量。
63.有利地，处理气体流量开关242可以降低处理室102所需的惰性气体20的流量，该流量与处理气体截止触发256和处理气体计量阀138的流量额定值136之间的差值相当。在某些示例中，处理气体截止触发256可以小于处理气体计量阀138的流量额定值136。例如，处理气体截止触发256可以在流量额定值136的约10％和约90％之间，或者在流量额定值136的约30％和约80％之间，或者在流量额定值136的约50％和约70％之间。将处理气体流量开关242的处理气体截止触发256的大小设定为小于处理气体计量阀138的流量额定值136因处理气体流量开关242和处理气体截止触发256的配合而允许处理室102所需的惰性气体20的流量小于处理气体计量阀138的流量额定值136，从而限制惰性气体消耗，并降低半导体处理系统100的操作成本。处理气体流量开关242和截止阀146的配合也可以增强半导体处理系统100的安全性，例如通过防止处理气体14以超过将膜12沉积到衬底10上所需的流量流到处理室102，比如在处理配方将处理气体计量阀138驱动到全开位置的情况下。并且处理气体流量开关242和截止阀146的配合也可限制给外壳144通风所需的排出气体28的流量和/或减排装置134的容量。
64.参考图4，根据包括气体系统304的示例，示出了半导体处理系统100。气体系统304类似于气体系统104(图1所示),并且另外包括第一处理气体流量开关342、第二处理气体流量开关360、第一截止阀346和第二截止阀362。第一处理气体流量开关342和第一截止阀346通过第一处理气体计量阀338将第一处理气体源306流体联接到处理室102。第二处理气体流量开关360和第二截止阀362通过第二处理气体计量阀366将第二处理气体源364流体联接到处理室102。
65.设想第一处理气体流量开关342具有第一处理气体截止触发356。还设想第一处理气体流量开关342配置成当穿过第一处理气体流量开关342的第一处理气体14的流量大于第一处理气体截止触发356时提供第一处理气体截止信号358。还可以设想，第二处理气体流量开关360具有第二处理气体截止触发368，并且配置为当第二处理气体24的流量大于第二处理气体截止触发368时提供第二处理气体截止信号370。尽管在图示的示例中示出了两个处理气体源和相关的流量开关，但应当理解和明白，气体系统304的示例可以具有多于两个的处理气体流量开关和相关的截止阀，并且仍在本公开的范围内。
66.在膜12沉积到衬底10上期间，第一处理气体源306向第一处理气体流量开关342提供第一处理气体14，第二处理气体源364向第二处理气体流量开关360提供第二处理气体24。当第一处理气体14穿过第一处理气体流量开关342时，第一处理气体流量开关342将第一处理气体14的流量与第一处理气体截止触发356进行比较。当第一处理气体14的流量小于第一处理气体截止触发356时，第一截止阀346可以保持打开，并且第一处理气体14通过第一截止阀346和第一处理气体计量阀338流到处理室102。类似地，当第二处理气体穿过第二处理气体流量开关360时，第二处理气体流量开关360将第二处理气体24的流量与第二处理气体截止触发368进行比较，并且当第二处理气体24的流量小于第二处理气体截止触发368时，第二截止阀362可以保持打开。
67.当第一处理气体14的流量大于第一处理气体截止触发356时，第一处理气体流量开关342提供第一处理气体截止信号358。当第一处理气体截止信号358存在时，其至少使第一截止阀346关闭。第一截止阀346的关闭又导致第一处理气体14停止流到处理室102，随后
停止残余处理气体和/或处理气体产物16从处理室102排放到真空源112。在某些示例中，第一处理气体截止信号358还可以导致第二截止阀362关闭，与来自处理室102的第二处理气体24相关的残余处理气体和/或处理气体产物16的排放也停止。
68.类似地，当第二处理气体24的流量大于第二处理气体截止触发368时，第二处理气体流量开关360提供第二处理气体截止信号370。当存在第二处理气体截止信号370时，其至少使第二截止阀362关闭。第二截止阀362的关闭又导致第二处理气体24到处理室102的流动停止，随后停止与来自处理室102的第二处理气体24相关的残余处理气体和/或处理气体产物16的排放。在某些示例中，第二处理气体截止信号370也可以导致第二截止阀362关闭，来自处理室102的残余处理气体和/或处理气体产物16的排放也停止。
69.有利地，如上所述，第一处理气体流量开关342和第二处理气体流量开关360可以降低处理室102所需的惰性气体20的流量。例如，第一处理气体截止触发356可以小于第一处理气体计量阀338的第一流量额定值336，第二处理气体截止触发368可以小于第二处理气体计量阀366的第二流量额定值372。由于在第一处理气体14和/或第二处理气体24中的任一种(或两种)的流量超过每种处理气体所穿过的流量开关的截止触发的情况下处理气体流量开关和相关截止阀的上述配合，这种大小允许处理室102所需的惰性气体20的流量小于第一流量额定值336和第二流量额定值372所需的流量。处理气体流量开关和截止阀的配合也可以增强半导体处理系统100的安全性，例如通过在任何一种处理气体的流量超过相应流量开关的截止触发的情况下停止第一处理气体14和第二处理气体24到处理室102的流动。
70.参考图5，根据包括气体系统404的示例，示出了半导体处理系统100。气体系统404类似于气体系统104(如图1所示),并且还包括惰性气体流量开关442。惰性气体流量开关442连接到惰性气体源110，将惰性气体源110流体联接到真空源112，并配置为根据穿过惰性气体流量开关442的惰性气体20的流量来控制处理气体14到处理室102的流动。在这方面，惰性气体流量开关442具有惰性气体截止触发456，并且配置为当穿过惰性气体流量开关442的惰性气体20的流量小于惰性气体截止触发456时，例如当惰性气体20的流量下降到惰性气体截止触发456以下时，提供惰性气体截止信号458，促使截止阀146关闭。设想惰性气体截止触发456被选择成使得当惰性气体20的流量不足以使在膜12沉积到衬底10上期间由处理室102排放的残余处理气体和/或处理气体产物16成为惰性时，惰性气体流量开关442关闭截止阀146。
71.在膜12沉积到衬底10上期间，惰性气体源110向真空源112提供惰性气体20，并且处理气体源106通过截止阀146和处理气体计量阀138向处理室102提供处理气体14。处理室102又使处理气体14流过衬底10，以将膜12沉积到衬底10上，然后将残余处理气体和/或处理气体产物16排放到前级管线122，并通过其到达真空源112。真空源112将惰性气体源110提供的惰性气体20引入残余处理气体和/或处理气体产物16中，以形成废气18。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，将惰性气体20引入残余处理气体和/或处理气体产物16限制(或消除)了与残余处理气体和/或处理气体产物16相关的危险。鉴于本公开，本领域技术人员还将理解，这使得废气18安全地通过排气导管124流到减排装置134。
72.当惰性气体20穿过惰性气体流量开关442时，惰性气体流量开关442将惰性气体20的流量与惰性气体截止触发456进行比较。当惰性气体20的流量大于惰性气体截止触发456
时，惰性气体流量开关442不动作，截止阀146保持打开，并且处理气体14通过截止阀146和处理气体计量阀138流到处理室102。当惰性气体20的流量小于惰性气体截止触发456的流量时，例如在惰性气体20的流量不足以使残余处理气体和/或处理气体产物16安全地流到减排装置134的不太可能的情况下，惰性气体流量开关442提供惰性气体截止信号458。当存在惰性气体截止信号458时，其导致截止阀146关闭。截止阀146的关闭又停止了处理气体14到处理室102的流动，并停止排放来自处理室102的残余处理气体和/或处理气体产物16。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，这限制(或消除)在流过真空源112和/或减排装置134期间与残余处理气体和/或处理气体产物16潜在相关的危险。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，惰性气体流量开关442和截止阀146的配合可以进一步增强半导体处理系统100的安全性。
73.参考图6，根据包括气体系统504的示例，示出了半导体处理系统100。气体系统504类似于气体系统104(图1所示),并且另外包括第一惰性气体流量开关542和第二惰性气体流量开关564。第一惰性气体流量开关542连接到惰性气体源110，将惰性气体源110流体联接到真空源112，并配置为根据通过第一惰性气体流量开关542到达真空源112的第一部分惰性气体20的流量来控制处理气体14到处理室102的流动。第二惰性气体流量开关564也连接到惰性气体源110，将惰性气体源110流体联接到排气导管124，并配置为根据通过第二惰性气体流量开关564并到达排气导管124的第二部分惰性气体20的流量来控制处理气体14到处理室102的流动。
74.设想第一惰性气体流量开关542和第二惰性气体流量开关564使用第一惰性气体截止触发556和第二惰性气体截止触发566来控制处理气体14到处理室102的流动。在这方面，第一惰性气体流量开关542将到真空源112的第一部分惰性气体20的流量与第一惰性气体截止触发556进行比较，当流量大于第一惰性气体截止触发556时不采取行动，并且当第一部分惰性气体20的流量小于第一惰性气体截止触发556时提供第一惰性气体截止信号558。在另一方面，第二惰性气体流量开关564类似地将第二部分惰性气体20到排气导管124的流量与第二惰性气体截止触发566进行比较，当流量大于第二惰性气体截止触发566时不采取行动，并且当第二部分惰性气体20的流量小于第二惰性气体截止触发566时提供第二惰性气体截止信号568。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，第一惰性气体截止信号558和/或第二惰性气体截止信号568的提供导致截止阀146关闭。截止阀146的关闭又停止了处理气体14到处理室102的流动，随后停止了残余处理气体和/或处理气体产物16的排放。
75.在膜12沉积到衬底10上期间，惰性气体源110分别向真空源112和排气导管124提供惰性气体20的第一部分和第二部分，并且处理气体源106向处理室102提供处理气体14。处理室102使处理气体14流过衬底10，以将膜12沉积到衬底10上，然后将残余处理气体和/或处理气体产物16排放到前级管线122。前级管线122又使残余处理气体和/或处理气体产物16流到真空源112，真空源112将第一部分惰性气体20引入残余处理气体和/或处理气体产物16中以形成废气18，废气18由真空源112提供给排气导管124。排气导管124将第二部分惰性气体20引入废气18中，例如在沿着排气导管124布置的接头处，并且使进一步稀释的废气18流到减排装置134。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，将惰性气体20分成第一和第二部分限制真空源112的尺寸，同时限制(或消除)与残余处理气体和/或处理气体产物16潜在相关的危险。
76.当第一部分惰性气体20穿过第一惰性气体流量开关542时，第一惰性气体流量开关542将第一部分惰性气体20的流量与第一惰性气体截止触发556进行比较。同时，当第二部分惰性气体20穿过第二惰性气体流量开关564时，第二惰性气体流量开关564将第二部分惰性气体20的流量与第二惰性气体截止触发566进行比较。当惰性气体20的第一部分和第二部分的流量都大于第一惰性气体截止触发556和第二惰性气体截止触发566时，第一惰性气体流量开关542和第二惰性气体流量开关564都不采取行动，截止阀146保持打开，并且处理气体14通过截止阀146和处理气体计量阀138流到处理室102。当惰性气体20的第一部分和/或第二部分的流量分别小于第一惰性气体截止触发556和/或第二惰性气体截止触发566时，第一惰性气体截止信号558和/或第二惰性气体截止信号568由第一惰性气体流量开关542和/或第二惰性气体流量开关564提供。当存在第一惰性气体截止信号558和第二惰性气体截止信号568中的任一个(或两个)时，其导致截止阀146关闭。截止阀146的关闭又停止处理气体14到处理室102的流动，随后停止来自处理室102的残余处理气体和/或处理气体产物16的排放。如上所述，这限制(或消除)残余处理气体和/或处理气体产物16在流过真空源112和/或排气导管124期间潜在存在的危险，增强了半导体处理系统100的安全性。
77.参考图7，根据包括气体系统604的示例，示出了半导体处理系统100。气体系统604类似于气体系统104(图1所示),并且另外包括处理气体流量开关642和惰性气体流量开关664。处理气体流量开关642连接到处理气体源106，通过截止阀146和处理气体计量阀138将惰性气体源110流体联接到处理室102，并且配置为根据穿过处理气体流量开关642的处理气体14的流量来控制处理气体14到处理室102的流量。在这方面，处理气体流量开关642具有处理气体截止触发656，并且配置为当穿过处理气体流量开关642的处理气体14的流量大于处理气体截止触发656时，提供处理气体截止信号658。处理气体截止信号658(当存在时)导致截止阀146关闭，停止处理气体14到处理室102的流动。当穿过处理气体流量开关642的处理气体14的流量没有超过处理气体截止触发656时，处理气体流量开关642不提供处理气体截止信号658，并且处理气体14可以流到处理室102。
78.惰性气体流量开关664连接到惰性气体源110，将惰性气体源110流体联接到真空源112，并且配置为根据穿过惰性气体流量开关664的惰性气体20的流量来控制处理气体14到处理室102的流动。在这方面，惰性气体流量开关664将惰性气体20的流量与惰性气体截止触发666进行比较，当惰性气体20的流量大于惰性气体截止触发666时不采取行动，并且当惰性气体20的流量小于惰性气体截止触发666时提供惰性气体截止信号668。当存在惰性气体截止信号668时，其导致截止阀146关闭，停止处理气体14到处理室102的流动。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，当惰性气体20的流量小于惰性气体截止触发666时停止处理气体14到处理室102的流动限制(或消除)在惰性气体源110不能向真空源112和/或排气导管124提供足够惰性气体20的情况下可能与残余处理气体和/或处理气体产物16相关的危险。
79.在膜12沉积到衬底10上期间，惰性气体源110通过惰性气体流量开关664向真空源112提供惰性气体20，并且处理气体源106通过处理气体流量开关642和截止阀146向处理室102提供处理气体14。处理室102又使处理气体14流过衬底10，以将膜12沉积到衬底10上，然后将残余处理气体和/或处理气体产物16排放到前级管线122。前级管线122使残余处理气体和/或处理气体产物16流到真空源112，真空源112又将惰性气体20引入残余处理气体和/
或处理气体产物16中以形成废气18。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，在废气18流到减排装置134之前，将惰性气体20引入残余处理气体和/或处理气体产物16限制(或消除)与残余处理气体和/或处理气体产物16相关的危险。
80.当处理气体14穿过处理气体流量开关642时，处理气体流量开关642将处理气体14的流量与处理气体截止触发656进行比较。当处理气体14的流量大于处理气体截止触发656时，处理气体流量开关642提供处理气体截止信号658，其(当存在时)关闭截止阀146并停止处理气体14到处理室102的流动。当处理气体14的流量小于处理气体截止触发656时，处理气体流量开关642不动作，并且处理气体14的流动可以继续通过截止阀146和处理气体计量阀138到达处理室102。设想处理气体流量开关642的处理气体截止触发656小于处理气体计量阀138的流量额定值136，通过限制半导体处理系统100所需的惰性气体20的流量来限制半导体处理系统100的操作成本。
81.当惰性气体20穿过惰性气体流量开关664时，惰性气体流量开关664将惰性气体20的流量与惰性气体截止触发666进行比较。当惰性气体20的流量大于惰性气体截止触发666时，惰性气体流量开关664不动作，并且处理气体14通过截止阀146和处理气体计量阀138到处理室102的流动可以继续。当惰性气体20的流量小于惰性气体截止触发666时，例如在来自惰性气体源110的惰性气体20的流动中断的不太可能的情况下，惰性气体流量开关664提供惰性气体截止信号668。惰性气体截止信号668(当存在时)导致截止阀146关闭，此后停止处理气体14到处理室102的流动。如上所述，关闭截止阀146通过在惰性气体20的流量不足以限制(或消除)与残余处理气体和/或处理气体产物16相关的危险的情况下停止处理气体14到处理室102的流动来防止残余处理气体和/或处理气体产物16排放到前级管线122并通过其到达真空源112，从而增强半导体处理系统100的安全性。值得注意的是，处理气体流量开关642和惰性气体流量开关664与截止阀146的配合可通过减少半导体处理系统所需的惰性气体来限制操作成本，限制半导体处理系统100所需的通风，限制提供给减排装置134的废气18的流量，和/或增强半导体处理系统100的安全性。
82.参考图8，示出了气流控制方法700。如框710所示，气体例如处理气体14(图1所示)或惰性气体20(图1所示)被提供给流量开关，例如流量开关142(图2所示)。如框720所示，流量开关将气体的流量与流量开关的截止触发例如截止触发156(如图2所示)进行比较。当流量在预定范围内时，处理气体流到处理室，例如处理室102(图1所示)，如框730、箭头732和框740所示。使用处理气体将膜沉积到支撑在处理室内的衬底上，例如将膜12(图1所示)沉积到衬底10(图1所示)上，如框750所示。在将膜沉积到衬底上期间，由处理室排出的残余处理气体和/或处理气体产物例如残余处理气体和/或处理气体产物16(如图1所示)此后与由惰性气体源提供的惰性气体流混合(惰性化)，例如由惰性气体源110(如图1所示)提供的惰性气体20(如图1所示)，如框760所示。如箭头762所示，在用流量开关将膜沉积到衬底上期间，可以迭代地(或连续地)监控处理气体的流量。
83.如箭头770和框772所示，当气体的流量不在预定范围内时，停止处理气体到处理室的流动。在某些示例中，流量开关可以提供截止信号，例如截止信号158(如图2所示)，以停止处理气体到处理室的流动，如框774所示。根据某些示例，当处理气体的流量在预定范围之外时，膜到衬底上的沉积可以停止，如框780所示。还可以设想，可以通过关闭与流量开关可操作地相关的截止阀例如截止阀146(如图2所示)来实现将膜沉积到衬底上，如框782
所示。
84.参考图9，示出了气流控制方法800。如框810所示，处理气体例如处理气体14(图1所示)被提供给处理气体流量开关，例如处理气体流量开关242(图3所示)。如框820所示，处理气体流量开关将处理气体的流量与处理气体流量开关的处理气体截止触发例如处理气体截止触发256(如图3所示)进行比较。当处理气体的流量小于处理气体流量开关的处理气体截止触发时，处理气体流到处理室，例如处理室102(如图1所示)，如框830、箭头832和框840所示。处理室使处理气体流过支撑在处理室内的衬底，使得膜沉积到衬底上，例如膜12(图1所示)沉积到衬底10(图1所示)上，如框850所示。残余处理气体和/或处理气体产物例如残余处理气体和/或处理气体产物16(如图1所示)此后与由惰性气体源提供的惰性气体流混合(例如惰性化)，例如由惰性气体源110(如图1所示)提供的惰性气体20(如图1所示)，如框860所示。在使用处理气体流量开关将膜沉积到衬底上期间，可以迭代地(或连续地)监控处理气体到处理室的流量，如箭头862所示。
85.如箭头870和框880所示，当处理气体的流量大于处理气体截止触发时，停止处理气体到处理室的流动。在某些示例中，处理气体截止信号例如处理气体截止信号258(如图3所示)可以由处理气体流量开关提供，以停止处理气体到处理室的流动。根据某些示例，当穿过处理气体流量开关的处理气体的流量大于(例如高于)处理气体截止触发时，可以停止膜到衬底上的沉积，如框890所示。还可以设想，根据某些示例，可以通过关闭与处理气体流量开关可操作地相关的截止阀例如截止阀146(如图3所示)来实现将膜沉积到衬底上。
86.参考图10，示出了气流控制方法900。如框910所示，惰性气体例如惰性气体20(图1所示)被提供给惰性气体流量开关，例如惰性气体流量开关442(图5所示)。如框920所示，惰性气体流量开关将穿过惰性气体流量开关的惰性气体的流量与惰性气体流量开关的惰性气体截止触发例如惰性气体截止触发456(如图5所示)进行比较。当惰性气体的流量大于惰性气体截止触发时，处理气体流到处理室，例如处理气体14(图1所示)流到处理室102(图1所示)，如框930、箭头932和框940所示。使用处理气体将膜沉积到支撑在处理室内的衬底上，例如将膜12(图1所示)沉积到衬底10(图1所示)上，如框950所示。在将膜沉积到衬底上期间由处理室排放的残余处理气体和/或处理气体产物例如残余处理气体和/或处理气体产物16(图1所示)此后与惰性气体混合(惰性化)，如框960所示。当处理气体流到处理室并且使用处理气体流量开关将膜沉积到衬底上时，可以迭代地(或连续地)监控惰性气体的流量，如箭头962所示。
87.当惰性气体的流量小于惰性气体截止触发时，处理气体到处理室的流动停止，如箭头970和框980所示。在某些示例中，截止信号例如惰性气体截止信号458(如图5所示)可以由惰性气体流量开关提供，以停止处理气体到处理室的流动。根据某些示例，当惰性气体的流量小于(例如低于)惰性气体截止触发时，膜到衬底上的沉积可以停止，如框990所示。还可以设想，可以通过关闭与惰性气体流量开关可操作地相关的截止阀例如截止阀146(如图5所示)来实现膜到衬底上的沉积。
88.参考图11，示出了气流控制方法1000。如框1010和框1020所示，向惰性气体流量开关提供惰性气体，例如向惰性气体流量开关664(图7所示)提供惰性气体20(图1所示)，向处理气体流量开关提供处理气体，例如向处理气体流量开关642(图7所示)提供处理气体14(图1所示)。如框1030所示，将处理气体的流量与处理气体流量开关的处理气体截止触发例
如处理气体截止触发656(如图7所示)进行比较。
89.当处理气体的流量小于处理气体截止触发时，惰性气体的流量与惰性气体流量开关的惰性气体截止触发例如惰性气体截止触发666(如图7所示)进行比较，如框1040、箭头1042和框1050所示。当惰性气体的流量大于惰性气体截止触发时，处理气体流到处理室，例如处理室102(如图1所示)，并且膜沉积到衬底上，例如膜12(如图1所示)沉积到衬底10(如图1所示)上，如框1060、箭头1062和框1070所示。通过将惰性气体引入由处理室排放的残余处理气体和/或处理气体产物中，残余处理气体和/或处理气体产物可被惰性化，如框1072所示。在将膜沉积到衬底上期间，可以迭代地(或连续地)监控处理气体和惰性气体的流量，如箭头1074所示。
90.当处理气体的流量大于处理气体截止触发和/或惰性气体的流量小于惰性气体截止触发时，停止处理气体到处理室的流量，如箭头1080、箭头1082、框1084和框1086所示。设想停止处理气体到处理室的流动可以停止膜到衬底上的沉积，例如在完成膜到衬底上的沉积之前，如框1090所示。
91.参照图12，示出了用于气流控制系统气体系统的套件1100。套件1100包括配置为控制处理气体到处理室的流动的截止阀，例如截止阀146(如图2所示)，以及配置为可操作地连接到截止阀的流量开关，以根据穿过流量开关例如流量开关142(如图2所示)的气体流量来关闭截止阀。在某些示例中，套件1100可以包括壳体，其配置为在外壳例如外壳154(如图2所示)的外部容纳截止阀和流量开关。根据某些示例，套件1100可以包括继电器和/或控制器，其配置为将流量开关连接到截止阀，例如继电器160(图2所示)和/或控制器162(图2所示)。还可以设想，流量开关可以是多个流量开关中的一个，其配置成根据穿过流量开关的处理气体或惰性气体来控制处理气体流过截止阀。
92.尽管已经在某些实施例和示例的情况下提供了本公开，但本领域技术人员将理解，本公开延伸到具体描述的实施例之外的其他替代实施例和/或实施例的使用及其明显的修改和等同物。此外，虽然已经详细示出和描述了本公开的实施例的多种变型，但基于本公开，在本公开的范围内的其他修改对于本领域技术人员来说将是显而易见的。还设想可以对实施例的具体特征和方面进行各种组合或子组合，并且仍落入本公开的范围内。应当理解，所公开的实施例的各种特征和方面可以彼此组合或替换，以便形成本公开的实施例的不同模式。因此，本公开的范围不应受上述特定实施例的限制。
93.本文提供的标题(如果有的话)仅是为了方便，并不一定影响本文公开的装置和方法的范围或含义。
94.附图标记列表
95.10 衬底
96.12 膜
97.14 处理气体
98.16 残余处理气体和/或处理气体产物
99.18 废气
100.20 惰性气体
101.22 外部环境
102.24 第二处理气体
103.28 排出气体
104.100 半导体处理系统
105.102 处理室
106.104 气体系统
107.106 处理气体源
108.108 通风源
109.110 惰性气体源
110.112 真空源
111.114 处理气体源导管
112.116 处理气体供应导管
113.118 惰性气体导管
114.120 通风导管
115.122 前级管线
116.124 排气导管
117.126 衬底支撑件
118.128 排气凸缘
119.130 排气凸缘
120.132 鼓风机或风扇
121.134 减排装置
122.136 流量额定值
123.138 处理气体计量阀
124.140 孔板
125.142 流量开关
126.144 外壳
127.146 截止阀
128.148 mfc
129.150 mmf
130.152 伺服控制阀
131.154 壳体
132.156 截止触发
133.158 截止信号
134.160 继电器
135.162 控制器
136.204 气体系统
137.242 处理气体流量开关
138.256 处理气体截止触发
139.258 处理气体截止信号
140.304 气体系统
141.306 第一处理气体源
142.338 第一处理气体计量阀
143.342 第一处理气体流量开关
144.346 第一截止阀
145.356 第一处理气体截止触发
146.358 第一处理气体截止信号
147.360 第二处理气体流量开关
148.362 第二截止阀
149.364 第二处理气体源
150.366 第二处理气体计量阀
151.368 第二处理气体截止触发
152.370 第二处理气体截止信号
153.404 气体系统
154.442 惰性气体流量开关
155.456 惰性气体截止触发
156.458 惰性气体截止信号
157.504 气体系统
158.542 第一惰性气体流量开关
159.556 第一惰性气体截止触发
160.558 第一惰性气体截止信号
161.564 第二惰性气体流量开关
162.566 第二惰性气体截止触发
163.568 第二惰性气体截止信号
164.604 气体系统
165.642 处理气体流量开关
166.656 处理气体截止触发
167.658 处理气体截止信号
168.664 惰性气体流量开关
169.666 惰性气体截止触发
170.668 惰性气体截止信号
171.700 气流控制方法
172.710 框
173.720 框
174.730 框
175.732 箭头
176.740 框
177.750 框
178.760 框
179.770 箭头
180.772 框
181.774 框
182.780 框
183.782 框
184.800 气流控制方法
185.810 框
186.820 框
187.830 框
188.832 箭头
189.840 框
190.850 框
191.860 框
192.862 箭头
193.870 箭头
194.880 框。